山东省（春季高考）电气技术类 《电子技术基础与技能》项目十二任务四 45分钟专题训练卷

山东省（春季高考）电气技术类《电子技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，共155份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电气技术类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电气技术类高考的学生。 与本专辑配套的还有山东省春季高考考试《电工技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 山东省（春季高考）电气技术类 《电子技术基础与技能》 项目十二：三极管及放大电路基 任务四：静态工作点的温度影响 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 分压偏置电路中，当温度升高时，集电极电流 ICQ 的变化趋势是（ ）​ A. 增大​ B. 减小​ C. 基本不变​ D. 随机变化​​ 【答案】C 【解析】分压偏置电路通过发射极电阻引入负反馈。温度升高时，三极管的基极—发射极电压降低、反向饱和电流增大等因素会使集电极电流有增大的趋势，但发射极电压随之升高，负反馈会抑制集电极电流的变化。因此，与固定偏置电路相比，分压偏置电路的集电极静态电流ICQ基本保持不变，故选C。 2. 固定偏置放大电路中，当温度升高时，静态工作点会（ ） A. 不变 B. 上移 C. 下移 D. 先上移后下移 【答案】B 【解析】温度升高时，三极管的参数会变化，导致集电极电流增大，静态工作点上移，选择 B 选项。 3. 引起放大器的零漂原因很多，其中最难控制的原因是（ ） A. 半导体器件参数的变化 B. 电路中电阻值的变化 C. 电源电压的变化 D. 温度的变化 【答案】D 【解析】放大器的零点漂移是指输入信号为零时，输出电压仍随时间缓慢变化的现象。半导体器件参数、电阻值和电源电压都可能发生变化，但温度变化会同时影响晶体管的基极—发射极电压、反向饱和电流和电流放大系数等多个参数，从而引起静态工作点和输出电压变化，而且温度最难完全控制。因此，最难控制的原因是温度的变化，故选D。 4. 下列因素不影响静态工作点的位置的是（ ） A. RB B. RC C. VCC D. 输入信号频率 【答案】D 【解析】以固定偏置放大电路为例，基极电流近似为IB=(VCC−VBE)/RB，集电极电流近似为IC=βIB，集电极—发射极电压为VCE=VCC−ICRC。因此，RB、RC、VCC和β都会影响静态工作点。输入信号频率只影响交流放大特性，不影响输入信号为零时的静态工作点，所以选项D正确。 5. 某固定偏置共射放大器在无输入信号时静态工作点居中。环境温度升高且电源电压不变时，该电路的静态工作点通常会出现的变化是（ ） A. 集电极静态电流增大，工作点趋向饱和 B. 集电极静态电流减小，工作点趋向截止 C. 基极静态电流减小，工作点趋向饱和 D. 基极静态电流增大，工作点趋向截止 【答案】A 【解析】温度升高会使晶体管的漏电流增大、发射结电压降低，从而使集电极静态电流增大。静态工作点将沿直流负载线向饱和区移动。 6. 影响放大电路静态工作点稳定的主要因素是（ ） A. 三极管的β值 B. 三极管的死区电压 C. 放大信号的频率 D. 工作环境的温度 【答案】D 【解析】温度变化会引起晶体管的基极—发射极电压、反向饱和电流和β等参数发生变化，进而使集电极电流和集电极—发射极电压发生变化，导致静态工作点漂移。因此，影响放大电路静态工作点稳定的主要因素是工作环境的温度，故选D。 7. 当温度升高时，会造成放大器的（ ） A. Q点上移，容易引起饱和失真 B. Q点下移，容易引起饱和失真 C. Q点上移，容易引起截止失真 D. Q点下移，容易引起截止失真 【答案】A 【解析】因为温度升高时，晶体管的参数β增大，增大，输出特性曲线向上平移，静态工作点沿负载线上移，Q点上移，容易引起饱和失真。 8. 下列选项不是引起静态工作点不稳定的因素的是（ ） A. 温度的变化 B. 电源电压变化 C. 更换了不同参数的三极管 D. 输入信号频率的变化 【答案】D 【解析】温度变化会改变晶体管参数，电源电压变化会改变工作电压，更换不同参数的三极管会改变电流放大系数等参数，偏置电阻变化会改变偏置电流，这些因素都会引起静态工作点不稳定。输入信号频率的变化只影响交流信号的放大特性，通常不改变静态工作点，因此选项D正确。 9. 为减小环境温度变化对分压偏置共射放大器静态工作点的影响，通常应采用的措施是（ ） A. 减小发射极电阻，以增强直流负反馈 B. 增大集电极电阻，以增强直流负反馈 C. 增大发射极电阻，以增强直流负反馈 D. 减小基极偏置电阻，以增强直流负反馈 【答案】C 【解析】增大发射极电阻可形成较强的直流负反馈。当温度升高使集电极电流增大时，发射极电压随之升高，能够抑制基极电流继续增大，从而稳定静态工作点。 10. 已知在图所示电路中，V，，静态管压降V；并在输出端加负载电阻，其阻值为3kΩ。若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将（ ） A. 减小 B. R。减小 C. 减小 D. 增大 【答案】B 11. 直接耦合放大电路存在零点漂移最主要原因是（ ） A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管是非线性元件 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不稳定 【答案】C 【解析】直接耦合放大电路的级间没有隔直电容，前级静态工作点的变化会直接传递到后级并逐级放大。温度变化会引起晶体管的基极—发射极电压、反向饱和电流和β等参数变化，使各级静态工作点发生漂移，最终造成输出零点漂移。因此，最主要的原因是晶体管参数受温度影响，故选C。 12. 温度升高时，硅晶体管的基极—发射极电压通常（ ） A. 温度每升高1℃约增大2mV B. 温度每升高1℃约减小2mV C. 温度每降低1℃约减小2mV D. 温度每降低1℃保持不变 【答案】B 【解析】硅晶体管的基极—发射极电压具有负温度系数，温度每升高1℃约减小2mV。 13. 温度升高时，晶体管的反向饱和电流通常（ ） A. 随温度升高而减小 B. 随温度升高而保持不变 C. 随温度升高而增大 D. 随温度升高先增大后减小 【答案】C 【解析】晶体管反向饱和电流对温度较敏感，温度升高会使其明显增大，从而引起集电极电流增加。 14. 在固定偏置放大电路中，若温度升高而未采取补偿措施，静态工作点通常向（ ） A. 向饱和区移动 B. 向截止区移动 C. 向放大区中心移动 D. 保持在原工作点 【答案】A 【解析】温度升高使基极—发射极电压降低、集电极电流增大，静态工作点沿直流负载线向饱和区移动。 15. 在晶体管发射极串联电阻，能够减小温度对静态工作点影响的主要原因是形成（ ） A. 促进电流变化的正反馈 B. 完全隔离温度变化的控制 C. 只改变电压增益的局部作用 D. 抑制电流变化的负反馈作用 【答案】D 【解析】温度升高使发射极电流增大，发射极电压升高，基极—发射极电压减小，从而抑制电流继续增大。 16. 晶体管发生热击穿或热失控时，较符合实际的变化过程是（ ） A. 温度升高、基极电压升高、集电极电流减小、功耗降低 B. 温度升高、基极—发射极电压降低、集电极电流增大、功耗升高 C. 温度升高、基极—发射极电压降低、集电极电流减小、功耗升高 D. 温度降低、基极—发射极电压降低、集电极电流增大、功耗降低 【答案】B 【解析】温度升高会使基极—发射极电压降低并使集电极电流增大，功耗增加又会进一步升高结温，形成正反馈。 17. 采用热敏元件进行晶体管偏置温度补偿时，常选用（ ） A. 正温度系数热敏电阻 B. 光敏电阻补偿元件 C. 负温度系数热敏电阻 D. 压敏电阻补偿元件 【答案】C 【解析】负温度系数热敏电阻温度升高时阻值减小，可使偏置电流相应减小，抵消晶体管集电极电流的温漂。 18. 在基极偏置电压基本保持不变的硅晶体管放大电路中，温度升高后集电极静态电流增大的直接原因是（ ） A. 基极发射极电压减小，基极电流增大 B. 基极发射极电压增大，基极电流增大 C. 集电极发射极电压减小，基极电流增大 D. 集电极发射极电压增大，基极电流减小 【答案】A 【解析】硅晶体管的基极发射极电压具有负温度特性，温度升高时其数值会减小。在基极偏置电压基本不变时，基极电流增大，进而使集电极静态电流增大。 19. 某固定偏置放大电路中， 为12V， 为470kΩ，晶体管电流放大系数为100， 为0.70V。温度升高后， 降为0.65V，电流放大系数变为120，则集电极电流约为（ ） A. 1.45mA B. 2.40mA C. 3.60mA D. 2.90mA 【答案】D 【解析】升温后，IB=(12−0.65)/470kΩ≈24.15μA，IC=120IB≈2.90mA，故选D。 20. 某分压式偏置放大电路的基极电压稳定在2.40V， 为1.0kΩ， 为2.0kΩ， 为12V。25℃时， 为0.70V，电流放大系数为100；温度升高至75℃时， 降为0.60V，电流放大系数变为110。忽略基极电流对分压电压的影响，75℃时的集电极电流、集电极—发射极电压及静态工作点变化最接近（ ） A. 为1.68mA， 为6.93V，静态工作点变化：基本不变 B. 为1.78mA， 为6.63V，静态工作点变化：向饱和区移动 C. 为1.80mA， 为6.20V，静态工作点变化：向截止区移动 D. 为1.60mA， 为7.20V，静态工作点变化：向截止区移动 【答案】B 【解析】75℃时，=2.40−0.60=1.80V，=110/111×1.80mA≈1.78mA，≈6.63V，工作点向饱和区移动，选B。 二、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 21. 简述温度升高对共射极放大器静态工作点的主要影响。 【答案】（1）温度升高时，晶体管的反向饱和电流增大，基极—发射极电压通常减小。（2）在偏置条件不变时，集电极电流趋于增大，集电极—发射极电压趋于减小。（3）静态工作点向饱和区方向移动，严重时会引起热失控，使放大器产生失真甚至损坏。 【解析】温度变化会改变晶体管的反向饱和电流和基极—发射极电压，使集电极电流发生变化，从而改变静态工作点。温度升高通常使工作点向饱和区移动。 22. 某分压式偏置共射极放大器采用发射极电阻进行温度补偿。说明温度升高时发射极电阻对稳定静态工作点的作用过程。 【答案】（1）温度升高使集电极电流和发射极电流有增大的趋势。（2）发射极电流增大后，发射极电阻上的电压降增大，发射极电位升高。（3）在基极电位基本稳定时，基极—发射极电压减小，抑制基极电流和集电极电流继续增大，从而提高静态工作点的稳定性。 【解析】发射极电阻引入了直流负反馈。温度升高引起电流增大时，发射极电位升高，使基极—发射极电压减小，反馈作用可限制电流继续增加。 23. 一台共射极放大器冷机时工作正常，连续工作一段时间后，测得集电极电流明显增大，集电极—发射极电压明显降低，输出波形出现下半周失真。分析该故障现象，并提出两项改进措施。 【答案】（1）该现象表明晶体管温度升高后静态工作点向饱和区移动，集电极电流过大，集电极—发射极电压降低，输出信号的下半周受到限制。（2）主要原因是温度变化引起晶体管参数改变，而原偏置电路的温度稳定性不足，例如未设置或未有效发挥发射极直流负反馈作用。（3）可增大发射极电阻并合理设置静态工作点；还可采用分压式偏置、二极管温度补偿或改善晶体管散热条件。 【解析】温升使晶体管的反向饱和电流增大、基极—发射极电压减小，导致集电极电流增大。集电极电流增大后，集电极电阻上的压降增大，集电极—发射极电压降低，说明静态工作点沿直流负载线向饱和区移动。对于以集电极电压为输出的共射极放大器，工作点靠近饱和区时集电极电压的下摆幅先受限，故输出波形通常出现下半周失真。可通过增大发射极电阻以增强直流负反馈、采用分压式偏置或温度补偿电路、改善散热条件等措施提高静态工作点稳定性。 三、计算题（本大题共3小题，每题6分，共18分） 24. 某固定偏置共射放大器的电源电压为 ，基极电阻为 ，集电极电阻为 ，晶体管电流放大系数 。忽略基极漏电流，设 时基射极电压 ，温度每升高 ， 下降 。（1）计算 时的静态集电极电流 和管压降 。（2）计算 时的静态集电极电流 和管压降 。（3）说明温度升高后静态工作点的移动方向。 【答案】（1），。（2），。（3）温度升高后， 减小，基极电流和集电极电流增大， 减小，静态工作点向饱和区方向移动。 【解析】25℃时，IB=(12−0.70)/470kΩ≈24.04μA，IC≈2.40mA，−2.40×2.2≈6.71V。75℃时V，IC≈2.43mA，≈6.66V。温升使电流增大、管压降减小，工作点向饱和区移动。 25. 某分压式偏置共射放大器中，分压电路使基极电压稳定在 ，发射极电阻为 ，集电极电阻为 ，电源电压为 ，晶体管 。忽略基极电流对分压电压的影响，设 时 ，温度每升高 ， 下降 。（1）计算 时的发射极电流、集电极电流和管压降。（2）计算温度升高至 时的发射极电流、集电极电流和管压降。（3）比较该电路与固定偏置电路的温度稳定性，并说明发射极电阻的作用。 【答案】（1），，。（2），，。（3）分压式偏置电路的温度稳定性优于固定偏置电路。发射极电阻通过电流变化产生反馈电压，抑制集电极电流随温度升高而增大的趋势。 【解析】25℃时VE=2.00−0.70=1.30V，IE=1.30mA，IC=100/101IE≈1.29mA，≈8.13V。75℃时V，IE=1.40mA，IC≈1.39mA，≈7.83V。发射极电阻产生负反馈，故分压式偏置热稳定性优于固定偏置。 26. 某固定偏置共射放大器的参数为：，，，。在 时，，集电极反向漏电流 。温度每升高 ， 下降 ；集电极反向漏电流每升高 增大一倍。采用 。（1）计算 时的基极电流、集电极电流和管压降。（2）计算 时的基极电流、集电极电流和管压降。（3）计算集电极电流的增量，并说明该结果反映出的温度影响。 【答案】（1），，。（2），，。（3）集电极电流增量约为 。温度升高使漏电流明显增大，并通过晶体管放大作用使集电极电流显著增加，静态工作点向饱和区移动。 【解析】25℃时IB≈24.04μA，IC=50IB+51×10μA≈1.71mA，≈9.43V。55℃时V，IB≈24.17μA，μA，故IC≈5.29mA，≈4.07V。增量约3.58mA，表明漏电流倍增经β作用使电流显著增加，工作点趋向饱和区。 四、综合应用题（本大题共3小题，每题10分，共30分） 27. 某工业温度监控设备采用分压式偏置共射放大电路，电源电压为 ，基极分压电阻为 、，集电极电阻为 ，发射极电阻为 。晶体管在 时的电流放大系数 ，发射结电压 。温度升高到 时， 增大到125，且 每升高 减小 。设晶体管始终工作在放大区。（1）计算 时的基极电流 、集电极电流 、发射极电流 和管压降 。（2）计算温度升高到 时的静态工作点，并比较温度变化前后 和 的变化情况。（3）针对该放大器静态工作点随温度变化的问题，提出两项改进措施。 【答案】（1）分压网络等效参数为 （2）温度升高 ，因此温度升高后， 增大约 ， 减小约 ，静态工作点向饱和区方向移动。（3）可增大发射极电阻或采用恒流源偏置，以增强负反馈作用；也可采用热敏元件、二极管温度补偿或稳定性更好的集成偏置电路。 【解析】戴维南等效得≈2.105V、≈8.246kΩ。25℃时IB≈12.86μA、IC≈1.286mA、IE≈1.299mA、≈7.87V；50℃时V，IB≈10.84μA、IC≈1.355mA、IE≈1.366mA、≈7.65V。可增大发射极电阻、采用恒流源或加入热敏元件补偿。 28. 如图所示为分压偏置式共射放大电路，已知 15V，47kΩ，10kΩ，3kΩ，2kΩ，晶体管 β=60，0.7V。求：​ （1）静态工作点 、、；​ （2）若温度升高使 β 变为 80，计算此时的 ICQ'，并说明电路的稳流效果。​ 【答案】（1）基极电位 （2）β=80 时， ，电路通过 Re 的负反馈作用稳定了 。 29. 某维修人员检测一台采用固定基极偏置的三极管电压放大器。电路参数为：、基极电阻 、集电极电阻 ，发射极直接接地。晶体管在 时 、；设备长期运行后温度升高到 ，此时 、，晶体管的饱和压降取 。（1）分别计算 和 时的基极电流、集电极电流和集射极电压。（2）比较两种温度下的静态工作点，判断高温时电路是否有明显的饱和失真风险。（3）说明固定基极偏置电路热稳定性较差的原因，并提出一种适合实际设备的改进方案。 【答案】（1）在 时： 在 时：（2）温度升高后， 由约 增大到约 ，增幅约为41.2%； 由约 降至约 。虽然尚未达到饱和条件，但静态工作点明显向饱和区移动，输入信号较大时容易产生饱和失真。（3）固定基极偏置中，基极电流主要由 和 决定，集电极电流还会随晶体管 的分散性和温度变化而显著改变，缺少发射极负反馈。可改用分压式偏置并串联发射极电阻，必要时加入二极管或热敏电阻进行温度补偿。 【解析】25℃时IB≈24.04μA、IC≈2.404mA、≈4.79V；75℃时IB≈24.26μA、IC≈3.396mA、≈1.81V。饱和上限约(12−0.20)/3kΩ=3.93mA，尚未饱和但已明显趋近，易产生饱和失真。固定偏置缺少发射极负反馈，热稳定性差，可改用分压式偏置加发射极电阻。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 山东省（春季高考）电气技术类《电子技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，共155份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电气技术类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电气技术类高考的学生。 与本专辑配套的还有山东省春季高考考试《电工技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 山东省（春季高考）电气技术类 《电子技术基础与技能》 项目十二：三极管及放大电路基 任务四：静态工作点的温度影响 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 分压偏置电路中，当温度升高时，集电极电流 ICQ 的变化趋势是（ ）​ A. 增大​ B. 减小​ C. 基本不变​ D. 随机变化​​ 2. 固定偏置放大电路中，当温度升高时，静态工作点会（ ） A. 不变 B. 上移 C. 下移 D. 先上移后下移 3. 引起放大器的零漂原因很多，其中最难控制的原因是（ ） A. 半导体器件参数的变化 B. 电路中电阻值的变化 C. 电源电压的变化 D. 温度的变化 4. 下列因素不影响静态工作点的位置的是（ ） A. RB B. RC C. VCC D. 输入信号频率 5. 某固定偏置共射放大器在无输入信号时静态工作点居中。环境温度升高且电源电压不变时，该电路的静态工作点通常会出现的变化是（ ） A. 集电极静态电流增大，工作点趋向饱和 B. 集电极静态电流减小，工作点趋向截止 C. 基极静态电流减小，工作点趋向饱和 D. 基极静态电流增大，工作点趋向截止 6. 影响放大电路静态工作点稳定的主要因素是（ ） A. 三极管的β值 B. 三极管的死区电压 C. 放大信号的频率 D. 工作环境的温度 7. 当温度升高时，会造成放大器的（ ） A. Q点上移，容易引起饱和失真 B. Q点下移，容易引起饱和失真 C. Q点上移，容易引起截止失真 D. Q点下移，容易引起截止失真 8. 下列选项不是引起静态工作点不稳定的因素的是（ ） A. 温度的变化 B. 电源电压变化 C. 更换了不同参数的三极管 D. 输入信号频率的变化 9. 为减小环境温度变化对分压偏置共射放大器静态工作点的影响，通常应采用的措施是（ ） A. 减小发射极电阻，以增强直流负反馈 B. 增大集电极电阻，以增强直流负反馈 C. 增大发射极电阻，以增强直流负反馈 D. 减小基极偏置电阻，以增强直流负反馈 10. 已知在图所示电路中，V，，静态管压降V；并在输出端加负载电阻，其阻值为3kΩ。若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将（ ） A. 减小 B. R。减小 C. 减小 D. 增大 11. 直接耦合放大电路存在零点漂移最主要原因是（ ） A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管是非线性元件 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不稳定 12. 温度升高时，硅晶体管的基极—发射极电压通常（ ） A. 温度每升高1℃约增大2mV B. 温度每升高1℃约减小2mV C. 温度每降低1℃约减小2mV D. 温度每降低1℃保持不变 13. 温度升高时，晶体管的反向饱和电流通常（ ） A. 随温度升高而减小 B. 随温度升高而保持不变 C. 随温度升高而增大 D. 随温度升高先增大后减小 14. 在固定偏置放大电路中，若温度升高而未采取补偿措施，静态工作点通常向（ ） A. 向饱和区移动 B. 向截止区移动 C. 向放大区中心移动 D. 保持在原工作点 15. 在晶体管发射极串联电阻，能够减小温度对静态工作点影响的主要原因是形成（ ） A. 促进电流变化的正反馈 B. 完全隔离温度变化的控制 C. 只改变电压增益的局部作用 D. 抑制电流变化的负反馈作用 16. 晶体管发生热击穿或热失控时，较符合实际的变化过程是（ ） A. 温度升高、基极电压升高、集电极电流减小、功耗降低 B. 温度升高、基极—发射极电压降低、集电极电流增大、功耗升高 C. 温度升高、基极—发射极电压降低、集电极电流减小、功耗升高 D. 温度降低、基极—发射极电压降低、集电极电流增大、功耗降低 17. 采用热敏元件进行晶体管偏置温度补偿时，常选用（ ） A. 正温度系数热敏电阻 B. 光敏电阻补偿元件 C. 负温度系数热敏电阻 D. 压敏电阻补偿元件 18. 在基极偏置电压基本保持不变的硅晶体管放大电路中，温度升高后集电极静态电流增大的直接原因是（ ） A. 基极发射极电压减小，基极电流增大 B. 基极发射极电压增大，基极电流增大 C. 集电极发射极电压减小，基极电流增大 D. 集电极发射极电压增大，基极电流减小 19. 某固定偏置放大电路中， 为12V， 为470kΩ，晶体管电流放大系数为100， 为0.70V。温度升高后， 降为0.65V，电流放大系数变为120，则集电极电流约为（ ） A. 1.45mA B. 2.40mA C. 3.60mA D. 2.90mA 20. 某分压式偏置放大电路的基极电压稳定在2.40V， 为1.0kΩ， 为2.0kΩ， 为12V。25℃时， 为0.70V，电流放大系数为100；温度升高至75℃时， 降为0.60V，电流放大系数变为110。忽略基极电流对分压电压的影响，75℃时的集电极电流、集电极—发射极电压及静态工作点变化最接近（ ） A. 为1.68mA， 为6.93V，静态工作点变化：基本不变 B. 为1.78mA， 为6.63V，静态工作点变化：向饱和区移动 C. 为1.80mA， 为6.20V，静态工作点变化：向截止区移动 D. 为1.60mA， 为7.20V，静态工作点变化：向截止区移动 二、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 21. 简述温度升高对共射极放大器静态工作点的主要影响。 22. 某分压式偏置共射极放大器采用发射极电阻进行温度补偿。说明温度升高时发射极电阻对稳定静态工作点的作用过程。 23. 一台共射极放大器冷机时工作正常，连续工作一段时间后，测得集电极电流明显增大，集电极—发射极电压明显降低，输出波形出现下半周失真。分析该故障现象，并提出两项改进措施。 三、计算题（本大题共3小题，每题6分，共18分） 24. 某固定偏置共射放大器的电源电压为 ，基极电阻为 ，集电极电阻为 ，晶体管电流放大系数 。忽略基极漏电流，设 时基射极电压 ，温度每升高 ， 下降 。（1）计算 时的静态集电极电流 和管压降 。（2）计算 时的静态集电极电流 和管压降 。（3）说明温度升高后静态工作点的移动方向。 25. 某分压式偏置共射放大器中，分压电路使基极电压稳定在 ，发射极电阻为 ，集电极电阻为 ，电源电压为 ，晶体管 。忽略基极电流对分压电压的影响，设 时 ，温度每升高 ， 下降 。（1）计算 时的发射极电流、集电极电流和管压降。（2）计算温度升高至 时的发射极电流、集电极电流和管压降。（3）比较该电路与固定偏置电路的温度稳定性，并说明发射极电阻的作用。 26. 某固定偏置共射放大器的参数为：，，，。在 时，，集电极反向漏电流 。温度每升高 ， 下降 ；集电极反向漏电流每升高 增大一倍。采用 。（1）计算 时的基极电流、集电极电流和管压降。（2）计算 时的基极电流、集电极电流和管压降。（3）计算集电极电流的增量，并说明该结果反映出的温度影响。 四、综合应用题（本大题共3小题，每题10分，共30分） 27. 某工业温度监控设备采用分压式偏置共射放大电路，电源电压为 ，基极分压电阻为 、，集电极电阻为 ，发射极电阻为 。晶体管在 时的电流放大系数 ，发射结电压 。温度升高到 时， 增大到125，且 每升高 减小 。设晶体管始终工作在放大区。（1）计算 时的基极电流 、集电极电流 、发射极电流 和管压降 。（2）计算温度升高到 时的静态工作点，并比较温度变化前后 和 的变化情况。（3）针对该放大器静态工作点随温度变化的问题，提出两项改进措施。 28. 如图所示为分压偏置式共射放大电路，已知 15V，47kΩ，10kΩ，3kΩ，2kΩ，晶体管 β=60，0.7V。求：​ （1）静态工作点 、、；​ （2）若温度升高使 β 变为 80，计算此时的 ICQ'，并说明电路的稳流效果。​ 29. 某维修人员检测一台采用固定基极偏置的三极管电压放大器。电路参数为：、基极电阻 、集电极电阻 ，发射极直接接地。晶体管在 时 、；设备长期运行后温度升高到 ，此时 、，晶体管的饱和压降取 。（1）分别计算 和 时的基极电流、集电极电流和集射极电压。（2）比较两种温度下的静态工作点，判断高温时电路是否有明显的饱和失真风险。（3）说明固定基极偏置电路热稳定性较差的原因，并提出一种适合实际设备的改进方案。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $