内蒙古(对口招生)装备制造类 《电工电子技术与技能》项目十一任务四 45分钟专题训练卷
2026-10-12
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内容正文:
内蒙古(对口招生)装备制造类《电工电子技术与技能》45分钟专题训练卷专辑,共241份试卷。试卷命题与高考紧密相关,精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固装备制造类理论知识,熟悉高考题型和命题规律,提高解题能力和应试技巧,为高考取得优异成绩打下坚实的基础,本训练卷适用于即将参加装备制造类高考的学生。
与本专辑配套的还有内蒙古对口招生考试《机械基础》《机械制图》《机械加工技术》《电器及PLC控制技术》45分钟专题训练卷专辑,欢迎同学和老师们下载使用。
内蒙古(对口招生)装备制造类 《电工电子技术与技能》
项目十一:电力电子技术
任务四:晶闸管触发电路
时间:45分钟 总分:100分
班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____
一、单项选择题(本大题共20小题,每题2分,共40分)
1. 三相半波可控整流电路的主要目的是什么?( )
A. 将交流电转换成直流电
B. 将直流电转换成交流电
C. 放大信号
D. 滤除噪声
【答案】A
【解析】三相半波可控整流电路主要目的之一是将三相交流电源转换为可控的直流电源。另一个重要目的是能够控制输出直流电压的大小。在一定程度上,三相半波可控整流电路相对单相整流电路可以提高功率因数。所以BCD不对,选A。
2. 晶闸管主要用于什么类型的电力控制?( )
A. 直流电机的速度控制
B. 交流电源的调光
C. 高频信号的放大
D. 低频信号的过滤
【答案】B
【解析】晶闸管常用于交流电源的调光和其他电力控制应用。
3. 以下哪种设备利用了晶闸管的可控硅特性?( )
A. 太阳能电池板
B. LED灯带
C. 交流调压器
D. 步进电机驱动器
【答案】C
【解析】晶闸管经常用于交流调压器中,利用其可控硅特性来调整交流电压的大小。
4. 晶闸管触发后,为何能维持导通状态?( )
A. 它有一个内置的电池
B. 它的构造使其自锁存
C. 它需要外部持续提供触发电流
D. 它基于机械开关的原理工作
【答案】B
【解析】晶闸管触发后由于其内部载流子存储效应,可以自我维持导通状态无需外部持续提供触发电流。
5. 以下哪个选项是用来描述晶闸管触发器件的功能?( )
A. 调整灵敏度
B. 实现电流放大
C. 控制晶闸管导通
D. 保护晶闸管
【答案】C
【解析】晶闸管触发器件的主要功能是向晶闸管控制极提供触发信号,使晶闸管导通。
6. 晶闸管的触发器件是用来控制晶闸管开启和关闭的,其作用是什么?( )
A. 保护晶闸管避免过流损坏
B. 调节晶闸管的导通和截止时间
C. 调节晶闸管的导通和关断电压
D. 加强晶闸管的放大能力
【答案】B
【解析】晶闸管的触发器件用来调节晶闸管的导通和截止时间,以控制晶闸管的开启和关闭。
7. 三相半波可控整流电路的触发角是什么?( )
A. SCR导通的时刻
B. SCR截止的时刻
C. 负载电压达到峰值的时刻
D. 负载电流达到峰值的时刻
【答案】A
【解析】SCR 的导通时刻是由触发脉冲决定的,但触发脉冲是在触发角 α 所规定的电角度之后才出现。当触发脉冲到来时,只要晶闸管满足正向阳极电压和正向门极电压这两个条件,就会导通。选A。
8. 晶闸管触发电路中,若改变______的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的( )
A. 同步电压
B. 控制电压
C. 脉冲变压器变比
D. 以上都不对
【答案】B
【解析】晶闸管触发电路中,改变控制电压的大小,会改变触发电路的比较或充电达到触发条件的时刻,从而使输出触发脉冲的相位发生移动,实现移相控制。
9. 在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )
A. 干扰信号
B. 触发电压信号
C. 触发电流信号
D. 复合信号
【答案】A
【解析】为防止晶闸管误触发,应将可能加到控制极上的干扰信号幅值限制在不触发区内,使其不足以引起晶闸管导通。
10. 测得晶体管电路三个电位如图所示,其中二极管、晶体管均为硅管,那么晶体管的工作状态为( )
A. 饱和状态
B. 放大状态
C. 倒置状态
D. 截止状态
【答案】D
11. 晶闸管在触发后会保持导通状态,直至什么条件出现才会关断?( )
A. 温度下降
B. 电压下降
C. 电流降至接近零
D. 施加反向电压
【答案】C
【解析】晶闸管一旦被触发导通,即使去掉触发源,也会继续导通直到负载电流降低至接近零。
12. 如果一个晶闸管在没有触发信号的情况下导通了,最可能的原因是?( )
A. 环境温度太高
B. 外加电压超过了额定值
C. 器件失效
D. 存在外部干扰信号
【答案】C
【解析】如果晶闸管在没有触发信号的情况下导通了,最可能的原因是器件出现了故障或损坏,导致失去了正常的阻断能力。
13. 三相电压型逆变电路中,若任一时刻有三个开关管同时导通,则每个开关管的导通角是( )
A.
B.
C.
D.
【答案】D
【解析】三相电压型逆变电路中任一时刻有三个开关管同时导通时,采用的是导电方式。每个开关管在一个周期内导通,故选D。
14. 在常见的电子设备维护中,定期检查和更换的元件包括( )
A. 电阻
B. 电容
C. 晶体管
D. 二极管
【答案】B
【解析】在常见电子设备维护中,电容尤其是电解电容会因老化出现容量下降、漏电增大等问题,通常需要定期检查并视情况更换,故选B。
15. 为使晶闸管在规定相位可靠导通,控制极信号的前沿应( )
A. 上升速度足够快
B. 持续时间尽量短
C. 重复频率尽量低
D. 输出阻抗足够大
【答案】A
【解析】触发脉冲前沿陡峭,可使晶闸管迅速、可靠地由截止状态转入导通状态。
16. 单结晶体管的基本电极结构是( )
A. 两个发射极和一个基极
B. 一个发射极和两个基极
C. 一个发射极和一个集电极
D. 两个基极和一个集电极
【答案】B
【解析】单结晶体管有一个发射极E和两个基极B1、B2,是形成负阻特性的基础。
17. 单结晶体管触发电路中,储能电容形成输出脉冲的直接过程是( )
A. 经充电电阻缓慢充电
B. 经基极电阻缓慢放电
C. 经发射极回路快速放电
D. 经稳压支路持续充电
【答案】C
【解析】电容电压达到峰点电压后,单结晶体管导通,电容经发射极和B1回路迅速放电形成脉冲。
18. 单结晶体管的分压比η通常表示为( )
A. 占基极间总电阻的比值
B. 基极间总电阻占的比值
C. 两基极电阻差占总电阻的比值
D. 占基极间总电阻的比值
【答案】D
【解析】分压比η反映B1侧电阻在基极间总电阻中所占的比例,是确定峰点电压的重要参数。
19. 某单结晶体管移相触发电路中,其他参数不变,维修技师将电容充电电阻调大,则晶闸管的导通状态将( )
A. 导通时刻后移且控制角增大
B. 导通时刻前移且控制角减小
C. 导通时刻不变且脉宽增大
D. 导通时刻不变且幅值减小
【答案】A
【解析】充电电阻增大使电容充至峰点电压所需时间延长,触发脉冲滞后,控制角随之增大。
20. 某单结晶体管触发电路中,测得基极电源电压为20 V,分压比η为0.60。电容电压由0 V升至18 V后保持不变,B1端始终无触发脉冲。已知峰点电压近似按η与基极电源电压的乘积再加0.7 V计算,最应优先检查( )
A. 晶闸管阳极主回路
B. 单结管及发射极回路
C. 脉冲变压器次级回路
D. 负载电阻及连接导线
【答案】B
【解析】峰点电压应为12.7 V,电容超过该值仍不放电且无脉冲,说明单结管或其发射极回路未正常导通。
二、填空题(本大题共10小题,每题2分,共20分)
21. 要使晶闸管关断必须使阳极电流减小到低于______。
【答案】维持电流
【解析】晶闸管导通后具有自锁作用。要使其关断,必须使阳极电流降低到维持电流以下,晶闸管才能恢复阻断状态。
22. 晶闸管触发电路的作用是,在控制极与阴极之间适时提供______,使晶闸管由阻断状态转入导通状态。
【答案】触发脉冲
【解析】晶闸管需要在控制极获得符合要求的触发脉冲后才能可靠导通。
23. 为保证晶闸管可靠导通,触发脉冲的幅值应______晶闸管规定的触发电压和触发电流。
【答案】大于
【解析】触发脉冲必须具有足够的电压和电流幅值,才能使晶闸管可靠触发。
24. 晶闸管触发脉冲的前沿应尽量______,以减小触发时刻的误差。
【答案】陡峭
【解析】脉冲前沿陡峭可使晶闸管迅速达到触发条件,提高触发时刻的准确性。
25. 在交流调压电路中,触发脉冲应与电源电压保持______关系,以保证每个周期的触发时刻稳定。
【答案】同步
【解析】触发电路与交流电源同步,才能使晶闸管在预定相位稳定触发。
26. 改变晶闸管触发脉冲在交流电源周期中的出现时刻,称为改变触发______。
【答案】相位
【解析】通过改变触发脉冲的相位,可以调节晶闸管的导通角和输出功率。
27. 单结晶体管触发电路中,电容充电到单结晶体管的峰点电压后,单结晶体管由截止状态转入______状态。
【答案】导通
【解析】发射极电压达到峰点电压时,单结晶体管导通,电容经其迅速放电形成脉冲。
28. 单结晶体管导通后,发射极电流增大而发射极电压降低的工作区称为______区。
【答案】负阻
【解析】该区域内电压下降而电流增大,表现出负电阻特性,有利于形成陡峭触发脉冲。
29. 某单结晶体管的分压比为0.60,基极电源电压为20 V,二极管压降取0.7 V,其峰点电压约为______V。
【答案】12.7
【解析】峰点电压约为ηUbb加二极管压降,即0.60×20加0.7,结果为12.7 V。
30. 某单结晶体管触发电路中,调大充电电阻后,电容达到峰点电压所需时间变长,晶闸管的触发角将______,导通角将______。
【答案】增大;减小
【解析】充电电阻增大使触发脉冲延后出现,因此触发角增大,晶闸管每周期导通时间缩短。
三、判断题(本大题共10小题,每题1分,共10分)
31. 晶闸管一旦触发导通后,即使移除触发源也能维持导通状态。 ( )
【答案】正确
【解析】晶闸管的一大特性就是一旦被触发导通,会保持导通状态直到负载电流下降到低于维持电流的水平。
32. 晶闸管的控制极加上触发信号后,晶闸管就导通。( )
【答案】错误
【解析】晶闸管控制极加上触发信号后,还必须满足阳极对阴极加正向电压且触发信号达到规定条件,晶闸管才会导通。因此题干说法错误。
33. 在阳极加8V 直流电压条件下,使晶闸管从阻断变为导通所需的最小控制极直流电压。( )
【答案】错误
【解析】在阳极加6V 直流电压条件下,使晶闸管从阻断变为导通所需的最小控制极直流电压。
34. 晶闸管触发电路输出的触发脉冲应具有足够的幅值,以可靠触发晶闸管导通。( )
【答案】正确
【解析】触发脉冲电流必须达到晶闸管门极的触发要求,才能保证晶闸管可靠导通。
35. 为使晶闸管在所需时刻导通,触发电路的触发脉冲相位应能够调节。( )
【答案】正确
【解析】改变触发脉冲的出现时刻,可以改变晶闸管的导通角和输出电压。
36. 单结晶体管触发电路中,电容充电到单结晶体管的谷点电压时,单结晶体管开始导通。( )
【答案】错误
【解析】电容电压达到峰点电压时,单结晶体管由截止状态转入导通状态。
37. 单结晶体管导通后,储能电容会经单结晶体管的发射极和第一基极支路迅速放电。( )
【答案】正确
【解析】单结晶体管导通后呈现负阻特性,电容通过第一基极支路快速放电并形成触发脉冲。
38. 某可控整流装置在负载变化时出现晶闸管误触发现象,适当提高触发脉冲的前沿陡度能够消除误触发。( )
【答案】错误
【解析】脉冲前沿陡峭有利于可靠触发,不能消除由干扰或主电路电压变化引起的误触发。
39. 维修人员增大单结晶体管触发电路的充电电阻后,电容充电时间变长,晶闸管的触发时刻将后移。( )
【答案】正确
【解析】充电电阻增大使电容电压上升变慢,达到峰点电压的时间延后,触发角增大。
40. 某单结晶体管触发电路中,若电源电压升高,则峰点电压不变,因此触发角一定保持不变。( )
【答案】错误
【解析】峰点电压与基极电源电压有关。电源电压变化会改变电容充电和峰点条件,触发角可能变化。
四、简答题(本大题共4小题,每题5分,共20分)
41. 带续流二极管的单相半波可控整流电路中,大电感负载,V,R=10Ω,要求输出整流电压平均值为0~30V连续可调。试求控制角α范围,选择晶闸管定额并计算变压器次级容量。
【答案】控制角α范围为~;晶闸管定额:通态平均电流IT(AV)≈1.23A,额定电压≈622V(实际可按标准等级向上选取,如2A、700V或更高);变压器次级容量≈283.8V·A。
【解析】由带续流二极管的单相半波可控整流大电感负载输出平均电压公式:Ud=(√2/(2π))(1+cosα)。代入V,可得Ud≈49.5(1+cosα)。当Ud=30V时,1+cosα≈30/49.5≈0.606,cosα≈-0.394,α≈;当Ud=0V时,1+cosα=0,cosα=-1,α=。所以控制角α范围为~,导通角θ=-α范围为~。大电感负载且ωL>>R时,输出电流近似平直,Id=Ud/R;因R=10Ω,Ud在0~30V之间,所以Id在0~3A之间。流过晶闸管的电流有效值IT=√[(1/(2π))∫_απ I_(ωt)]=√[(π-α)/(2π)]Id。当α=时IT最大,=√[(180-113.2)/(2×180)]×3≈1.29A。取1.5~2倍裕量,按IT(AV)=1.5×/1.57计算,IT(AV)≈1.5×1.29/1.57≈1.23A。晶闸管额定电压取2倍裕量:×√2×220≈622V(实际可按标准等级向上选取,如2A、700V或更高)。变压器次级绕组电流波形与晶闸管相同,取≈1.29A,则×1.29≈283.8V·A。结论:控制角α范围为~;晶闸管定额IT(AV)≈1.23A、≈622V;变压器次级容量约283.8V·A。
42. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
【答案】维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流;要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断
43. 晶闸管的触发方式有哪些?请分别介绍。
【答案】正向电压触发:通过在阳极和阴极之间施加正向电压,同时保持栅极电路开路,结 J2 被反向偏置。结果,耗尽层的形成发生在 J2 上。随着正向电压的增加,耗尽层消失的阶段到来,并且据说J2具有雪崩击穿。因此,晶闸管进入导通状态。发生雪崩的电压称为正向击穿电压V BO。 门触发:这是开启晶闸管或 SCR 的最常见、最可靠和最有效的方法之一。在栅极触发中,为了打开 SCR,在栅极和阴极之间施加正电压,这会产生栅极电流,电荷会注入内部 P 层并发生正向击穿。栅极电流越高,正向击穿电压越低。 根据两个晶体管模型,当阳极相对于阴极变为正时。在触发门极引脚之前,电流不会通过阳极流向阴极。当电流流入栅极引脚时,它会打开下部晶体管。当下部晶体管导通时,它打开上部晶体管。这是一种内部正反馈,因此通过在栅极提供一次脉冲,使晶闸管保持在导通状态。当两个晶体管都打开时,电流开始通过阳极传导到阴极。这种状态被称为正向传导,这就是晶体管“锁定”或保持永久导通的方式。要关闭 SCR,您不能仅通过移除栅极电流来关闭它,在这种状态下,晶闸管与栅极电流无关。因此,要关闭,您必须制作关闭电路。 dv/dt 触发:在反向偏置的结点 J2 获得类似电容器的特性,因为结点上存在电荷,这意味着结点 J2 的行为类似于电容。如果突然施加正向电压,则通过结电容 Cj 的充电电流导致 SCR 导通。 温度触发:当晶闸管处于正向阻断模式时,大部分施加的电压都收集在结 J2 上,该电压与一些漏电流相关。这增加了结 J2 的温度。因此,随着温度的升高,耗尽层会减少,并且在某些高温下(在安全范围内),耗尽层会破裂并且 SCR 变为 ON 状态。 光触发:为了用光触发 SCR,在内部 p 层制作了一个凹槽(或空心)。特定波长的光束由光纤引导照射。当光强超过一定值时,可控硅导通。这些类型的 SCR 称为光激活 SCR (LASCR)。有时,这些 SCR 会同时使用光源和栅极信号触发。开启 SCR 所需的高栅极电流和较低的光强度。
44. 对晶闸管的触发电路有哪些要求?
【答案】为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率;门极正向偏压愈小愈好;触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求;要能满足主电路移相范围的要求;触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
五、综合应用题(本大题共1小题,每题10分,共10分)
45. 某维修技师调试一台单相可控整流加热装置,晶闸管采用单结晶体管触发电路控制。电路在每个正半周过零时使电容器放电至零,随后电容器经电阻 R 充电;当电容电压达到单结晶体管峰点电压时,单结晶体管导通,电容器经脉冲变压器向晶闸管门极输出触发脉冲。已知电源频率为 50 Hz,单结晶体管的分压比 ,峰点结压降 ,极间电压 ,充电电阻 ,电容器 。电容器充电规律为 。设备要求触发角调节范围为 。(1)计算单结晶体管的峰点电压 、电容器充电至峰点电压所需时间 ,以及对应的晶闸管触发角 。(2)判断该组参数能否满足设备规定的触发角范围,并说明理由。(3)若需要将触发角调整为 ,说明应如何调整充电电阻的阻值,并写出晶闸管触发电路还应满足的两项基本要求。
【答案】(1)峰点电压为:。充电时间为:
。50 Hz 电源半周时间为:。触发角为:
。(2)不能满足要求。计算得到的触发角约为 ,大于规定的最大触发角 。(3)当 时,充电时间应为:。充电电阻应为:
。因此,应将充电电阻由 调小至约 。触发电路还应保证触发脉冲与主电路电源同步,并保证触发脉冲具有足够的幅值和宽度。
【解析】(1)先由单结晶体管峰点电压公式求出 ,再由电容充电规律求延迟时间,最后换算触发角。(2)触发角超过规定上限,不能满足调节要求。(3)减小充电电阻可缩短电容充电时间,使触发角提前;触发脉冲还应满足同步、可靠和足够的门极驱动要求。
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内蒙古(对口招生)装备制造类《电工电子技术与技能》45分钟专题训练卷专辑,共241份试卷。试卷命题与高考紧密相关,精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固装备制造类理论知识,熟悉高考题型和命题规律,提高解题能力和应试技巧,为高考取得优异成绩打下坚实的基础,本训练卷适用于即将参加装备制造类高考的学生。
与本专辑配套的还有内蒙古对口招生考试《机械基础》《机械制图》《机械加工技术》《电器及PLC控制技术》45分钟专题训练卷专辑,欢迎同学和老师们下载使用。
内蒙古(对口招生)装备制造类 《电工电子技术与技能》
项目十一:电力电子技术
任务四:晶闸管触发电路
时间:45分钟 总分:100分
班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____
一、单项选择题(本大题共20小题,每题2分,共40分)
1. 三相半波可控整流电路的主要目的是什么?( )
A. 将交流电转换成直流电
B. 将直流电转换成交流电
C. 放大信号
D. 滤除噪声
2. 晶闸管主要用于什么类型的电力控制?( )
A. 直流电机的速度控制
B. 交流电源的调光
C. 高频信号的放大
D. 低频信号的过滤
3. 以下哪种设备利用了晶闸管的可控硅特性?( )
A. 太阳能电池板
B. LED灯带
C. 交流调压器
D. 步进电机驱动器
4. 晶闸管触发后,为何能维持导通状态?( )
A. 它有一个内置的电池
B. 它的构造使其自锁存
C. 它需要外部持续提供触发电流
D. 它基于机械开关的原理工作
5. 以下哪个选项是用来描述晶闸管触发器件的功能?( )
A. 调整灵敏度
B. 实现电流放大
C. 控制晶闸管导通
D. 保护晶闸管
6. 晶闸管的触发器件是用来控制晶闸管开启和关闭的,其作用是什么?( )
A. 保护晶闸管避免过流损坏
B. 调节晶闸管的导通和截止时间
C. 调节晶闸管的导通和关断电压
D. 加强晶闸管的放大能力
7. 三相半波可控整流电路的触发角是什么?( )
A. SCR导通的时刻
B. SCR截止的时刻
C. 负载电压达到峰值的时刻
D. 负载电流达到峰值的时刻
8. 晶闸管触发电路中,若改变______的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的( )
A. 同步电压
B. 控制电压
C. 脉冲变压器变比
D. 以上都不对
9. 在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )
A. 干扰信号
B. 触发电压信号
C. 触发电流信号
D. 复合信号
10. 测得晶体管电路三个电位如图所示,其中二极管、晶体管均为硅管,那么晶体管的工作状态为( )
A. 饱和状态
B. 放大状态
C. 倒置状态
D. 截止状态
11. 晶闸管在触发后会保持导通状态,直至什么条件出现才会关断?( )
A. 温度下降
B. 电压下降
C. 电流降至接近零
D. 施加反向电压
12. 如果一个晶闸管在没有触发信号的情况下导通了,最可能的原因是?( )
A. 环境温度太高
B. 外加电压超过了额定值
C. 器件失效
D. 存在外部干扰信号
13. 三相电压型逆变电路中,若任一时刻有三个开关管同时导通,则每个开关管的导通角是( )
A.
B.
C.
D.
14. 在常见的电子设备维护中,定期检查和更换的元件包括( )
A. 电阻
B. 电容
C. 晶体管
D. 二极管
15. 为使晶闸管在规定相位可靠导通,控制极信号的前沿应( )
A. 上升速度足够快
B. 持续时间尽量短
C. 重复频率尽量低
D. 输出阻抗足够大
16. 单结晶体管的基本电极结构是( )
A. 两个发射极和一个基极
B. 一个发射极和两个基极
C. 一个发射极和一个集电极
D. 两个基极和一个集电极
17. 单结晶体管触发电路中,储能电容形成输出脉冲的直接过程是( )
A. 经充电电阻缓慢充电
B. 经基极电阻缓慢放电
C. 经发射极回路快速放电
D. 经稳压支路持续充电
18. 单结晶体管的分压比η通常表示为( )
A. 占基极间总电阻的比值
B. 基极间总电阻占的比值
C. 两基极电阻差占总电阻的比值
D. 占基极间总电阻的比值
19. 某单结晶体管移相触发电路中,其他参数不变,维修技师将电容充电电阻调大,则晶闸管的导通状态将( )
A. 导通时刻后移且控制角增大
B. 导通时刻前移且控制角减小
C. 导通时刻不变且脉宽增大
D. 导通时刻不变且幅值减小
20. 某单结晶体管触发电路中,测得基极电源电压为20 V,分压比η为0.60。电容电压由0 V升至18 V后保持不变,B1端始终无触发脉冲。已知峰点电压近似按η与基极电源电压的乘积再加0.7 V计算,最应优先检查( )
A. 晶闸管阳极主回路
B. 单结管及发射极回路
C. 脉冲变压器次级回路
D. 负载电阻及连接导线
二、填空题(本大题共10小题,每题2分,共20分)
21. 要使晶闸管关断必须使阳极电流减小到低于______。
22. 晶闸管触发电路的作用是,在控制极与阴极之间适时提供______,使晶闸管由阻断状态转入导通状态。
23. 为保证晶闸管可靠导通,触发脉冲的幅值应______晶闸管规定的触发电压和触发电流。
24. 晶闸管触发脉冲的前沿应尽量______,以减小触发时刻的误差。
25. 在交流调压电路中,触发脉冲应与电源电压保持______关系,以保证每个周期的触发时刻稳定。
26. 改变晶闸管触发脉冲在交流电源周期中的出现时刻,称为改变触发______。
27. 单结晶体管触发电路中,电容充电到单结晶体管的峰点电压后,单结晶体管由截止状态转入______状态。
28. 单结晶体管导通后,发射极电流增大而发射极电压降低的工作区称为______区。
29. 某单结晶体管的分压比为0.60,基极电源电压为20 V,二极管压降取0.7 V,其峰点电压约为______V。
30. 某单结晶体管触发电路中,调大充电电阻后,电容达到峰点电压所需时间变长,晶闸管的触发角将______,导通角将______。
三、判断题(本大题共10小题,每题1分,共10分)
31. 晶闸管一旦触发导通后,即使移除触发源也能维持导通状态。 ( )
32. 晶闸管的控制极加上触发信号后,晶闸管就导通。( )
33. 在阳极加8V 直流电压条件下,使晶闸管从阻断变为导通所需的最小控制极直流电压。( )
34. 晶闸管触发电路输出的触发脉冲应具有足够的幅值,以可靠触发晶闸管导通。( )
35. 为使晶闸管在所需时刻导通,触发电路的触发脉冲相位应能够调节。( )
36. 单结晶体管触发电路中,电容充电到单结晶体管的谷点电压时,单结晶体管开始导通。( )
37. 单结晶体管导通后,储能电容会经单结晶体管的发射极和第一基极支路迅速放电。( )
38. 某可控整流装置在负载变化时出现晶闸管误触发现象,适当提高触发脉冲的前沿陡度能够消除误触发。( )
39. 维修人员增大单结晶体管触发电路的充电电阻后,电容充电时间变长,晶闸管的触发时刻将后移。( )
40. 某单结晶体管触发电路中,若电源电压升高,则峰点电压不变,因此触发角一定保持不变。( )
四、简答题(本大题共4小题,每题5分,共20分)
41. 带续流二极管的单相半波可控整流电路中,大电感负载,V,R=10Ω,要求输出整流电压平均值为0~30V连续可调。试求控制角α范围,选择晶闸管定额并计算变压器次级容量。
42. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
43. 晶闸管的触发方式有哪些?请分别介绍。
44. 对晶闸管的触发电路有哪些要求?
五、综合应用题(本大题共1小题,每题10分,共10分)
45. 某维修技师调试一台单相可控整流加热装置,晶闸管采用单结晶体管触发电路控制。电路在每个正半周过零时使电容器放电至零,随后电容器经电阻 R 充电;当电容电压达到单结晶体管峰点电压时,单结晶体管导通,电容器经脉冲变压器向晶闸管门极输出触发脉冲。已知电源频率为 50 Hz,单结晶体管的分压比 ,峰点结压降 ,极间电压 ,充电电阻 ,电容器 。电容器充电规律为 。设备要求触发角调节范围为 。(1)计算单结晶体管的峰点电压 、电容器充电至峰点电压所需时间 ,以及对应的晶闸管触发角 。(2)判断该组参数能否满足设备规定的触发角范围,并说明理由。(3)若需要将触发角调整为 ,说明应如何调整充电电阻的阻值,并写出晶闸管触发电路还应满足的两项基本要求。
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