第14卷 半导体器件结构、符号与参数识别-考点训练卷 湖南省（职教高考）机电类 考纲百套卷

编写说明：湖南省《机电类考纲百套卷》，依据《湖南省高校招生职业技能考试大纲机电类专业综合知识》编写。本专辑覆盖公共模块与专业选考模块，且每一课程均采用三阶递进式训练体系：基础层拆解考点为微目标，紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷；巩固层强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编写专题训练卷；应用层聚焦综合提升，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第14卷考点训练卷，按《电子技术》中的《半导体器件结构、符号与参数识别》范围和要求编写。具体内容为：1.掌握二极管、稳压二极管、发光二极管、三极管等半导体器件的结构、符号、管脚与主要参数；2.会结合器件符号、封装管脚、伏安特性曲线和参数表完成识别、比较、判断和简单应用计算。 湖南省《机电类考纲百套卷》第14卷 《电子技术》 半导体器件结构、符号与参数识别-考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 1．如图所示PN结，使其处于正向偏置的正确操作是（ ） A．P区接电源正极、N区接电源负极 B．P区接电源负极、N区接电源正极 C．P区、N区都在电源正极 D．P区、N区都在电源负极 2．下列二极管图形符号中，表示稳压二极管的是（ ） A． B． C． D． 3．如图所示无源二端网络AB，电阻R=6Ω，用指针式万用表“R×1”挡测量等效电阻，若红表笔接A点，黑表笔接B点，则万用表的指示值为（ ） A．18Ω B．6Ω C．3Ω D．2Ω 4．硅二极管正常正向导通时，管压降通常约为（ ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 5．稳压二极管（齐纳二极管）正常稳压工作时，工作区域为（ ） A．正向导通区 B．反向击穿区 C．反向截止区 D．死区 6．如图所示电路中，VD是硅二极管，电源E=6V、输入电压ui=4V，则输出电压uo为（ ） A．1.3V B．4V C．4.7V D．6V 7．电路正常工作时，某稳压管两端电位分别为9V和2.3V，则该稳压管的工作状态为（ ） A．正向导通 B．反向击穿 C．正向击穿 D．反向截止 8．不能使用万用表的欧姆挡R×1挡判别二极管的极性，其原因是（ ） A．该挡位的内部电压太大 B．该挡位的内部电压太小 C．该挡位的电流太大 D．该挡位的电流太小 9．用数字万用表的“”挡正反向测量某二极管，一次显示数字“1”，另一次显示数字“697”，则表示（ ） A．该二极管损坏 B．万用表损坏 C．该二极管正常 D．该二极管为锗管 10．三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态为（ ） A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 11．某三极管正常工作中测试到三个管脚的电位分别为4V、3.7V和9V，则该三极管是（ ） A．硅管 B．NPN管 C．3.7V脚为基极 D．工作在饱和状态 12．某NPN型三极管在放大状态下，测得三个电极对地电位分别为：①脚3.7V、②脚3V、③脚12V，则三个电极依次为（ ） A．基极、发射极、集电极 B．发射极、基极、集电极 C．集电极、基极、发射极 D．基极、集电极、发射极 13．三极管三种工作状态中，输出电流近似为零的工作状态是（ ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．不能确定 14．用万用表二极管挡位测试一个完好的三极管9013的三个管脚，若黑表笔（内部电池正极）接某一脚，红表笔分别接另外两脚均导通，则该三极管为（ ） A．NPN型，黑表笔所接为基极 B．PNP型，黑表笔所接为基极 C．NPN型，红表笔所接为基极 D．PNP型，红表笔所接为基极 15．晶闸管的三个电极分别是（ ） A．源极、栅极、漏极 B．阳极、阴极、控制极 C．发射极、基极、集电极 D．阳极、阴极、基极 16．关于晶闸管与普通三极管的区别，下列说法正确的是（ ） A．晶闸管可用控制极信号控制其关断 B．晶闸管导通后，控制极失去控制作用 C．晶闸管是电流控制器件，与普通三极管相同 D．晶闸管只能用于直流电路 17．晶闸管导通后，欲使其关断，须满足的条件是（ ） A．断开控制极信号 B．使阳极电流大于维持电流 C．控制极加反偏电压 D．使阳极电流小于维持电流 18．下列关于场效应管的说法，正确的是（ ） A．场效应管是电流型控制器件 B．场效应管依靠多子导电，温度稳定性优于三极管 C．场效应管的输入电阻远低于普通三极管 D．结型场效应管属于增强型器件 19．已知某N沟道增强型场效应管的开启电压VGS（th）为2V，若此时VGS=1V，则该管工作于（ ） A．导通状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．击穿状态 20．关于效应管与三极管的比较，下列说法正确的是（ ） A．场效应管是电流型控制器件，三极管是电压型控制器件 B．场效应管是电压型控制器件，三极管是电流型控制器件 C．两者均为电流型控制器件 D．两者均为电压型控制器件 二、双项选择题（本大题共12小题，每小题3分，共36分） 1．关于PN结单向导电性，下列叙述正确的是（ ） A．PN结外加正向电压时，空间电荷区变窄 B．PN结外加正向电压时，空间电荷区变宽 C．PN结外加反向电压时，PN结几乎不导通 D．PN结外加反向电压时，会产生很大的正向电流 2．下列选项中，主要用于整流的二极管有（ ） A．2CZ B．2CW C．2CK D． 1N4007 3．用指针式万用表判断小功率二极管的性能时，可选择的挡位是（ ） A．R×10挡 B．R×100挡 C．R×1K挡 D．R×10K挡 4．关于硅整流二极管的特点，下列叙述正确的是（ ） A．正向导通期间，PN结内多数载流子进行扩散运动 B．最高反向工作电压URM的数值等同于反向击穿电压UBRM C．反向漏电流的幅值随着反向电压的提升而增加 D．硅二极管正向导通压降约为0.2V 5．光电二极管用于光信号检测时，下列叙述正确的是（ ） A．正常检测工作时施加反向偏置电压 B．光照强度增大，反向漏电流随之增大 C．正向偏置状态下，光电转换灵敏度最高 D．属于电流控制型器件 6．关于PNP型三极管工作在放大区的条件，下列叙述正确的是（ ） A．发射极电位最高 B．集电极电位最高 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 7．温度升高时，三极管的共发射极输出特性曲线及输出特性曲线之间的间隔将作（ ） A．输出特性曲线上移 B．输出特性曲线下移 B．输出特性曲线之间的间隔增大 C．输出特性曲线之间的间隔减小 8．某三极管正常工作时，测得三极管的三个管脚的对地电压如图所示。该三极管的管型和工作状态分别为 A．PNP型硅三极管 B．PNP型锗三极管 C．放大状态 D．饱和状态 9．关于三极管穿透电流ICEO，下列说法正确的是（ ） A．指基极开路时，集电极与发射极间的反向饱和电流 B．随温度升高，ICEO数值会显著增加 C．ICEO越小，表明三极管的温度稳定性越佳 D．该参数表示集电极允许通过的最大工作电流 10．用万用表判别三极管类型时，若红表笔（内部电池负极）接某一脚，黑表笔分别接另外两脚均导通，则下列判断正确的有（ ） A．该三极管为PNP型 B．该三极管为NPN型 C．红表笔所接为基极 D．黑表笔所接为基极 11．关于晶闸管的特点，下列叙述正确的是（ ） A．导通后，控制极失去控制作用 B．可用控制极信号控制其关断 C．阳极加反向电压，门极施加触发脉冲可以触发导通 D．晶闸管与普通二极管的控制方式完全相同 12．晶体管和场效应管相比，下列说法正确的是（ ） A．晶体管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件 B．晶体管是电压控制器件，场效应管是电流控制器件 C．晶体管温度稳定性差，场效应管温度稳定性好 D．晶体管输入电阻高，场效应管输入电阻低 三、填空题（本大题共12小题，每小题2分，共24分） 1．P型半导体和N型半导体的结合面形成的空间电荷区称为________。 2．二极管加正向电压导通，反向电压截止，这一导电性能称为________。 3．当二极管上反向电压增加到某一个值时，反向电流急剧增加，这种现象称为________。 4．用数字万用表欧姆挡测得二极管的正向电阻为600Ω，则与红表笔相接的电极为________。 5．二极管长时间使用时，允许通过的最大正向平均电流，称为________。 6．发光二极管正常发光时应加________向电压。 7．二极管的________越小，则管子的单方向导电性能越好。 8．如图所示电路，二极管VD的正向导通压降为0.7V，US1=12V，US2=3V，R=1kΩ，a、b两端的电压Uab=________。 9．如图所示电路，VDA、VDB为理想二极管，若A点的电位VA=5V，B点的电位VB=10V，则Y点的电位VY=________。 10．三极管有基极、集电极和________三个电极。 11．三极管的发射结和集电结都反偏时，三极管的工作状态为________。 12．电路在静态下测得某三极管各电极的电位如图所示，则该三极管应工作在________状态。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：湖南省《机电类考纲百套卷》，依据《湖南省高校招生职业技能考试大纲机电类专业综合知识》编写。本专辑覆盖公共模块与专业选考模块，且每一课程均采用三阶递进式训练体系：基础层拆解考点为微目标，紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷；巩固层强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编写专题训练卷；应用层聚焦综合提升，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第14卷考点训练卷，按《电子技术》中的《半导体器件结构、符号与参数识别》范围和要求编写。具体内容为：1.掌握二极管、稳压二极管、发光二极管、三极管等半导体器件的结构、符号、管脚与主要参数；2.会结合器件符号、封装管脚、伏安特性曲线和参数表完成识别、比较、判断和简单应用计算。 湖南省《机电类考纲百套卷》第14卷 《电子技术》 半导体器件结构、符号与参数识别-考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 1．如图所示PN结，使其处于正向偏置的正确操作是（ ） A．P区接电源正极、N区接电源负极 B．P区接电源负极、N区接电源正极 C．P区、N区都在电源正极 D．P区、N区都在电源负极 【答案】A 【解析】PN结正向偏置要求外电场方向与内电场方向相反：P区接电源正极、N区接电源负极时，外电场抵消内电场阻碍，PN结导通；B为反向偏置接法，PN结截止；C、D无法形成有效正向偏置电场。因此正确答案为A。 2．下列二极管图形符号中，表示稳压二极管的是（ ） A． B． C． D． 【答案】B 【解析】根据半导体器件图形符号的国家标准规范，不同类型二极管通过符号末端的特征标记做区分：A选项为普通二极管；B选项为稳压二极管；C选项为光电二极管（光敏二极管）；D选项为发光二极管。因此正确答案为B。 3．如图所示无源二端网络AB，电阻R=6Ω，用指针式万用表“R×1”挡测量等效电阻，若红表笔接A点，黑表笔接B点，则万用表的指示值为（ ） A．18Ω B．6Ω C．3Ω D．2Ω 【答案】D 【解析】在指针式万用表测量电阻的接线规则中，黑表笔连接万用表内部电源的正极，红表笔连接万用表内部电源的负极。图中黑表笔接B点、红表笔接A点，B点电位高于A点，由此可得，电路中两个二极管均正向导通，三个6Ω电阻并联连接，等效电阻RBA=6//6//6=2Ω，即万用表指示值为2Ω。因此正确答案为D。 4．硅二极管正常正向导通时，管压降通常约为（ ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【解析】半导体二极管按照材料划分，可分为硅二极管和锗二极管两类，不同材料二极管的正向导通管压降存在明显差异：锗二极管正向导通时管压降通常约为0.2～0.3V，硅二极管正常正向导通时的管压降典型值约为0.7V。因此正确答案为D。 5．稳压二极管（齐纳二极管）正常稳压工作时，工作区域为（ ） A．正向导通区 B．反向击穿区 C．反向截止区 D．死区 【答案】B 【解析】稳压二极管依靠反向击穿时电压基本不变的特性稳压，正向导通区电压随电流变化大，反向截止区无电流且电压低于稳压值，死区无电流，均无法稳压，其正常工作时处于反向击穿区。因此正确答案为B。 6．如图所示电路中，VD是硅二极管，电源E=6V、输入电压ui=4V，则输出电压uo为（ ） A．1.3V B．4V C．4.7V D．6V 【答案】D 【解析】VD的阳极电位为输入电压ui=4V，阴极电位为电源电压E=6V，此时VD两端为反向偏置，二极管截止，相当于开路，输出电压uo等于电源电压，即uo=E=6V。因此正确答案为D。 7．电路正常工作时，某稳压管两端电位分别为9V和2.3V，则该稳压管的工作状态为（ ） A．正向导通 B．反向击穿 C．正向击穿 D．反向截止 【答案】B 【解析】稳压管两端电位差为9V-2.3V=6.7V，该数值小于稳压管的稳压值，达到反向击穿所需的电压条件，此时稳压管阳极接低电位2.3V、阴极接高电位9V，处于反向击穿状态。因此正确答案为B。 8．不能使用万用表的欧姆挡R×1挡判别二极管的极性，其原因是（ ） A．该挡位的内部电压太大 B．该挡位的内部电压太小 C．该挡位的电流太大 D．该挡位的电流太小 【答案】C 【解析】普通万用表的欧姆挡不同挡位，内部电源电压不同，R×1高倍率挡位一般会采用更高电压的内部电源，使用R×1低倍率挡位测量时，内部电源提供的测量电流过大，超出二极管的允许电流范围，容易烧坏二极管器件，因此不能使用该挡位判别二极管极性。因此正确答案为C。 9．用数字万用表的“”挡正反向测量某二极管，一次显示数字“1”，另一次显示数字“697”，则表示（ ） A．该二极管损坏 B．万用表损坏 C．该二极管正常 D．该二极管为锗管 【答案】C 【解析】数字万用表二极管挡测量二极管时，正向测量会显示二极管正向导通压降的毫伏值，反向测量时二极管截止，显示溢出标记“1”，一次溢出，另一次有读数，符合正常二极管的测量特性。损坏二极管通常两次都显示“1”（开路）或两次都显示低读数（短路），因此该二极管正常；无法仅通过该结果判断材料类型。因此正确答案为C。 10．三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态为（ ） A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 【答案】B 【解析】三极管放大需满足正确偏置条件：发射结正偏保证载流子发射，集电结反偏保证载流子被收集，因此放大区三极管满足“发射结正偏，集电结反偏”。A对应饱和区，D对应截止区。因此正确答案为B。 11．某三极管正常工作中测试到三个管脚的电位分别为4V、3.7V和9V，则该三极管是（ ） A．硅管 B．NPN管 C．3.7V脚为基极 D．工作在饱和状态 【答案】B 【解析】该三极管三个管脚电位差中，4V和3.7V之间电位差为0.3V，符合锗管的发射结正向导通压降特征，第三脚的电位为9V，与前两个管脚的电位差明显更大，对应集电极电位。对应的B选项，NPN型三极管正常工作在放大状态时能满足三个电位的关系。其他选项均不符合要求。因此正确答案为B。 12．某NPN型三极管在放大状态下，测得三个电极对地电位分别为：①脚3.7V、②脚3V、③脚12V，则三个电极依次为（ ） A．基极、发射极、集电极 B．发射极、基极、集电极 C．集电极、基极、发射极 D．基极、集电极、发射极 【答案】A 【解析】NPN型三极管工作在放大状态时，满足发射结正向偏置、集电结反向偏置，电位关系满足集电极电位＞基极电位＞发射极电位。已知①脚3.7V、②脚3V、③脚12V，电位排序为③脚（12V）＞①脚（3.7V）＞②脚（3V），且①脚与②脚电位差为0.7V，符合硅管发射结正向导通压降特征，因此①为基极、②为发射极、③为集电极，对应选项A。因此正确答案为A。 13．三极管三种工作状态中，输出电流近似为零的工作状态是（ ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．不能确定 【答案】C 【解析】三极管的三种工作状态中，截止状态下发射结反向偏置（或正向偏置但电流极小），集电结反向偏置，几乎没有载流子的定向运动，因此输出电流近似为零；放大状态下有稳定的电流放大输出，饱和状态下输出电流达到最大值并不为零，因此正确答案为C。 14．用万用表二极管挡位测试一个完好的三极管9013的三个管脚，若黑表笔（内部电池正极）接某一脚，红表笔分别接另外两脚均导通，则该三极管为（ ） A．NPN型，黑表笔所接为基极 B．PNP型，黑表笔所接为基极 C．NPN型，红表笔所接为基极 D．PNP型，红表笔所接为基极 【答案】A 【解析】使用万用表二极管挡判别三极管类型和管脚时，黑表笔接内部电源正极，红表笔接内部电源负极。若黑表笔接某一管脚，红表笔分别接另外两脚均导通，说明该管脚为基极，且两个PN结均为正向偏置，因此该三极管为NPN型，黑表笔所接为基极。因此正确答案为A。 15．晶闸管的三个电极分别是（ ） A．源极、栅极、漏极 B．阳极、阴极、控制极 C．发射极、基极、集电极 D．阳极、阴极、基极 【答案】B 【解析】不同半导体器件的电极命名有明确规范，场效应管的电极是源极、栅极和漏极。因此正确答案为B。 16．关于晶闸管与普通三极管的区别，下列说法正确的是（ ） A．晶闸管可用控制极信号控制其关断 B．晶闸管导通后，控制极失去控制作用 C．晶闸管是电流控制器件，与普通三极管相同 D．晶闸管只能用于直流电路 【答案】B 【解析】晶闸管为半控型半导体器件，仅能通过控制极信号触发导通，导通后控制极失去关断控制作用，故A错误、B正确；晶闸管是电压控制器件，普通双极型三极管是电流控制器件，二者控制类型不同，故C错误；晶闸管可用于直流电路，也可用于交流电路，故D错误。因此正确答案为B。 17．晶闸管导通后，欲使其关断，须满足的条件是（ ） A．断开控制极信号 B．使阳极电流大于维持电流 C．控制极加反偏电压 D．使阳极电流小于维持电流 【答案】D 【解析】晶闸管导通后，控制极就失去了控制作用，断开控制极信号、给控制极加反偏电压都无法让晶闸管关断，因此A、C错误；只有当阳极电流降低到小于晶闸管的维持电流时，晶闸管才能回到截止关断状态，B选项的条件会让晶闸管维持导通。因此正确答案为D。 18．下列关于场效应管的说法，正确的是（ ） A．场效应管是电流型控制器件 B．场效应管依靠多子导电，温度稳定性优于三极管 C．场效应管的输入电阻远低于普通三极管 D．结型场效应管属于增强型器件 【答案】B 【解析】场效应管依靠单种载流子导电，属于单极型电压控制器件，因此A错误；场效应管靠多子导电，受温度影响小，温度稳定性优于双极型三极管，因此B正确；场效应管输入电阻远高于普通双极型三极管，因此C错误；结型场效应管属于耗尽型器件，因此D错误。因此正确答案为B。 19．已知某N沟道增强型场效应管的开启电压VGS（th）为2V，若此时VGS=1V，则该管工作于（ ） A．导通状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．击穿状态 【答案】B 【解析】对于N沟道增强型MOS管，只有当栅源电压VGS大于开启电压VGS（th）时，才能形成导电沟道使器件导通。本题中VGS=1V小于开启电压2V，无法形成导电沟道，器件处于截止状态。因此正确答案为B。 20．关于效应管与三极管的比较，下列说法正确的是（ ） A．场效应管是电流型控制器件，三极管是电压型控制器件 B．场效应管是电压型控制器件，三极管是电流型控制器件 C．两者均为电流型控制器件 D．两者均为电压型控制器件 【答案】B 【解析】场效应管依靠栅源电压控制漏极电流，属于电压控制器件；普通双极型三极管依靠基极电流控制集电极电流，属于电流控制器件，因此A、C、D错误。因此正确答案为B。 二、双项选择题（本大题共12小题，每小题3分，共36分） 1．关于PN结单向导电性，下列叙述正确的是（ ） A．PN结外加正向电压时，空间电荷区变窄 B．PN结外加正向电压时，空间电荷区变宽 C．PN结外加反向电压时，PN结几乎不导通 D．PN结外加反向电压时，会产生很大的正向电流 【答案】AC 【解析】PN结外加正向电压时，外电场抵消内电场，空间电荷区被压缩变窄，载流子可以顺利穿过PN结形成导通电流，因此A正确、B错误；PN结外加反向电压时，内电场被增强，空间电荷区变宽，只有极小的反向漏电流，PN结几乎不导通，因此C正确、D错误。因此正确答案为AC。 2．下列选项中，主要用于整流的二极管有（ ） A．2CZ B．2CW C．2CK D． 1N4007 【答案】AD 【解析】国产二极管命名规则中，型号首字母后的第二位字母代表器件类型：C代表整流管，W代表稳压管，K代表开关管，2CZ属于整流二极管；1N4007是通用型硅整流二极管，常用于低压整流电路；2CW是稳压二极管，2CK是开关二极管，二者主要用途均不是整流。因此正确答案为AD。 3．用指针式万用表判断小功率二极管的性能时，可选择的挡位是（ ） A．R×10挡 B．R×100挡 C．R×1K挡 D．R×10K挡 【答案】BC 【解析】使用指针式万用表判断小功率二极管性能时，不能选择R×1挡（电流过大易烧坏二极管），也不能选择R×10K挡（该挡位内部电源电压过高，容易击穿小功率二极管），合适的测量挡位为R×100挡和R×1K挡。因此正确答案为BC。 4．关于硅整流二极管的特点，下列叙述正确的是（ ） A．正向导通期间，PN结内多数载流子进行扩散运动 B．最高反向工作电压URM的数值等同于反向击穿电压UBRM C．反向漏电流的幅值随着反向电压的提升而增加 D．硅二极管正向导通压降约为0.2V 【答案】AC 【解析】PN结正向导通时，多数载流子扩散运动占主导，A正确；最高反向工作电压URM通常为反向击穿电压UBRM的1/2，二者不相等，B错误；反向电压未击穿时，反向漏电流随反向电压升高而增大，C正确；硅二极管正向导通压降典型值约为0.7V，0.2V是锗管的典型值，D错误。因此正确答案为AC。 5．光电二极管用于光信号检测时，下列叙述正确的是（ ） A．正常检测工作时施加反向偏置电压 B．光照强度增大，反向漏电流随之增大 C．正向偏置状态下，光电转换灵敏度最高 D．属于电流控制型器件 【答案】AB 【解析】光电二极管工作需施加反向偏置电压，反向偏置下光电转换灵敏度更高，正向偏置灵敏度极低无法检测，A正确、C错误；光照强度增大，反向漏电流随之增大，B正确；光电二极管属于光控器件，并非电流控制型器件，D错误。因此正确答案为AB。 6．关于PNP型三极管工作在放大区的条件，下列叙述正确的是（ ） A．发射极电位最高 B．集电极电位最高 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 【答案】AC 【解析】PNP型三极管工作在放大区时，同样满足发射结正偏、集电结反偏的偏置要求；对应电位关系为发射极电位最高、基极电位居中、集电极电位最低。因此正确答案为AC。 7．温度升高时，三极管的共发射极输出特性曲线及输出特性曲线之间的间隔将作（ ） A．输出特性曲线上移 B．输出特性曲线下移 B．输出特性曲线之间的间隔增大 C．输出特性曲线之间的间隔减小 【答案】AC 【解析】温度升高时，三极管的穿透电流ICEO会明显增大，对应相同基极电流下的集电极电流也会增大，因此整个输出特性曲线会整体上移；同时，温度升高会让电流放大倍数β增大，不同基极电流对应的集电极电流差值增大，故输出特性曲线之间的间隔也会增大。因此正确答案为AC。 8．某三极管正常工作时，测得三极管的三个管脚的对地电压如图所示。该三极管的管型和工作状态分别为 A．PNP型硅三极管 B．PNP型锗三极管 C．放大状态 D．饱和状态 【答案】BC 【解析】此题主要考查三极管的工作状态及其特点。由图可知，该管为PNP型管；VE-VB=-5-（-5.3）=0.3V，发射极正偏，且可判断该管为锗管；VC=-12V，VB=-5.3V，VB>VC，集电极反偏，该管工作在放大状态。因此正确答案为BC。 9．关于三极管穿透电流ICEO，下列说法正确的是（ ） A．指基极开路时，集电极与发射极间的反向饱和电流 B．随温度升高，ICEO数值会显著增加 C．ICEO越小，表明三极管的温度稳定性越佳 D．该参数表示集电极允许通过的最大工作电流 【答案】AB 【解析】基极开路时集电极与发射极之间的反向饱和电流即ICEO，A正确；温度升高，半导体载流子浓度升高，ICEO数值显著增大，B正确；ICEO越大，三极管温度稳定性越差，C错误；集电极最大允许工作电流是ICM，不是ICEO，D错误。因此正确答案为AB。 10．用万用表判别三极管类型时，若红表笔（内部电池负极）接某一脚，黑表笔分别接另外两脚均导通，则下列判断正确的有（ ） A．该三极管为PNP型 B．该三极管为NPN型 C．红表笔所接为基极 D．黑表笔所接为基极 【答案】AC 【解析】万用表电阻挡测量时，红表笔接内部电源负极，黑表笔接内部电源正极。当红表笔接某一管脚，黑表笔分别连接另外两个管脚时都能导通，说明两个PN结均正向偏置，该管脚为基极，且三极管为PNP型。因此正确答案为AC。 11．关于晶闸管的特点，下列叙述正确的是（ ） A．导通后，控制极失去控制作用 B．可用控制极信号控制其关断 C．阳极加反向电压，门极施加触发脉冲可以触发导通 D．晶闸管与普通二极管的控制方式完全相同 【答案】AC 【解析】晶闸管为半控型器件，仅能通过控制极触发导通，导通后控制极失去关断作用，A正确，B错误；晶闸管导通需满足阳极加正向电压、控制极加触发脉冲，阳极加反向电压无法导通，C错误；普通二极管是不可控器件，晶闸管是半控器件，二者控制方式不同，D错误。因此正确答案为AC。 12．晶体管和场效应管相比，下列说法正确的是（ ） A．晶体管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件 B．晶体管是电压控制器件，场效应管是电流控制器件 C．晶体管温度稳定性差，场效应管温度稳定性好 D．晶体管输入电阻高，场效应管输入电阻低 【答案】AC 【解析】晶体管靠电子和空穴两种载流子导电，属双极型电流控制器件；场效应管仅靠一种多子导电，属单极型电压控制器件，故A正确、B错误。晶体管参数受温度影响大，温度稳定性差；场效应管靠多子导电，温度稳定性好，故C正确。晶体管输入电阻低，场效应管输入电阻远高于晶体管，故D错误。因此正确答案为AC。 三、填空题（本大题共12小题，每小题2分，共24分） 1．P型半导体和N型半导体的结合面形成的空间电荷区称为________。 【答案】PN结 【解析】P型半导体和N型半导体的导电特性不同，二者结合时，由于载流子浓度差，多子会向对方区域扩散，进而在结合面处形成由不能移动的带电离子组成的空间电荷区，该区域即为PN结。 2．二极管加正向电压导通，反向电压截止，这一导电性能称为________。 【答案】单向导电性 【解析】二极管的核心结构为PN结，PN结本身具有正向导通、反向截止的导电特性，这一特性即二极管的单向导电性，是二极管最核心的导电特点。 3．当二极管上反向电压增加到某一个值时，反向电流急剧增加，这种现象称为________。 【答案】反向击穿 【解析】当二极管承受的反向电压超过临界值时，PN结的内电场会急剧增强，反向电流突然大幅上升，这种现象被称为PN结的反向击穿，对应临界电压就是二极管的反向击穿电压。 4．用数字万用表欧姆挡测得二极管的正向电阻为600Ω，则与红表笔相接的电极为________。 【答案】N极（负极） 【解析】数字万用表欧姆挡使用时，红表笔接内部电源正极、黑表笔接内部电源负极。正向导通时电源正极连接二极管正极才能形成正向偏置，因此红表笔所接为二极管正极，黑表笔接负极。 5．二极管长时间使用时，允许通过的最大正向平均电流，称为________。 【答案】最大整流电流 【解析】最大整流电流是二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流，是二极管选型时需要重点考量的额定参数，使用过程中正向电流超过该值，二极管会因过热而损坏。 6．发光二极管正常发光时应加________向电压。 【答案】正 【解析】发光二极管的核心结构同普通二极管一致，都由PN结组成，只有在施加正向电压时PN结才能导通，复合发光，因此正常发光需要外加正向电压。 7．二极管的________越小，则管子的单方向导电性能越好。 【答案】反向漏电流 【解析】二极管的单向导电性依靠正向导通、反向截止实现，反向漏电流越小，说明反向偏置下几乎没有电流导通，截止特性越优异，管子的单向导电性能也就越好。 8．如图所示电路，二极管VD的正向导通压降为0.7V，US1=12V，US2=3V，R=1kΩ，a、b两端的电压Uab=________。 【答案】-3V 【解析】本题可通过判断二极管的导通状态分析电压：对比二极管阳极和阴极电位，阳极连接US2（12V）负极，阴极连接US1（3V）正极，阳极电位低于阴极电位，二极管反向偏置，处于截止状态，电路中无电流流过电阻R，因此a、b两端的电压等于US2的输出电压，极性为b正a负，故Uab=-3V。 9．如图所示电路，VDA、VDB为理想二极管，若A点的电位VA=5V，B点的电位VB=10V，则Y点的电位VY=________。 【答案】10V 【解析】VDA、VDB两个理想二极管阳极分别接A、B点，阴极共接输出到Y点，二极管导通条件为阳极电位高于阴极电位。A点电位VA=5V，B点电位VB=10V，阳极电位更高的VDB优先导通，Y点电位被钳位在10V，此时VDA因阳极电位低于阴极电位反向截止，故Y点电位为10V。 10．三极管有基极、集电极和________三个电极。 【答案】发射极 【解析】三极管由三层半导体材料按一定掺杂顺序制备而成，共引出三个电极，分别为基极、集电极和发射极，三个电极分别对应不同的功能。 11．三极管的发射结和集电结都反偏时，三极管的工作状态为________。 【答案】截止 【解析】三极管的工作状态由两个PN结的偏置情况决定：发射结正偏、集电结反偏时工作在放大状态；发射结和集电结均正偏时工作在饱和状态；发射结和集电结均反偏时，输出电流几乎为零，对应工作状态为截止。 12．电路在静态下测得某三极管各电极的电位如图所示，则该三极管应工作在________状态。 【答案】饱和 【解析】根据三极管不同工作状态的偏置要求，结合图中各电极电位可判定：该三极管发射结正偏，同时集电结也处于正偏状态，满足饱和工作状态的偏置条件，因此该三极管工作在饱和状态。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $