第15卷 纯电阻纯电感纯电容电路 《电工基础》江苏省(职教高考)《电子电工类考纲百套卷》
2026-08-23
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内容正文:
编写说明:2027版江苏省(职教高考)电子电工类《考纲百套卷》,依据《江苏省电子电工专业综合理论考试大纲》编写。本专辑涵盖三个部分,第一部分为知识训练卷,第二部分为专题训练卷,第三部分为课程综合卷。本专辑共114份试卷,其中知识训练卷71份、专题训练卷28份、课程综合卷15份。
本试卷是第15卷,为知识训练卷,按《电工基础》中“纯电阻纯电感纯电容电路”范围和要求编写。具体内容为:3、理解电阻、电感和电容在直流电路和交流电路中的作用。4、熟练掌握纯电阻电路、纯电感电路和纯电容电路中电流和电压的关系及功率。
江苏省电子电工类《考纲百套卷》
第15卷 电工基础——纯电阻纯电感纯电容电路
(考试时间:45分钟 满分:100分)
一、单项选择题(本大题共18小题,每小题2分,共36分)
1.给PN结加正向偏置的正确做法是( )
A.P区接电源负极,N区接电源正极
B.P区和N区都接电源正极
C.P区接电源正极,N区接电源负极
D.P区和N区都接电源负极
2.关于PN结单向导电性的说法,正确的是( )
A.PN结正向偏置时电阻大,反向偏置时电阻小
B.PN结正向偏置时电流容易通过,反向偏置时电流难以通过
C.PN结正向偏置和反向偏置时都能自由导通电流
D.PN结正向偏置时电流无法通过,反向偏置时电流能通过
3.下列现象中,利用了PN结单向导电性的是( )
A.电容器充电
B.二极管整流
C.电阻发热
D.电感储能
4.硅二极管各级电位如图所示,工作在导通状态的是( )
A. B. C. D.
5.PN结正向导通时,电流的主要形成原因是( )
A.少数载流子的漂移运动
B.多数载流子的扩散运动
C.离子的定向移动
D.电子的热运动
6.如图所示电路,二极管 VD1和 VD2的工作状态为( )
A.VD1、VD2都截止
B.VD1截止、VD2导通
C.VD1、VD2都导通
D.VD2截止、VD1导通
7.晶体二极的内部,P区多数载流子是_____,N区多数载流子是______。( )
A.空穴;电子
B.电子;空穴
C.空穴;空穴
D.电子;电子
8.当二极管处于导通状态时,流过的电流增加20%(额定范围内),此时二极管两端电压( )
A.增加20%
B.增加略大于20%
C.增加略小于20%
D.几乎不增加
9.晶体二极管内阻( )
A.是常数
B.不是常数
C.不确定
D.没有电阻
10.晶体二极管的主要特性是( )
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
11.对于晶体二极管,如果正极电位较负极电位更低,则该二极管处于什么状态?( )
A.正向偏置
B.内部正向偏置
C.反向偏置
D.不偏置
12.晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于( )
A.零偏
B.反偏
C.正偏
D.以上均不正确
13.如果硅晶体二极管的正极电位是0.7V,负极电位是0.8V,那么这个二极管处于什么状态?( )
A.导通,相当于小阻值电阻
B.截止,相当于阻值很大的电阻
C.饱和,相当于导线
D.反向偏置
14.根据晶体二极管的伏安特性的正向区,晶体二极管导通时相当于( )
A.大电阻
B.小电
C.断开的开关
D.接通的开关
15.晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体管处于( )
A.正偏
B.反偏
C.零偏
D.不确定
16.稳压二极管正常工作时,应工作在 区域( )
A.正向导通区
B.反向截止区
C.反向击穿区
D.饱和区
17.当晶体二极管正向电压小于门槛电压时,二极管V截止,正向电流为( )
A.0 B.0.5 C.0.7 D.0.6
18.当硅晶体二极管加上0.3V 正向电压时,该二极管呈现( )
A.小阻值
B.大阻值
C.阻值为0D.阻值为∞
二、填空题(本大题共8小题,每空2分,共32分)
19.PN结的单向导电特性是由__________决定的。
20.PN 结具有__________导电性,即正向导通,反向截止。
21.二极管最主要的特性是__________性,其含义是当二极管的正极接电源__________,负极接电源__________时,二极管将处于导通状态;电源极性与上述相反,则二极管处于__________状态。
22.硅二极管的正极电位是-11V,负极电位是-10.3V,则该晶体二极管处于__________状态。
23.在如图所示二极管的伏安特性曲线中,A是__________半导体材料。
24.晶体二极管因加反向电压过大而击穿,并且出现__________的现象,称为__________。
25.二极管最主要的特性是__________。二极管的伏安特性曲线是描述__________关系的曲线。
26.硅二极管导通时的正向压降为__________伏,锗二极管导通时的正向压降为__________伏。
三、判断题(本大题共6小题,每小题2分,共12分)
27.一般情况下,锗二极管的导通电压比硅二极管的导通电压高。( )
28.硅二极管的正向导通电压通常在1.7V左右。( )
29.二极管的伏安特性曲线显示了其正向导通和反向截止的特性。( )
30.将PN结的P区接电源正极,N区接电源负极,称为给PN结正向偏置。( )
31.对于实际的晶体二极管,当加上正向电压时它立即导通,当加上反向电压时,它立即截止。( )
32.用数字万用表识别晶体二极管的极性时,若测的是晶体管的正向电阻,那么与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极,另一端是负极。( )
四、简答题(本大题共4小题,每小题5分,共20分)
33.简述晶体二极管的单向导电性。
34.什么是二极管的死区电压?硅管和锗管的死区电压、正向导通压降通常分别为多少?
35.晶体二极管的主要参数。
36.二极管电路如图所示,判断图中二极管的状态是导通还是截止,并求出输出电压。(设二极管的导通电压可忽略不计)
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编写说明:2027版江苏省(职教高考)电子电工类《考纲百套卷》,依据《江苏省电子电工专业综合理论考试大纲》编写。本专辑涵盖三个部分,第一部分为知识训练卷,第二部分为专题训练卷,第三部分为课程综合卷。本专辑共114份试卷,其中知识训练卷71份、专题训练卷28份、课程综合卷15份。
本试卷是第15卷,为知识训练卷,按《电工基础》中“纯电阻纯电感纯电容电路”范围和要求编写。具体内容为:3、理解电阻、电感和电容在直流电路和交流电路中的作用。4、熟练掌握纯电阻电路、纯电感电路和纯电容电路中电流和电压的关系及功率。
江苏省电子电工类《考纲百套卷》
第15卷 电工基础——纯电阻纯电感纯电容电路
(考试时间:45分钟 满分:100分)
一、单项选择题(本大题共18小题,每小题2分,共36分)
1.给PN结加正向偏置的正确做法是( )
A.P区接电源负极,N区接电源正极
B.P区和N区都接电源正极
C.P区接电源正极,N区接电源负极
D.P区和N区都接电源负极
【答案】C
2.关于PN结单向导电性的说法,正确的是( )
A.PN结正向偏置时电阻大,反向偏置时电阻小
B.PN结正向偏置时电流容易通过,反向偏置时电流难以通过
C.PN结正向偏置和反向偏置时都能自由导通电流
D.PN结正向偏置时电流无法通过,反向偏置时电流能通过
【答案】B
3.下列现象中,利用了PN结单向导电性的是( )
A.电容器充电
B.二极管整流
C.电阻发热
D.电感储能
【答案】B
4.硅二极管各级电位如图所示,工作在导通状态的是( )
A. B. C. D.
【答案】D
5.PN结正向导通时,电流的主要形成原因是( )
A.少数载流子的漂移运动
B.多数载流子的扩散运动
C.离子的定向移动
D.电子的热运动
【答案】B
6.如图所示电路,二极管 VD1和 VD2的工作状态为( )
A.VD1、VD2都截止
B.VD1截止、VD2导通
C.VD1、VD2都导通
D.VD2截止、VD1导通
【答案】D
7.晶体二极的内部,P区多数载流子是_____,N区多数载流子是______。( )
A.空穴;电子
B.电子;空穴
C.空穴;空穴
D.电子;电子
【答案】A
8.当二极管处于导通状态时,流过的电流增加20%(额定范围内),此时二极管两端电压( )
A.增加20%
B.增加略大于20%
C.增加略小于20%
D.几乎不增加
【答案】D
【详解】二极管正向导通后,电流在额定范围内增加时,其正向压降变化很小,因此选D。
9.晶体二极管内阻( )
A.是常数
B.不是常数
C.不确定
D.没有电阻
【答案】B
10.晶体二极管的主要特性是( )
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
【答案】C
【详解】晶体二极管的主要特性是单向导电特性,即电流只能从二极管的正极流向负极,而不能反向流动。
11.对于晶体二极管,如果正极电位较负极电位更低,则该二极管处于什么状态?( )
A.正向偏置
B.内部正向偏置
C.反向偏置
D.不偏置
【答案】C
【详解】当晶体二极管的正极电位比负极电位更低时,这意味着正极电位相对于负极更为负,二极管处于反向偏置状态。
因此,正确答案是 C。
12.晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于( )
A.零偏
B.反偏
C.正偏
D.以上均不正确
【答案】B
【详解】因为-5>-10,所以二极管是反偏。
13.如果硅晶体二极管的正极电位是0.7V,负极电位是0.8V,那么这个二极管处于什么状态?( )
A.导通,相当于小阻值电阻
B.截止,相当于阻值很大的电阻
C.饱和,相当于导线
D.反向偏置
【答案】B
【详解】在这种情况下,正极电位比负极电位低,不符合导通条件,因此该硅晶体二极管处于截止状态,相当于阻值很大的电阻。
正确答案是 B。
14.根据晶体二极管的伏安特性的正向区,晶体二极管导通时相当于( )
A.大电阻
B.小电
C.断开的开关
D.接通的开关
【答案】D
15.晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体管处于( )
A.正偏
B.反偏
C.零偏
D.不确定
【答案】B
16.稳压二极管正常工作时,应工作在 区域( )
A.正向导通区
B.反向截止区
C.反向击穿区
D.饱和区
【答案】C
17.当晶体二极管正向电压小于门槛电压时,二极管V截止,正向电流为( )
A.0 B.0.5 C.0.7 D.0.6
【答案】A
18.当硅晶体二极管加上0.3V 正向电压时,该二极管呈现( )
A.小阻值
B.大阻值
C.阻值为0D.阻值为∞
【答案】B
二、填空题(本大题共8小题,每空2分,共32分)
19.PN结的单向导电特性是由__________决定的。
【答案】内建电场
20.PN 结具有__________导电性,即正向导通,反向截止。
【答案】单向
21.二极管最主要的特性是__________性,其含义是当二极管的正极接电源__________,负极接电源__________时,二极管将处于导通状态;电源极性与上述相反,则二极管处于__________状态。
【答案】 单向导电性 正极 负极 不导电
22.硅二极管的正极电位是-11V,负极电位是-10.3V,则该晶体二极管处于__________状态。
【答案】截止
23.在如图所示二极管的伏安特性曲线中,A是__________半导体材料。
【答案】锗
24.晶体二极管因加反向电压过大而击穿,并且出现__________的现象,称为__________。
【答案】 烧毁 热击穿
25.二极管最主要的特性是__________。二极管的伏安特性曲线是描述__________关系的曲线。
【答案】 单向导电性 加在二极管两端的电压与流过二极管中的电流
26.硅二极管导通时的正向压降为__________伏,锗二极管导通时的正向压降为__________伏。
【答案】 0.7 0.3
【详解】硅二极管导通时的正向压降为0.7伏,锗二极管导通时的正向压降为0.3伏。
三、判断题(本大题共6小题,每小题2分,共12分)
27.一般情况下,锗二极管的导通电压比硅二极管的导通电压高。( )
【答案】错误
28.硅二极管的正向导通电压通常在1.7V左右。( )
【答案】错误
29.二极管的伏安特性曲线显示了其正向导通和反向截止的特性。( )
【答案】正确
30.将PN结的P区接电源正极,N区接电源负极,称为给PN结正向偏置。( )
【答案】正确
31.对于实际的晶体二极管,当加上正向电压时它立即导通,当加上反向电压时,它立即截止。( )
【答案】错误
32.用数字万用表识别晶体二极管的极性时,若测的是晶体管的正向电阻,那么与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极,另一端是负极。( )
【答案】正确
四、简答题(本大题共4小题,每小题5分,共20分)
33.简述晶体二极管的单向导电性。
【答案】晶体二极管最主要的特性是单向导电性,具体表现为:当二极管外加正向电压(即P区接电源正极,N区接电源负极)时,二极管呈现很小的电阻,处于导通状态,电路中有较大电流通过;当二极管外加反向电压时,二极管呈现很大的电阻,处于截止状态,电路中仅有及其微弱的反向饱和电流(通常可忽略不计)。
34.什么是二极管的死区电压?硅管和锗管的死区电压、正向导通压降通常分别为多少?
【答案】死区电压是二极管正向导通前,外加正向电压不足以抵消内电场,正向电流极小的“门槛电压”。
硅管:死区电压约0.5V,正向导通压降约0.7V;
锗管:死区电压约0.1V,正向导通压降约0.2V。
35.晶体二极管的主要参数。
【答案】(1)最大整流电流:二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
(2)最高反向工作电压:二极管允许承受的反向工作电压峰值。
(3)反向漏电流:规定的反向电压和环境温度下,二极管反向电流值。
36.二极管电路如图所示,判断图中二极管的状态是导通还是截止,并求出输出电压。(设二极管的导通电压可忽略不计)
【答案】(a)导通,;
(b)不导通,;
(c)导通,;
(d)不导通,
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