第20卷 三相电压与星形三角形联接 《电工基础》江苏省（职教高考）《电子电工类考纲百套卷》

编写说明：2027版江苏省（职教高考）电子电工类《考纲百套卷》，依据《江苏省电子电工专业综合理论考试大纲》编写。本专辑涵盖三个部分，第一部分为知识训练卷，第二部分为专题训练卷，第三部分为课程综合卷。本专辑共114份试卷，其中知识训练卷71份、专题训练卷28份、课程综合卷15份。 本试卷是第20卷，为知识训练卷，按《电工基础》中“三相电压与星形三角形联接”范围和要求编写。具体内容为：1、了解三相电压的产生及其表示方法。2、掌握三相对称负载星形联接和三角形联接的三相电路中线电压与相电压、线电流与相电流之间的关系。3、理解中线在电路中的作用。 江苏省电子电工类《考纲百套卷》 第20卷 电工基础——三相电压与星形三角形联接 （考试时间：45分钟 满分：100分） 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 1．场效应管是一种（　　）控制型器件。 A．电流 B．电压 C．功率 D．频率 【答案】B 【详解】场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电压控制型器件。 2．场效应管的三个电极分别是（　　） A．栅极G、漏极D、源极S B．发射极E、基极B、集电极C C．阳极A、阴极K、栅极G D．栅极G、基极B、漏极D 【答案】A 【详解】场效应管的三个电极是栅极 G、漏极 D、源极 S。 3．结型场效应管（JFET）的栅极与导电沟道之间是（　　） A．绝缘层 B．正偏的PN结 C．反偏的PN结 D．直接相连 【答案】C 【详解】结型场效应管（JFET）的栅极与导电沟道之间是一个反向偏置的 PN 结。 4．绝缘栅场效应管（MOSFET）的栅极与导电沟道之间是（　　） A．正偏的PN结 B．反偏的PN结 C．绝缘层 D．直接相连 【答案】C 【详解】绝缘栅场效应管（MOSFET）的栅极与导电沟道之间由绝缘层（SiO₂）隔离。 5．N沟道增强型MOSFET的开启电压VGS(th)为（　　） A．正值 B．负值 C．零 D．任意值 【答案】A 【详解】N 沟道增强型 MOSFET 需加正向栅源电压才能形成导电沟道，其开启电压 VGS(th) 为正值。 6．N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压VGS(OFF)为（　　） A．正值 B．负值 C．零 D．任意值 【答案】B 【详解】N 沟道耗尽型 MOSFET 需加负向栅源电压才能夹断沟道，其夹断电压 VGS(OFF) 为负值。 7．跨导gm反映的是（　　）对漏极电流的控制能力。 A．漏源电压 B．漏极电流 C．栅极电流 D．栅源电压 【答案】D 【详解】跨导 gm 反映栅源电压对漏极电流的控制能力。 8．场效应管的输入电阻（　　） A．很低 B．与三极管相当 C．很高 D．为零 【答案】C 【详解】场效应管栅极几乎不取电流，输入电阻很高。 9．场效应管与普通三极管的本质区别是（　　） A．场效应管为电压控制型，三极管为电流控制型 B．场效应管为电流控制型，三极管为电压控制型 C．两者都是电流控制型 D．两者都是电压控制型 【答案】A 【详解】场效应管为电压控制型，三极管为电流控制型，这是两者本质区别。 10．转移特性曲线是指漏源电压vDS为定值时，（　　）之间的关系曲线。 A．漏极电流iD与漏源电压vDS B．漏极电流iD与栅源电压vGS C．栅极电流iG与栅源电压vGS D．漏极电流iD与栅极电流iG 【答案】B 【详解】转移特性曲线是 vDS 为定值时，漏极电流 iD 与栅源电压 vGS 之间的关系曲线。 11．输出特性曲线是指栅源电压vGS为定值时，（　　）之间的关系曲线。 A．漏极电流iD与栅源电压vGS B．栅极电流iG与漏源电压vDS C．漏极电流iD与漏源电压vDS D．栅极电流iG与栅源电压vGS 【答案】C 【详解】输出特性曲线是 vGS 为定值时，漏极电流 iD 与漏源电压 vDS 之间的关系曲线。 12．场效应管输出特性曲线的饱和区又称（　　） A．可调电阻区 B．击穿区 C．放大区 D．恒流区 【答案】D 【详解】场效应管输出特性曲线的饱和区又称恒流区，此时 iD 基本不随 vDS 变化。 13．结型场效应管（JFET）属于（　　） A．耗尽型 B．增强型 C．既有增强型又有耗尽型 D．电流控制型 【答案】A 【详解】结型场效应管（JFET）只有耗尽型一种。 14．绝缘栅场效应管（MOSFET）分为（　　） A．NPN型和PNP型 B．增强型和耗尽型 C．硅管和锗管 D．高频管和低频管 【答案】B 【详解】绝缘栅场效应管（MOSFET）分为增强型和耗尽型两类。 15．场效应管在存放时应（　　） A．三个电极悬空 B．栅极接地 C．三个电极短路 D．栅源之间加电压 【答案】C 【详解】场效应管存放时应将三个电极短路，防止栅极感应高压击穿。 16．饱和漏极电流IDSS是指（　　）时的漏极电流。 A．vGS=VGS(th) B．vGS=VGS(OFF) C．vDS=0 D．vGS=0 【答案】D 【详解】饱和漏极电流 IDSS 是 vGS=0 时的漏极电流（耗尽型的参数）。 17．场效应管放大电路中，最常用的是（　　） A．共源放大电路 B．共栅放大电路 C．共漏放大电路 D．射极输出器 【答案】A 【详解】场效应管放大电路中，最常用的是共源放大电路（对应三极管的共射）。 18．场效应管常用于放大器的（　　） A．功率输出级 B．输入级（阻抗高、噪声低） C．整流滤波 D．振荡选频 【答案】B 【详解】场效应管输入阻抗高、噪声低，常用于放大器的输入级。 19．夹断电压VGS(OFF)是（　　）场效应管的参数。 A．增强型 B．NPN型 C．耗尽型 D．PNP型 【答案】C 【详解】夹断电压 VGS(OFF) 是耗尽型场效应管的参数。 20．开启电压VGS(th)是（　　）场效应管的参数。 A．耗尽型 B．PNP型 C．NPN型 D．增强型 【答案】D 【详解】开启电压 VGS(th) 是增强型场效应管的参数。 二、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1．场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。（　　） 【答案】正确 【详解】场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 2．场效应管的输入电阻很低。（　　） 【答案】错误 【详解】场效应管的输入电阻很高，而不是很低。 3．结型场效应管的栅极PN结工作在正偏状态。（　　） 【答案】错误 【详解】结型场效应管的栅极 PN 结工作在反偏状态。 4．绝缘栅场效应管的栅极与导电沟道之间由绝缘层隔离。（　　） 【答案】正确 【详解】绝缘栅场效应管的栅极与导电沟道之间由绝缘层隔离。 5．N沟道增强型MOSFET的开启电压为负值。（　　） 【答案】错误 【详解】N 沟道增强型 MOSFET 的开启电压为正值，不是负值。 6．场效应管在存放时，应将三个电极短路。（　　） 【答案】正确 【详解】场效应管存放时应将三个电极短路，防止栅极击穿。 7．跨导反映栅源电压对漏极电流的控制能力。（　　） 【答案】正确 【详解】跨导反映栅源电压对漏极电流的控制能力。 8．场效应管具有输入阻抗高、噪声低的优点，常用于放大器的输入级。（　　） 【答案】正确 【详解】场效应管输入阻抗高、噪声低，常用于放大器输入级。 9．N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压为正值。（　　） 【答案】错误 【详解】N 沟道耗尽型 MOSFET 的夹断电压为负值，不是正值。 10．场效应管与三极管都是电流控制型器件。（　　） 【答案】错误 【详解】场效应管是电压控制型，三极管是电流控制型，二者不同。 三、填空题（本大题共10小题，每空2分，共20分） 1．场效应管的三个电极分别是栅极、__________和源极。 【答案】漏极 【详解】场效应管三个电极为栅极、漏极和源极。 2．场效应管是利用__________电压控制漏极电流的电压控制型器件。 【答案】栅源 【详解】场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电压控制型器件。 3．夹断电压VGS(OFF)是__________型场效应管的参数。 【答案】耗尽 【详解】夹断电压 VGS(OFF) 是耗尽型场效应管的参数。 4．开启电压VGS(th)是__________型场效应管的参数。 【答案】增强 【详解】开启电压 VGS(th) 是增强型场效应管的参数。 5．跨导gm反映栅源电压对__________的控制能力。 【答案】漏极电流 【详解】跨导 gm 反映栅源电压对漏极电流的控制能力。 6．结型场效应管按导电沟道分为N沟道和__________沟道两种。 【答案】P 【详解】结型场效应管按导电沟道分为 N 沟道和 P 沟道两种。 7．绝缘栅场效应管分为增强型和__________型两种。 【答案】耗尽 【详解】绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种。 8．场效应管的输入电阻__________（填「高」或「低」）。 【答案】高 【详解】场效应管的输入电阻很高。 9．饱和漏极电流IDSS是指vGS=__________时的漏极电流。 【答案】0 【详解】饱和漏极电流 IDSS 是 vGS=0 时的漏极电流。 10．场效应管存放时应将三个电极__________。 【答案】短路 【详解】场效应管存放时应将三个电极短路。 四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 31. 某绝缘栅场效应管的输出特性曲线，试求： （1）夹断电压VGS(OFF)； （2）当vDS=5V时，饱和漏电流IDSS； （3）当vDS=5V，vGS从0V变化到-1V时的跨导gm。 答： 【答案】（1）夹断电压 VGS(OFF) 是使漏极电流 iD 减小到零（沟道夹断）时的栅源电压，应从输出特性曲线上读出 iD=0 对应的 vGS 值。 （2）饱和漏极电流 IDSS 是 vGS=0 那条输出特性曲线在饱和区（如 vDS=5 V 处）对应的漏极电流，直接从曲线读出。 （3）跨导 ，在 vDS=5 V 处，读取 vGS 由 0 V 变为 -1 V 时漏极电流的变化量 ，再除以 即得 gm。 【详解】该管为绝缘栅耗尽型场效应管（有夹断电压）。由于题目所给输出特性曲线未随卷提供，具体数值需由图中读取；上述给出标准读图与计算方法。 32. 已知某场效应管的输出特性曲线，试判断： （1）该场效应管的类型； （2）它的夹断电压VGS(OFF)或开启电压VGS(th)大约是多少； （3）若是耗尽型场效应管，当vDS=5V时，它的饱和漏极电流IDSS大约是多少。 答： 【答案】判断方法：①类型：若 vGS=0 时已有明显漏极电流（存在原始导电沟道），则为耗尽型；若 vGS=0 时 iD≈0、需加一定栅源电压才出现沟道，则为增强型。②耗尽型的夹断电压 VGS(OFF) 为使 iD→0 的 vGS 值；增强型的开启电压 VGS(th) 为使沟道开始导通的 vGS 值，均可从曲线上读出。③若为耗尽型，饱和漏极电流 IDSS 是 vGS=0 曲线在饱和区（vDS=5 V 处）的漏极电流，直接读取。 【详解】按“看 vGS=0 是否有电流”判耗尽/增强型，再从曲线读取相应参数。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2027版江苏省（职教高考）电子电工类《考纲百套卷》，依据《江苏省电子电工专业综合理论考试大纲》编写。本专辑涵盖三个部分，第一部分为知识训练卷，第二部分为专题训练卷，第三部分为课程综合卷。本专辑共114份试卷，其中知识训练卷71份、专题训练卷28份、课程综合卷15份。 本试卷是第20卷，为知识训练卷，按《电工基础》中“三相电压与星形三角形联接”范围和要求编写。具体内容为：1、了解三相电压的产生及其表示方法。2、掌握三相对称负载星形联接和三角形联接的三相电路中线电压与相电压、线电流与相电流之间的关系。3、理解中线在电路中的作用。 江苏省电子电工类《考纲百套卷》 第20卷 电工基础——三相电压与星形三角形联接 （考试时间：45分钟 满分：100分） 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 1．场效应管是一种（　　）控制型器件。 A．电流 B．电压 C．功率 D．频率 2．场效应管的三个电极分别是（　　） A．栅极G、漏极D、源极S B．发射极E、基极B、集电极C C．阳极A、阴极K、栅极G D．栅极G、基极B、漏极D 3．结型场效应管（JFET）的栅极与导电沟道之间是（　　） A．绝缘层 B．正偏的PN结 C．反偏的PN结 D．直接相连 4．绝缘栅场效应管（MOSFET）的栅极与导电沟道之间是（　　） A．正偏的PN结 B．反偏的PN结 C．绝缘层 D．直接相连 5．N沟道增强型MOSFET的开启电压VGS(th)为（　　） A．正值 B．负值 C．零 D．任意值 6．N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压VGS(OFF)为（　　） A．正值 B．负值 C．零 D．任意值 7．跨导gm反映的是（　　）对漏极电流的控制能力。 A．漏源电压 B．漏极电流 C．栅极电流 D．栅源电压 8．场效应管的输入电阻（　　） A．很低 B．与三极管相当 C．很高 D．为零 9．场效应管与普通三极管的本质区别是（　　） A．场效应管为电压控制型，三极管为电流控制型 B．场效应管为电流控制型，三极管为电压控制型 C．两者都是电流控制型 D．两者都是电压控制型 10．转移特性曲线是指漏源电压vDS为定值时，（　　）之间的关系曲线。 A．漏极电流iD与漏源电压vDS B．漏极电流iD与栅源电压vGS C．栅极电流iG与栅源电压vGS D．漏极电流iD与栅极电流iG 11．输出特性曲线是指栅源电压vGS为定值时，（　　）之间的关系曲线。 A．漏极电流iD与栅源电压vGS B．栅极电流iG与漏源电压vDS C．漏极电流iD与漏源电压vDS D．栅极电流iG与栅源电压vGS 12．场效应管输出特性曲线的饱和区又称（　　） A．可调电阻区 B．击穿区 C．放大区 D．恒流区 13．结型场效应管（JFET）属于（　　） A．耗尽型 B．增强型 C．既有增强型又有耗尽型 D．电流控制型 14．绝缘栅场效应管（MOSFET）分为（　　） A．NPN型和PNP型 B．增强型和耗尽型 C．硅管和锗管 D．高频管和低频管 15．场效应管在存放时应（　　） A．三个电极悬空 B．栅极接地 C．三个电极短路 D．栅源之间加电压 16．饱和漏极电流IDSS是指（　　）时的漏极电流。 A．vGS=VGS(th) B．vGS=VGS(OFF) C．vDS=0 D．vGS=0 17．场效应管放大电路中，最常用的是（　　） A．共源放大电路 B．共栅放大电路 C．共漏放大电路 D．射极输出器 18．场效应管常用于放大器的（　　） A．功率输出级 B．输入级（阻抗高、噪声低） C．整流滤波 D．振荡选频 19．夹断电压VGS(OFF)是（　　）场效应管的参数。 A．增强型 B．NPN型 C．耗尽型 D．PNP型 20．开启电压VGS(th)是（　　）场效应管的参数。 A．耗尽型 B．PNP型 C．NPN型 D．增强型 二、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1．场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。（　　） 2．场效应管的输入电阻很低。（　　） 3．结型场效应管的栅极PN结工作在正偏状态。（　　） 4．绝缘栅场效应管的栅极与导电沟道之间由绝缘层隔离。（　　） 5．N沟道增强型MOSFET的开启电压为负值。（　　） 6．场效应管在存放时，应将三个电极短路。（　　） 7．跨导反映栅源电压对漏极电流的控制能力。（　　） 8．场效应管具有输入阻抗高、噪声低的优点，常用于放大器的输入级。（　　） 9．N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压为正值。（　　） 10．场效应管与三极管都是电流控制型器件。（　　） 三、填空题（本大题共10小题，每空2分，共20分） 1．场效应管的三个电极分别是栅极、__________和源极。 2．场效应管是利用__________电压控制漏极电流的电压控制型器件。 3．夹断电压VGS(OFF)是__________型场效应管的参数。 4．开启电压VGS(th)是__________型场效应管的参数。 5．跨导gm反映栅源电压对__________的控制能力。 6．结型场效应管按导电沟道分为N沟道和__________沟道两种。 7．绝缘栅场效应管分为增强型和__________型两种。 8．场效应管的输入电阻__________（填「高」或「低」）。 9．饱和漏极电流IDSS是指vGS=__________时的漏极电流。 10．场效应管存放时应将三个电极__________。 四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 31. 某绝缘栅场效应管的输出特性曲线，试求： （1）夹断电压VGS(OFF)； （2）当vDS=5V时，饱和漏电流IDSS； （3）当vDS=5V，vGS从0V变化到-1V时的跨导gm。 答： 32. 已知某场效应管的输出特性曲线，试判断： （1）该场效应管的类型； （2）它的夹断电压VGS(OFF)或开启电压VGS(th)大约是多少； （3）若是耗尽型场效应管，当vDS=5V时，它的饱和漏极电流IDSS大约是多少。 答： 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $