内蒙古（对口招生）装备制造类 《电工电子技术与技能》项目九任务八 45分钟专题训练卷

内蒙古（对口招生）装备制造类《电工电子技术与技能》45分钟专题训练卷专辑，共241份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固装备制造类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加装备制造类高考的学生。 与本专辑配套的还有内蒙古对口招生考试《机械基础》《机械制图》《机械加工技术》《电器及PLC控制技术》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 内蒙古（对口招生）装备制造类 《电工电子技术与技能》 项目九：常用半导体器件 任务八：三极管的结构 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 三极管是由哪些部分组成的？（ ） A. 两个PN结 B. 三个PN结 C. 一个PN结 D. 两个电阻 2. 为提高三极管集电结承受较高反向电压的能力，制造时通常采用的结构措施是（ ） A. 增大发射区厚度并降低其掺杂浓度 B. 扩大集电区面积并降低其掺杂浓度 C. 缩小基区宽度并提高其掺杂浓度 D. 减小集电区面积并提高其掺杂浓度 3. 若已知某个设备使用了三极管，但不清楚具体是NPN型还是PNP型，应如何快速判断？（ ） A. 看设备铭牌上的规格说明 B. 测量集电极和发射极之间的电压差 C. 检查其封装形式和引脚排列顺序 D. 分别给基极和发射极之间加正、反向电压并观察反应 4. 放大电路中某晶体管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（ ） A. NPN型硅管，E、C、B B. B.NPN型硅管，B、 C. E C.PNP型锗管，E、C、B D. PNP型锗管，B、C、E 5. 在三极管的工作过程中，基极的作用是？（ ） A. 提供稳定的电源 B. 放大信号 C. 控制集电极与发射极之间的电流 D. 控制门极的电流 6. NPN型三极管按半导体材料的排列顺序可表示为（ ） A. N型、P型、N型 B. P型、N型、P型 C. N型、N型、P型 D. P型、P型、N型 7. 晶体管内部结构可以分为三个区，以下哪个不属于三极管的结构（ ） A. 发射区 B. 基区 C. 截止区 D. 集电区 8. 如图所示放大电路中，12V，三极管的电流放大系数β=40，1KΩ，300KΩ，4KΩ，4KΩ，则接入后电压的放大倍数为（ ） A. -160 B. -80 C. -40 D. -20 9. 用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则该晶体管各脚的名称是（ ） A. 脚1为C，脚2为B，脚3为E B. 脚1为E，脚2为C，脚3为B C. 脚1为B，脚2为E，脚3为C D. 以上都不对 10. 某三极管从发射区到集电区的半导体类型依次为N型、P型、N型，则该管的类型和基区材料分别是（ ） A. PNP型，基区为N型半导体 B. PNP型，基区为P型半导体 C. NPN型，基区为N型半导体 D. NPN型，基区为P型半导体 11. 用万用表测得三极管任意两极间的正、反向电阻均较小，则该管（ ） A. 两个 PN 结均开路 B. 发射结击穿，集电结正常 C. 发射结正常，集电结击穿 D. 两个 PN 结均击穿 12. 如图所示电路中，若仅增大的阻值，则集成运放输出电压的值将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 条件不足，无法确定 13. 维修人员需根据结构特点区分三极管的三个电极。与发射区相连接的电极称为（ ） A. 基极 B. 集电极 C. 发射极 D. 控制极 14. 在NPN型晶体管中，哪个区域是发射区？（ ） A. N型区靠近集电极 B. P型区靠近基极 C. N型区靠近基极 D. P型区靠近集电极 15. 关于普通三极管各半导体区域的结构特点，表述正确的是（ ） A. 发射区掺杂最重，基区最薄 B. 发射区最薄，基区掺杂最重 C. 基区面积最大，集电区最薄 D. 集电区掺杂最重，基区最厚 16. 晶体管三极管放大条件是（ ） A. 发射结要正向偏置 B. 发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 C. 集电结要反向偏置 D. 发射结要反向偏置，集电结要正向偏置 17. 一只PNP型三极管的三个半导体区域中，位于中间的区域材料类型应为（ ） A. P型半导体 B. N型半导体 C. 本征半导体 D. 绝缘半导体 18. 三极管的基区通常设计得很薄，其主要目的是（ ） A. 使注入基区的载流子复合增多 B. 使发射结的势垒高度增大 C. 使载流子少在基区复合而到达集电区 D. 使集电结的反向电流完全消失 19. 技术人员比较两只结构相同的三极管，发现甲管基区较薄，乙管基区较厚。仅从结构设计目的分析，甲管基区较薄的主要原因是（ ） A. 减小载流子在基区的复合 B. 提高集电区承受的电压 C. 增大发射区的散热面积 D. 降低外部引线的接触电阻 20. 某普通三极管的集电区设计得比发射区面积大，其主要结构原因是（ ） A. 便于承受较高的电压 B. 便于获得更大的输入电阻 C. 便于减小基区的厚度 D. 便于提高发射区的掺杂 二、填空题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21. 三极管由发射区、基区和集电区三部分组成，其中掺杂浓度最高的是______区，面积最大的是______区。 22. NPN型三极管由______型半导体、______型半导体和______型半导体依次组成。 23. 晶体管的三个基本区域是发射区、______和集电区。 24. 三极管的基本构造是由______、______和______组成。 25. 三极管的三个引脚分别是发射极、集电极和______极。 26. 三极管的三个电极分别称为基极、______极和______极。 27. 三极管内部有两个PN结，分别称为发射结和______结；基区位于这两个PN结的______。 28. 三极管的三个外部电极分别是发射极、基极和______极。 29. 三极管中位于中间、厚度较薄的半导体区域称为______区。 30. 三极管按内部半导体材料的排列方式，可分为NPN型和______型两类。 三、判断题（本大题共10小题，每题1分，共10分） 31. 三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结（ ） 32. 二极管特点:集电区体积大，掺杂浓度小;基区比较薄:发射区掺杂浓度最大。（ ） 33. 晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。（ ） 34. 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（N型的或P型）构成，故E极和C极可以互换使用。（ ） 35. 三极管的发射区、基区和集电区分别对应发射极、基极和集电极三个外部电极。（ ） 36. NPN型三极管的基区由N型半导体材料制成。（ ） 37. 三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（ ） 38. 三极管的基本构造是由发射极、基极和集电极组成。（ ） 39. 三极管内部的发射结位于发射区和基区之间。（ ） 40. 三极管的基区通常比发射区和集电区厚，以增强其机械强度。（ ） 四、简答题（本大题共4小题，每题5分，共20分） 41. 简述判别三极管集电极和发射极。 42. 在分压式偏置式放大电路的电子焊接项目实训中，用万用表直流电压档测量三极管三个对地电压，万用表示数如图所示，请问： 三极管的三个脚的极性及管脚。 43. 简述NPN型三极管与PNP型三极管在半导体层排列和掺杂类型方面的主要区别。 44. 某三极管由P型、N型、P型三层半导体构成。简述其三个区域在结构上的名称及主要结构特点。 五、综合应用题（本大题共1小题，每题10分，共10分） 45. 某电子设备维修车间对一只NPN型三极管芯片进行结构检测。测得发射区、基区和集电区的掺杂浓度分别为1×1019个/cm3、5×1017个/cm3和1×1016个/cm3，三者的有效宽度分别为3μm、1μm和15μm。 （1）计算发射区掺杂浓度与基区掺杂浓度的比值、基区掺杂浓度与集电区掺杂浓度的比值，以及集电区宽度与基区宽度的比值。 （2）根据计算结果，判断该芯片的掺杂和尺寸关系是否符合普通NPN型三极管的基本结构要求，并说明理由。 （3）若装配时将发射极与集电极接线端对调，说明这种错误可能造成的影响，并提出正确处理措施。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 内蒙古（对口招生）装备制造类《电工电子技术与技能》45分钟专题训练卷专辑，共241份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固装备制造类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加装备制造类高考的学生。 与本专辑配套的还有内蒙古对口招生考试《机械基础》《机械制图》《机械加工技术》《电器及PLC控制技术》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 内蒙古（对口招生）装备制造类 《电工电子技术与技能》 项目九：常用半导体器件 任务八：三极管的结构 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 三极管是由哪些部分组成的？（ ） A. 两个PN结 B. 三个PN结 C. 一个PN结 D. 两个电阻 【答案】A 【解析】三极管由两个PN结组成，中间的部分称为基区，两侧分别为发射区和集电区。 2. 为提高三极管集电结承受较高反向电压的能力，制造时通常采用的结构措施是（ ） A. 增大发射区厚度并降低其掺杂浓度 B. 扩大集电区面积并降低其掺杂浓度 C. 缩小基区宽度并提高其掺杂浓度 D. 减小集电区面积并提高其掺杂浓度 【答案】B 【解析】集电区通常面积较大、掺杂浓度较低，这种结构有利于集电结承受较高的反向电压，并改善集电区的散热条件。发射区应保持较高掺杂浓度，基区则应较薄。 3. 若已知某个设备使用了三极管，但不清楚具体是NPN型还是PNP型，应如何快速判断？（ ） A. 看设备铭牌上的规格说明 B. 测量集电极和发射极之间的电压差 C. 检查其封装形式和引脚排列顺序 D. 分别给基极和发射极之间加正、反向电压并观察反应 【答案】D 【解析】判断三极管类型应利用基极—发射极PN结的导通极性。分别在基极和发射极之间施加两种极性的电压并观察导通情况：基极电位高于发射极时导通的为NPN型；基极电位低于发射极时导通的为PNP型。封装形式和引脚排列顺序不能作为区分NPN型、PNP型的通用依据。因此选D。 4. 放大电路中某晶体管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（ ） A. NPN型硅管，E、C、B B. B.NPN型硅管，B、 C. E C.PNP型锗管，E、C、B D. PNP型锗管，B、C、E 【答案】A 5. 在三极管的工作过程中，基极的作用是？（ ） A. 提供稳定的电源 B. 放大信号 C. 控制集电极与发射极之间的电流 D. 控制门极的电流 【答案】C 【解析】基极电流（或基极—发射极电压）能够控制集电极与发射极之间的电流，从而实现三极管的电流控制和放大作用。基极本身不是提供稳定电源，也不涉及门极。因此选C。 6. NPN型三极管按半导体材料的排列顺序可表示为（ ） A. N型、P型、N型 B. P型、N型、P型 C. N型、N型、P型 D. P型、P型、N型 【答案】A 【解析】NPN型三极管由两侧的N型半导体和中间的P型半导体组成，材料排列顺序为N型、P型、N型。 7. 晶体管内部结构可以分为三个区，以下哪个不属于三极管的结构（ ） A. 发射区 B. 基区 C. 截止区 D. 集电区 【答案】C 【解析】三极管的内部结构由发射区、基区和集电区三个区域组成。截止区是三极管的一种工作状态（工作区域），不是其内部结构区域。因此选C。 8. 如图所示放大电路中，12V，三极管的电流放大系数β=40，1KΩ，300KΩ，4KΩ，4KΩ，则接入后电压的放大倍数为（ ） A. -160 B. -80 C. -40 D. -20 【答案】B 9. 用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则该晶体管各脚的名称是（ ） A. 脚1为C，脚2为B，脚3为E B. 脚1为E，脚2为C，脚3为B C. 脚1为B，脚2为E，脚3为C D. 以上都不对 【答案】B 【解析】NPN型晶体管处于放大状态时，集电极电位最高，基极电位比发射极电位高约0.7V，即通常满足VC＞VB＞VE。题中V2=6V最高，因此脚2为集电极C；V3=2.7V比V1=2V高0.7V，因此脚3为基极B，脚1为发射极E。因此选B。 10. 某三极管从发射区到集电区的半导体类型依次为N型、P型、N型，则该管的类型和基区材料分别是（ ） A. PNP型，基区为N型半导体 B. PNP型，基区为P型半导体 C. NPN型，基区为N型半导体 D. NPN型，基区为P型半导体 【答案】D 【解析】三层半导体按N型、P型、N型排列时构成NPN型三极管，其中位于中间的基区为P型半导体。 11. 用万用表测得三极管任意两极间的正、反向电阻均较小，则该管（ ） A. 两个 PN 结均开路 B. 发射结击穿，集电结正常 C. 发射结正常，集电结击穿 D. 两个 PN 结均击穿 【答案】D 【解析】该题考查的是晶体管质量的判定，晶体管质量的判定主要看两个 PN 的正，反向电阻，正，反向电阻差别越大，质量越好。 12. 如图所示电路中，若仅增大的阻值，则集成运放输出电压的值将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 条件不足，无法确定 【答案】B 13. 维修人员需根据结构特点区分三极管的三个电极。与发射区相连接的电极称为（ ） A. 基极 B. 集电极 C. 发射极 D. 控制极 【答案】C 【解析】三极管的三个电极分别与三个半导体区域对应。连接发射区的电极为发射极，连接基区和集电区的电极分别为基极和集电极。 14. 在NPN型晶体管中，哪个区域是发射区？（ ） A. N型区靠近集电极 B. P型区靠近基极 C. N型区靠近基极 D. P型区靠近集电极 【答案】C 【解析】NPN型三极管由N型发射区、P型基区和N型集电区组成。其中发射区通常掺杂最重，以便向基区发射大量载流子；集电区的掺杂通常较轻。因此，通常掺杂较重的N型区是发射区，选C。 15. 关于普通三极管各半导体区域的结构特点，表述正确的是（ ） A. 发射区掺杂最重，基区最薄 B. 发射区最薄，基区掺杂最重 C. 基区面积最大，集电区最薄 D. 集电区掺杂最重，基区最厚 【答案】A 【解析】普通三极管的发射区掺杂浓度最高，基区很薄且掺杂较轻。这样的结构有利于载流子从发射区进入基区并到达集电区。 16. 晶体管三极管放大条件是（ ） A. 发射结要正向偏置 B. 发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 C. 集电结要反向偏置 D. 发射结要反向偏置，集电结要正向偏置 【答案】B 17. 一只PNP型三极管的三个半导体区域中，位于中间的区域材料类型应为（ ） A. P型半导体 B. N型半导体 C. 本征半导体 D. 绝缘半导体 【答案】B 【解析】PNP型三极管的材料排列为P型、N型、P型，中间区域为N型基区。两侧的P型区域分别构成发射区和集电区。 18. 三极管的基区通常设计得很薄，其主要目的是（ ） A. 使注入基区的载流子复合增多 B. 使发射结的势垒高度增大 C. 使载流子少在基区复合而到达集电区 D. 使集电结的反向电流完全消失 【答案】C 【解析】基区较薄可减少载流子在基区内的复合，使较多载流子能够到达集电区，这是三极管实现电流放大作用的重要结构条件。 19. 技术人员比较两只结构相同的三极管，发现甲管基区较薄，乙管基区较厚。仅从结构设计目的分析，甲管基区较薄的主要原因是（ ） A. 减小载流子在基区的复合 B. 提高集电区承受的电压 C. 增大发射区的散热面积 D. 降低外部引线的接触电阻 【答案】A 【解析】基区制得很薄，可使由发射区注入基区的载流子较少在基区复合，更多载流子能够到达集电区。集电区耐压和散热主要与集电区的结构有关。 20. 某普通三极管的集电区设计得比发射区面积大，其主要结构原因是（ ） A. 便于承受较高的电压 B. 便于获得更大的输入电阻 C. 便于减小基区的厚度 D. 便于提高发射区的掺杂 【答案】A 【解析】集电区需要承受较高的反向电压并收集载流子，因此通常面积较大。基区厚度和发射区掺杂浓度属于其他区域的结构设计要求。 二、填空题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21. 三极管由发射区、基区和集电区三部分组成，其中掺杂浓度最高的是______区，面积最大的是______区。 【答案】发射；集电 【解析】发射区需要向基区发射大量载流子，因此掺杂浓度最高。集电区承担收集载流子和承受较高电压的作用，通常面积较大。 22. NPN型三极管由______型半导体、______型半导体和______型半导体依次组成。 【答案】N；P；N 【解析】NPN型三极管的发射区、基区和集电区依次为N型、P型和N型半导体材料，内部形成两个PN结。 23. 晶体管的三个基本区域是发射区、______和集电区。 【答案】基区 【解析】晶体管是一种三端器件，包括发射区、基区和集电区。 24. 三极管的基本构造是由______、______和______组成。 【答案】① 发射区 ② 基区 ③ 集电区 【解析】三极管的内部基本构造由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。与这三个区域相对应的外部引出电极才分别称为发射极、基极和集电极。 25. 三极管的三个引脚分别是发射极、集电极和______极。 【答案】基 【解析】三极管有三个电极，分别称为发射极、集电极和基极。因此空格中应填“基”。 26. 三极管的三个电极分别称为基极、______极和______极。 【答案】① 发射 ② 集电 【解析】三极管的三个电极分别是基极、发射极和集电极。因此两处空格依次填“发射”和“集电”。 27. 三极管内部有两个PN结，分别称为发射结和______结；基区位于这两个PN结的______。 【答案】集电；之间 【解析】发射区与基区之间形成发射结，基区与集电区之间形成集电结。基区处于两个PN结之间，是连接三个区域的中间部分。 28. 三极管的三个外部电极分别是发射极、基极和______极。 【答案】集电 【解析】三极管的三个电极与内部三个半导体区域相对应，分别为发射极、基极和集电极。 29. 三极管中位于中间、厚度较薄的半导体区域称为______区。 【答案】基 【解析】基区位于发射区和集电区之间。为了便于载流子通过，基区通常设计得较薄。 30. 三极管按内部半导体材料的排列方式，可分为NPN型和______型两类。 【答案】PNP 【解析】三极管有NPN型和PNP型两种基本结构形式，两者的半导体材料排列顺序相反。 三、判断题（本大题共10小题，每题1分，共10分） 31. 三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结（ ） 【答案】正确 【解析】三极管内部具有发射结和集电结，二者之间为基区，外部对应发射极、基极和集电极。因此，题干所述三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结的说法正确。 32. 二极管特点:集电区体积大，掺杂浓度小;基区比较薄:发射区掺杂浓度最大。（ ） 【答案】错误 【解析】题干所述“集电区体积大、掺杂浓度小，基区较薄，发射区掺杂浓度最大”是三极管各区的结构特点。二极管只有P型区、N型区和一个PN结，不存在集电区、基区和发射区。因此题干说法错误。 33. 晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。（ ） 【答案】错误 34. 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（N型的或P型）构成，故E极和C极可以互换使用。（ ） 【答案】错误 【解析】三极管的发射区和集电区确实属于同一种导电类型的半导体，但两者的掺杂浓度和结构尺寸不同：发射区掺杂浓度较高，集电区掺杂浓度较低且通常体积较大。因此发射极和集电极的功能不能互换；即使反接后能工作，电流放大倍数也会显著降低。故题干说法错误。 35. 三极管的发射区、基区和集电区分别对应发射极、基极和集电极三个外部电极。（ ） 【答案】正确 【解析】三极管的三个半导体区域均引出一个电极，发射区对应发射极，基区对应基极，集电区对应集电极。 36. NPN型三极管的基区由N型半导体材料制成。（ ） 【答案】错误 【解析】该说法错误。NPN型三极管的结构排列为N型发射区、P型基区和N型集电区，基区应由P型半导体材料制成。 37. 三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（ ） 【答案】错误 38. 三极管的基本构造是由发射极、基极和集电极组成。（ ） 【答案】正确 【解析】三极管有三个外接电极，分别为发射极、基极和集电极，分别与内部的发射区、基区和集电区相对应。因此题干说法正确。 39. 三极管内部的发射结位于发射区和基区之间。（ ） 【答案】正确 【解析】发射区与基区相邻形成发射结，基区与集电区相邻形成集电结，因此三极管内部共有两个PN结。 40. 三极管的基区通常比发射区和集电区厚，以增强其机械强度。（ ） 【答案】错误 【解析】该说法错误。三极管的基区通常较薄，这种结构有利于载流子从发射区通过基区并被集电区收集。 四、简答题（本大题共4小题，每题5分，共20分） 41. 简述判别三极管集电极和发射极。 【答案】在已判明三极管的基极和管型后，将万用表置于电阻档，并先确认该档位表笔的正、负极性。以指针式万用表电阻档黑表笔为正为例：对NPN型三极管，先假定两个引脚分别为集电极和发射极，黑表笔接假定的集电极，红表笔接假定的发射极；用手指将基极与假定的集电极捏紧，或用约10kΩ电阻连接两者，注意不能将两引脚直接短接，记录读数。再将集电极、发射极假定对调后重复测量。读数较小的一次，黑表笔所接的引脚为集电极。对PNP型三极管，表笔接法相反；读数较小的一次，红表笔所接的引脚为集电极。若使用表笔极性不同的万用表，应相应调整表笔接法。 【解析】判别集电极和发射极前，应先确定基极和三极管的类型。以指针式万用表电阻档黑表笔为正为例，NPN型管在基极通过手指或约10kΩ电阻与假定集电极相连时，可使基极相对发射极获得正向偏置。集电极、发射极接法正确时，三极管处于正常放大连接状态，集电极与发射极之间的等效电阻较小；将集电极、发射极对调后，反向电流放大能力很弱，读数较大。因此，两次测量中读数较小的一次，黑表笔所接引脚为NPN管的集电极。PNP型管的表笔极性相反，读数较小的一次红表笔所接引脚为集电极。不同万用表电阻档的表笔极性可能不同，使用前应先确认。 42. 在分压式偏置式放大电路的电子焊接项目实训中，用万用表直流电压档测量三极管三个对地电压，万用表示数如图所示，请问： 三极管的三个脚的极性及管脚。 【答案】（1）集电极，（2）基极，（3）发射极。 43. 简述NPN型三极管与PNP型三极管在半导体层排列和掺杂类型方面的主要区别。 【答案】（1）NPN型三极管由N型发射区、P型基区和N型集电区组成，三层半导体按N—P—N顺序排列。 （2）PNP型三极管由P型发射区、N型基区和P型集电区组成，三层半导体按P—N—P顺序排列。 （3）两种三极管均由发射区、基区和集电区构成，其中基区位于中间，发射区与集电区分居两侧。 （4）两者的发射区掺杂浓度均较高，基区较薄且掺杂较低，集电区面积通常较大。 【解析】NPN型和PNP型三极管的根本区别在于三层半导体的导电类型排列不同。无论是哪种类型，发射区、基区和集电区的掺杂程度及结构尺寸均具有明显差异，不能随意互换。 44. 某三极管由P型、N型、P型三层半导体构成。简述其三个区域在结构上的名称及主要结构特点。 【答案】（1）两侧的P型区域分别为发射区和集电区，中间的N型区域为基区，该管属于PNP型三极管。 （2）发射区的掺杂浓度最高，其作用是向基区提供载流子。 （3）基区很薄，且掺杂浓度较低，以减少载流子在基区内的复合。 （4）集电区的面积通常较大、掺杂浓度较低，能够承受较高的集电结反向电压。 【解析】三极管的三个区域虽然可能具有相同的导电类型，但其位置、掺杂浓度和几何尺寸不同。判断PNP型三极管时，应依据三层半导体的排列顺序确定。 五、综合应用题（本大题共1小题，每题10分，共10分） 45. 某电子设备维修车间对一只NPN型三极管芯片进行结构检测。测得发射区、基区和集电区的掺杂浓度分别为1×1019个/cm3、5×1017个/cm3和1×1016个/cm3，三者的有效宽度分别为3μm、1μm和15μm。 （1）计算发射区掺杂浓度与基区掺杂浓度的比值、基区掺杂浓度与集电区掺杂浓度的比值，以及集电区宽度与基区宽度的比值。 （2）根据计算结果，判断该芯片的掺杂和尺寸关系是否符合普通NPN型三极管的基本结构要求，并说明理由。 （3）若装配时将发射极与集电极接线端对调，说明这种错误可能造成的影响，并提出正确处理措施。 【答案】（1）发射区与基区的掺杂浓度比为20∶1。基区与集电区的掺杂浓度比为50∶1。集电区与基区的宽度比为15∶1。 （2）符合普通NPN型三极管的基本结构要求。发射区掺杂最重，基区较薄且掺杂较低，集电区掺杂最轻并且宽度较大，符合三极管各区结构不对称的特点。 （3）发射极和集电极对调后，三极管的电流放大能力会明显降低，电路可能出现导通不可靠或性能不稳定等现象。应依据器件型号资料、管脚标识或检测结果，按规定将发射极、基极和集电极正确连接。 【解析】（1）分别用较大掺杂浓度除以相邻区域的较小掺杂浓度，再用集电区宽度除以基区宽度，即可得到各项比值。 （2）三极管发射区重掺杂、基区薄而轻掺杂、集电区面积较大且掺杂较低，这是实现正常性能的结构基础。 （3）发射区和集电区在掺杂浓度、尺寸及承压能力方面并不对称，因此不能作为可互换的两个端区使用。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $