第11卷 场效应管与谐振放大器 山东省（春季高考）《电子技术基础》（劳保版·第6版） 单元过关卷

山东省（春季高考）考纲百套卷 第11卷 场效应管与谐振放大器 单元过关卷《电子技术基础与技能》机电技术类 时间：60分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1. 场效应晶体管的放大区又称为（ ） A. 截止区 B. 击穿区 C. 导通区 D. 饱和区 2. 场效应管的线性放大区是（ ） A. 可调电阻区 B. 饱和区 C. 放大区 D. 击穿区 3. 图中场效晶体管为（ ） A. 增强型N沟道 B. 增强型P沟道 C. 耗尽型N沟道 D. 耗尽型P沟道 4. 场效应管的跨导反映了（ ） A. 栅源电压对漏极电流的控制能力 B. 漏源电压对漏极电流的影响 C. 栅极电流对漏极电流的控制能力 D. 温度对漏极电流的影响 5. 结型场效应晶体管的输入电阻为（ ） A. 几十欧姆 B. 可达1015欧姆 C. 107-108欧姆 D. 不可知 6. 下列参数中，不属于场效应管极限参数的是（ ） A. 最大漏源电压 B. 最大耗散功率 C. 跨导 D. 最大漏极电流 7. 如图所示，N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP 约为（ ）​ A. -2V​ B. -3.4V​ C. 2V​ D. 3.4V​ 8. 以下关于场效应晶体管说法正确的是（ ） A. 场效应晶体管的输入电阻比较低 B. 场效应晶体管是电流型控制器件 C. 场效应晶体管具有电流放大能力 D. 场效应晶体管的温度稳定性好于三极管 9. MOS 管的直流输入电阻 RGS 与结型场效应管相比。（ ）​ A. 更小​ B. 不确定​​ C. 相等​ D. 更大​ 10. 如下图所示，结型场效应管输出特性的恒流区是（ ）​ A. Ⅰ 区（可变电阻区）​ B. Ⅲ 区（夹断区）​ C. Ⅱ 区（恒流区）​ D. Ⅳ 区（击穿区）​ 11. MOSFET中，当栅极电压等于或低于阈值电压时，管子处于（ ） A. 截止状态 B. 饱和状态 C. 放大状态 D. 线性状态 12. NMOS场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（ ） A. 控制极 B. 漏极 C. 源极 D. 栅极 13. 绝缘栅型场效应管的简称是（ ） A. JFET​ B. FET​ C. BJT​ D. MOS​ 14. 如图所示为某器件的型号标识，该器件属于（ ） A. NPN 型硅晶体管 B. PNP 型锗晶体管 C. N 沟道 MOS 管 D. P 沟道结型场效应管 15. 耗尽型 MOS 管与增强型 MOS 管的主要区别是（ ） A. 有无衬底 B. 栅极材料不同 C. 零栅压时是否存在导电沟道 D. 功率大小不同 16. 增强型 MOS 管在 VGS=0 时，______原始导电沟道​。（ ） A. 有​ B. 以上都对​ C. 不确定​ D. 没有​ 17. 图中场效应管为（ ） A. 增强型N沟道 B. 增强型P沟道 C. 耗尽型N沟道 D. 耗尽型P沟道 18. 增强型 NMOS 管的开启电压 UT 为（ ）​ A. 不确定​ B. 负值​ C. 零​ D. 正值​ 19. 单调谐放大器的缺点是（ ） A. 电路比较复杂 B. 通频带和选择性不兼顾 C. 频率调节不方便 D. 输出波形不好 20. 在以并联谐振回路作负载的谐振放大器中，调谐到谐振频率时，回路的主要特点是（ ） A. 回路阻抗最小，输出电压最小 B. 回路阻抗最大，输出电压最大 C. 回路电流最大，选择性能最差 D. 回路呈容性，放大频率降低 二、判断题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21. 增强型场效应管起放大作用时，应使其栅源电压大于开启电压。（ ） 22. 场效应晶体管是一种电压型控制器件，具有高输入电阻和低噪声的特点。（ ） 23. 场效应管的线性区在可调电阻区。（ ） 24. 增强型场效应管的输入电阻大，因此其输入端可以悬空。（ ） 25. 场效应晶体管输出特性曲线反映在一定时，对的控制作用。（ ） 26. 结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小。（ ） 27. NMOS仅表示增强型绝缘栅型场效应管。（ ） 28. CMOS门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。（ ） 29. NMOS场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。（ ） 30. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ） 三、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 31. 场效晶体管与三极管相比，其主要特点和优点是什么？请详细说明。 32. 某增强型 NMOS 管的开启电压 UT=3V，IDO=2mA（VGS=2UT 时的漏极电流），求 VGS=6V 时的 ID。 33. 请画出单调谐放大器的电路原理图和幅频特性曲线。 四、综合应用题（本大题共1小题，每题8分，共8分） 34. 已知某 N 沟道结型场效应管的IDSS=6mA，夹断电压 VP=-3V，求 VGS=-1V 时的漏极电流 ID。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 山东省（春季高考）考纲百套卷 第11卷 场效应管与谐振放大器 单元过关卷《电子技术基础与技能》机电技术类 时间：60分钟 总分：100分 班级＿＿＿＿　姓名＿＿＿＿　学号＿＿＿＿　成绩＿＿＿＿ 一、单项选择题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1. 场效应晶体管的放大区又称为（ ） A. 截止区 B. 击穿区 C. 导通区 D. 饱和区 【答案】D 【解析】场效应管工作在饱和区时，漏极电流主要受栅源电压控制，具有电压放大作用，因此该工作区域通常称为放大区。故选D。 2. 场效应管的线性放大区是（ ） A. 可调电阻区 B. 饱和区 C. 放大区 D. 击穿区 【答案】B 【解析】场效应管的线性放大通常在饱和区进行。在该区域中，漏极电流主要由栅源电压决定，适合用于电压放大。故选B。 3. 图中场效晶体管为（ ） A. 增强型N沟道 B. 增强型P沟道 C. 耗尽型N沟道 D. 耗尽型P沟道 【答案】A 【解析】由图示符号可判断该管为增强型MOS管，且沟道类型为N沟道。增强型N沟道MOS管在栅源电压超过开启电压后形成导电沟道。故选A。 4. 场效应管的跨导反映了（ ） A. 栅源电压对漏极电流的控制能力 B. 漏源电压对漏极电流的影响 C. 栅极电流对漏极电流的控制能力 D. 温度对漏极电流的影响 【答案】A 【解析】跨导表示在漏源电压保持不变时，漏极电流随栅源电压变化的程度，即。因此跨导反映栅源电压对漏极电流的控制能力。故选A。 5. 结型场效应晶体管的输入电阻为（ ） A. 几十欧姆 B. 可达1015欧姆 C. 107-108欧姆 D. 不可知 【答案】C 【解析】结型场效应管的栅源PN结在正常工作时处于反向偏置状态，栅极电流很小，因此输入电阻较高，通常可达。故选C。 6. 下列参数中，不属于场效应管极限参数的是（ ） A. 最大漏源电压 B. 最大耗散功率 C. 跨导 D. 最大漏极电流 【答案】C 【解析】场效应管的极限参数包括最大漏源电压、最大漏极电流和最大耗散功率等。跨导是反映器件放大能力的交流参数，不属于极限参数。故选C。 7. 如图所示，N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP 约为（ ）​ A. -2V​ B. -3.4V​ C. 2V​ D. 3.4V​ 【答案】B 【解析】对于N沟道结型场效应管，夹断电压为负值。由图中漏极电流降至接近零时对应的栅源电压可读出。故选B。 8. 以下关于场效应晶体管说法正确的是（ ） A. 场效应晶体管的输入电阻比较低 B. 场效应晶体管是电流型控制器件 C. 场效应晶体管具有电流放大能力 D. 场效应晶体管的温度稳定性好于三极管 【答案】D 【解析】场效应管是电压控制器件，输入电阻高，不以栅极电流控制漏极电流。其温度稳定性通常优于三极管，且具有较低噪声的特点。故选D。 9. MOS 管的直流输入电阻 RGS 与结型场效应管相比。（ ）​ A. 更小​ B. 不确定​​ C. 相等​ D. 更大​ 【答案】D 【解析】MOS管的栅极与沟道之间有绝缘氧化层，正常工作时栅极直流电流近似为零；结型场效应管的栅极为反向偏置PN结。因此MOS管的直流输入电阻通常比结型场效应管更大。故选B。 10. 如下图所示，结型场效应管输出特性的恒流区是（ ）​ A. Ⅰ 区（可变电阻区）​ B. Ⅲ 区（夹断区）​ C. Ⅱ 区（恒流区）​ D. Ⅳ 区（击穿区）​ 【答案】C 【解析】结型场效应管在恒流区内，漏极电流受漏源电压变化影响较小，主要由栅源电压决定，适宜作为放大器件使用。图中的Ⅱ区为恒流区。故选B。 11. MOSFET中，当栅极电压等于或低于阈值电压时，管子处于（ ） A. 截止状态 B. 饱和状态 C. 放大状态 D. 线性状态 【答案】A 【解析】以增强型MOSFET为例，当栅源电压未达到开启阈值时，表面不能形成有效导电沟道，漏极电流近似为零，器件处于截止状态。故选A。 12. NMOS场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（ ） A. 控制极 B. 漏极 C. 源极 D. 栅极 【答案】B 【解析】NMOS场效应管的三个主要电极为栅极G、漏极D和源极S，其中D表示漏极。故选B。 13. 绝缘栅型场效应管的简称是（ ） A. JFET​ B. FET​ C. BJT​ D. MOS​ 【答案】D 【解析】绝缘栅型场效应管的栅极与半导体之间由绝缘层隔开，常称为MOS管或MOSFET。故选B。 14. 如图所示为某器件的型号标识，该器件属于（ ） A. NPN 型硅晶体管 B. PNP 型锗晶体管 C. N 沟道 MOS 管 D. P 沟道结型场效应管 【答案】C 【解析】由图示器件型号标识可判断该器件属于N沟道MOS管。MOS管为绝缘栅型场效应管，其型号标识可区分沟道类型及器件类别。故选C。 15. 耗尽型 MOS 管与增强型 MOS 管的主要区别是（ ） A. 有无衬底 B. 栅极材料不同 C. 零栅压时是否存在导电沟道 D. 功率大小不同 【答案】C 【解析】耗尽型MOS管在时已经存在原始导电沟道；增强型MOS管在时不存在原始导电沟道，需施加适当栅源电压后才形成沟道。故选C。 16. 增强型 MOS 管在 VGS=0 时，______原始导电沟道​。（ ） A. 有​ B. 以上都对​ C. 不确定​ D. 没有​ 【答案】D 【解析】增强型MOS管在时未形成反型层，即不存在原始导电沟道，漏极电流近似为零。故选B。 17. 图中场效应管为（ ） A. 增强型N沟道 B. 增强型P沟道 C. 耗尽型N沟道 D. 耗尽型P沟道 【答案】A 【解析】由图示符号可判断该器件为增强型MOS管，且沟道为N沟道。增强型N沟道MOS管在栅源电压达到开启电压后导通。故选A。 18. 增强型 NMOS 管的开启电压 UT 为（ ）​ A. 不确定​ B. 负值​ C. 零​ D. 正值​ 【答案】D 【解析】增强型NMOS管需要施加正的栅源电压才能形成N型反型沟道，因此其开启电压为正值。故选A。 19. 单调谐放大器的缺点是（ ） A. 电路比较复杂 B. 通频带和选择性不兼顾 C. 频率调节不方便 D. 输出波形不好 【答案】B 【解析】单调谐放大器的选择性和通频带均由单个谐振回路的品质因数决定。品质因数较高时选择性好但通频带窄，品质因数较低时通频带宽但选择性差，二者难以兼顾。故选B。 20. 在以并联谐振回路作负载的谐振放大器中，调谐到谐振频率时，回路的主要特点是（ ） A. 回路阻抗最小，输出电压最小 B. 回路阻抗最大，输出电压最大 C. 回路电流最大，选择性能最差 D. 回路呈容性，放大频率降低 【答案】B 【解析】并联谐振回路在谐振频率处对外呈现的阻抗最大，放大器输出电压也达到最大值，因此具有选频放大作用。谐振时回路呈纯电阻性，并非容性或感性。 二、判断题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21. 增强型场效应管起放大作用时，应使其栅源电压大于开启电压。（ ） 【答案】错误 【解析】增强型场效应管进入放大区不仅要求栅源电压满足开启条件，还应满足相应的漏源电压条件。仅使栅源电压大于开启电压并不能保证器件一定工作在放大区；对于P沟道器件，电压极性也不同。因此该说法错误。 22. 场效应晶体管是一种电压型控制器件，具有高输入电阻和低噪声的特点。（ ） 【答案】正确 【解析】场效应晶体管的漏极电流由栅源电压控制，属于电压控制器件。其栅极电流很小，输入电阻高，并且通常具有较低的噪声。故该说法正确。 23. 场效应管的线性区在可调电阻区。（ ） 【答案】错误 【解析】场效应管的可调电阻区中，漏极电流同时明显受和影响，主要用于电压控制电阻。作为线性放大器时，通常应工作在饱和区或恒流区。因此该说法错误。 24. 增强型场效应管的输入电阻大，因此其输入端可以悬空。（ ） 【答案】错误 【解析】增强型场效应管输入电阻很高，栅极容易积累电荷并受到外界干扰。输入端悬空会使栅源电压不确定，导致工作状态不稳定，因此不能悬空。故该说法错误。 25. 场效应晶体管输出特性曲线反映在一定时，对的控制作用。（ ） 【答案】错误 【解析】在一定时，对的控制关系应由场效应管的转移特性曲线反映。输出特性曲线反映的是一定时，随变化的关系。因此该说法错误。 26. 结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小。（ ） 【答案】错误 【解析】结型场效应管正常工作时，栅源PN结应处于反向偏置。通过改变反向偏置电压来改变耗尽层宽度和导电沟道宽度，进而控制漏极电流。因此该说法错误。 27. NMOS仅表示增强型绝缘栅型场效应管。（ ） 【答案】错误 【解析】NMOS表示N沟道MOS场效应管。N沟道MOS管既可以是增强型，也可以是耗尽型，因此NMOS并不只表示增强型绝缘栅型场效应管。故该说法错误。 28. CMOS门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。（ ） 【答案】正确 【解析】与门，逻辑功能：有0出0，全1出1，所以闲置输入端应当接到高电平；或门，逻辑功能：有1出1，全0出0，所以闲置输入端应当接到低电平。 29. NMOS场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。（ ） 【答案】错误 【解析】NMOS输出特性通常分为可调电阻区、饱和区和击穿区。饱和区也常称为恒流区或放大区，放大区与饱和区不是两个并列的独立区域。因此该说法错误。 30. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ） 【答案】正确 【解析】场效应管由栅源电压控制，栅极电流很小，因而输入电阻很高；同时其噪声通常较低，且为单极型器件，温度稳定性 generally 优于三极管。故该说法正确。 三、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 31. 场效晶体管与三极管相比，其主要特点和优点是什么？请详细说明。 【答案】场效应晶体管与三极管相比，主要特点和优点如下： 1）场效应管是电压控制型器件，漏极电流主要受栅源电压控制；三极管是电流控制型器件，集电极电流主要受基极电流控制。 2）场效应管输入电阻很高，尤其是MOS管的栅极与沟道之间存在绝缘层，栅极电流近似为零，对前级电路的负载作用小。 3）场效应管是单极型器件，主要依靠多数载流子导电，不存在少数载流子存储效应，开关速度较快，温度稳定性较好。 4）场效应管噪声较低，适合用作高输入阻抗、低噪声放大电路的输入级。 5）场效应管结构相对简单、体积小、功耗低，并且功率MOS管适用于大功率电子开关电路。 【解析】场效应管以栅源电压控制漏极电流，属于电压控制型器件，且输入电阻通常高于三极管。其为单极型器件，主要依靠多数载流子导电，因此没有少数载流子存储效应，具有较好的温度稳定性和较低噪声。原答案中“FET是少数载流子器件”的表述错误，应改为“FET是单极型器件，主要依靠多数载流子导电”。 32. 某增强型 NMOS 管的开启电压 UT=3V，IDO=2mA（VGS=2UT 时的漏极电流），求 VGS=6V 时的 ID。 【答案】 【解析】增强型NMOS管在饱和区可用转移特性公式计算，其中为时的漏极电流。已知、，故。 33. 请画出单调谐放大器的电路原理图和幅频特性曲线。 【答案】单调谐放大器可采用共射极晶体管放大电路，集电极负载为并联LC谐振回路： ```text VCC | L || C | +------ Vo | C Vi --Cin---B Q R1 |\ VCC--/\/\-| > NPN GND--/\/\-|/ R2 E | RE | GND ``` 其幅频特性在谐振频率处增益最大，偏离时增益下降： ```text Av | | /\ | / \ |___________/____\___________ f f0 ``` 【解析】单调谐放大器是在放大器的负载回路中接入一个LC并联谐振回路。回路在谐振频率处呈现较大的等效阻抗，因此放大器电压增益最大；当输入信号频率偏离时，谐振回路阻抗下降，增益随之下降，形成以为中心的带通幅频特性。 四、综合应用题（本大题共1小题，每题8分，共8分） 34. 已知某 N 沟道结型场效应管的IDSS=6mA，夹断电压 VP=-3V，求 VGS=-1V 时的漏极电流 ID。 【答案】 【解析】结型场效应管在恒流区的转移特性满足肖克莱公式：。代入、、，得。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $