第15卷 三极管——结构、特性、参数与分类 湖南省(对口招生)《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 单元过关卷
2026-09-04
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内容正文:
湖南省(对口招生)机电类
《电工电子技术与技能》(高教版·第4版)
三极管——结构、特性、参数与分类 单元过关卷
时间:60分钟 总分:100分
班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____
一、单项选择题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1. 某NPN三极管各极电位分别为:UC=12V,UB=3V,UE=2.3V。则该管工作状态为( )
A. 放大区
B. 过度导通区
C. 截止区
D. 损坏
2. 在维持不变的条件下,有人选用β值较大的晶体管,这样做主要是为了( )
A. 提高放大器本身的电压放大倍数
B. 减轻信号源负担
C. 增大放大器的输出电阻
D. 增强放大器带负载能力
3. 如图所示电路,已知三极管VT的电流放大系数β=50,300kΩ,3kΩ,则三极管VT处于( )
A. 击穿状态
B. 截止状态
C. 过度导通状态
D. 放大状态
4. 晶体三极管在共发射极接法中,直流电流放大系数β的定义是( )
A. 基极电流与集电极电流之比
B. 集电极电流与发射极电流之比
C. 发射极电流与基极电流之比
D. 集电极电流与基极电流之比
5. 三极管是由哪些部分组成的?( )
A. 两个PN结
B. 三个PN结
C. 一个PN结
D. 电阻电容组合
6. 三极管引脚的识别中,哪根引脚通常是发射极( )
A. 1号引脚
B. 2号引脚
C. 3号引脚
D. 取决于型号
7. 放大电路中某晶体管极间电压如图所示,则该管类型及1、2、3极分别为( )
A. B.NPN型硅管,B、
B. NPN型硅管,E、C、B
C. E C.PNP型锗管,E、C、B
D. PNP型锗管,B、C、E
8. 若已知某个设备使用了三极管,但不清楚具体是NPN型还是PNP型,应如何快速判断?( )
A. 看设备铭牌上的规格说明
B. 测量集电极和发射极之间的电压差
C. 检查其封装形式和引脚排列顺序
D. 给基极和发射极之间加正向电压并观察反应
9. 三极管的放大作用是通过改变哪个引脚的电流来实现的( )
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
D. 栅极
10. 若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( )
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结正偏、集电结反偏
C. 发射结反偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
11. 在检测三极管的好坏时,发现某两个引脚之间存在很大的电阻。这说明了什么?( )
A. 三极管完好无损
B. 其中一个PN结可能开路了
C. 三极管已经完全短路了
D. 这是正常现象,不必担心
12. 三极管的工作状态不包括以下哪个?( )
A. 放大
B. 截止
C. 过度导通
D. 恒定
13. 三极管的基本构造是由下列哪几个区域组成?( )
A. 集电极、发射极、栅极
B. 集电极、发射极、控制极
C. 集电极、基极、控制极
D. 集电极、发射极、基极
14. 晶体管三极管放大条件是( )
A. 发射结要正向偏置
B. 发射结要正向偏置,集电结要反向偏置
C. 集电结要反向偏置
D. 发射结要反向偏置,集电结要正向偏置
15. 晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是( )
A. 发射结正偏、集电结反偏
B. 发射结反偏、集电结正偏
C. 发射结正偏、集电结正偏
D. 发射结反偏、集电结反偏
16. 在NPN型晶体管中,哪个区域是发射区?( )
A. N型区靠近基极
B. P型区靠近基极
C. N型区靠近集电极
D. P型区靠近集电极
17. 场效应管的符号如图所示,它是( )
A. P沟道增强型 MOSFET
B. N沟道耗尽型 MOSFET
C. N沟道 JFET
D. N沟道增强型 MOSFE
18. 三极管的种类不包括下列哪一种?( )
A. NPN型三极管
B. MOSFET
C. PNP型三极管
D. Darlington管
19. 三极管的电流放大作用是指( )
A. 三极管能将能量进行放大
B. 只能放大电压不能放大电流
C. 电流控制作用 , 即用 △ 控制△
D. 电流控制作用 , 即用较小的基极电流的变化控制较大的集电极电流的变化
20. 由 NPN 管组成的共射放大电路 , 若测得 , 为电源电压 , 则可判断该三极管处于( )
A. 放大状态
B. 过度导通状态
C. 截止状态
D. 击穿状态
二、判断题(本大题共10小题,每题2分,共20分)
21. 双极型三极管由发射区、基区和集电区组成,并分别引出发射极、基极和集电极。( )
22. 三极管工作在放大区时,基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大的变化。( )
23. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( )
24. 三极管符号中的发射极箭头均指向基极,用于表示基极电流的方向。( )
25. 三极管的基区通常较薄且掺杂浓度较低,这是形成电流放大作用的重要结构条件。( )
26. 三极管输出特性曲线中,放大区的集电极电流主要由集射极电压决定。( )
27. 晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( )
28. 三极管工作在饱和区时,发射结和集电结均处于正向偏置状态。( )
29. 三极管的直流电流放大系数β越大,在基极电流相同的条件下,集电极电流必然可以无限增大。( )
30. 三极管按半导体材料可分为硅管和锗管,按功率可分为小功率管、中功率管和大功率管。( )
三、简答题(本大题共3小题,每题4分,共12分)
31. 说明三极管的结构特点及其电流放大作用,并简述共射极输出特性曲线所对应的三个工作区。
32. 如图所示为对某一三端元件进行测试的电路:当开关S断开时,万用表指针在“∞”位置;当开关S闭合后,万用表指针偏转到如图所示位置;开关S重新断开时,指针仍在图示位置不动,请根据以上现象说明1、2、3三个管脚的名称。
33. 按不同标准说明三极管的常见分类,并列举四个主要参数及其含义。
四、综合应用题(本大题共1小题,每题8分,共8分)
34. 某电子设备的信号放大电路采用硅材料制成的 NPN 型三极管,发射极接地,集电极通过电阻 接入电源 。已知三极管的共发射极电流放大系数 ,基极电流 ,硅三极管的发射结正向压降约为 ,饱和压降 。(1)计算三极管的集电极电流 、发射极电流 以及集电极与发射极之间的电压 。(2)根据计算结果判断三极管所处的工作区域,并说明该区域内基极电流与集电极电流的关系。(3)若将基极电流调节为 ,计算集电极电流的理论值和电路允许的最大集电极电流,判断三极管是否会进入饱和区;若该电路用于线性放大,说明应采取的调整措施。
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湖南省(对口招生)机电类
《电工电子技术与技能》(高教版·第4版)
三极管——结构、特性、参数与分类 单元过关卷
时间:60分钟 总分:100分
班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____
一、单项选择题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1. 某NPN三极管各极电位分别为:UC=12V,UB=3V,UE=2.3V。则该管工作状态为( )
A. 放大区
B. 过度导通区
C. 截止区
D. 损坏
【答案】A
【解析】,发射结正向偏置;,集电结反向偏置,故处于放大区,选A。
2. 在维持不变的条件下,有人选用β值较大的晶体管,这样做主要是为了( )
A. 提高放大器本身的电压放大倍数
B. 减轻信号源负担
C. 增大放大器的输出电阻
D. 增强放大器带负载能力
【答案】B
【解析】当维持不变时,如果选用 β 值较大的晶体管,根据,在一定的情况下, β 增大则会减小。 而信号源通常连接在三极管的基极回路,信号源需要提供基极电流。所以减小意味着信号源需要提供的电流减小,从而减轻了信号源的负担。选A。
3. 如图所示电路,已知三极管VT的电流放大系数β=50,300kΩ,3kΩ,则三极管VT处于( )
A. 击穿状态
B. 截止状态
C. 过度导通状态
D. 放大状态
【答案】D
4. 晶体三极管在共发射极接法中,直流电流放大系数β的定义是( )
A. 基极电流与集电极电流之比
B. 集电极电流与发射极电流之比
C. 发射极电流与基极电流之比
D. 集电极电流与基极电流之比
【答案】D
【解析】共发射极接法中,直流电流放大系数β表示集电极电流与基极电流的比值,反映三极管的电流放大能力。
5. 三极管是由哪些部分组成的?( )
A. 两个PN结
B. 三个PN结
C. 一个PN结
D. 电阻电容组合
【答案】A
【解析】三极管由两个PN结组成,中间的部分称为基区,两侧分别为发射区和集电区。
6. 三极管引脚的识别中,哪根引脚通常是发射极( )
A. 1号引脚
B. 2号引脚
C. 3号引脚
D. 取决于型号
【答案】C
【解析】通常三极管的第三个引脚是发射极。
7. 放大电路中某晶体管极间电压如图所示,则该管类型及1、2、3极分别为( )
A. B.NPN型硅管,B、
B. NPN型硅管,E、C、B
C. E C.PNP型锗管,E、C、B
D. PNP型锗管,B、C、E
【答案】B
8. 若已知某个设备使用了三极管,但不清楚具体是NPN型还是PNP型,应如何快速判断?( )
A. 看设备铭牌上的规格说明
B. 测量集电极和发射极之间的电压差
C. 检查其封装形式和引脚排列顺序
D. 给基极和发射极之间加正向电压并观察反应
【答案】C
【解析】通过三极管的封装形式和引脚排列顺序可以区分NPN型和PNP型。通常,NPN型的扁平面朝向管子时,引脚的排列顺序为发射极-基极-集电极(E-B-C),而PNP型的则为E-C-B。
9. 三极管的放大作用是通过改变哪个引脚的电流来实现的( )
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
D. 栅极
【答案】A
【解析】三极管利用基极电流的微小变化控制集电极电流的较大变化,实现电流放大,因此选A。
10. 若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( )
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结正偏、集电结反偏
C. 发射结反偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【答案】B
11. 在检测三极管的好坏时,发现某两个引脚之间存在很大的电阻。这说明了什么?( )
A. 三极管完好无损
B. 其中一个PN结可能开路了
C. 三极管已经完全短路了
D. 这是正常现象,不必担心
【答案】B
【解析】在正常情况下,三极管的两个PN结应该呈现较小的正向电阻和较大的反向电阻。如果检测到某两个引脚间存在很大的电阻,可能表明相应的PN结出现了开路故障。
12. 三极管的工作状态不包括以下哪个?( )
A. 放大
B. 截止
C. 过度导通
D. 恒定
【答案】D
【解析】正确答案是d)三极管的工作状态包括放大、截止和饱和
13. 三极管的基本构造是由下列哪几个区域组成?( )
A. 集电极、发射极、栅极
B. 集电极、发射极、控制极
C. 集电极、基极、控制极
D. 集电极、发射极、基极
【答案】D
【解析】三极管的基本构造由集电极、发射极和基极组成。
14. 晶体管三极管放大条件是( )
A. 发射结要正向偏置
B. 发射结要正向偏置,集电结要反向偏置
C. 集电结要反向偏置
D. 发射结要反向偏置,集电结要正向偏置
【答案】B
15. 晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是( )
A. 发射结正偏、集电结反偏
B. 发射结反偏、集电结正偏
C. 发射结正偏、集电结正偏
D. 发射结反偏、集电结反偏
【答案】C
【解析】三极管饱和时,发射结和集电结均正向偏置,基极电流增大,集电极电流达到最大。因此选C。
16. 在NPN型晶体管中,哪个区域是发射区?( )
A. N型区靠近基极
B. P型区靠近基极
C. N型区靠近集电极
D. P型区靠近集电极
【答案】A
【解析】在NPN型晶体管中,N型区靠近基极的是发射区。
17. 场效应管的符号如图所示,它是( )
A. P沟道增强型 MOSFET
B. N沟道耗尽型 MOSFET
C. N沟道 JFET
D. N沟道增强型 MOSFE
【答案】B
18. 三极管的种类不包括下列哪一种?( )
A. NPN型三极管
B. MOSFET
C. PNP型三极管
D. Darlington管
【答案】B
【解析】MOSFET不属于三极管的种类,而是一种常见的场效应管。
19. 三极管的电流放大作用是指( )
A. 三极管能将能量进行放大
B. 只能放大电压不能放大电流
C. 电流控制作用 , 即用 △ 控制△
D. 电流控制作用 , 即用较小的基极电流的变化控制较大的集电极电流的变化
【答案】D
【解析】三极管具有电流放大作用,电流增益,即较小的基极电流变化可控制较大的集电极电流变化,故选D。
20. 由 NPN 管组成的共射放大电路 , 若测得 , 为电源电压 , 则可判断该三极管处于( )
A. 放大状态
B. 过度导通状态
C. 截止状态
D. 击穿状态
【答案】C
【解析】表明集电极电阻压降为零,集电极电流近似为零,三极管处于截止状态,故选C。
二、判断题(本大题共10小题,每题2分,共20分)
21. 双极型三极管由发射区、基区和集电区组成,并分别引出发射极、基极和集电极。( )
【答案】正确
【解析】双极型三极管具有三个区域和三个电极,三个区域分别对应发射极、基极和集电极。
22. 三极管工作在放大区时,基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大的变化。( )
【答案】正确
【解析】三极管在放大区具有电流放大作用,集电极电流约为基极电流的β倍。
23. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( )
【答案】错误
24. 三极管符号中的发射极箭头均指向基极,用于表示基极电流的方向。( )
【答案】错误
【解析】发射极箭头表示发射极电流方向。NPN型箭头向外,PNP型箭头向内,并非均指向基极。
25. 三极管的基区通常较薄且掺杂浓度较低,这是形成电流放大作用的重要结构条件。( )
【答案】正确
【解析】基区薄且掺杂浓度低,可使发射区注入的载流子多数到达集电区,从而形成电流放大。
26. 三极管输出特性曲线中,放大区的集电极电流主要由集射极电压决定。( )
【答案】错误
【解析】放大区的集电极电流主要由基极电流决定,集射极电压变化对其影响较小。
27. 晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( )
【答案】错误
28. 三极管工作在饱和区时,发射结和集电结均处于正向偏置状态。( )
【答案】正确
【解析】三极管进入饱和区后,发射结和集电结均正向偏置,集电极电流不再按基极电流线性增大。
29. 三极管的直流电流放大系数β越大,在基极电流相同的条件下,集电极电流必然可以无限增大。( )
【答案】错误
【解析】β越大表示电流放大能力较强,但集电极电流仍受最大额定电流、耗散功率和工作电压等参数限制。
30. 三极管按半导体材料可分为硅管和锗管,按功率可分为小功率管、中功率管和大功率管。( )
【答案】正确
【解析】硅管和锗管是按材料分类,小功率、中功率和大功率管是按功率等级分类。
三、简答题(本大题共3小题,每题4分,共12分)
31. 说明三极管的结构特点及其电流放大作用,并简述共射极输出特性曲线所对应的三个工作区。
【答案】(1)三极管由发射区、基区和集电区三个半导体区域组成,形成发射结和集电结两个结;基区很薄且掺杂较轻,发射区掺杂较重,集电区面积较大。(2)三极管工作在放大区时,发射结正向偏置,集电结反向偏置,基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化,满足 ,共射极电流放大系数为 。(3)截止区中发射结和集电结基本反向偏置,集电极电流接近于零;放大区中集电极电流主要受基极电流控制;饱和区中两个结均正向偏置,集电极电流不再按 增长。
【解析】三极管的薄基区结构为载流子输运提供条件,两个结的偏置状态决定工作区域。放大区利用基极小电流控制集电极大电流,是三极管实现电流放大的基础。
32. 如图所示为对某一三端元件进行测试的电路:当开关S断开时,万用表指针在“∞”位置;当开关S闭合后,万用表指针偏转到如图所示位置;开关S重新断开时,指针仍在图示位置不动,请根据以上现象说明1、2、3三个管脚的名称。
【答案】管脚 1:集电极(C)管脚 2:基极(B)管脚 3:发射极(E)
33. 按不同标准说明三极管的常见分类,并列举四个主要参数及其含义。
【答案】(1)按半导体材料可分为锗管和硅管;按内部结构可分为NPN型和PNP型。(2)按工作频率可分为低频管和高频管;按耗散功率可分为小功率管、中功率管和大功率管。(3)直流电流放大系数 表示集电极电流与基极电流的比值;集电极最大允许电流 表示集电极允许通过的最大电流。(4)集电极与发射极反向击穿电压 表示基极开路时集电极与发射极间允许承受的最大电压;集电极最大允许耗散功率 表示三极管允许消耗的最大功率。(5)特征频率 表示三极管电流放大能力明显下降时对应的频率,用于反映其高频性能。
【解析】三极管可按材料、结构、工作频率及功率等级分类。选用三极管时,应根据电流、电压、功率及工作频率等主要参数,保证实际工作条件不超过允许值。
四、综合应用题(本大题共1小题,每题8分,共8分)
34. 某电子设备的信号放大电路采用硅材料制成的 NPN 型三极管,发射极接地,集电极通过电阻 接入电源 。已知三极管的共发射极电流放大系数 ,基极电流 ,硅三极管的发射结正向压降约为 ,饱和压降 。(1)计算三极管的集电极电流 、发射极电流 以及集电极与发射极之间的电压 。(2)根据计算结果判断三极管所处的工作区域,并说明该区域内基极电流与集电极电流的关系。(3)若将基极电流调节为 ,计算集电极电流的理论值和电路允许的最大集电极电流,判断三极管是否会进入饱和区;若该电路用于线性放大,说明应采取的调整措施。
【答案】(1);;,所以 。(2)三极管处于放大区。在放大区,发射结正向偏置、集电结反向偏置,集电极电流近似满足 。(3)集电极电流理论值为 ;电路允许的最大集电极电流为 。由于 ,三极管进入饱和区。用于线性放大时,应减小基极电流或适当增大集电极电阻,使三极管回到放大区。
【解析】(1)依据共发射极电流放大系数计算 ,再由 求发射极电流,并利用电阻压降求得 。(2)远大于饱和压降,且发射结正向、集电结反向,故处于放大区。(3)理论电流超过负载允许值,三极管受电路限制进入饱和区,线性放大应降低驱动或增大负载电阻。
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