2027届高三化学一轮复习 晶体的结构与性质 2026—2027学年高三上学期

**基本信息** 聚焦晶体结构与性质，通过真题与模拟题系统训练晶胞计算、配位数分析等核心能力，融合科学思维与证据推理，构建从微观结构到性质应用的逻辑体系。 **专项设计** |模块|题量/典例|方法提炼|知识逻辑| |----|-----------|----------|----------| |真题演练|5题（2022-2026湖北高考）|均摊法求原子个数、空间几何算距离、晶体密度公式推导|从晶胞基本构成（顶点/面心/体心）到配位数判断，建立“结构-性质”关联| |模拟训练|21题（湖北各地模拟）|晶体缺陷分析、混合晶胞参数计算、堆积方式应用|拓展至实际材料（超导/电池），强化“宏观性质-微观结构”证据推理|

2027届高三化学一轮复习选择题 专项晶体的结构与性质 一、真题演练 1．（2026·湖北·高考真题）固体材料具有相变制冷效应，室温下其立方体晶胞结构示意图如下。下列说法错误的是 A．每个晶胞中有4个 B．每个周围有12个紧邻的 C．之间的最短距离是 D．晶体密度表示为 2．（2025·湖北·高考真题）晶胞是长方体，边长，如图所示。下列说法正确的是 A．一个晶胞中含有4个O原子 B．晶胞中分子的取向相同 C．1号和2号S原子间的核间距为 D．每个S原子周围与其等距且紧邻的S原子有4个 3．（2024·湖北·高考真题）黄金按质量分数分级，纯金为。合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是 A．I为金 B．Ⅱ中的配位数是12 C．Ⅲ中最小核间距 D．I、Ⅱ、Ⅲ中，与原子个数比依次为、、 4．（2023·湖北·高考真题）镧La和H可以形成一系列晶体材料，在储氢和超导等领域具有重要应用。属于立方晶系，晶胞结构和参数如图所示。高压下，中的每个H结合4个H形成类似的结构，即得到晶体。下列说法错误的是 A．晶体中La的配位数为8 B．晶体中H和H的最短距离： C．在晶胞中，H形成一个顶点数为40的闭合多面体笼 D．单位体积中含氢质量的计算式为 5．（2022·湖北·高考真题）某立方卤化物可用于制作光电材料，其晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A．的配位数为6 B．与距离最近的是 C．该物质的化学式为 D．若换为，则晶胞棱长将改变 二、模拟训练 6．（2027·湖北·模拟预测）与高中课本中的锂离子电池原理类似，某水性钠离子电池正极电极材料可看作由、、、构成，嵌入和脱嵌相应立方晶胞以实现放电和充电，电极材料在格林绿、普鲁士蓝、普鲁士白等物质中转化，其过程如图所示。 下列说法错误的是 A．格林绿晶体的化学式为 B．图中普鲁士蓝展示的是1个晶胞 C．普鲁士蓝中与个数比为2∶1 D．普鲁士白转化为格林绿是非自发过程 7．（2026·湖北宜昌·模拟预测）一种锑锰合金的立方晶胞结构如图，其晶胞参数为，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．、分别位于元素周期表的d区、p区 B．该晶胞中，每个周围与它最近且相等距离的有12个 C．晶体的密度为 D．该晶胞沿面对角线投影为 8．（2026·湖北十堰·模拟预测）氯化亚铜(CuCl)是一种易被氧化的白色粉末，熔点：426 ℃，沸点：1490 ℃，常用作有机合成催化剂，已知氯化亚铜晶体为立方晶胞，晶胞结构如图所示，其密度为，阿伏加德罗常数的值为。下列关于氯化亚铜晶体的描述正确的是 A．铜的化合价为+2 B．相邻铜原子的间距为 C．氯位于由铜构成的四面体空隙中 D．距离铜原子最近且等距的铜原子数为6 9．（2026·重庆·高考真题）某化合物在一定温度下电导率发生突跃，可作为快离子导体材料，其晶胞结构如图所示。下列相关叙述错误的是 A．该化合物的化学式为 B．相邻核间距都相等 C．与配位的个数为4 D．和空位的数目比为1∶3 10．（2026·湖北十堰·模拟预测）用于玻璃、搪瓷、光学镜片，掺氟化铒()作为发光激活离子，可做成高效光学材料，为保持晶体电中性，体系中会出现相应晶体缺陷，晶胞如图。下列说法错误的是 A．的电子式 B．旁边最近的有12个 C．荧光掺入，代替B D．每引入1个，会相应减少1个 11．（2026·湖北武汉·模拟预测）Li、In、Cl三种元素组成的固体电解质晶体结构如图1，其边长为 a pm，Zr4+替代部分In3+会产生锂空位可提高晶体导电性(替代过程中各元素化合价不变)，导电时锂离子迁移如图2所示，下列说法错误的是 A．图1中，该物质的化学式为Li3InCl6 B．该晶体的密度为 C．若晶胞组成为LiyIn1−xZrxCl6，当x =0.4时，锂空位与锂离子个数比为2：13 D．导电时，锂空位移动方向与电子移动方向相同 12．（2026·湖北荆州·模拟预测）FeSO4·7H2O结构如图1所示，FeS2立方晶胞如图2所示。设阿伏伽德罗常数的值为NA，下列说法正确的是 A．键角：> H2O B．H2O与Fe2+间作用力为离子键 C．FeS2晶胞中与Fe2+紧邻的阴离子个数为12 D．晶胞的密度为 13．（2026·湖北荆州·模拟预测）理论计算预测，由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(立方晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。设X的最简式的式量为，下列说法正确的是 A．b为X的晶体的晶胞 B．Ge晶体中与Ge原子最近的Ge原子数目为12 C．X的晶体的晶胞中粒子个数比 D．则X晶体的密度为 14．（2026·湖北武汉·模拟预测）贝壳的内外层分别是两种不同的碳酸钙，外壳叫方解石，内层叫霰石，晶胞结构如图所示。已知，晶胞体积，。下列说法正确的是 A．的VSEPR模型与空间结构模型相同 B．方解石的晶胞中，有2种取向 C．方解石和霰石的化学组成相同，两者的相互转化为物理变化 D．晶胞密度： 15．（2026·湖北宜昌·二模）GaAs是优良的半导体材料，其晶体属立方晶系，晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．与As原子距离最近的As原子有6个 B．GaAs晶体的密度为 C．投影图中代表As原子的是7、8、11 D．M原子与N原子之间距离是 16．（2026·湖北武汉·模拟预测）NiO是一种优良的催化剂，具有NaCl型晶体结构，其密度为。在氧气的氛围中，向NiO中掺杂Li2O可提高Ni3+的含量以增强其催化效果。设为阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是 A．NiO中Ni2+的配位数为6 B．氧气的存在可防止晶体结构坍塌 C．掺杂后晶体中Ni2+与Ni3+的数目比为15∶1 D．NiO中阴阳离子的最短距离为 17．（2026·湖北孝感·三模）钾和合成的超导材料晶胞结构如图所示，设晶胞边长为。离子呈面心立方紧密堆积，填充在四面体和八面体空隙中，且空隙填充率为。下列关于该超导材料的说法错误的是 A．化学式为 B．晶体熔点比晶体熔点高 C．晶胞内相邻两个的最短距离为 D．若晶胞边长为，该材料的密度为 18．（2026·湖北黄冈·二模）镍酸锂是锂离子电池正极材料的重要原料，某种层状镍酸锂（）的晶胞结构如下图所示，晶胞参数，。下列说法错误的是 A．2号原子是 B．Li的配位数为4 C．该镍酸锂的晶胞密度为 D．该层状镍酸锂为混合型晶体 19．（2026·湖北武汉·一模）晶胞的结构如图，已知的摩尔质量是，晶胞参数为a pm，阿伏加德罗常数的值是，下列说法错误的是 A．位于构成的四面体空隙中 B．每个周围最近且等距的有8个 C．晶体的密度是 D．与足量的溶液反应生成2 mol AgCl 20．（2026·湖北·三模）NaCl晶体在超高压下与Na或Cl2反应，可以形成不同组成、结构的晶体。如图是其中部分晶体结构，是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．常温常压下①②③都不能稳定存在 B．①中与Na最近且等距的Cl的数目为12 C．只有③是NaCl晶体在高压下与Na反应形成的晶体 D．若②中晶胞参数分别为a nm、a nm、c nm，则晶胞密度可表示为 21．（2026·湖北武汉·模拟预测）科研人员为某电池制备了一种超离子导体，其晶胞为立方体（如图1），对其进行掺杂后形成空位缺陷（如图2），可显著提升传导性能。 下列说法正确的是 A．图 1 晶体密度为 B．图 2 中空位数与数目之比为 C．导电时，空位移动方向与电流方向相同 D．将中换为，该电池的比能量将增大 22．（2026·湖北襄阳·二模）Ⅰ、Ⅱ两种铁晶体的晶胞结构如图所示。设铁原子刚性相切。下列说法正确的是 A．用X射线衍射仪测量两种晶体的谱图相同 B．两种晶胞中铁原子个数之比与配位数之比相等 C．两种晶体的密度之比为 D．若生产过程中晶胞Ⅱ的中心掺入一个碳原子则可获得含碳量低于5%的生铁 23．（2026·湖北随州·模拟预测）砷化镓作为第二代半导体，因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓的立方晶胞结构如图，设砷化镓的密度为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．该晶体中，Ga、As之间不存在配位键 B．该晶胞中As原子占据4种位置 C．该晶体中，Ga-As的键长为 D．晶胞中由As围成了八面体空隙和四面体空隙，且两者数量之比为1:2 24．（2026·湖北·二模）某含Pb化合物是一种被广泛应用于太阳能电池领域的晶体材料，室温下该化合物晶胞如图所示，晶胞参数，。阿伏加德罗常数为NA(单位：mol-1)，、和分别表示Cs、Pb和Br的摩尔质量(单位：)。下列说法正确的是 A．距离Cs最近且等距的Br原子为12个 B．每个晶胞中Cs和Br构成的八面体空隙为6个 C．Cs与Pb之间的距离为 D．该晶体密度为 25．（2026·湖北·二模）已知铜的氢化物晶体结构单元如图所示。该化合物的密度为ρ g·cm-3，阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是 A．该铜的氢化物的化学式为CuH2，其中H为-1价 B．Cu与H之间的最短距离 cm C．晶体中与Cu紧邻且等距的H有2个 D．若A点的原子分数坐标为(0,0,0)，则B点的原子分数坐标为 26．（2026·湖北十堰·二模）钠-硫电池的不同路径—载体与产物的相关性如图所示。 下列说法错误的是 A．1 mol a(环状)含型σ键 B．e中Cu的价态可能会影响其晶体结构和导电性 C．c存在过硫键(-S-S-)，其键能大小决定了其稳定性 D．d晶胞(如图)中和的配位数之比为1：1 试卷第1页（共3页） 试卷第1页（共3页） 学科网（北京）股份有限公司 《2027届高三化学一轮复习选择题专项晶体的结构与性质》参考答案 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 B D C C B C D C D D 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 B A C A C C C D C C 题号 21 22 23 24 25 26 答案 B C D C B D 1．B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A．位于晶胞顶点和面心，数目为，每个晶胞中有4个，A正确； B．位于晶胞顶点和面心，位于棱心和体心，以位于面心的为研究对象，每个周围紧邻的为6个，不是12个，B错误； C．位于棱心和体心，之间最短距离为晶胞面对角线的一半，即，C正确； D．晶胞含4个，总质量为，晶胞体积为，密度，D正确； 故选B。 2．D 【知识点】晶胞的有关计算 【详解】A．由晶胞图可知，SO2分子位于长方体的棱心和体心，1个晶胞中含(12×+1)个SO2分子，含有8个O原子，A错误； B．由图可知晶胞中SO2分子的取向不完全相同，如1和2，B错误； C．1号和2号S原子间的核间距离为上、下面面对角线的一半，即pm，C错误； D．以体心的S原子为例，由于a≠b≠c，每个S原子周围与其等距且紧邻(距离最小)的S原子有4个，D正确； 答案选D。 3．C 【知识点】晶胞概念及判断、离子配位数 【详解】A．由24K金的质量分数为100%，则18K金的质量分数为：   ，I中Au和Cu原子个数比值为1:1，则Au的质量分数为：   ，A正确； B．Ⅱ中Au处于立方体的八个顶点，Au的配位数指距离最近的Cu，Cu处于面心处，类似于二氧化碳晶胞结构，二氧化碳分子周围距离最近的二氧化碳有12个，则Au的配位数为12，B正确； C． 设Ⅲ的晶胞参数为a，的核间距为，的最小核间距也为 ，最小核间距，C错误； D． I中，处于内部，处于晶胞的八个顶点，其原子个数比为1:1；Ⅱ中，处于立方体的八个顶点， 处于面心，其原子个数比为：；Ⅲ中，处于立方体的面心，处于顶点，其原子个数比为；D正确； 故选C。 4．C 【知识点】晶胞的有关计算 【详解】A．由的晶胞结构可知，La位于顶点和面心，晶胞内8个小立方体的中心各有1个H原子，若以顶点La研究，与之最近的H原子有8个，则La的配位数为8，故A正确； B．由晶胞结构可知，每个H结合4个H形成类似的结构，H和H之间的最短距离变小，则晶体中H和H的最短距离：，故B正确； C．由题干信息可知，在晶胞中，每个H结合4个H形成类似的结构，这样的结构有8个，顶点数为48=32，且不是闭合的结构，故C错误； D．1个晶胞中含有58=40个H原子，含H质量为g，晶胞的体积为(484.010-10cm)3=(4.8410-8)3cm3，则单位体积中含氢质量的计算式为，故D正确； 答案选C。 5．B 【知识点】晶胞的有关计算 【详解】A．配位数为与其距离最近且等距离的F-的个数，如图所示，位于体心，F-位于面心，所以配位数为6，A正确； B．与的最近距离为棱长的，与的最近距离为棱长的，所以与距离最近的是，B错误； C．位于顶点，所以个数==1，F-位于面心，F-个数==3，位于体心，所以个数=1，综上，该物质的化学式为，C正确； D．与半径不同，替换后晶胞棱长将改变，D正确； 故选B。 6．C 【知识点】晶胞概念及判断、新型电池、配位键、晶胞的有关计算 【详解】A．普鲁士蓝与格林绿相比，晶胞中多了4个Na+，Fe3+、CN−个数比为8：24=1：3，格林绿的化学式为 Fe(CN)3，A正确； B．根据晶胞的定义，晶胞要满足无隙并置的要求，普鲁士蓝表示的是1个晶胞，B正确； C．将普鲁士蓝晶胞分为8个小立方体，CN−位于小立方体的棱心上，普鲁士蓝晶胞中CN−个数为3×8=24，Fe2+位于晶胞棱心和体心，个数为4，Fe3+位于顶点和面心，Fe3+个数4，Fe2+与Fe3+个数比为1：1，C 错误； D．普鲁士白转化为格林绿的过程是脱嵌的过程，对应电池的充电阳极反应，充电过程需要外接电源驱动，属于非自发过程，D正确； 故选C。 7．D 【知识点】晶胞概念及判断、构造原理与元素周期表、晶胞的有关计算 【分析】图中空心的锑原子位于立方晶胞的8个顶点，实心的锰原子位于6个面心。按晶胞均摊规则，晶胞中锑原子数为，锰原子数为，故晶胞组成可表示为。沿体对角线观察时，体对角线两端的顶点重合于投影中心，其余六个顶点构成外侧正六边形，六个面心投影到内侧六个位置，正是D图所示的六重对称投影。 【详解】A．锰的价电子排布为，属于d区元素；锑的价电子排布为，属于p区元素，A正确； B．以一个顶点的锑原子为中心，最近的锰原子位于与该顶点相邻的面心位置，最近距离均为nm；三个相互垂直的面中各有4个这样的面心位置，共有12个最近且相邻锰原子，B正确； C．一个晶胞含1个锑原子和3个锰原子，晶胞质量为；晶胞体积为，所以密度为，C正确； D．沿面对角线方向投影时，立方体的外框应呈矩形，与图示不符，D错误； 故选D。 8．C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数 【详解】A．氯化亚铜的名称中“亚铜”表明Cu为+1价，而非+2价，A错误； B．氯化亚铜晶胞为面心立方结构，原子位于顶点和面心，1个晶胞中含原子数：，4个Cu原子位于大正方体包含的8个小正方体的中心，故为4个：则晶胞总质量为，晶胞体积，由密度公式可得晶胞参数，该晶胞中4个原子位于大正方体包含的8个小正方体的中心，根据立体几何知识可知，相邻原子的间距是面对角线的一半，即，并非选项中的体对角线一半  ，B错误； C．观察某个位于晶胞面心的氯原子，可以看出的配位数为4，与之配位的4个原子构成一个四面体，位于构成的四面体空隙中，C正确； D．原子的堆积为类面心立方分布，距离Cu原子最近且等距的Cu原子数为12，D错误； 故选C。 9．D 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A．由图可知，位于8个顶点和2个面心，均摊后数目为：； 全部在晶胞内部，共4个，数目为4； 或空位位于面心，均摊后数目为，设数目为，由电荷守恒得：，解得，即化合物化学式为，A正确； B． 分别位于顶点和面心，位于面心，不同位置的与的核间距均为面对角线的一半，均为，因此相邻核间距都相等，B正确； C．由图可知，每个周围有4个最近的，因此与配位的个数为4，C正确； D．由A项分析可知，数目为1，空位数目为，数目比为，D错误； 故选D。 10．D 【知识点】电子式、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【分析】根据晶胞结构，一个晶胞中A原子的数量为8个，B原子的数量为个，所以A为F原子，B为Ca原子，由此解答。 【详解】 A．CaF2为离子化合物，由Ca2+和F-构成，电子式，A正确； B． 在CaF2晶胞中，Ca2+位于面心和顶点，为面心立方堆积，以顶点Ca2+的为例，它附近最近的Ca2+是面心的Ca2+，共有12个，B正确； C．由分析可知，A为F原子，B为Ca原子，掺入时，会代替Ca2+，以保持晶体结构的骨架，C正确； D．每引入1个替代Ca2+，正电荷增大一个单位，为了维持晶体的电中性，需要增加一个负电荷，因此需要增加一个，D错误； 故答案为D。 11．B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【详解】A．用均摊法计算晶胞中原子数：Li：4个顶点Li：，1个体心Li：，Li的个数为1.5个，In：4个顶点In：个，Cl在棱中心，共有12×个，Li:In:Cl=1.5:0.5:3=3:1:6，化学式为：Li3InCl6，A正确； B．由图可知，1个晶胞中含有0.5个In原子，故Z=0.5。晶胞密度为 ，B错误； C．化合物呈电中性，化合价总和为0：，代入，得。原Li总数为3，锂空位个数为，锂空位与锂离子个数比为，C正确； D．导电时，Li+移动方向与空位移动方向相反；电子移动方向与Li+移动方向相反。因此锂空位移动方向与电子移动方向相同，D正确； 故选B。 12．A 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构、键能、键长、键角 【详解】A．中心为杂化，无孤电子对，键角接近，中心也为杂化，但含对孤电子对，孤电子对对成键电子对的斥力更大，键角被压缩为约，因此键角：，A正确； B．是中性分子，与之间形成配位键（属于共价键范畴），不是阴阳离子间的离子键，B错误； C．该晶胞结构类似晶胞，的配位数为，即与紧邻的阴离子个数为，不是12，C错误； D．晶胞中数目：，根据化学式，也为，晶胞质量，晶胞边长为，体积，密度，D错误； 故选A。 13．C 【知识点】晶胞概念及判断、常见共价晶体的结构、晶胞的有关计算、晶体与非晶体判断 【详解】A．图b只是把Ge晶体中部分Ge原子替换成Hg和Sb后的局部结构，不能完整表示X晶体的周期性，真正能反映 X 晶体重复规律的应是图c，A错误； B．Ge晶体属于金刚石型结构，每个Ge原子与周围最近的Ge原子形成四面体结构，所以每个Ge原子最近邻的Ge原子数目是4，B错误； C．​根据均摊法，，，N(Sb)=8×1=8，所以粒子个数比，C正确； D．由C可知，粒子个数比，一个晶胞中含有：4个，所以一个晶胞的质量应为：，晶胞体积为：，因此密度应为：，D错误； 故答案选C。 14．A 【知识点】物理变化与化学变化、晶胞的有关计算、常见离子晶体的结构、价层电子对互斥理论的应用 【详解】A．中心C原子的价层电子对数为，无孤电子对，VSEPR模型和空间结构均为平面三角形，二者相同，A正确； B．观察方解石晶胞结构可知，的取向有4种，B错误； C．方解石和霰石是碳酸钙的不同晶型，属于不同物质，二者转化过程存在旧键断裂和新键生成，属于化学变化，C错误； D．二者晶胞中的数目相同，晶胞质量相同，根据，方解石晶胞体积更大，故密度，D错误； 故选A。 15．C 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【分析】晶胞中Ga原子位于顶点和面心，数目为，As原子全部位于晶胞内部，数目为4，晶胞共含4个GaAs结构单元。 【详解】A．As原子采取面心立方最密堆积，与As原子距离最近的As原子有12个，A错误； B．晶胞质量为 ，晶胞体积为，晶体密度为，B错误； C．As原子位于晶胞内部的四面体空隙，坐标为、、、，沿垂直于ABCD面方向投影，对应投影点为7、8、11，C正确； D．晶胞边长为，坐标为，坐标为，M与N的空间距离为，与选项表达式不符，D错误。 16．C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构、物质结构基础与NA相关推算 【详解】A．NiO具有型晶体，中钠离子和氯离子 的配位数均为6，因此NiO中镍离子配位数为6，A正确；　 B．在氧气氛围中掺杂时，进入NiO晶体间隙，会导致部分失去电子生成。氧气可作为氧化剂，防止过度失电子或晶体结构因电荷失衡而坍塌，B正确； C．NiO晶胞中：个数：，个数：，由掺杂后晶胞图可知，被取代，设掺杂后晶体中数目为x，则数目为，由电荷守恒可得：，得，掺杂后与的数目比为代入x得数目比为14：1，C错误； D．NiO为型结构，1个晶胞含4个NiO，晶胞质量，设晶胞边长为a cm，阴阳离子最短距离为d，则。晶胞体积，密度，解得，则，D正确； 故选C。 17．C 【知识点】分子晶体的物理性质、晶体类型判断、晶胞的有关计算、常见离子晶体的结构 【详解】A．面心立方堆积，；面心立方堆积四面体空隙个、八面体空隙个，，，化学式为，A正确； B．为分子晶体，为离子晶体，离子键作用力强于分子间作用力，故熔点更高，B正确； C．相邻间的最短距离存在于八面体空隙中心与四面体空隙，最短距离为晶胞体对角线的，即，C错误； D．晶胞质量，晶胞体积，密度，D正确； 故选C。 18．D 【知识点】晶体类型判断、晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构 【分析】根据均摊法可得，号球在晶胞的棱上、内部，共个；号球在晶胞的棱上、面上，共个；号球在晶胞的面上，共个，以此进行分析； 【详解】A．根据分析可知，晶胞中，符合化学式比例，其中号原子总个数为，对应的数目，因此2号是，A正确； B． 配位数指晶体中与某原子最近的异种原子数目，为阳离子，周围最近的阴离子数目为，B正确； C． 化学式的摩尔质量为。晶胞中含个单元，总质量为。 晶胞体积，密度： ，C正确； D．该晶体层状结构，层与层之间以化学键连接，与石墨晶体不同，属于离子晶体，D错误； 故选D。 19．C 【知识点】晶胞概念及判断、晶胞的有关计算 【分析】该晶胞为面心立方结构，位于顶点、面心，晶胞内数目：，位于四面体空隙，晶胞内数目为8。 【详解】A．如晶胞图所示，位于构成的四面体空隙中，A正确； B．如晶胞图所示，每个周围最近且等距的有8个，B正确； C．晶胞质量，晶胞体积，，C错误； D．的不电离，1 mol电离出2 mol，与足量的溶液反应生成2 mol AgCl，D正确； 故选C。 20．C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数、常见离子晶体的结构、物质结构基础与NA相关推算 【详解】A．①、②、③均为超高压下形成的特殊结构，常温常压下NaCl稳定结构为面心立方，这些结构无法稳定存在，A正确； B．图①中的中心Na原子周围有12个等距Cl原子（来自于6个面心），配位数为12，正确； C．图①：Na原子数 = 1（体心）+ 8×（顶点）= 2；Cl原子数 = 12×（面心）= 6，最简比为1:3，化学式为NaCl3。图②：Na原子数 = 2（内部四面体中心）+ 4×（棱心）=3，Cl原子数 = 8×（顶点）= 1，最简比为3:1，化学式为Na3Cl。图③：Na原子数 = 1（体心）+ 4（棱心）× + 2（面心）×= 3；Cl原子数 = 8（棱上）×= 2 ，最简比为3:2，化学式 Na3Cl2。题干说明“NaCl晶体在超高压下与Na或Cl2反应”，即产物可能含过量Na或Cl。因此： ①（NaCl3）可视为NaCl与Cl2反应产物； ②（Na3Cl）可视为NaCl与Na反应产物； ③（Na3Cl2）也可视为NaCl与Na反应产物。故“只有③是NaCl与Na反应形成的晶体”错误，C错误； D．图②晶胞含3个Na和1个Cl，总质量��= = g ，体积�� = a2c ×10−21 cm3，密度 ��= =，D正确； 故选C。 21．B 【知识点】离子晶体的物理性质、晶胞的有关计算 【详解】A．晶胞中的个数是，含有2个，的分子量是 228 ，计算体积得，计算密度，选项计算错误，A 选项错误； B．为维持电荷平衡，每引入 1 个，需从晶格中移走2个，占据其中一个位置，另一个位置则形成空位，根据图示原始 数为 12，掺杂 2 个 后空位数为 2，剩余 数为 8，二者之比为 ，B 选项正确； C．导电时， 向阴极移动（与电流方向相同），空位（带有效负电荷）向阳极移动，与电流方向相反，C 选项错误； D．将换为虽可提高离子电导率，但原子量更大，电解质质量增加，且不直接参与电极反应，电池比能量（单位质量输出的能量）反而会降低，D 选项错误； 故答案选 B。 22．C 【知识点】晶胞的有关计算 【分析】Ⅰ为体心立方晶胞，Fe原子数，配位数为；Ⅱ为面心立方晶胞，Fe原子数，配位数为。 【详解】A．不同晶体结构的X射线衍射谱图不同，A错误； B．原子个数比，配位数比，两者不相等，B错误； C．密度公式，设Fe原子半径为，体心立方体对角线，得，，面心立方面对角线，得，，密度比为，即密度比为，C正确； D．晶胞Ⅱ掺入一个碳原子后，含碳量，含碳量高于5%，D错误； 故答案选C。 23．D 【知识点】晶胞概念及判断、配位键、晶胞的有关计算、键能、键长、键角 【详解】A．根据晶胞结构可知，Ga与As的杂化类型均为sp3，其价电子排布式分别为4s24p1和4s24p3，砷化镓中砷提供孤电子对，镓提供空轨道形成配位键，A错误； B．As位于顶点和面心，占据2种位置，B错误； C．设晶胞边长为a cm，则，，Ga-As的键长为晶胞体对角线的，故Ga-As的键长为，C错误； D．由As围成的八面体空隙有2种，1个存在于晶胞的体心，12个在棱心，均摊后八面体空隙数目为，四面体空隙有8个，故比例应为1:2，D正确； 故答案选D。 24．C 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数 【详解】A．，所以距离最近且等距的原子为4个，A错误； B．每个晶胞中和构成的八面体空隙的中心为正好为6个面心，均摊后为3个，B错误； C．Cs与Pb之间的距离为体对角线的一半，为，C正确； D．单位换算错误，，一个晶胞中Cs位于体心，1个；，，，D错误； 故答案选C。 25．B 【知识点】晶胞的有关计算、离子配位数 【详解】A．由晶胞结构可知，Cu原子位于顶点和面心，原子个数为，H原子位于晶胞内，原子个数为4，故化学式为CuH，H为-1价，A错误； B．由晶胞结构可知，设晶胞的边长为a cm，则密度为，则，Cu与H最短距离为晶胞体对角线的，即，B正确； C．由晶胞结构可知，Cu位于面心，与Cu紧邻且等距的H有4个，C错误； D．由于A点的原子分数坐标为(0,0,0)，B点的原子分数坐标为，D错误； 故选B。 26．D 【知识点】利用杂化轨道理论判断化学键杂化类型、共价键的形成及主要类型、晶胞的有关计算 【详解】A．呈八元环状，S原子价层电子对数为4，采用杂化，1个分子含8个单键，A项正确； B．e为，其中Cu的价态会影响其离子半径、成键情况以及晶体中电子的排布，进而影响晶体的结构和导电性，B项正确； C．过硫键类似过氧键，不稳定，受热易断裂，故其键能会影响c的稳定性，C项正确； D．从晶胞看，位于顶点和面心，位于体内，故的配位数为8，的配位数为4，即和的配位数之比为1：2，D项错误； 故选D。 答案第1页（共2页） 答案第1页（共2页） 学科网（北京）股份有限公司 $