山东省（春季高考）电气技术类 《电子技术基础与技能》项目十三任务一 45分钟专题训练卷

山东省（春季高考）电气技术类《电子技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，共155份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电气技术类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电气技术类高考的学生。 与本专辑配套的还有山东省春季高考考试《电工技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 山东省（春季高考）电气技术类 《电子技术基础与技能》 项目十三：常用放大器 任务一：场效晶体管放大器 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 下列关于晶体管和场效应管的比较，正确的是（ ） A. 两者都是电流控制型器件 B. 两者输入电阻相近 C. 场效应管温度稳定性更好 D. 晶体管噪声更小 【答案】C 【解析】场效应管是电压控制型器件，晶体管是电流控制型器件；场效应管的输入电阻通常远大于晶体管，且温度稳定性较好。因此选C。 2. 场效应管放大器中，自偏压电路适用于______型场效应管。（ ） A. 耗尽型N沟道 B. 增强型P沟道 C. 增强型N沟道 D. 耗尽型P沟道 【答案】A 【解析】自偏压电路通常用于耗尽型N沟道场效应管，如N沟道结型场效应管。栅极经电阻接地时，源极电流流过源极电阻产生正的源极电压，使栅源电压VGS为负值，栅源结形成反向偏置，从而建立合适的静态工作点。因此选A。 3. 场效应管的符号如图所示，它是（ ） A. P沟道增强型MOSFET B. N沟道耗尽型MOSFET C. N沟道JFET D. N沟道增强型MOSFET 【答案】B 4. 场效应管的线性放大区是（ ） A. 可调电阻区 B. 击穿区 C. 截止区 D. 恒流区 【答案】D 【解析】场效应管的工作区： 可变电阻区（非饱和区）：漏源电压 VDS 较低，漏极电流 ID 随 VDS 线性变化，呈现电阻特性，不适合放大。 饱和区（恒流区、放大区）：VDS 增大到一定值后，ID 基本不受 VDS 影响，主要受栅源电压 VGS 控制，可实现电压放大。 截止区：栅源电压 VGS 小于开启电压，ID≈0，管子关断。 击穿区：VDS 过高导致电流剧增，可能损坏管子，禁止工作于此区。 5. 场效应管三个电极中，用S表示的电极称为（ ） A. 源极 B. 漏极 C. 控制极 D. 栅极 【答案】A 【解析】场效应管的三个主要电极分别为栅极G、漏极D和源极S。因此，用S表示的电极称为源极，选A。 6. 场效应管三个电极中，用G表示的电极称为（ ） A. 控制极 B. 漏极 C. 源极 D. 栅极 【答案】D 【解析】场效应管的三个主要电极分别为栅极G、漏极D和源极S。因此，用G表示的电极称为栅极，选D。 7. 如图所示为两种半导体器件的符号，其中代表 P 沟道结型场效应管的是（ ） A. 左侧符号 B. 右侧符号 C. 两者都是 D. 两者都不是 【答案】B 8. N沟道结型场效应晶体管，其栅源电压为（ ） A. 负极性 B. 正极性 C. 零 D. 正负极性都可以 【答案】A 【解析】N沟道结型场效应晶体管工作时，栅源结应处于反向偏置状态。由于栅极为P型、沟道为N型，栅极电压应低于源极电压，因此栅源电压VGS通常为负极性；当VGS=0时对应零偏置的特殊工作情况。题目问正常偏置极性，应选负极性，即选A。 9. 场效应管的主要优点之一是（ ） A. 高输入阻抗 B. 低功耗 C. 高功率输出 D. 低成本 【答案】A 【解析】场效应管利用电场控制导电沟道，栅极电流很小，因而具有很高的输入阻抗。这是场效应管的主要优点之一，选A。 10. 如下图所示，结型场效应管输出特性的恒流区是（ ）​ A. Ⅰ 区（可变电阻区）​ B. Ⅱ 区（恒流区）​ C. Ⅲ 区（夹断区）​ D. Ⅳ 区（击穿区）​ 【答案】B 11. 场效应管的主要特点是（ ） A. 输出电阻高 B. 输入电阻大 C. 噪声大 D. 耗电大 【答案】B 【解析】场效应管属于电压控制型器件，栅极电流很小，输入电阻很大是其主要特点之一。因此选B。 12. 下列参数中，不属于场效应管极限参数的是（ ） A. 最大漏源电压 B. 最大耗散功率 C. 跨导 D. 最大漏极电流 【答案】C 【解析】最大漏源电压、最大耗散功率和最大漏极电流均为场效应管的极限参数。跨导反映栅源电压对漏极电流的控制能力，属于性能参数，不属于极限参数。因此选C。 13. JFET的工作状态不包括（ ） A. 截止区 B. 恒流区 C. 线性区 D. 击穿区 【答案】D 【解析】JFET常见的工作区域包括截止区、线性区和恒流区。击穿区是漏源电压过高时出现的非正常工作区域，不属于正常工作状态。因此选D。 14. 如图所示，该符号代表的场效应管是（ ） ​ A. N 沟道结型场效应管​ B. P 沟道结型场效应管​ C. N 沟道增强型 MOS 管​ D. P 沟道增强型 MOS 管​ 【答案】A 15. NMOS场效应管的跨导表征_____的控制作用（ ） A. 对 B. 对 C. 对 D. 对 【答案】A 【解析】NMOS场效应管的跨导表示在漏源电压 VDS 保持不变时，漏极电流 ID 随栅源电压 VGS 变化的程度：gm=ΔID/ΔVGS。因此，跨导表征 VGS 对 ID 的控制作用，选A。 16. 耗尽型 MOS 管与增强型 MOS 管的主要区别是（ ） A. 有无衬底 B. 栅极材料不同 C. 零栅压时是否存在导电沟道 D. 功率大小不同 【答案】C 【解析】耗尽型MOS管在零栅压时已有导电沟道，可以导通；增强型MOS管在零栅压时没有导电沟道，需要施加适当栅源电压后才形成沟道导通。因此选C。 17. 场效应管的符号如图所示，它是（ ） A. P沟道增强型 MOSFET B. N沟道耗尽型 MOSFET C. N沟道 JFET D. N沟道增强型 MOSFE 【答案】B 18. 在共源极场效应晶体管放大器中，输出电压与输入电压的相位关系通常是（ ） A. 与输入电压同相 B. 与输入电压反相 C. 比输入电压超前九十度 D. 比输入电压滞后九十度 【答案】B 【解析】共源极放大器的输出信号取自漏极，输入信号增大时漏极电流增大，漏极电压下降，因此输出电压与输入电压相位相反。 19. 场效应晶体管放大器输入电阻通常较大的主要原因是（ ） A. 栅极电流通常很小 B. 漏极电压通常很低 C. 源极电阻通常很大 D. 沟道电流通常很小 【答案】A 【解析】场效应晶体管的栅极与沟道之间通常呈反向偏置或绝缘状态，栅极电流很小，所以放大器具有较大的输入电阻。 20. 场效应晶体管放大器设置静态工作点的主要目的是（ ） A. 使晶体管工作在线性放大区 B. 使晶体管工作在截止区 C. 使晶体管工作在饱和区 D. 使晶体管工作在无失真输出区 【答案】A 【解析】合理设置静态工作点，可使场效应晶体管在输入信号变化时保持在线性放大区，从而获得较小的非线性失真。静态工作点不能保证输出信号完全没有失真。 二、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 21. 某 N 沟道结型场效应管的转移特性满足肖克莱关系式。当栅源电压 UGS=0 时，漏极饱和电流 IDSS=8 mA；当 UGS=-1 V 时，漏极电流 ID=2 mA。求该管在 UGS=-1 V 处的跨导 gm。 【答案】解：由肖克莱关系式 ID=IDSS(1-VGS/VGS(off))^{2}，可得 2/8=(1-(-1)/VGS(off))^{2}。取结型场效应管正常工作时的物理解，得 VGS(off)=-2 V。gm0=2IDSS/|VGS(off)|=2×8 mA/2 V=8 mS。故在 UGS=-1 V 处，gm=gm0(1-VGS/VGS(off))=8×[1-(-1)/(-2)] mS=4 mS。 【解析】跨导 gm 是工作点处漏极电流对栅源电压的变化率，不能直接用 0 V 至 -1 V 的电流变化量求平均值代替。由 ID/IDSS=(1-VGS/VGS(off))^{2}，代入 ID=2 mA、IDSS=8 mA、VGS=-1 V：1/4=(1+1/VGS(off))^{2}。取 VGS(off)<0 的物理解，得 VGS(off)=-2 V。零栅压跨导 gm0=2IDSS/|VGS(off)|=8 mS。在 VGS=-1 V 时，gm=gm0(1-VGS/VGS(off))=8×(1-1/2) mS=4 mS。 22. 场效晶体管与三极管相比，其主要特点和优点是什么？请详细说明。 【答案】场效应晶体管（FET）与三极管相比，主要特点和优点如下：1）FET是电压控制型器件，栅极电流很小，输入阻抗高，适合接收高内阻信号源的信号；2）FET是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，开关速度较快，适用于高频和高速开关电路；3）FET的噪声较低，适用于低噪声放大电路；4）FET的温度稳定性较好，热失控倾向较小；5）绝缘栅型场效应管结构便于集成，体积小、功耗低；6）FET可用作电子开关，并易于实现大功率开关控制。 【解析】本题应从控制方式、输入特性、载流子类型、噪声、温度稳定性和应用特点等方面比较。FET由栅源电压控制漏极电流，栅极电流很小，因此输入阻抗高；FET属于多数载流子器件，载流子存储效应小；其噪声较低、温度稳定性较好，且绝缘栅型器件便于集成。 23. 某增强型 NMOS 管的开启电压 UT=3V，IDO=2mA（VGS=2UT 时的漏极电流），求 VGS=6V 时的 ID。 【答案】解：增强型 NMOS 管在饱和区满足 ID=K(VGS-UT)^{2}。当 VGS=2UT 时，IDO=K(2UT-UT)^{2}=KUT2=2 mA。因此，当 VGS=6 V、UT=3 V 时，ID=IDO[(VGS-UT)/UT]^{2}=2×[(6-3)/3]^{2} mA=2 mA。 【解析】由平方律 ID=K(VGS-UT)^{2}。题设 IDO 是 VGS=2UT 时的漏极电流，因此 IDO=KUT2。当 VGS=6 V、UT=3 V 时，VGS=2UT，工作条件与 IDO 的定义条件相同，故 ID=IDO=2 mA。 三、计算题（本大题共3小题，每题6分，共18分） 24. 某结型场效应晶体管共源放大电路采用电压放大模型，已知跨导 为 ，漏极电阻 为 ，晶体管输出电阻 为 ，负载电阻 为 。设源极交流旁路良好，输入电压有效值为 。求：（1）放大电路的交流输出等效电阻；（2）电压增益；（3）输出电压有效值。 【答案】（1）交流输出等效电阻约为 。（2）电压增益约为 。（3）输出电压有效值约为 。 【解析】（1）输出等效电阻为 、 和 的并联，计算得约 。（2）共源放大电路电压增益约为 ，代入得 ，结果约为 。（3）输出电压约为 ，结果为 。 25. 某增强型绝缘栅场效应晶体管放大电路中，栅极电压为 ，源极串联电阻 为 ，漏极电阻 为 ，负载电阻 为 ，电源电压 为 ，开启电压 为 。在饱和区内，漏极电流关系为 ，其中 为 。忽略栅极电流，求：（1）静态漏极电流 ；（2）漏源电压 ，并判断晶体管是否处于饱和区；（3）源极电阻未旁路时的电压增益。取 。 【答案】（1）静态漏极电流为 。（2）漏源电压为 ，晶体管处于饱和区。（3）电压增益约为 。 【解析】栅极电流近似为零，令ID以mA计，则VS=ID、VGS=4−ID。由ID=(VGS−2)^2得ID=(2−ID)^2，取满足VGS>2的解ID=1mA，故VS=1V。VD=12−1×2=10V，VDS=9V；因VDS≥VGS−VT=1V，处于饱和区。gm=2mS，RD∥RL=1.67kΩ，Av=−gm(RD∥RL)/(1+gmRS)≈−1.11。 26. 某结型场效应晶体管共源放大电路采用自偏压方式，源极电阻交流旁路良好。已知漏极静态电流设计值为 ， 为 ， 为 ，漏极电阻 为 ，晶体管输出电阻 为 ，负载电阻 为 。根据肖克莱关系式求：（1）栅源电压 ；（2）源极电阻 ；（3）跨导 ；（4）中频电压增益。 【答案】（1）栅源电压为 -2 V。（2）源极电阻为 1 kΩ。（3）跨导为 2 mS。（4）中频电压增益为 -3.75。 【解析】由肖克莱关系式，ID/IDSS=1/4，得1−VGS/(−4)=1/2，故VGS=−2V。自偏压时VS=2V，RS=VS/ID=1kΩ。gm0=2IDSS/|VGS(off)|=4mS，gm=gm0(1−VGS/VGS(off))=2mS。交流旁路有效，RD∥rd∥RL=1.875kΩ，故Av=−gm(RD∥rd∥RL)=−3.75。 四、综合应用题（本大题共3小题，每题10分，共30分） 27. 某电子设备的前置放大级采用自偏置共源结型场效晶体管放大电路。电源电压为 ，漏极电阻 ，源极电阻 ，场效晶体管参数为 、。交流分析时，源极旁路电容可视为短路，负载电阻远大于 。其转移特性满足（1）计算静态漏极电流 、栅源电压 、漏源电压 和跨导 。其中 （2）计算该放大电路的中频电压增益。若输入正弦信号有效值为 ，求输出信号有效值，并判断输出电压与输入电压的相位关系。（3）当输入信号幅值逐渐增大并出现削波失真时，说明产生失真的主要原因，并提出两项改进措施。 【答案】（1）由自偏置关系令 ，则 。代入转移特性：（2）输出电压与输入电压相位相反，相差 。（3）静态工作点偏离放大区，输入信号过大时晶体管进入截止区或非线性区，导致削波失真。可减小输入信号幅值、重新调整静态工作点，或适当降低电压增益并增大输出摆幅裕量。 【解析】（1）利用自偏置关系和结型场效晶体管转移特性求得 ，再计算各直流量和跨导。（2）共源电路电压增益为负，输出反相。（3）削波源于工作点及输出摆幅不足，应从信号幅值、静态点和增益方面改进。 28. 如图所示电路中，试回答以下问题： （1）判断（a）（b）（c）三个图中场效应晶体管的类型。 （2）指出图示电路的开启电压、夹断电压和饱和漏极电流。 【答案】（1）（a）N沟道耗尽型场效晶体管。（b）N沟道结型场效晶体管。（c）N沟道增强型场效晶体管。 （2）（a）开启电压为V，夹断电压为－4V，漏极电流为3mA。 （b）夹断电压为－3V，漏极电流为2mA。 （c）开启电压为2V。 29. 某传感器接口采用分压偏置的增强型绝缘栅场效晶体管共源放大电路。电源电压为 ，栅极分压电阻为 、，漏极电阻 ，源极电阻 ，负载电阻 。忽略栅极直流电流，晶体管参数为 、，并满足中频时源极旁路电容视为短路。（1）计算栅极电压 、静态漏极电流 、源极电压 、漏极电压 和漏源电压 ，并判断晶体管是否工作在放大区。增强型场效晶体管放大区的条件为 。（2）计算跨导 、交流等效负载电阻 及电压增益。若输入电压有效值为 ，求输出电压有效值。（3）若实际装配时误将栅极接触人体后出现器件漏电增大、放大倍数下降，分析可能原因，并写出两项防护措施。 【答案】（1）VG=VDD×R2/(R1+R2)=12×1/(1+1)=6 V。以 ID 的单位为 mA，则 VS=IDRS=ID V，VGS=VG-VS=6-ID。由 ID=0.25(VGS-2)^{2}，得 ID=0.25(4-ID)^{2}，即 ID2-12ID+16=0。解得 ID=6±2 mA，其中满足 VGS>VGS(th) 的物理解为 ID=6-2≈1.53 mA。故 VS≈1.53 V，VGS≈4.47 V，VD=12-1.53×3≈7.42 V，VDS=VD-VS≈5.89 V。VGS-VGS(th)≈2.47 V，且 VDS≈5.89 V≥2.47 V，晶体管工作在放大区。（2）gm=2k(VGS-VGS(th))=2×0.25×2.47≈1.24 mS。RD'=RD∥RL=3 kΩ∥6 kΩ=2 kΩ。Av=-gmRD'≈-1.24 mS×2 kΩ≈-2.47。输出电压有效值 Uo=|Av|Ui≈2.47×15 mV≈37.1 mV。（3）人体接触器件可能产生静电放电，击穿或损伤绝缘栅氧化层，使栅极漏电增大、跨导下降，从而使放大倍数下降。防护措施：佩戴防静电腕带并使人体可靠接地；焊接、搬运和储存时使用防静电工具、工作台垫及防静电包装。 【解析】因R1=R2，VG=6V。令ID以mA计，VS=ID，VGS=6−ID，代入得ID=0.25(4−ID)^2，取导通解ID≈1.53mA。故VS≈1.53V、VD≈7.42V、VDS≈5.89V，满足放大区条件。gm≈1.24mS，RD′=2kΩ，Av≈−2.47，输出约37.1mV。人体静电会损伤栅氧化层，应佩戴接地防静电腕带，并使用防静电工具及包装。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 山东省（春季高考）电气技术类《电子技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，共155份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电气技术类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电气技术类高考的学生。 与本专辑配套的还有山东省春季高考考试《电工技术基础与技能》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 山东省（春季高考）电气技术类 《电子技术基础与技能》 项目十三：常用放大器 任务一：场效晶体管放大器 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 下列关于晶体管和场效应管的比较，正确的是（ ） A. 两者都是电流控制型器件 B. 两者输入电阻相近 C. 场效应管温度稳定性更好 D. 晶体管噪声更小 2. 场效应管放大器中，自偏压电路适用于______型场效应管。（ ） A. 耗尽型N沟道 B. 增强型P沟道 C. 增强型N沟道 D. 耗尽型P沟道 3. 场效应管的符号如图所示，它是（ ） A. P沟道增强型MOSFET B. N沟道耗尽型MOSFET C. N沟道JFET D. N沟道增强型MOSFET 4. 场效应管的线性放大区是（ ） A. 可调电阻区 B. 击穿区 C. 截止区 D. 恒流区 5. 场效应管三个电极中，用S表示的电极称为（ ） A. 源极 B. 漏极 C. 控制极 D. 栅极 6. 场效应管三个电极中，用G表示的电极称为（ ） A. 控制极 B. 漏极 C. 源极 D. 栅极 7. 如图所示为两种半导体器件的符号，其中代表 P 沟道结型场效应管的是（ ） A. 左侧符号 B. 右侧符号 C. 两者都是 D. 两者都不是 8. N沟道结型场效应晶体管，其栅源电压为（ ） A. 负极性 B. 正极性 C. 零 D. 正负极性都可以 9. 场效应管的主要优点之一是（ ） A. 高输入阻抗 B. 低功耗 C. 高功率输出 D. 低成本 10. 如下图所示，结型场效应管输出特性的恒流区是（ ）​ A. Ⅰ 区（可变电阻区）​ B. Ⅱ 区（恒流区）​ C. Ⅲ 区（夹断区）​ D. Ⅳ 区（击穿区）​ 11. 场效应管的主要特点是（ ） A. 输出电阻高 B. 输入电阻大 C. 噪声大 D. 耗电大 12. 下列参数中，不属于场效应管极限参数的是（ ） A. 最大漏源电压 B. 最大耗散功率 C. 跨导 D. 最大漏极电流 13. JFET的工作状态不包括（ ） A. 截止区 B. 恒流区 C. 线性区 D. 击穿区 14. 如图所示，该符号代表的场效应管是（ ） ​ A. N 沟道结型场效应管​ B. P 沟道结型场效应管​ C. N 沟道增强型 MOS 管​ D. P 沟道增强型 MOS 管​ 15. NMOS场效应管的跨导表征_____的控制作用（ ） A. 对 B. 对 C. 对 D. 对 16. 耗尽型 MOS 管与增强型 MOS 管的主要区别是（ ） A. 有无衬底 B. 栅极材料不同 C. 零栅压时是否存在导电沟道 D. 功率大小不同 17. 场效应管的符号如图所示，它是（ ） A. P沟道增强型 MOSFET B. N沟道耗尽型 MOSFET C. N沟道 JFET D. N沟道增强型 MOSFE 18. 在共源极场效应晶体管放大器中，输出电压与输入电压的相位关系通常是（ ） A. 与输入电压同相 B. 与输入电压反相 C. 比输入电压超前九十度 D. 比输入电压滞后九十度 19. 场效应晶体管放大器输入电阻通常较大的主要原因是（ ） A. 栅极电流通常很小 B. 漏极电压通常很低 C. 源极电阻通常很大 D. 沟道电流通常很小 20. 场效应晶体管放大器设置静态工作点的主要目的是（ ） A. 使晶体管工作在线性放大区 B. 使晶体管工作在截止区 C. 使晶体管工作在饱和区 D. 使晶体管工作在无失真输出区 二、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 21. 某 N 沟道结型场效应管的转移特性满足肖克莱关系式。当栅源电压 UGS=0 时，漏极饱和电流 IDSS=8 mA；当 UGS=-1 V 时，漏极电流 ID=2 mA。求该管在 UGS=-1 V 处的跨导 gm。 22. 场效晶体管与三极管相比，其主要特点和优点是什么？请详细说明。 23. 某增强型 NMOS 管的开启电压 UT=3V，IDO=2mA（VGS=2UT 时的漏极电流），求 VGS=6V 时的 ID。 三、计算题（本大题共3小题，每题6分，共18分） 24. 某结型场效应晶体管共源放大电路采用电压放大模型，已知跨导 为 ，漏极电阻 为 ，晶体管输出电阻 为 ，负载电阻 为 。设源极交流旁路良好，输入电压有效值为 。求：（1）放大电路的交流输出等效电阻；（2）电压增益；（3）输出电压有效值。 25. 某增强型绝缘栅场效应晶体管放大电路中，栅极电压为 ，源极串联电阻 为 ，漏极电阻 为 ，负载电阻 为 ，电源电压 为 ，开启电压 为 。在饱和区内，漏极电流关系为 ，其中 为 。忽略栅极电流，求：（1）静态漏极电流 ；（2）漏源电压 ，并判断晶体管是否处于饱和区；（3）源极电阻未旁路时的电压增益。取 。 26. 某结型场效应晶体管共源放大电路采用自偏压方式，源极电阻交流旁路良好。已知漏极静态电流设计值为 ， 为 ， 为 ，漏极电阻 为 ，晶体管输出电阻 为 ，负载电阻 为 。根据肖克莱关系式求：（1）栅源电压 ；（2）源极电阻 ；（3）跨导 ；（4）中频电压增益。 四、综合应用题（本大题共3小题，每题10分，共30分） 27. 某电子设备的前置放大级采用自偏置共源结型场效晶体管放大电路。电源电压为 ，漏极电阻 ，源极电阻 ，场效晶体管参数为 、。交流分析时，源极旁路电容可视为短路，负载电阻远大于 。其转移特性满足（1）计算静态漏极电流 、栅源电压 、漏源电压 和跨导 。其中 （2）计算该放大电路的中频电压增益。若输入正弦信号有效值为 ，求输出信号有效值，并判断输出电压与输入电压的相位关系。（3）当输入信号幅值逐渐增大并出现削波失真时，说明产生失真的主要原因，并提出两项改进措施。 28. 如图所示电路中，试回答以下问题： （1）判断（a）（b）（c）三个图中场效应晶体管的类型。 （2）指出图示电路的开启电压、夹断电压和饱和漏极电流。 29. 某传感器接口采用分压偏置的增强型绝缘栅场效晶体管共源放大电路。电源电压为 ，栅极分压电阻为 、，漏极电阻 ，源极电阻 ，负载电阻 。忽略栅极直流电流，晶体管参数为 、，并满足中频时源极旁路电容视为短路。（1）计算栅极电压 、静态漏极电流 、源极电压 、漏极电压 和漏源电压 ，并判断晶体管是否工作在放大区。增强型场效晶体管放大区的条件为 。（2）计算跨导 、交流等效负载电阻 及电压增益。若输入电压有效值为 ，求输出电压有效值。（3）若实际装配时误将栅极接触人体后出现器件漏电增大、放大倍数下降，分析可能原因，并写出两项防护措施。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $