内蒙古（对口招生）装备制造类 《电工电子技术与技能》项目九任务二 45分钟专题训练卷

内蒙古（对口招生）装备制造类《电工电子技术与技能》45分钟专题训练卷专辑，共241份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固装备制造类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加装备制造类高考的学生。 与本专辑配套的还有内蒙古对口招生考试《机械基础》《机械制图》《机械加工技术》《电器及PLC控制技术》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 内蒙古（对口招生）装备制造类 《电工电子技术与技能》 项目九：常用半导体器件 任务二：P型半导体 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是 （ ）型半导体。 A. P B. N C. PN D. 电子导电 【答案】A 【解析】在本征半导体（如硅、锗）中掺入微量3价元素（如硼、铝）后，杂质原子只有3个价电子，与周围原子形成共价键时会缺少1个电子。它容易从价带接受电子，同时在价带中产生空穴，因此形成以空穴为多数载流子的P型半导体。故选A。 2. 在本征硅中掺入少量三价元素后，形成的半导体类型是（ ） A. A. P型半导体 B. B. N型半导体 C. C. 本征半导体 D. D. 绝缘型材料 【答案】A 【解析】硅原子最外层有四个价电子，掺入三价杂质后会使晶体中产生空穴，形成P型半导体。 3. 根据图示电路中二极管两端的电压测量结果，V的阳极电位为5 V、阴极电位为0 V；V的阳极电位为3 V、阴极电位为0 V。判断两只二极管的工作状态。（ ） A. V导通、V截止 B. V导通、V截止 C. V、V都导通 D. V、V都截止 【答案】C 4. 某半导体材料经掺杂后呈P型，其数量最多的可移动载流子是（ ） A. A. 自由电子 B. B. 空穴载流子 C. C. 正离子 D. D. 负离子 【答案】B 【解析】P型半导体由受主杂质掺杂形成，空穴数量远多于自由电子，因此空穴是多数载流子。 5. P型半导体中的少数载流子是（ ） A. A. 晶格原子 B. B. 受主离子 C. C. 自由电子 D. D. 空穴载流子 【答案】C 【解析】P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子数量较少，属于少数载流子。 6. 下列元素中，适合作为硅材料受主杂质的是（ ） A. A. 五价的磷元素 B. B. 五价的砷元素 C. C. 五价的锑元素 D. D. 三价的硼元素 【答案】D 【解析】硼是三价元素，掺入四价硅晶体后可接受电子并产生空穴，因此可作为受主杂质。磷、砷和锑属于五价元素，通常用于形成N型半导体。 7. 电路如图所示，设二极管正向压降和反向电流均可忽略，则输出电压UAB为（ ） A. 6V B. 12V C. -6V D. -12V 【答案】A 8. 硅晶体中掺入三价杂质后产生空穴的直接原因是（ ） A. A. 共价键缺少一个电子 B. B. 共价键增加一个电子 C. C. 晶格失去全部电子 D. D. 原子获得额外电子 【答案】A 【解析】三价杂质原子只有三个价电子，与周围硅原子形成共价键时有一个价键缺少电子，形成可移动的空穴。 9. 在温度相同的条件下，两块硅材料均掺入硼元素。甲材料的受主杂质浓度高于乙材料，则通常（ ） A. A. 甲材料的电子浓度更高 B. B. 甲材料的导电能力更强 C. C. 甲材料的空穴浓度更低 D. D. 甲材料变为N型材料 【答案】B 【解析】硼为受主杂质，受主杂质浓度增大时，P型半导体中的空穴浓度通常增大，导电能力随之增强。 10. 判断右面两图中，的大小为（ ） A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V 【答案】D 11. 制造硅基P型半导体时，应采用的掺杂方式是（ ） A. A. 掺入少量五价杂质 B. B. 掺入少量四价杂质 C. C. 掺入少量三价杂质 D. D. 掺入少量惰性元素 【答案】C 【解析】硅为四价元素，掺入少量三价杂质会形成空穴，使材料表现出P型半导体的导电特性。 12. 某硅材料中受主杂质浓度为1.0×1022 ，施主杂质浓度为4.0×1021 。若杂质均完全电离，该材料中多数载流子的浓度约为（ ） A. A. 4.0×1015 cm-3 B. B. 1.0×1016 cm-3 C. C. 1.4×1016 cm-3 D. D. 6.0×1015 cm-3 【答案】D 【解析】受主杂质浓度大于施主杂质浓度，材料仍呈P型。多数载流子空穴浓度约为受主杂质浓度减去施主杂质浓度，即6.0×1015 cm-3。 13. P型半导体整体仍呈电中性的主要原因是（ ） A. A. 负受主离子补偿空穴电荷 B. B. 自由电子消除全部空穴 C. C. 晶格原子不再带有电荷 D. D. 外加电源提供相反电荷 【答案】A 【解析】P型半导体中，空穴带正电，接受电子后的受主杂质离子带负电，二者电荷相互平衡，因此整体呈电中性。 14. 图示电路测得：V阳极电位为5 V、阴极电位为0 V；V阳极电位为0 V、阴极电位为5 V。两只二极管分别处于何种工作状态？（ ） A. V导通， V截止 B. V导通，V截止 C. V、V都导通 D. V、V都截止 【答案】A 15. 在P型半导体的能带结构中，受主杂质能级通常靠近（ ） A. A. 导带底部附近 B. B. 价带顶部附近 C. C. 禁带中央附近 D. D. 真空能级附近 【答案】B 【解析】受主杂质能级通常靠近价带顶部，价带电子较容易跃迁到受主能级，从而在价带中留下空穴。 16. P型半导体中，参与导电且数量较多的载流子是______。 A. 自由电子 B. 空穴载流子 C. 正离子 D. 负离子 【答案】B 【解析】在P型半导体中，掺入受主杂质后会产生较多空穴，空穴是其中的多数载流子。自由电子仍然存在，但数量较少。 17. 如图所示，Si、闭合时，白炽灯正常发光；当断开时，白炽灯将（ ） A. 变亮 B. 亮度不变 C. 变暗 D. 熄灭 【答案】B 18. 硅基P型半导体中，受主杂质原子接受一个价电子后形成的受主离子带（ ）。 A. 一个单位的正电荷 B. 一个单位的负电荷 C. 两个单位的正电荷 D. 两个单位的负电荷 【答案】B 【解析】三价受主杂质原子接受硅晶体中的一个价电子后，因电子数多于质子数而成为带一个单位负电荷的受主离子。 19. P型半导体中的受主杂质原子获得一个电子后，通常表现为______。 A. 带正电的离子 B. 带负电的离子 C. 不带电的原子 D. 可移动的空穴 【答案】B 【解析】受主杂质原子接受一个电子后，其电子数多于质子数，成为带负电的受主离子。空穴能够在晶体中移动，而受主离子通常固定在晶格位置。 20. 下列元素中，适合作为硅材料P型掺杂杂质的是______。 A. 磷元素 B. 砷元素 C. 锑元素 D. 硼元素 【答案】D 【解析】硼是三价元素，掺入四价硅晶体后易形成空穴，属于受主杂质。磷、砷和锑均为五价元素，通常用于形成N型半导体。 二、填空题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21. 在P型半导体中，数量占多数并参与导电的载流子称为______。 【答案】多数载流子 【解析】P型半导体中空穴数量远多于自由电子，因此空穴属于多数载流子。 22. 制造P型硅半导体时，通常向硅材料中掺入少量______价杂质元素，这类杂质又称为______杂质。 【答案】三；受主 【解析】硅为四价元素，掺入三价杂质后会形成空穴。三价杂质原子能够接受电子，故称为受主杂质。 23. P型半导体中，由于共价键缺少一个电子而形成的可移动载流子称为______。 【答案】空穴 【解析】三价杂质进入硅晶格后，部分共价键缺少电子，形成空穴。空穴在电场作用下能够参与导电。 24. P型半导体中数量较少的载流子是______。 【答案】自由电子 【解析】P型半导体以空穴导电为主，空穴是多数载流子；由热激发等原因产生的自由电子数量较少，属于少数载流子。 25. 某电子元件生产中，将少量硼掺入高纯硅晶体。由于硼原子比硅原子少一个价电子，晶体中会产生______，该材料形成______半导体。 【答案】空穴；P型 【解析】硼为三价元素，硅为四价元素。硼原子替代硅原子进入晶格后，因缺少一个价电子而形成空穴，使材料表现出P型半导体的导电特性。 26. P型半导体整体仍保持电中性，其中带负电且基本固定在晶格位置的是______。 【答案】受主离子 【解析】受主杂质原子接受电子后形成带负电的受主离子，但该离子不能在晶格中自由移动。晶体中可移动的空穴与带负电的受主离子共同维持整体电中性。 27. 在本征硅中掺入少量三价杂质元素后形成的半导体称为______半导体。 【答案】P型 【解析】三价杂质原子与硅原子形成共价键时缺少一个价电子，容易产生空穴，因此形成P型半导体。 28. P型半导体中参与导电的多数载流子是______。 【答案】空穴 【解析】P型半导体掺入三价杂质后产生大量空穴，空穴数量远多于自由电子，属于多数载流子。 29. 制造P型硅半导体时，常掺入硼、铝等______价元素。 【答案】三 【解析】硼、铝等元素最外层有三个价电子，掺入硅中可形成空穴，使材料呈现P型导电特性。 30. P型半导体中数量较少的自由电子称为______载流子。 【答案】少数 【解析】P型半导体以空穴为多数载流子，自由电子数量较少，因此自由电子称为少数载流子。 三、判断题（本大题共10小题，每题1分，共10分） 31. 在纯硅材料中掺入适量硼元素，能够使该材料形成P型半导体。（ ） 【答案】正确 【解析】硼是三价杂质元素，掺入硅材料后会产生空穴，使空穴成为主要载流子，从而形成P型半导体。 32. P型半导体带有大量正电荷，因此整体呈现正电性。（ ） 【答案】错误 【解析】P型半导体中的空穴带正电，但材料内同时存在带负电的离化受主离子，整体仍保持电中性。 33. P型半导体中的空穴可看作共价键中缺少一个价电子所形成的导电位置。（ ） 【答案】正确 【解析】三价杂质掺入硅后会造成部分共价键缺少电子，这种缺电子的位置称为空穴，并可参与导电。 34. P型半导体中，空穴数量少于自由电子数量。（ ） 【答案】错误 【解析】P型半导体以空穴为多数载流子，其空穴数量通常多于自由电子数量。 35. 在P型半导体内，空穴移动的方向与约定电流方向相同。（ ） 【答案】正确 【解析】空穴可视为带正电的载流子，其定向移动方向与约定电流方向一致。 36. 向本征硅中掺入五价杂质元素，仍可获得以空穴为多数载流子的P型半导体。（ ） 【答案】错误 【解析】五价杂质元素会提供多余的自由电子，使自由电子成为多数载流子，形成的是N型半导体。 37. 在本征硅中掺入少量硼等三价杂质后，可形成以空穴为多数载流子的P型半导体。（ ） 【答案】正确 【解析】硼等三价杂质在硅晶体中形成受主杂质，可产生较多空穴，因此形成P型半导体。 38. P型半导体中虽然空穴数量较多，但半导体整体仍保持电中性。（ ） 【答案】正确 【解析】P型半导体中，受主杂质电离后形成带负电的受主离子，与空穴的正电荷相互平衡，材料整体仍呈电中性。 39. P型半导体中的自由电子数量多于空穴数量，因此电子是其多数载流子。（ ） 【答案】错误 【解析】题干错误在于混淆了多数载流子。P型半导体中空穴数量多于自由电子，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 40. 在硅晶体中掺入三价受主杂质时，受主杂质获得价电子后会在共价键中留下空穴。（ ） 【答案】正确 【解析】三价受主杂质与周围硅原子形成共价键时缺少一个价电子。受主杂质接受邻近电子后，原电子位置形成可参与导电的空穴。 四、简答题（本大题共4小题，每题5分，共20分） 41. 举例说明什么是受主杂质，什么是P型半导体？ 【答案】例如，在硅或锗中掺入硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）等3价元素时，这些杂质原子可从价带接受电子，使价带中产生空穴；杂质原子接受电子后成为带负电的受主中心，称为受主杂质。掺入受主杂质后，空穴浓度大于电子浓度、以空穴为多数载流子的半导体称为P型半导体。 【解析】硅、锗等本征半导体原子具有4个价电子。掺入硼、铝、镓等3价杂质后，杂质原子与周围原子形成共价键时缺少1个电子，容易从价带接受电子，因而在价带中留下空穴。接受电子后的杂质原子带负电，称为受主杂质。由于掺入受主杂质后空穴数量增多，空穴成为多数载流子，所以该半导体为P型半导体。 42. 有一单相半波整流电路如图所示，其负载电阻ＲL＝90Ω，变压器副边电压为Ｕ2=20Ｖ，试求负载电压ＵL，负载电流及每个二极管通过的ＩD和ＵDRm。 【答案】9V，0.1A，0.1A，22.82V 【解析】 43. 简述P型半导体的形成条件、主要载流子及其电中性特点。 【答案】（1）在本征硅或锗中掺入硼、铝、镓等三价受主杂质，可形成P型半导体。 （2）受主杂质接受价电子后，在晶体中产生大量空穴，空穴是P型半导体的多数载流子。 （3）P型半导体中仍存在少量自由电子，自由电子为少数载流子；受主离子的负电荷与空穴的正电荷平衡，材料整体保持电中性。 【解析】本题考查P型半导体的形成机理和载流子特点。作答时应说明受主杂质、空穴的多数载流子地位以及整体电中性的原因。 44. 简述P型半导体中空穴导电的过程，并说明空穴运动方向与电子实际运动方向的关系。 【答案】（1）P型半导体中，受主杂质形成的空穴可看作共价键中缺少电子的位置。 （2）邻近共价键中的价电子填补某一空穴后，会在原来的位置留下新的空穴，连续发生这种过程便表现为空穴的定向移动。 （3）空穴的等效运动方向与电子实际运动方向相反，常规电流方向与空穴运动方向相同。 【解析】空穴不是独立的粒子，而是价电子不断填补空位所表现出的等效运动。理解电子运动与空穴运动方向相反，是分析P型半导体导电过程的关键。 五、综合应用题（本大题共1小题，每题10分，共10分） 45. 某自动化设备的温度检测电路采用一条P型硅半导体电阻条作为敏感元件。已知该电阻条中空穴浓度为2.0×1021 m^-3，空穴迁移率为0.050 m2/(V·s)，元电荷量为1.6×10^-19 C。电阻条长度为20 mm，横截面积为1.0 mm2，设计要求其常温电阻不低于1.50 kΩ。 （1）计算该P型硅半导体的电导率和电阻率。 （2）计算该电阻条的常温电阻，并判断是否满足设计要求。 （3）若保持电阻条尺寸不变而需提高其电阻值，说明应如何调整受主杂质掺杂浓度，并说明理由。 【答案】（1）电导率按σ为qpμp计算。 σ为1.6×10^-19×2.0×1021×0.050 S/m，为16 S/m。 电阻率ρ为电导率的倒数，为0.0625 Ω·m。 （2）长度L为0.020 m，横截面积A为1.0×10^-6 m2。 电阻R按ρL/A计算，为0.0625×0.020÷1.0×10^-6 Ω，为1250 Ω，即1.25 kΩ。 该电阻小于1.50 kΩ，不满足设计要求。 （3）应适当降低受主杂质掺杂浓度。受主杂质浓度降低后，P型半导体中的空穴浓度减少，电导率降低，电阻率和电阻随之增大。 【解析】（1）P型半导体的导电主要由空穴承担，电导率由空穴电荷量、空穴浓度和空穴迁移率共同决定。 （2）先将长度和横截面积换算为国际单位，再根据电阻率、长度和横截面积计算电阻，并与设计限值比较。 （3）在尺寸和迁移率近似不变时，降低受主杂质浓度会减少多数载流子空穴，从而提高电阻条的电阻值。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 内蒙古（对口招生）装备制造类《电工电子技术与技能》45分钟专题训练卷专辑，共241份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固装备制造类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加装备制造类高考的学生。 与本专辑配套的还有内蒙古对口招生考试《机械基础》《机械制图》《机械加工技术》《电器及PLC控制技术》45分钟专题训练卷专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 内蒙古（对口招生）装备制造类 《电工电子技术与技能》 项目九：常用半导体器件 任务二：P型半导体 时间：45分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题2分，共40分） 1. 在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是 （ ）型半导体。 A. P B. N C. PN D. 电子导电 2. 在本征硅中掺入少量三价元素后，形成的半导体类型是（ ） A. A. P型半导体 B. B. N型半导体 C. C. 本征半导体 D. D. 绝缘型材料 3. 根据图示电路中二极管两端的电压测量结果，V的阳极电位为5 V、阴极电位为0 V；V的阳极电位为3 V、阴极电位为0 V。判断两只二极管的工作状态。（ ） A. V导通、V截止 B. V导通、V截止 C. V、V都导通 D. V、V都截止 4. 某半导体材料经掺杂后呈P型，其数量最多的可移动载流子是（ ） A. A. 自由电子 B. B. 空穴载流子 C. C. 正离子 D. D. 负离子 5. P型半导体中的少数载流子是（ ） A. A. 晶格原子 B. B. 受主离子 C. C. 自由电子 D. D. 空穴载流子 6. 下列元素中，适合作为硅材料受主杂质的是（ ） A. A. 五价的磷元素 B. B. 五价的砷元素 C. C. 五价的锑元素 D. D. 三价的硼元素 7. 电路如图所示，设二极管正向压降和反向电流均可忽略，则输出电压UAB为（ ） A. 6V B. 12V C. -6V D. -12V 8. 硅晶体中掺入三价杂质后产生空穴的直接原因是（ ） A. A. 共价键缺少一个电子 B. B. 共价键增加一个电子 C. C. 晶格失去全部电子 D. D. 原子获得额外电子 9. 在温度相同的条件下，两块硅材料均掺入硼元素。甲材料的受主杂质浓度高于乙材料，则通常（ ） A. A. 甲材料的电子浓度更高 B. B. 甲材料的导电能力更强 C. C. 甲材料的空穴浓度更低 D. D. 甲材料变为N型材料 10. 判断右面两图中，的大小为（ ） A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V 11. 制造硅基P型半导体时，应采用的掺杂方式是（ ） A. A. 掺入少量五价杂质 B. B. 掺入少量四价杂质 C. C. 掺入少量三价杂质 D. D. 掺入少量惰性元素 12. 某硅材料中受主杂质浓度为1.0×1022 ，施主杂质浓度为4.0×1021 。若杂质均完全电离，该材料中多数载流子的浓度约为（ ） A. A. 4.0×1015 cm-3 B. B. 1.0×1016 cm-3 C. C. 1.4×1016 cm-3 D. D. 6.0×1015 cm-3 13. P型半导体整体仍呈电中性的主要原因是（ ） A. A. 负受主离子补偿空穴电荷 B. B. 自由电子消除全部空穴 C. C. 晶格原子不再带有电荷 D. D. 外加电源提供相反电荷 14. 图示电路测得：V阳极电位为5 V、阴极电位为0 V；V阳极电位为0 V、阴极电位为5 V。两只二极管分别处于何种工作状态？（ ） A. V导通， V截止 B. V导通，V截止 C. V、V都导通 D. V、V都截止 15. 在P型半导体的能带结构中，受主杂质能级通常靠近（ ） A. A. 导带底部附近 B. B. 价带顶部附近 C. C. 禁带中央附近 D. D. 真空能级附近 16. P型半导体中，参与导电且数量较多的载流子是______。 A. 自由电子 B. 空穴载流子 C. 正离子 D. 负离子 17. 如图所示，Si、闭合时，白炽灯正常发光；当断开时，白炽灯将（ ） A. 变亮 B. 亮度不变 C. 变暗 D. 熄灭 18. 硅基P型半导体中，受主杂质原子接受一个价电子后形成的受主离子带（ ）。 A. 一个单位的正电荷 B. 一个单位的负电荷 C. 两个单位的正电荷 D. 两个单位的负电荷 19. P型半导体中的受主杂质原子获得一个电子后，通常表现为______。 A. 带正电的离子 B. 带负电的离子 C. 不带电的原子 D. 可移动的空穴 20. 下列元素中，适合作为硅材料P型掺杂杂质的是______。 A. 磷元素 B. 砷元素 C. 锑元素 D. 硼元素 二、填空题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21. 在P型半导体中，数量占多数并参与导电的载流子称为______。 22. 制造P型硅半导体时，通常向硅材料中掺入少量______价杂质元素，这类杂质又称为______杂质。 23. P型半导体中，由于共价键缺少一个电子而形成的可移动载流子称为______。 24. P型半导体中数量较少的载流子是______。 25. 某电子元件生产中，将少量硼掺入高纯硅晶体。由于硼原子比硅原子少一个价电子，晶体中会产生______，该材料形成______半导体。 26. P型半导体整体仍保持电中性，其中带负电且基本固定在晶格位置的是______。 27. 在本征硅中掺入少量三价杂质元素后形成的半导体称为______半导体。 28. P型半导体中参与导电的多数载流子是______。 29. 制造P型硅半导体时，常掺入硼、铝等______价元素。 30. P型半导体中数量较少的自由电子称为______载流子。 三、判断题（本大题共10小题，每题1分，共10分） 31. 在纯硅材料中掺入适量硼元素，能够使该材料形成P型半导体。（ ） 32. P型半导体带有大量正电荷，因此整体呈现正电性。（ ） 33. P型半导体中的空穴可看作共价键中缺少一个价电子所形成的导电位置。（ ） 34. P型半导体中，空穴数量少于自由电子数量。（ ） 35. 在P型半导体内，空穴移动的方向与约定电流方向相同。（ ） 36. 向本征硅中掺入五价杂质元素，仍可获得以空穴为多数载流子的P型半导体。（ ） 37. 在本征硅中掺入少量硼等三价杂质后，可形成以空穴为多数载流子的P型半导体。（ ） 38. P型半导体中虽然空穴数量较多，但半导体整体仍保持电中性。（ ） 39. P型半导体中的自由电子数量多于空穴数量，因此电子是其多数载流子。（ ） 40. 在硅晶体中掺入三价受主杂质时，受主杂质获得价电子后会在共价键中留下空穴。（ ） 四、简答题（本大题共4小题，每题5分，共20分） 41. 举例说明什么是受主杂质，什么是P型半导体？ 42. 有一单相半波整流电路如图所示，其负载电阻ＲL＝90Ω，变压器副边电压为Ｕ2=20Ｖ，试求负载电压ＵL，负载电流及每个二极管通过的ＩD和ＵDRm。 43. 简述P型半导体的形成条件、主要载流子及其电中性特点。 44. 简述P型半导体中空穴导电的过程，并说明空穴运动方向与电子实际运动方向的关系。 五、综合应用题（本大题共1小题，每题10分，共10分） 45. 某自动化设备的温度检测电路采用一条P型硅半导体电阻条作为敏感元件。已知该电阻条中空穴浓度为2.0×1021 m^-3，空穴迁移率为0.050 m2/(V·s)，元电荷量为1.6×10^-19 C。电阻条长度为20 mm，横截面积为1.0 mm2，设计要求其常温电阻不低于1.50 kΩ。 （1）计算该P型硅半导体的电导率和电阻率。 （2）计算该电阻条的常温电阻，并判断是否满足设计要求。 （3）若保持电阻条尺寸不变而需提高其电阻值，说明应如何调整受主杂质掺杂浓度，并说明理由。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $