项目二 三极管及放大电路基础《电子技术基础与技能》(高教版·第3版)山东省(春季高考)电气技术类 单元过关卷
2026-08-26
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内容正文:
山东省(春季高考)电气技术类
《电子技术基础与技能》(高教版·第3版)
项目二 三极管及放大电路基础 单元过关卷
考试时间:90分钟 满分:100分
班级:__________ 姓名:__________ 学号:__________ 成绩:__________
1、 单项选择题(每小题 3 分,共 60 分)
1.如图所示电路测试晶体管时,合上开关S1、S2以后,电压表读数为1.5V,毫安表没有示数,可能是下面哪种原因( )
A.集电极内部开路 B.发射极内部开路 C.C、E间已击穿 D.发射结已击穿
【答案】B
2.晶体管的电流放大系数 β 是指( )
A.集电极电流与发射极电流之比 B.集电极电流与基极电流之比
C.发射极电流与基极电流之比 D.基极电流与集电极电流之比
【答案】B
【分析】晶体管的电流放大系数 β 是指集电极电流与基极电流之比。
3.固定偏置式放大电路中,三极管处于放大状态,下列哪种情况会使IC下降( )
A.VCC、RB一定,RC增大 B.VCC、RC一定,RB增大
C.RB、RC一定,VCC增大 D.VCC、RC一定,RB减小
【答案】B
4.三极管内部有___个PN结( )
A.1 B.2 C.3 D.0
【答案】B
【详解】三极管的核心结构是两个PN结。
5.三极管的主要参数中,哪个参数反映了三极管放大电流的能力( )
A.电流放大倍数 B.反向饱和电流
C.击穿电压 D.门限电压
【答案】A
【详解】三极管的主要参数中,电流放大倍数反映了三极管放大电流的能力。
6.三极管实现电流放大的核心条件是( )
A.发射结正偏、集电结正偏 B.发射结正偏、集电结反偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
【答案】B
7.三极管的核心部分是( )
A.发射区 B.基区 C.集电区 D.以上都是
【答案】B
【详解】三极管的核心部分是基区,它决定了三极管的放大能力。
8.三极管的“饱和压降Uces”是指( )
A.发射结正偏时的压降
B.饱和区时集电极与发射极之间的电压
C.放大区时集电极与发射极之间的电压
D.反向击穿时的电压
【答案】B
9.计算共射极电路静态工作点时,硅晶体管的 Ube 通常取( )
A.0.1~0.2V B.0.6~0.7V
C.1.0~1.2V D.2.0~2.5V
【答案】B
10.三极管的“穿透电流Icbo”是指( )
A.基极开路时,集电极与发射极之间的反向电流
B.发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流
C.集电极开路时,发射极与基极之间的正向电流
D.基极短路时,集电极与发射极之间的电流
【答案】B
11.三极管各极电位如图所示,工作在放大状态的三极管是( )
A. B. C. D.
【答案】A
12.若三极管工作在放大区,当Uce增大时(在一定范围内),Ic会( )
A.显著增大 B.显著减小 C.基本不变 D.先增大后减小
【答案】C
13.三极管中,哪个参数表示了集电极与发射极之间的最大允许电压( )
A.反向饱和电流 B.电流放大倍数
C.击穿电压 D.门限电压
【答案】C
【详解】三极管中,击穿电压表示了集电极与发射极之间的最大允许电压,超过了这个电压,三极管可能会损坏。
14.使用万用表检测三极管时,如果测得基极与发射极之间的电阻为无穷大,则可以判断( )
A.三极管正常 B.三极管损坏
C.三极管类型无法判断 D.无法确定三极管状态
【答案】B
【详解】三极管正常工作时,基极与发射极之间的电阻应该是较小的,如果测得为无穷大,则很可能是三极管损坏。
15.三极管的主要特性是具有______作用。( )
A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大
【答案】C
【详解】 电流放大:三极管具有电流放大作用,通过较小的基极电流变化能够控制较大的集电极电流变化,实现电流放大功能,放大倍数通常用β表示,IC=β IB,这是三极管在电子电路中用于放大信号等应用的基础。
16.三极管引脚中,电流最大的是( )
A.基极电流 B.集电极电流 C.发射极电流 D.不确定
【答案】C
【详解】三极管中,发射极电流最大。所以选择C选项。
17.设三极管的三个电极分别为a、b、c,用指针式万用表的黑表笔接a,分别用红表笔接b、c,指针偏转幅度都较大,则( )
A.该管为NPN型,a为基极 B.该管为PNP型,a为基极
C.该管为PNP型,c为基极 D.该管为NPN型,b为基极
【答案】A
【详解】将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管,a为基极;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。
18.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是( )
A.VE>VC>VB B.VC>VB>VE
C.VC<VB<VE D.VC>VE>VB
【答案】B
【详解】NPN管VC>VB>VE;PNP管VC<VB<VE。
19.下列关于三极管电流关系的表达式,正确的是( )
A.I E =I B +I C B.I C =I B +I E C.I B =I E +I C D.I E =I C -I B
【答案】A
20.三极管的参数I CM表示( )
A.集电极最大允许电流 B.集电极反向饱和电流
C.穿透电流 D.基极最大允许电流
【答案】A
2、 判断题(每小题 2 分,共 20 分。请在括号内正确的打"√",错误的打"×")
21.三极管的输入特性曲线显示了基极电流与发射结电压之间的关系。( )
【答案】正确
22.三极管由两个PN结构成,所以可选用两个二极管来构成一个三极管。( )
【答案】错误
23.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。( )
【答案】正确
24.三极管的穿透电流越小,则三极管的热稳定性越好。( )
【答案】正确
25.一般情况下,三极管的直流放大倍数与交流放大倍数近似相等。( )
【答案】错误
26.NPN型三极管当基极电位最高时,三极管工作在截止状态。( )
【答案】错误
27.三极管的基本作用是具有电流放大作用。( )
【答案】正确
28.三极管根据最大损耗曲线分为安全工作区和过损耗区。( )
【答案】正确
29.加在三极管上集电极与发射极之间的电压不能超过集—射反向击穿电压V(BR)CEO,否则管子容易击穿。( )
【答案】正确
30.值大的三极管构成的放大电路,其电压放大倍数也大。( )
【答案】错误
3、 简答题(每小题 4 分,共 12 分)
31.三极管的截止区、放大区、饱和区分别有何偏置条件?
【答案】(1)截止区:偏置条件为发射结反偏(或正偏电压<死区电压),集电结反偏;电流特性为Ib≈0、Ic≈0(仅极微小反向电流),三极管相当于“开路开关”。
(2)放大区:偏置条件为发射结正偏,集电结反偏;电流特性为Ic=βIb(Ic与Ib成线性关系),Ic几乎不受集电极电压影响,体现电流放大能力。
(2)饱和区:偏置条件为发射结正偏,集电结正偏;电流特性为Ic不再随Ib增大而增大(Ic<βIb),集电极与发射极之间压降极小(饱和压降Uces),三极管相当于“导通开关”。
32.论述三极管的主要参数对电路性能的影响。
【答案】三极管的主要参数,如最大集电极电流(ICM)、最大功耗(PD)、最大工作频率(fT)和直流电流放大系数(β或hFE),对电路性能有显著影响。最大集电极电流决定了三极管能够承受的最大电流,超过这个值可能导致三极管损坏。最大功耗限制了三极管能够安全处理的功率,超过这个值可能导致过热。最大工作频率影响三极管在高频电路中的应用,频率过高可能导致放大效果下降。直流电流放大系数则直接关系到三极管的放大能力,β值越高,放大能力越强。在设计电路时,必须考虑这些参数,以确保电路的可靠性和性能。
33.测得放大电路中三极管的两个电极的电流如图所示,分别求另一电极的电流并标出各电极,确定管型。
【答案】三极管各极电流之间的关系是: ,并且集电极电流与发射极电流近似相等,即 ,三极管各极电流方向如下图所示。
从图中可知,基极与集电极电流方向始终相同,发射极的电流方向与另外两个电极的电流方向始终相反,由此可以判断另一电极的方向,并由发射极电流方向确定管子的管型,如下图所示。
四、综合题(共 8 分)
34.电路如下图所示
(1)用直流电压表测得VCE≈VG是因为( )
A.RB开路 B.RC开路 C.VG过大 D.RB短路
(2)用直流电压表测得VCE≈0是因为( )
A.RB过大 B.β过大 C.RC短路 D.RB开路
(3)设VG=12V,RC=2 kΩ,计算得IC应为1mA,但用直流电压表测得VCE=8V,说明( )
A.工作正常 B.晶体管击穿
C.基极和发射极间短路 D.C2短路
(4)设vi=8sin100πt(mV),测得输出电压波形出现顶部削平的失真,则这种失真是( )
A.截止失真 B.饱和失真 C.频率失真 D.交越失真
(5)为消除这种失真,应该( )
A.减小VG B.增大RB C.减小RB D.增大RC
【答案】(1)A
(2)B
(3)D
(4)B
(5)C
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山东省(春季高考)电气技术类
《电子技术基础与技能》(高教版·第3版)
项目二 三极管及放大电路基础 单元过关卷
考试时间:90分钟 满分:100分
班级:__________ 姓名:__________ 学号:__________ 成绩:__________
1、 单项选择题(每小题 3 分,共 60 分)
1.如图所示电路测试晶体管时,合上开关S1、S2以后,电压表读数为1.5V,毫安表没有示数,可能是下面哪种原因( )
A.集电极内部开路 B.发射极内部开路 C.C、E间已击穿 D.发射结已击穿
2.晶体管的电流放大系数 β 是指( )
A.集电极电流与发射极电流之比 B.集电极电流与基极电流之比
C.发射极电流与基极电流之比 D.基极电流与集电极电流之比
3.固定偏置式放大电路中,三极管处于放大状态,下列哪种情况会使IC下降( )
A.VCC、RB一定,RC增大 B.VCC、RC一定,RB增大
C.RB、RC一定,VCC增大 D.VCC、RC一定,RB减小
4.三极管内部有___个PN结( )
A.1 B.2 C.3 D.0
5.三极管的主要参数中,哪个参数反映了三极管放大电流的能力( )
A.电流放大倍数 B.反向饱和电流
C.击穿电压 D.门限电压
6.三极管实现电流放大的核心条件是( )
A.发射结正偏、集电结正偏 B.发射结正偏、集电结反偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
7.三极管的核心部分是( )
A.发射区 B.基区 C.集电区 D.以上都是
8.三极管的“饱和压降Uces”是指( )
A.发射结正偏时的压降
B.饱和区时集电极与发射极之间的电压
C.放大区时集电极与发射极之间的电压
D.反向击穿时的电压
9.计算共射极电路静态工作点时,硅晶体管的 Ube 通常取( )
A.0.1~0.2V B.0.6~0.7V
C.1.0~1.2V D.2.0~2.5V
10.三极管的“穿透电流Icbo”是指( )
A.基极开路时,集电极与发射极之间的反向电流
B.发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流
C.集电极开路时,发射极与基极之间的正向电流
D.基极短路时,集电极与发射极之间的电流
11.三极管各极电位如图所示,工作在放大状态的三极管是( )
A. B. C. D.
12.若三极管工作在放大区,当Uce增大时(在一定范围内),Ic会( )
A.显著增大 B.显著减小 C.基本不变 D.先增大后减小
13.三极管中,哪个参数表示了集电极与发射极之间的最大允许电压( )
A.反向饱和电流 B.电流放大倍数
C.击穿电压 D.门限电压
14.使用万用表检测三极管时,如果测得基极与发射极之间的电阻为无穷大,则可以判断( )
A.三极管正常 B.三极管损坏
C.三极管类型无法判断 D.无法确定三极管状态
15.三极管的主要特性是具有______作用。( )
A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大
16.三极管引脚中,电流最大的是( )
A.基极电流 B.集电极电流 C.发射极电流 D.不确定
17.设三极管的三个电极分别为a、b、c,用指针式万用表的黑表笔接a,分别用红表笔接b、c,指针偏转幅度都较大,则( )
A.该管为NPN型,a为基极 B.该管为PNP型,a为基极
C.该管为PNP型,c为基极 D.该管为NPN型,b为基极
18.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是( )
A.VE>VC>VB B.VC>VB>VE
C.VC<VB<VE D.VC>VE>VB
19.下列关于三极管电流关系的表达式,正确的是( )
A.I E =I B +I C B.I C =I B +I E C.I B =I E +I C D.I E =I C -I B
20.三极管的参数I CM表示( )
A.集电极最大允许电流 B.集电极反向饱和电流
C.穿透电流 D.基极最大允许电流
2、 判断题(每小题 2 分,共 20 分。请在括号内正确的打"√",错误的打"×")
21.三极管的输入特性曲线显示了基极电流与发射结电压之间的关系。( )
22.三极管由两个PN结构成,所以可选用两个二极管来构成一个三极管。( )
23.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。( )
24.三极管的穿透电流越小,则三极管的热稳定性越好。( )
25.一般情况下,三极管的直流放大倍数与交流放大倍数近似相等。( )
26.NPN型三极管当基极电位最高时,三极管工作在截止状态。( )
27.三极管的基本作用是具有电流放大作用。( )
28.三极管根据最大损耗曲线分为安全工作区和过损耗区。( )
29.加在三极管上集电极与发射极之间的电压不能超过集—射反向击穿电压V(BR)CEO,否则管子容易击穿。( )
30.值大的三极管构成的放大电路,其电压放大倍数也大。( )
3、 简答题(每小题 4 分,共 12 分)
31.三极管的截止区、放大区、饱和区分别有何偏置条件?
32.论述三极管的主要参数对电路性能的影响。
33.测得放大电路中三极管的两个电极的电流如图所示,分别求另一电极的电流并标出各电极,确定管型。
四、综合题(共 8 分)
34.电路如下图所示
(1)用直流电压表测得VCE≈VG是因为( )
A.RB开路 B.RC开路 C.VG过大 D.RB短路
(2)用直流电压表测得VCE≈0是因为( )
A.RB过大 B.β过大 C.RC短路 D.RB开路
(3)设VG=12V,RC=2 kΩ,计算得IC应为1mA,但用直流电压表测得VCE=8V,说明( )
A.工作正常 B.晶体管击穿
C.基极和发射极间短路 D.C2短路
(4)设vi=8sin100πt(mV),测得输出电压波形出现顶部削平的失真,则这种失真是( )
A.截止失真 B.饱和失真 C.频率失真 D.交越失真
(5)为消除这种失真,应该( )
A.减小VG B.增大RB C.减小RB D.增大RC
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