第15卷 三极管——结构、特性、参数与分类 广西壮族自治区(对口招生)《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 单元过关卷

2026-09-04
| 2份
| 17页
| 19人阅读
| 0人下载

内容正文:

广西壮族自治区(对口招生)装备制造类 《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 三极管——结构、特性、参数与分类 单元过关卷 时间:60分钟 总分:100分 班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____ 一、单项选择题(本大题共20小题,每题3分,共60分) 1. 三极管的管型与引脚的识别常用下列哪一种方法?( ) A. 标签上的数字标识 B. 排列顺序标记 C. 色带编码 D. 引脚形状 【答案】A 【解析】三极管的管型与引脚的识别常用标签上的数字标识来确定。 2. 数字电路中晶体管通常工作在( ) A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 饱和区和截止区 【答案】D 【解析】数字电路中的晶体管通常作为开关使用,主要工作在截止区和饱和区。截止区相当于开关断开,饱和区相当于开关闭合,因此选D。 3. 用如图所示电路测试晶体管时,合上开关 、 后,电压表读数为1.5V, 毫安培表没有指示,可 能是下面原因的那一种( ) A. 集电极内部开路 B. 发射极内部开路 C. B、E间已击穿 D. 发射结已击穿 【答案】B 4. 要检测一个三极管是否损坏,通常用什么方法?( ) A. 测量其电流放大倍数 B. 测量其电压降 C. 观察其外观是否有烧蚀痕迹 D. 使用万用表的二极管测试功能 【答案】D 【解析】使用万用表的二极管测试功能可以检测三极管的两个PN结是否正常。 5. 在硅晶体三极管放大电路中,静态时测得集电极与发射极之间直流电压为0.3V,则此时三极管工作于( ) A. 放大状态 B. 截止状态 C. 深度导通状态 D. 导通状态 【答案】C 【解析】硅晶体管工作在放大区时,集电极与发射极之间的电压通常较大;工作在饱和区时,集电极与发射极之间的电压较小,通常接近饱和压降。题中UCE=0.3V,数值较小,说明三极管处于饱和状态,选C。 6. 下面不属于我们所说的三极管的名称是( ) A. 半导体三极管 B. 双极型三极管 C. 单极型三极管 D. 以上全都不是 【答案】C 【解析】三极管通常指双极型晶体管,也称半导体三极管。单极型三极管是对场效应晶体管的另一种称呼,不属于通常所说的双极型三极管,因此选C。 7. 如图所示电路中,若仅增大的阻值,则集成运放输出电压的值将( ) A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 条件不足,无法确定 【答案】B 8. 在三极管的工作过程中,基极的作用是?( ) A. 控制集电极与发射极之间的电流 B. 放大信号 C. 提供稳定的电源 D. 控制门极的电流 【答案】A 【解析】正确答案是a)基极在三极管中用于控制集电极与发射极之间的电流 9. PNP型晶体管,VB=-4.7V VE=-4V VC=-4.3V 管子处于_________状态( ) A. 深度导通 B. 放大 C. 截止 D. 不定 【答案】A 【解析】对于PNP型晶体管,发射结正偏时,发射极电位应高于基极;题中VE=-4V,高于VB=-4.7V,发射结正偏。若工作在放大区,集电极电位应低于基极;但题中VC=-4.3V,高于VB=-4.7V,使集电结也处于正偏状态。因此发射结和集电结均正偏,晶体管处于饱和状态,选A。 10. 若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( ) A. 发射结正偏、集电结正偏 B. 发射结反偏、集电结反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 【答案】C 11. 在放大电路中,测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V,则与之对应的三个电极分别是( ) A. B、C、E B. C、E、B C. E、B、C D. B、E、C 【答案】C 【解析】放大状态下,NPN型晶体管的电位大小规律为VC>VB>VE。三个电位中,9.6V最高,应为集电极;3.2V居中,应为基极;2.5V最低,应为发射极。因此三个电极依次为E、B、C,选C。 12. 在晶体管中,哪个参数表示其放大能力?( ) A. 电流放大倍数 B. 电阻 C. 电容 D. 功耗 【答案】A 【解析】电流放大倍数(β)是表示晶体管放大能力的主要参数。 13. 下列因素不影响静态工作点的位置的是( ) A. RB B. RC C. VCC D. 以上因素均影响静态工作点 【答案】D 【解析】静态工作点由三极管的直流工作状态决定。基极电阻RB影响基极电流,集电极电阻RC和电源电压VCC影响输出回路的负载线,三极管的直流电流放大系数β影响集电极电流。因此,RB、RC、VCC和β均会影响静态工作点,选D。 14. 场效应管的符号如图所示,它是( ) A. P沟道增强型 MOSFET B. N沟道耗尽型 MOSFET C. N沟道 JFET D. N沟道增强型 MOSFE 【答案】B 15. 三极管工作在放大区的条件是( ) A. 发射结正偏,集电结反偏 B. 发射结反偏,集电结正偏 C. 发射结正偏,集电结正偏 D. 发射结反偏,集电结反偏 【答案】A 【解析】三极管工作在放大区时,发射结必须正向偏置,以便发射区向基区注入载流子;集电结必须反向偏置,以便收集载流子。因此选A。 16. 在三极管的输出特性曲线中,哪个区域代表饱和状态?( ) A. 水平部分接近于零电流处 B. 垂直部分接近于零电压处 C. 斜率部分接近于零电流处 D. 斜率部分接近于零电压处 【答案】B 【解析】在三极管的输出特性曲线中,垂直部分接近于零电压处代表饱和状态,此时集电极和发射极之间的电压几乎为零,三极管相当于一个闭合的开关。 17. 单极型半导体器件是( ) A. 二极管 B. 双极型三极管 C. 场效应管 D. 稳压管 【答案】C 18. 三极管的种类中,属于功率型三极管的是( ) A. NPN B. PNP C. 双极型 D. 场效应型 【答案】A 【解析】NPN和PNP都可以是功率型三极管,但通常NPN更常用。 19. 三极管的种类中,哪一种适用于高频放大电路?( ) A. NPN型三极管 B. PNP型三极管 C. MOSFET D. IGBT 【答案】C 【解析】正确答案是c)MOSFET适用于高频放大电路 20. 以下哪种三极管能在高频电路中使用?( ) A. 功率三极管 B. 低频三极管 C. 达林顿三极管 D. 高频三极管 【答案】D 【解析】专门设计用于高频应用的三极管具有较快的开关速度和较低的寄生电容。 二、判断题(本大题共10小题,每题2分,共20分) 21. 三极管的穿透电流随温度的升高而增大。( ) 【答案】正确 【解析】穿透电流主要由集电结反向饱和电流及少数载流子形成,其数值对温度较敏感。温度升高时,少数载流子数量增加,反向饱和电流增大,因此三极管的穿透电流也随之增大,判断为正确。 22. 当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。( ) 【答案】正确 【解析】在三极管的基本工作状态判断中,发射结和集电结都正向偏置时,载流子从发射区和集电区同时注入基区,三极管处于饱和区,因此判断为正确。 23. 晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( ) 【答案】错误 24. 晶体管质量的判断:利用万用表测量集电结、发射结的正反向电阻;正常情况下,两个结的正反向电阻相差很大,若正反向电阻相差很小,说明晶体管损坏。( ) 【答案】正确 【解析】正常三极管的发射结和集电结均具有单向导电性,正向测量时电阻较小,反向测量时电阻较大,正反向电阻相差很大。若某个结的正反向电阻相差很小,说明该结可能击穿或短路,通常可判断三极管损坏,因此判断为正确。 25. 三极管的基极电流增加会导致集电极电流成比例增加。( ) 【答案】错误 【解析】在放大区内,集电极电流近似满足IC=βIB,因此基极电流增加会使集电极电流近似按比例增加。但当基极电流继续增大使三极管进入饱和区时,集电极电流主要受电源电压和负载电阻限制,不再与基极电流成比例增加。因此原判断错误。 26. 三极管的三个引脚分别是发射极、基极和集电极,其中基极起到控制电流大小的作用。 ( ) 【答案】正确 【解析】三极管的三个引脚确实分别是发射极、基极和集电极,基极电流可以控制集电极和发射极之间的电流大小。 27. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( ) 【答案】错误 28. 三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结( ) 【答案】正确 【解析】这是正确的描述三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结 29. 三极管的管型与引脚的识别中,不同的管型可能导致引脚的排列方式和编号方法不同。 ( ) 【答案】正确 【解析】该说法是正确的,不同的三极管管型可能导致引脚的排列方式和编号方法不同。 30. 功率三极管通常用于高电流、高电压的场合,而小信号三极管则用于信号放大。 ( ) 【答案】正确 【解析】不同种类的三极管有不同的应用场景,功率三极管适用于大功率应用,小信号三极管适用于小信号的放大。 三、简答题(本大题共3小题,每题4分,共12分) 31. 对于一个晶体管,若其基极电流 A,集电极电流 ​=940μA,试问晶体管的电流放大系数 β 和 α 分别为多少? 【答案】, 【解析】电流放大系数β定义为集电极电流与基极电流之比,因此β=IC/IB=940μA÷7.5μA=125.33。共基极电流放大系数α满足α=IC/IE=β/(1+β),所以α=125.33/(1+125.33)=0.992。故β≈125.33,α≈0.992。 32. 判断如图所示各放大电路有无放大作用,并简述理由。 【答案】见解析 【解析】(1)电路不能正常放大,因为将交流信号短路到地。(2)电路不能正常放大,因为途中三极管为PNP型,此时发射结不正偏。 33. 简述双极型三极管的结构特点、工作特性、主要参数及常见分类。 【答案】(1)双极型三极管由发射区、基区和集电区三个区域组成,形成发射结和集电结;基区很薄且掺杂浓度较低,发射区掺杂浓度较高,集电区面积较大。(2)三极管具有截止、放大和饱和三种工作状态;在放大状态下,基极电流的微小变化能够控制集电极电流的较大变化。(3)三极管的主要参数包括集电极最大允许电流、集电极与发射极间最大允许电压、集电极最大允许耗散功率和电流放大系数等。(4)按结构和极性可分为NPN型和PNP型;按半导体材料可分为硅管和锗管;按用途或工作频率可分为小信号管、功率管、低频管和高频管。 【解析】三极管的结构决定其具有电流控制和放大作用,三个工作状态取决于发射结和集电结的偏置情况。主要参数用于限制三极管的安全工作范围,分类时应依据结构、材料、用途和工作频率等不同标准分别表述。 四、综合应用题(本大题共1小题,每题8分,共8分) 34. 某自动化设备的传感信号放大电路采用硅材料NPN型三极管,集电极电阻为 ,电源电压为 。检测时,基极电流为 ,三极管的直流电流放大系数为 。忽略三极管饱和压降对本题前两问的影响。(1)计算集电极电流、发射极电流、集电极电阻两端电压以及集电极与发射极之间的电压。(2)根据计算结果判断三极管所处的工作区域,并说明判断依据。(3)若将基极电流增大到 ,仍按 估算,判断三极管是否会进入饱和区;并说明作为开关使用时应采取的一项改进措施。 【答案】(1)集电极电流:。发射极电流:。集电极电阻电压:。集电极与发射极电压:。(2)三极管处于放大区。此时基极—发射极结正向偏置,基极—集电极结反向偏置,且集电极电流未受到负载电阻的限制。(3)按放大区估算,。负载回路允许的最大集电极电流约为 。由于估算电流大于最大允许值,三极管将进入饱和区。作为开关使用时,应设置合适的基极限流电阻,并按强迫电流放大系数选择足够的基极驱动电流。 【解析】(1)先由电流放大系数求集电极电流,再用节点电流关系求发射极电流;随后根据欧姆定律和回路电压关系求出 与 。(2) 较大且集电极电流未受负载限制,符合放大区特征。(3)估算集电极电流超过负载所允许的最大值,故进入饱和区。 原创精品资源学科网独家享有版权,侵权必究! 学科网(北京)股份有限公司 $ 广西壮族自治区(对口招生)装备制造类 《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 三极管——结构、特性、参数与分类 单元过关卷 时间:60分钟 总分:100分 班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____ 一、单项选择题(本大题共20小题,每题3分,共60分) 1. 三极管的管型与引脚的识别常用下列哪一种方法?( ) A. 标签上的数字标识 B. 排列顺序标记 C. 色带编码 D. 引脚形状 2. 数字电路中晶体管通常工作在( ) A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 饱和区和截止区 3. 用如图所示电路测试晶体管时,合上开关 、 后,电压表读数为1.5V, 毫安培表没有指示,可 能是下面原因的那一种( ) A. 集电极内部开路 B. 发射极内部开路 C. B、E间已击穿 D. 发射结已击穿 4. 要检测一个三极管是否损坏,通常用什么方法?( ) A. 测量其电流放大倍数 B. 测量其电压降 C. 观察其外观是否有烧蚀痕迹 D. 使用万用表的二极管测试功能 5. 在硅晶体三极管放大电路中,静态时测得集电极与发射极之间直流电压为0.3V,则此时三极管工作于( ) A. 放大状态 B. 截止状态 C. 深度导通状态 D. 导通状态 6. 下面不属于我们所说的三极管的名称是( ) A. 半导体三极管 B. 双极型三极管 C. 单极型三极管 D. 以上全都不是 7. 如图所示电路中,若仅增大的阻值,则集成运放输出电压的值将( ) A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 条件不足,无法确定 8. 在三极管的工作过程中,基极的作用是?( ) A. 控制集电极与发射极之间的电流 B. 放大信号 C. 提供稳定的电源 D. 控制门极的电流 9. PNP型晶体管,VB=-4.7V VE=-4V VC=-4.3V 管子处于_________状态( ) A. 深度导通 B. 放大 C. 截止 D. 不定 10. 若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( ) A. 发射结正偏、集电结正偏 B. 发射结反偏、集电结反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 11. 在放大电路中,测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V,则与之对应的三个电极分别是( ) A. B、C、E B. C、E、B C. E、B、C D. B、E、C 12. 在晶体管中,哪个参数表示其放大能力?( ) A. 电流放大倍数 B. 电阻 C. 电容 D. 功耗 13. 下列因素不影响静态工作点的位置的是( ) A. RB B. RC C. VCC D. 以上因素均影响静态工作点 14. 场效应管的符号如图所示,它是( ) A. P沟道增强型 MOSFET B. N沟道耗尽型 MOSFET C. N沟道 JFET D. N沟道增强型 MOSFE 15. 三极管工作在放大区的条件是( ) A. 发射结正偏,集电结反偏 B. 发射结反偏,集电结正偏 C. 发射结正偏,集电结正偏 D. 发射结反偏,集电结反偏 16. 在三极管的输出特性曲线中,哪个区域代表饱和状态?( ) A. 水平部分接近于零电流处 B. 垂直部分接近于零电压处 C. 斜率部分接近于零电流处 D. 斜率部分接近于零电压处 17. 单极型半导体器件是( ) A. 二极管 B. 双极型三极管 C. 场效应管 D. 稳压管 18. 三极管的种类中,属于功率型三极管的是( ) A. NPN B. PNP C. 双极型 D. 场效应型 19. 三极管的种类中,哪一种适用于高频放大电路?( ) A. NPN型三极管 B. PNP型三极管 C. MOSFET D. IGBT 20. 以下哪种三极管能在高频电路中使用?( ) A. 功率三极管 B. 低频三极管 C. 达林顿三极管 D. 高频三极管 二、判断题(本大题共10小题,每题2分,共20分) 21. 三极管的穿透电流随温度的升高而增大。( ) 22. 当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。( ) 23. 晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( ) 24. 晶体管质量的判断:利用万用表测量集电结、发射结的正反向电阻;正常情况下,两个结的正反向电阻相差很大,若正反向电阻相差很小,说明晶体管损坏。( ) 25. 三极管的基极电流增加会导致集电极电流成比例增加。( ) 26. 三极管的三个引脚分别是发射极、基极和集电极,其中基极起到控制电流大小的作用。 ( ) 27. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( ) 28. 三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结( ) 29. 三极管的管型与引脚的识别中,不同的管型可能导致引脚的排列方式和编号方法不同。 ( ) 30. 功率三极管通常用于高电流、高电压的场合,而小信号三极管则用于信号放大。 ( ) 三、简答题(本大题共3小题,每题4分,共12分) 31. 对于一个晶体管,若其基极电流 A,集电极电流 ​=940μA,试问晶体管的电流放大系数 β 和 α 分别为多少? 32. 判断如图所示各放大电路有无放大作用,并简述理由。 33. 简述双极型三极管的结构特点、工作特性、主要参数及常见分类。 四、综合应用题(本大题共1小题,每题8分,共8分) 34. 某自动化设备的传感信号放大电路采用硅材料NPN型三极管,集电极电阻为 ,电源电压为 。检测时,基极电流为 ,三极管的直流电流放大系数为 。忽略三极管饱和压降对本题前两问的影响。(1)计算集电极电流、发射极电流、集电极电阻两端电压以及集电极与发射极之间的电压。(2)根据计算结果判断三极管所处的工作区域,并说明判断依据。(3)若将基极电流增大到 ,仍按 估算,判断三极管是否会进入饱和区;并说明作为开关使用时应采取的一项改进措施。 原创精品资源学科网独家享有版权,侵权必究! 学科网(北京)股份有限公司 $

资源预览图

第15卷 三极管——结构、特性、参数与分类 广西壮族自治区(对口招生)《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 单元过关卷
1
第15卷 三极管——结构、特性、参数与分类 广西壮族自治区(对口招生)《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 单元过关卷
2
第15卷 三极管——结构、特性、参数与分类 广西壮族自治区(对口招生)《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 单元过关卷
3
所属专辑
由于学科网是一个信息分享及获取的平台,不确保部分用户上传资料的 来源及知识产权归属。如您发现相关资料侵犯您的合法权益,请联系学科网,我们核实后将及时进行处理。