第20卷 常用半导体器件(二) 广西壮族自治区(对口招生)《电工电子技术与技能》(高教版·第4版) 单元过关卷
2026-08-24
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内容正文:
广西壮族自治区(对口招生)装备制造类
《电工电子技术与技能》(高教版·第4版)
常用半导体器件(二) 单元过关卷
时间:60分钟 总分:100分
班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____
一、单项选择题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1. 在硅晶体三极管放大电路中,静态时测得集电极与发射极之间直流电压为=0.3V,则此时三极管工作于( )
A. 放大状态
B. 截止状态
C. 饱和状态
D. 导通状态
【答案】C
【解析】硅晶体三极管正常放大时,集电极与发射极之间的电压通常较大。当测得UCE=0.3V,接近饱和压降UCE(sat),说明集电结和发射结均处于正向偏置,三极管工作在饱和状态。因此应选C。
2. 数字电路中晶体管通常工作在( )
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 饱和区和截止区
【答案】D
【解析】数字电路主要实现开关功能,晶体管通常在截止区和饱和区之间转换:截止区相当于开关断开,饱和区相当于开关导通。因此应选D。
3. 如图所示电路,已知三极管VT的电流放大系数β=50,=300kΩ,=3kΩ,则三极管VT处于( )
A. 放大状态
B. 截止状态
C. 饱和状态
D. 无法确定
【答案】A
4. 下列哪项是晶体管的主要功能?( )
A. 整流
B. 稳压
C. 放大
D. 滤波
【答案】C
【解析】晶体管的主要功能是放大信号。
5. 三极管的检测方法不包括下列哪一种?( )
A. 参数检测
B. 外观检测
C. 引脚连接测试
D. 热耐压测试
【答案】D
【解析】热耐压测试不是三极管的检测方法,而是其他类型器件的测试方法。
6. 三极管的放大状态中,基极-发射极间的电压起什么作用( )
A. 控制输出电压大小
B. 控制输出电流大小
C. 控制基区厚度
D. 控制器件的稳定性
【答案】B
【解析】基极-发射极间的电压控制三极管的放大作用。
7. 如图所示放大电路中,=12V,三极管的电流放大系数β=40,=1KΩ,=300KΩ,=4KΩ,=4KΩ,则接入后电压的放大倍数为( )
A. -160
B. -80
C. -40
D. -20
【答案】B
8. 在检测三极管的好坏时,发现某两个引脚之间存在很大的电阻。这说明了什么?( )
A. 三极管完好无损
B. 其中一个PN结可能开路了
C. 三极管已经完全短路了
D. 这是正常现象,不必担心
【答案】B
【解析】在正常情况下,三极管的两个PN结应该呈现较小的正向电阻和较大的反向电阻。如果检测到某两个引脚间存在很大的电阻,可能表明相应的PN结出现了开路故障。
9. 三极管的三个引脚分别是( )
A. 基极、发射极、集电极
B. 阴极、阳极、栅极
C. 阳极、阴极、门极
D. 栅极、源极、漏极
【答案】A
【解析】三极管具有三个电极,分别是基极、发射极和集电极,通常简称为B、E、C。因此应选A。原选项D与A包含相同的三个电极,容易造成单项选择题存在两个正确选项,已将D修改为场效应管的三个电极以消除歧义。
10. 用如图所示电路测试晶体管时,合上开关S₁ 、S₂ 后,电压表读数为1.5V, 毫安培表没有指示,可 能是下面原因的那一种( )
A. 集电极内部开路
B. 发射极内部开路
C. B、E间已击穿
D. 发射结已击穿
【答案】B
11. 在NPN型晶体管中,哪个区域是发射区?( )
A. N型区靠近基极
B. P型区靠近基极
C. N型区靠近集电极
D. P型区靠近集电极
【答案】A
【解析】在NPN型晶体管中,N型区靠近基极的是发射区。
12. 关于晶体管放大作用的实质,下列说法正确的是( )
A. 晶体管可以把小能量放大成大能量
B. 晶体管可以把小电流放大成大电流
C. 晶体管可以把小电压放大成大电压
D. 晶体管可以用较小电流控制较大的电流
【答案】D
【解析】本题关键是掌掘晶体管的工作原理,弄清 IB、Ic的由来。
13. 三极管的工作状态不包括以下哪个?( )
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 恒定
【答案】D
【解析】正确答案是d)三极管的工作状态包括放大、截止和饱和
14. 如图所示电路中,若仅增大的阻值,则集成运放输出电压的值将( )
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 条件不足,无法确定
【答案】B
15. 已知某晶体管的 P CM=125mw; =125mA 、=25V。在下列条件中,正常工作的是( )
A. Ic = 130mA , = 5V
B. Ic = 50mA , =30V
C. Ic = 20mA , = 15V
D. Ic = 10mA , =12V
【答案】D
【解析】晶体管正常工作时,应满足IC不超过I_CM=125mA,功耗P=ICV_CE不超过PCM=125mW,且VCE不能超过击穿电压V_BR(CEO)=25V。A中IC=130mA超过最大集电极电流,且功耗为130mA×5V=650mW;B中功耗为50mA×30V=1.5W,且VCE>25V;C中功耗为20mA×15V=300mW,超过额定功耗;D中功耗为10mA×12V=120mW,且电流和电压均未超过额定值。因此D项正常工作。
16. 三极管是由哪些部分组成的?( )
A. 两个PN结
B. 三个PN结
C. 一个PN结
D. 两个电阻和电容器
【答案】A
【解析】三极管由两个PN结组成,中间的部分称为基区,两侧分别为发射区和集电区。
17. 场效应管的符号如图所示,它是( )
A. P沟道增强型 MOSFET
B. N沟道耗尽型 MOSFET
C. N沟道 JFET
D. N沟道增强型 MOSFE
【答案】B
18. 在三极管的工作状态中,哪个状态对应着三极管的最大放大能力?( )
A. 饱和状态
B. 截止状态
C. 放大状态
D. 中继状态
【答案】C
【解析】放大状态是三极管的最大放大能力的状态。
19. 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【答案】A
【解析】对于NPN型三极管,放大区的基本条件是发射结正向偏置、集电结反向偏置。由题给电位可得VBE=VB-VE=2.8-2.1=0.7V,发射结正向偏置;VCB=VC-VB=4.4-2.8=1.6V,集电结反向偏置。因此三极管处于放大区,应选A。
20. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是( )
A. 输入电阻
B. 输出电阻
C. 击穿电压
D. 跨导
【答案】D
【解析】场效应管的跨导gm表示输入电压变化引起漏极电流变化的能力,反映了场效应管的电压控制和放大能力,是衡量其放大能力的重要参数。因此应选D。
二、判断题(本大题共10小题,每题2分,共20分)
21. 三极管的工作状态只有截止状态和饱和状态两种。( )
【答案】错误
【解析】该说法是错误的,三极管的工作状态包括截止状态、放大状态和饱和状态。
22. 晶体管的基极电流控制集电极电流。( )
【答案】正确
【解析】晶体管的工作原理是基极电流的变化控制集电极电流的变化,这是晶体管电流放大的基础。
23. 晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( )
【答案】错误
24. 晶体管质量的判断:利用万用表测量集电结、发射结的正反向电阻;正常情况下,两个结的正反向电阻相差很大,若正反向电阻相差很小,说明晶体管损坏。( )
【答案】正确
【解析】晶体管的发射结和集电结本质上都是PN结。正常情况下,PN结正向电阻较小,反向电阻很大,正、反向电阻相差较大。若某个结的正、反向电阻均较小,说明该结可能发生击穿或短路,表明晶体管损坏。因此题述判断正确。
25. 三极管的基极电流增加会导致集电极电流成比例增加。( )
【答案】正确
【解析】晶体管工作在放大区时,集电极电流与基极电流近似满足IC=βIB,其中β在一定范围内可视为基本不变。因此在其他条件不变且未进入饱和区时,基极电流增加会使集电极电流近似成比例增加,题述判断正确。
26. 三极管工作在放大状态时,集电极电流与基极电流之间存在线性关系。 ( )
【答案】错误
【解析】虽然集电极电流受基极电流的控制,但它们之间不总是保持严格的线性关系,而是依赖于三极管的特性曲线。
27. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( )
【答案】错误
28. 一般说来,晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β增大。( )
【答案】正确
【解析】晶体管的交流电流放大系数β会受到温度影响。一般情况下,在一定温度范围内,温度升高会使载流子特性发生变化,β有所增大。因此题述“一般说来,温度升高,β增大”的判断正确。
29. 晶体管是一种半导体器件,可用于放大信号。( )
【答案】正确
【解析】晶体管由半导体材料制成,是一种具有电流控制作用的半导体器件。在合适的偏置条件下,晶体管可以利用较小的输入信号控制较大的输出信号,从而实现信号放大。因此题述判断正确。
30. 无论是 NPN型还是 PNP型三极管,当处于放大工作状态时,基极电位总是高于发射极电位,集电极电位也总是高于基极电位。( )
【答案】错误
【解析】对于NPN型三极管处于放大状态时,基极电位高于发射极电位,集电极电位高于基极电位。对于PNP型三极管,极性相反,发射极电位高于基极电位,基极电位高于集电极电位。因此题干中“无论是NPN型还是PNP型,基极和集电极电位总是较高”的说法错误。
三、简答题(本大题共3小题,每题4分,共12分)
31. 简述特征频率。
【答案】见解析
【解析】三极管的电流放大系数β与工作频率有关,当三极管的工作频率超过一定值后,若工作频率再升高,其电流放大系数会下降。特征频率是指β下降到1时三极管的工作频率,用f表示。通常将ff≤3MHz的三极管称为低频三极管,将fr>3MHz 的三极管称为高频三极管。 主要考查特征频率
32. 判断如图所示各放大电路有无放大作用,并简述理由。
【答案】见解析
【解析】(1)电路不能正常放大,因为将交流信号短路到地。(2)电路不能正常放大,因为途中三极管为PNP型,此时发射结不正偏。
33. 如果两个晶体管的共基极电流放大系数 α 分别为 0.99 和 0.98,则两个晶体管的共射极电流放大系数 β 分别为多少?若其集电极电流 =10mA,则对应的基极电流 分别为多少?
【答案】因为,。当时,,;当时,,。
【解析】共基极电流放大系数与共射极电流放大系数的关系为β=α/(1-α),且IC=βIB,所以IB=IC/β。 当α=0.99时,β=0.99/(1-0.99)=0.99/0.01=99,IB=10mA/99≈0.101mA,约为0.1mA。 当α=0.98时,β=0.98/(1-0.98)=0.98/0.02=49,IB=10mA/49≈0.204mA,约为0.2mA。题目答案中将β分别近似取为100和50,所得基极电流分别约为0.1mA和0.2mA,结论正确。
四、综合应用题(本大题共1小题,每题8分,共8分)
34. 如图所示,工作在放大状态的三极管 1、2、3为 6.82 V、2.01V、2.69 V,请问: (1)三极管是硅管还是锗管? (2)1、2、3引脚名称分别是什么? (3)是 NPN 型还是PNP 型?
【答案】(1)硅管 (2)集电极(或 C、c),发射极(或E、e),集极(或 B、b) (3)NPN型
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时间:60分钟 总分:100分
班级____ 姓名____ 学号____ 成绩____
一、单项选择题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1. 在硅晶体三极管放大电路中,静态时测得集电极与发射极之间直流电压为=0.3V,则此时三极管工作于( )
A. 放大状态
B. 截止状态
C. 饱和状态
D. 导通状态
2. 数字电路中晶体管通常工作在( )
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 饱和区和截止区
3. 如图所示电路,已知三极管VT的电流放大系数β=50,=300kΩ,=3kΩ,则三极管VT处于( )
A. 放大状态
B. 截止状态
C. 饱和状态
D. 无法确定
4. 下列哪项是晶体管的主要功能?( )
A. 整流
B. 稳压
C. 放大
D. 滤波
5. 三极管的检测方法不包括下列哪一种?( )
A. 参数检测
B. 外观检测
C. 引脚连接测试
D. 热耐压测试
6. 三极管的放大状态中,基极-发射极间的电压起什么作用( )
A. 控制输出电压大小
B. 控制输出电流大小
C. 控制基区厚度
D. 控制器件的稳定性
7. 如图所示放大电路中,=12V,三极管的电流放大系数β=40,=1KΩ,=300KΩ,=4KΩ,=4KΩ,则接入后电压的放大倍数为( )
A. -160
B. -80
C. -40
D. -20
8. 在检测三极管的好坏时,发现某两个引脚之间存在很大的电阻。这说明了什么?( )
A. 三极管完好无损
B. 其中一个PN结可能开路了
C. 三极管已经完全短路了
D. 这是正常现象,不必担心
9. 三极管的三个引脚分别是( )
A. 基极、发射极、集电极
B. 阴极、阳极、栅极
C. 阳极、阴极、门极
D. 栅极、源极、漏极
10. 用如图所示电路测试晶体管时,合上开关S₁ 、S₂ 后,电压表读数为1.5V, 毫安培表没有指示,可 能是下面原因的那一种( )
A. 集电极内部开路
B. 发射极内部开路
C. B、E间已击穿
D. 发射结已击穿
11. 在NPN型晶体管中,哪个区域是发射区?( )
A. N型区靠近基极
B. P型区靠近基极
C. N型区靠近集电极
D. P型区靠近集电极
12. 关于晶体管放大作用的实质,下列说法正确的是( )
A. 晶体管可以把小能量放大成大能量
B. 晶体管可以把小电流放大成大电流
C. 晶体管可以把小电压放大成大电压
D. 晶体管可以用较小电流控制较大的电流
13. 三极管的工作状态不包括以下哪个?( )
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 恒定
14. 如图所示电路中,若仅增大的阻值,则集成运放输出电压的值将( )
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 条件不足,无法确定
15. 已知某晶体管的 P CM=125mw; =125mA 、=25V。在下列条件中,正常工作的是( )
A. Ic = 130mA , = 5V
B. Ic = 50mA , =30V
C. Ic = 20mA , = 15V
D. Ic = 10mA , =12V
16. 三极管是由哪些部分组成的?( )
A. 两个PN结
B. 三个PN结
C. 一个PN结
D. 两个电阻和电容器
17. 场效应管的符号如图所示,它是( )
A. P沟道增强型 MOSFET
B. N沟道耗尽型 MOSFET
C. N沟道 JFET
D. N沟道增强型 MOSFE
18. 在三极管的工作状态中,哪个状态对应着三极管的最大放大能力?( )
A. 饱和状态
B. 截止状态
C. 放大状态
D. 中继状态
19. 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
20. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是( )
A. 输入电阻
B. 输出电阻
C. 击穿电压
D. 跨导
二、判断题(本大题共10小题,每题2分,共20分)
21. 三极管的工作状态只有截止状态和饱和状态两种。( )
22. 晶体管的基极电流控制集电极电流。( )
23. 晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( )
24. 晶体管质量的判断:利用万用表测量集电结、发射结的正反向电阻;正常情况下,两个结的正反向电阻相差很大,若正反向电阻相差很小,说明晶体管损坏。( )
25. 三极管的基极电流增加会导致集电极电流成比例增加。( )
26. 三极管工作在放大状态时,集电极电流与基极电流之间存在线性关系。 ( )
27. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( )
28. 一般说来,晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β增大。( )
29. 晶体管是一种半导体器件,可用于放大信号。( )
30. 无论是 NPN型还是 PNP型三极管,当处于放大工作状态时,基极电位总是高于发射极电位,集电极电位也总是高于基极电位。( )
三、简答题(本大题共3小题,每题4分,共12分)
31. 简述特征频率。
32. 判断如图所示各放大电路有无放大作用,并简述理由。
33. 如果两个晶体管的共基极电流放大系数 α 分别为 0.99 和 0.98,则两个晶体管的共射极电流放大系数 β 分别为多少?若其集电极电流 =10mA,则对应的基极电流 分别为多少?
四、综合应用题(本大题共1小题,每题8分,共8分)
34. 如图所示,工作在放大状态的三极管 1、2、3为 6.82 V、2.01V、2.69 V,请问: (1)三极管是硅管还是锗管? (2)1、2、3引脚名称分别是什么? (3)是 NPN 型还是PNP 型?
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