专题06 物质结构：晶胞、电子排布、晶体性质（专项训练）（黑吉辽蒙专用）2026年高考化学真题题源解密

**基本信息** 以新型材料为情境，系统整合晶胞识图、电子排布与晶体性质，通过考情-真题-模拟三级训练，提炼微观模型认知与知识关联方法，强化科学思维与化学观念。 **专项设计** |模块|题量/典例|方法提炼|知识逻辑| |----|-----------|----------|----------| |考情概览|3考向统计|命题规律锁定，侧重识图与应用|晶体类型-结构-性质递进| |真题研析|2026黑吉辽蒙卷2题|陌生晶胞信息提取，一题多考拆解|电子排布-配位数-作用力关联| |5年真题精炼|2022-2025年5题|微粒计数与简单计算技巧|晶胞参数与密度计算推导| |模拟探源|10道模拟题|新型材料情境迁移，空穴率等新考法|缺陷晶体与实际应用拓展|

专题06 物质结构：晶胞、电子排布、晶体性质 内容导览 考情概览：摸清命题规律，锁定复习重点 2026真题研析：拆解最新真题，示范分析路径 5年真题精炼：精练近年真题，吃透常见考法 最新模拟探源：跟进模拟新题，预判考查风向 命题解读 考向 近五年考查统计 该类试题以新型超导材料、二维金属、特殊氧化物晶体为情境，考查原子简化电子排布、周期表分区、晶体类型与性质、晶胞配位数、简单晶胞参数计算。命题选用课本以外的陌生晶胞结构图，侧重识图分析，不完全依赖复杂计算；常结合共价晶体、金属晶体的物理性质设置选项，区分不同晶体微粒间作用力差异。难度中等，部分选项有一定区分度，考查考生读取晶胞图像信息、微观结构模型认知能力。 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 2026・黑吉辽蒙卷T7 2022・辽宁卷T7 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2026・黑吉辽蒙卷T9 2025・黑吉辽蒙卷T9 2024・黑吉辽蒙卷T14 2023・辽宁卷T14 考向三 晶胞简单计算、晶体作用力分析 2025・黑吉辽蒙卷T9 2024・黑吉辽蒙卷T14 2023・辽宁卷T14 近年高考黑吉辽蒙卷化学试题常考查电子排布、晶体性质、晶胞相关判断，试题以新型超导材料、陌生氧化物晶体为真实载体，创设晶体微观识图情境，将晶体结构知识与图像信息深度融合，避免复杂繁琐晶胞计算，侧重 “晶体知识在陌生材料中的应用”。例如以 “新型功能晶体” 为背景，考查电子排布、晶体物理性质、配位数判断；考点交叉融合，一题多考：一道题目往往同时考查多个知识点，如周期表分区、微粒间作用力、晶胞结构识别、晶体性质差异等，强调知识的关联性与综合运用能力；难度中等、定位为中档选择题：该板块试题属于试卷中部选择题，依托陌生晶胞图，考查物质结构必备知识，重点考查考生图像读取与微观模型认知能力。 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 1.（2026·黑吉辽蒙卷）大面积单原子层二维金属制备过程示意图如下。下列说法错误的是 A. 位于周期表第四周期第ⅢA族，其简化电子排布式为 B. 蓝宝石砧座的硬度高，其主要成分可当作共价晶体 C. 常温常压下，等物质的量的能量高于晶体 D. 的一个基本结构单元为 解题关键 辨析核外简化电子排布、晶体类型判断、物质能量高低、二维晶胞基本结构单元。 A 不符合题意 Ga位于元素周期表第四周期第ⅢA族，电子排布式为，简化后的电子排布式为。 B 符合题意 由于蓝宝石砧座的硬度高，符合共价晶体的性质特征，故其主要成分可当作共价晶体。 C 符合题意 由图知，由制作的过程需要加热熔化并挤压，该过程为吸热过程，故等物质的量的能量高于晶体。 D 符合题意 由大面积单原子层二维金属俯视放大图可知，为密排的二维结构，则一个基本结构单元为。 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2.（2026·黑吉辽蒙卷）金属钒（立方晶胞，Ⅰ）和硅粉高温熔炼可制取传统超导材料（立方晶胞，Ⅱ）。已知此体系中紧邻钒原子间的距离变短可增强超导性能。下列说法错误的是 A. B. 与紧邻的有12个 C. 晶胞中的价层电子总数为19 D. 的超导性质优于金属钒 解题关键 晶胞均摊法计算化学式、配位数判断、价层电子总数计算、结合题干信息比较超导性能。 A选项 符合题意 晶胞Ⅱ中，白球（）的个数为，灰球（）的个数为，因此。 B选项 符合题意 以晶胞内部的为例，周围等距紧邻的共12个，因此与紧邻的为12个。 C选项 不符合题意 是第ⅤB族元素，每个价层电子数为5；是第ⅣA族元素，每个价层电子数为4。该晶胞含6个、2个，总价层电子总数。 D选项 符合题意 金属钒晶胞Ⅰ中紧邻间距为体对角线的一半，计算可知：，中紧邻间距为，由题干可知，紧邻钒原子间的距离变短可增强超导性能距离更短，因此的超导性质优于金属钒。 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 1. （2022·辽宁·高考真题）理论化学模拟得到一种离子，结构如图。下列关于该离子的说法错误的是 A. 所有原子均满足8电子结构 B. N原子的杂化方式有2种 C. 空间结构为四面体形 D. 常温下不稳定 【答案】B 【解析】A．由的结构式可知，所有N原子均满足8电子稳定结构，A正确； B．中心N原子为杂化，与中心N原子直接相连的N原子为杂化，与端位N原子直接相连的N原子为杂化，端位N原子为杂化，则N原子的杂化方式有3种，B错误； C．中心N原子为杂化，则其空间结构为四面体形，C正确； D．中含叠氮结构()，常温下不稳定，D正确； 故答案选B。 考向一 晶胞识图、配位数、微粒计数 2．（2023·辽宁·高考真题）晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1)，进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是 A. 图1晶体密度为g∙cm-3 B. 图1中O原子的配位数为6 C. 图2表示的化学式为 D. 取代产生的空位有利于传导 【答案】C 【解析】A．根据均摊法，图1的晶胞中含Li：8×+1=3，O：2×=1，Cl：4×=1，1个晶胞的质量为g=g，晶胞的体积为(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3，则晶体的密度为g÷(a3×10-30cm3)=g/cm3，A项正确； B．图1晶胞中，O位于面心，与O等距离最近的Li有6个，O原子的配位数为6，B项正确； C．根据均摊法，图2中Li：1，Mg或空位为8×=2。O：2×=1，Cl或Br：4×=1，Mg的个数小于2，根据正负化合价的代数和为0，图2的化学式为LiMgOClxBr1-x，C项错误； D．进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料，说明Mg2+取代产生的空位有利于Li+的传导，D项正确； 答案选C。 考向二 晶胞简单计算、晶体作用力分析 3．（2025·黑吉辽蒙·高考真题）晶体因x变化形成空位而导致颜色各异，当时，其立方晶胞结构如图。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A. 与W最近且等距的O有6个 B. x增大时，W的平均价态升高 C. 密度为时， D. 空位数不同，吸收的可见光波长不同 【答案】B 【解析】A．W位于立方体的顶角，以顶角W为例，在此晶胞内，离该顶角最近且距离相等的O原子位于该顶角所在3条棱的棱心，由于该顶角在8个晶胞里，而棱上的原子被4个晶胞共有，所以与W最近且距离相等的O原子有，故A正确； B．O元素化合价为-2价，负化合价总数为-6，设W元素的平均化合价为y，据正负化合价代数和为0可得：-6+y+x=0，y=6-x，x的值增大y减小，即W元素的平均化合价降低，故B错误； C．时，立方晶胞中W个数为、O个数为，若x=0.5，晶胞质量为，晶胞体积为，则密度，所以密度为时，x=0.5，故C正确； D．晶体因x变化形成空位而导致颜色各异，即空位数不同，吸收的可见光波长不同，故D正确； 故答案为：B。 4. （2024·黑吉辽蒙卷）某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 A. 结构1钴硫化物的化学式为 B. 晶胞2中S与S的最短距离为 C. 晶胞2中距最近的S有4个 D. 晶胞2和晶胞3表示同一晶体 【答案】B 【解析】A．由均摊法得，结构1中含有Co的数目为，含有S的数目为，Co与S的原子个数比为9：8，因此结构1的化学式为Co9S8，故A正确； B．由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为：，故B错误； C．如图：，以图中的Li为例，与其最近的S共4个，故C正确； D．如图，当2个晶胞2放在一起时，图中红框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶体，故D正确； 故选B。 1．（2026·辽宁辽阳·一模）的晶胞形状为立方体，边长为a nm，结构如图所示。已知：的摩尔质量为M g/mol，阿伏加德罗常数的值为。下列说法不正确的是 A．图中黑球表示 B．该晶体的密度为 C．黑球的配位数为8 D．两个白球的最近距离为 【答案】D 【详解】A．晶胞中黑球数目为，白球数目为8，二者比例为1:2，符合中与的比例，故黑球表示，A正确； B．晶胞中含4个，晶胞质量为，晶胞边长为，体积为，密度为，B正确； C．黑球为，每个黑球被8个晶胞共有，每个晶胞的小立方体中均有一个白球（），故阴离子配位数为8，C正确； D．白球为，填充在每个晶胞的小立方体的中心，所以两个最近的白球距离应为晶胞边长的一半，为，D错误； 故选D。 2．（2026·吉林·三模）铜的化合物种类繁多，在人类的生产生活中有着广泛的应用。实验测得一种铜与溴形成的化合物的沸点为1345℃，其晶胞结构如图所示（晶体的密度为，设为阿伏加德罗常数的值）。下列说法正确的是 A．已知原子分数坐标：A点为，则B点的原子分数坐标为 B．晶体中与Br最近且距离相等的Br有4个 C．Cu与Br之间的最短距离为 D．该晶胞沿z轴方向上的投影图为 【答案】C 【详解】A．A点坐标为，晶胞边长为单位1，该晶胞中B点的Br位于四面体空隙，与其相连的顶点坐标为，所以B点坐标为，A错误； B．由图可知，相邻两个Br最近的距离是面对角线的一半，Br位于四面体空隙，晶体中与Br最近且距离相等的Br数目为12，B错误； C．晶胞质量，由得晶胞边长。Cu与Br的最短距离为晶胞体对角线的，体对角线长为，因此最短距离为，C正确； D．沿z轴投影时，四个Br的投影坐标应为、、、，Cu位于4个顶点和4条棱的中点和面心，与选项D给出的投影图不符，因此D错误； 故选C。 3．（2026·辽宁朝阳·三模）气态 AlCl3通常以二聚体Al2Cl6的形式存在，其空间结构如图a．AlF3的熔点为1090℃，其晶胞结构如图b，属于立方晶胞，晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．AlCl3的熔点低于AlF3 B．Al2Cl6分子中有配位键 C．AlF3中F-的配位数为2 D．AlF3晶体的密度可表示为： 【答案】D 【详解】A．是分子晶体，靠分子间作用力结合；是离子晶体，靠离子键结合；分子晶体的熔点远低于离子晶体，A正确； B．的结构中，每个Al原子与4个Cl原子成键，该结构中2个Cl原子提供孤电子对与Al原子的空轨道形成配位键，所以分子中存在配位键，B正确； C．从的晶胞结构可以看出，位于晶胞的棱上，每个周围距离最近的有2个，因此F-的配位数为2，C正确； D．根据均摊法，1个晶胞里有一个，1 pm= cm，故密度计算式为，D错误； 故答案选D。 4．（2026·辽宁锦州·二模）新型半导体芯片材料由层与层交替堆叠而形成，磷掺杂后产生氧空位，获得了更高性能，其晶体结构如图所示。下列说法正确的是 A．该晶体层间靠范德华力维系 B．掺杂前该晶胞沿轴方向在平面的投影为 C．掺杂前晶体中，与最近且等距的为3个 D．磷掺杂后，化学式可表示为，则 【答案】B 【详解】A．该晶体中层带负电，层带正电，层间靠静电作用维系，故A错误； B．沿z轴投影到平面：Se位于晶胞的顶点位置，投影重叠在四个角，四个角为重叠的Se，Bi位于晶胞内部，两层Bi投影重叠在中心，O2-在面上，投影位于四条边的中点，故B正确； C．每个Bi3+周围最近且等距的O2-在棱上，应为4个，故C错误； D．磷掺杂后,化学式为，根据化合价代数和为零，Bi为+3价，O为-2价，Se为-2价，P掺杂后通常显-3价，则有，解得2a=3b，即，故D错误； 选B。 5．（2026·内蒙古乌兰察布·二模）六方氮化硼晶体中，氮硼交替形成层状结构如图所示，与石墨相似，具有层状结构，可作高温润滑剂，熔点低于石墨，不能导电。下列说法错误的是 A．距离B原子最近的B原子个数为6 B．氮化硼中的B-N键长小于石墨中的键长 C．该晶体层间存在范德华力 D．的电负性大，电子定域在原子周围，六方氮化硼晶体中没有自由电子 【答案】B 【详解】A．六方氮化硼晶体中，B原子与N原子交替排列形成层状结构，1个B原子为3个六边形共用，每个六边形中有2个B原子与共用B原子等距，距离B原子最近的B原子个数为6，A正确； B．键长取决于成键原子的半径。B原子半径大于C原子半径，N原子半径与C原子半径相差不大，因此B-N键长大于石墨中的C-C键长，B错误； C．六方氮化硼与石墨结构相似，属于混合型晶体，层与层之间依靠范德华力结合，C正确； D．N的电负性大，B、N原子间形成共价键后，电子对偏向N原子，电子在N原子周围，晶体中无自由电子，因此六方氮化硼不能导电，D正确； 故答案选B。 6．（2026·内蒙古兴安·二模）氧元素是地球上存在最广泛的元素，也是与生命活动息息相关的主要元素，其单质及化合物在多方面具有重要应用。氧能与大部分元素形成氧化物如等；过氧化物如等可以作为优秀的氧化剂。下列说法正确的是 A．互为同素异形体 B．分子中σ键和π键数目比为2:1 C．分子中键角大小： D．如图所示晶胞中有4个铜原子 【答案】D 【详解】A．是质子数相等、中子数不等的原子，互为同位素，故A错误     B．分子的结构式为O=C=O，σ键和π键数目比为1:1，故B错误； C．SO2、SO3分子中S原子价电子对数均为3，SO2分子中S原子有1个孤电子对，SO3分子中S原子没有孤电子对，所以分子中键角大小为SO2<SO3，故C错误； D．根据均摊原则，晶胞中黑球数目为4，白球数目为，根据的化学式可知，黑球表示Cu、白球表示O，则晶胞中有4个铜原子，故D正确； 选D。 7．（2026·内蒙古兴安·二模）从微观视角探析物质结构及性质是学习化学的有效方法。下列实例与解释不符的是 选项 实例 解释 A 键角依次减小 孤电子对与成键电子对的斥力大于成键电子对之间的斥力 B 原子光谱是不连续的线状谱线 原子的能级是量子化的 C 逐个断开中的C-H键，每步所需能量不同 各步中的C-H键所处化学环境不同 D CsCl晶体中、与8个配位，而NaCl晶体中与6个配位 比的半径大 A．A B．B C．C D．D 【答案】A 【详解】A．中心C为杂化、中心C为杂化、中心C为杂化，键角减小是杂化类型不同导致，和孤电子对斥力无关，A错误； B．原子的能级是量子化（不连续）的，电子跃迁时吸收或释放的能量是特定值，因此原子光谱为不连续的线状谱线，B正确； C．每断开一个键后，剩余C原子周围的化学环境发生变化，剩余键所处化学环境不同，因此断开每步所需能量不同，C正确； D．离子晶体配位数与正负离子半径比有关，半径比大，中更大，配位数更高，D正确； 故选A。 8．（2026·黑龙江哈尔滨·三模）由构成的晶体出现氧空位后，晶体具有一定的超导性，该四方晶体的晶胞结构如图所示()。下列说法错误的是 A．晶体中Y位于O构成的八面体空隙 B．晶体中Y与O最近距离为 C．晶体的化学式为 D．晶体中Cu(Ⅱ)与Cu(Ⅲ)原子个数比为 【答案】A 【详解】A．观察晶胞结构，要形成完整的八面体空隙，中心原子（Y）周围必须有6个配位原子（O），且这6个原子分别位于八面体的6个顶点，观察晶胞结构图，Y原子位于晶胞的体心位置，在Y的周围，O原子主要分布在晶胞的棱心和面心等位置，因此，Y并不位于O构成的八面体空隙中，A错误； B．Y原子位于晶胞体心，其与同一平面（ab平面）内最近的O原子的距离为面对角线的一半，即B正确； C．根据均摊法计算晶胞中各类原子的个数： Y位于体心，原子数1个，Ba位于晶胞内，原子数为2，Cu位于晶胞的顶点和棱，个数为，O位于晶胞的棱和面上，个数为 ，因此，化学式为 YBa2Cu3O7，C正确； D．晶体中有 3个 Cu原子，这3个Cu原子需要提供 +7 的总电荷，2个Cu(II)提供 2 × (+2) = +4，1个Cu(III)提供 1 × (+3) = +3，故Cu(II)和Cu(III)的个数比为 2:1，D正确； 故选A。 9．（2026·黑龙江哈尔滨·二模）高纯度GaN晶体具有优异的光学与半导体性能，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为apm。下列说法正确的是 A．N原子填充在Ga原子面心立方堆积形成的八面体空隙中 B．晶胞内Ga原子之间的最短距离为 C．该晶胞的密度为 D．将晶胞顶点N原子替换为P，则晶胞中 【答案】C 【详解】A．GaN晶胞中，N原子构成面心立方堆积，Ga原子填充在由N原子形成的四面体空隙中，而非N原子填充在Ga原子的八面体空隙中。因此描述颠倒，A错误； B．Ga原子位于晶胞内四个四面体中心，其最近邻距离为面对角线的一半，即：��=，而非，B错误； C．晶胞中含4个Ga原子和4个N原子，总质量为：�� = g ，晶胞体积为：��=(��×10−10)3 cm3，密度计算式为：�� =，C正确； D．若将顶点N原子替换为P，则：P原子数：8×= 1 ，N原子数：6×= 3，故比例应为：而非3，D错误； 故选C。 10．（2026·吉林·三模）是一种钠离子电池正极材料，充放电过程中正极材料立方晶胞（示意图）的组成变化如图所示，晶胞内未标出因放电产生的0价Cu原子。下列说法正确的是 A．每个晶胞中个数为 B．每个NaCuSe晶胞中0价Cu原子个数为 C．时，晶胞中空位、和数目之比为 D．在晶胞结构中，晶胞参数为，则其密度为 【答案】B 【详解】A．晶胞中，总Cu的离子数目为 。设个数为a，个数为b，根据电中性： ，解得，即个数为， A错误； B．晶胞中，Se为4个，故数目为4，占据8个阳离子位置中的4个，剩余4个位置为Cu的离子，即离子态Cu总数为4。原中共有离子态Cu共个，放电过程中多余的Cu被还原为0价Cu（留在晶胞内未标出），因此0价Cu原子个数 = 中离子态Cu离子态Cu = ，B正确； C．当时：数目，总含Cu的离子数目，数目，空位数目，因此空位，C错误； D．晶胞中，Se在晶胞顶点和面心，为个，在晶胞内部，为个，晶胞质量，晶胞参数，体积，密度： ，D错误； 故选B。 11．（2026·辽宁锦州·二模）某化学研究室通过富金、溶金、萃金和成金四步实现废旧CPU针脚（含有大量、和等金属，金含量1%左右）中金的回收。其中萃金步骤使用与溶金时形成的在溶液中发生高度特异性的自组装结合，快速共沉淀形成具有延伸结构的一维复合物，过程如图所示。下列说法错误的是 A．富金时，通过稀硝酸可以有效地除去、和，实现金的富集 B．溶金时，可形成，其晶体中含有离子键和配位键 C．萃金时，形成的一维复合物具有超分子的特征 D．成金时，（焦亚硫酸钠）还原一维复合物，最多生成 【答案】D 【详解】A．稀硝酸可以和Cu，Ni和Co等杂质金属反应，则通过稀硝酸可以有效地除去Cu、Ni和Co，实现金的富集，A项正确； B．由图可知，钾离子和之间是离子键，金离子和溴离子之间是配位键，B项正确； C．组装是超分子的重要特征，则形成的一维复合物具有超分子的特征，C项正确； D．根据氧化还原反应原理，有离子方程式为，可知还原一维复合物，最多生成，D项错误； 答案选D。 12．（2026·辽宁大连·二模）金属卤化物发光材料在电子显示、照明和生物荧光探针等领域得到广泛应用，其中一种的立方晶胞结构如图1所示，晶体密度为；当部分被取代后可获得高性能激光材料，其基本结构单元如图2所示。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．图1中该晶体的化学式为KCaCl3 B．中 C．若图1晶胞中以作为晶胞的顶点，则位于晶胞的体心 D．图1中最近的两个间的距离为 【答案】B 【详解】A．位于晶胞8个顶点，数目为，位于晶胞体心，数目为，位于6个面心，数目为，因此，晶体化学式为，A正确； B．图2基本结构单元中，个数为，个数为2，个数为=6，个数为，图2表示物质的化学式为，结合电荷守恒，m==2，B错误； C．原晶胞中在顶点、在体心，若将作为晶胞顶点，相当于晶胞平移重划分，原顶点的会落在新晶胞的体心，且数目仍为，C正确； D．1个晶胞质量为，由得晶胞的体积为，晶胞边长 。 最近的两个位于相邻面心，距离为面对角线的一半，即，D正确； 故选B。 13．（2026·辽宁朝阳·一模）氧化铈()可作脱硝催化剂，其立方晶胞结构如图所示(晶胞参数为a nm)。催化脱硝时，能在和之间改变氧化状态，并引起氧空位的形成，得到新的铈氧化物(假设形成新铈氧化物的过程中，晶胞结构不发生变化；设为阿伏加德罗常数的值)。 已知：的空穴率。 下列说法错误的是 A．晶体中与最近且等距的有12个 B．若新的铈氧化物化学式为，则其晶体中和的个数比为 C．晶体的密度为 D．若新晶体的化学式为，则新晶体中的空穴率为25% 【答案】D 【详解】A．CeO2晶体中与最近且等距的有12个（以面心为中心进行观察），A正确； B．设中和个数分别为x和，则，，和的个数比为，B正确； C．根据均摊原则，理想晶胞中含有的数目为，的数目为8，则晶体密度为，C正确； D．原晶体中有4个Ce和8个O原子，若新晶体的化学式为，则新晶体中的空穴率为，D错误； 故答案选D。 14．（2026·内蒙古包头·一模）某高效储能材料的晶胞是立方体结构，边长为a nm，结构示意图如下下列说法正确的是 A．中配位原子是N、Cl B．晶体中距离最近的有3个 C．该晶胞中两个间的最短距离为 D．已知的摩尔质量为，该晶体的密度为 【答案】D 【详解】A．该配合物中，内界是，配体只有，配位原子只有；是外界阴离子，不是配位原子，A错误； B．氯离子在晶体内部，8个氯离子形成一个立方体，由图可知，晶体内任何一个Cl⁻距离最近的Cl⁻是12个，B错误； C．位于顶点和面心，两个的最短距离是面对角线的一半，即，不是，C错误； D．晶胞质量，晶胞边长，晶胞体积，密度，D正确； 故选D。 15．（2026·内蒙古呼和浩特·一模）电池正极材料MnO晶体充放电过程中正极材料立方晶胞的组成变化如图所示。I为MnO活化过程，活化后得□的缺陷型晶体，□表示阳离子空位，晶胞参数为a nm，表示阿伏伽德罗常数的值。空位率。下列说法正确的是 A．原始MnO中的配位数为12 B．若□中Mn的平均化合价为，则阳离子空位率为 C．当时，MnO晶体的密度为 D．Ⅱ为充电过程 【答案】B 【详解】A．原始为型晶胞结构，的配位数为6（与6个紧邻），不是12，A错误； B．设化合物为，化合物电荷为0，的化合价为−2价，平均化合价为，则，得。 阳离子空位率，代入得：空位率，B正确； C．该晶胞中位于顶点和面心，数目为，原子位于体心和棱心，数目为，即1个晶胞含4个，晶胞质量，晶胞体积，密度，选项中分子少乘4，C错误； D．过程Ⅱ是转化为，嵌入正极，正极得到电子发生还原反应，是放电过程；充电时正极脱出，对应过程Ⅲ，D错误； 故答案选B。 16．（2026·内蒙古鄂尔多斯·一模）硒化锰()是一种半导体材料，有三种晶型，其中的立方晶胞如图甲所示，晶胞边长为a nm。图乙是晶胞沿y轴方向的投影图，其中1号原子的分数坐标为，下列说法中正确的是 A．原子和原子的最短核间距为 B．晶体中的配位数为8 C．图中2号原子的分数坐标为 D．设表示阿伏加德罗常数的值，晶体的密度为 【答案】D 【详解】A．Se原子和Mn原子的最短核间距是晶胞体对角线的四分之一，应为，A错误； B．从晶胞结构来看，每个Se原子周围最近且等距的Mn原子数目为4，所以Se的配位数是4，B错误； C．结合晶胞沿 y 轴的投影图，2 号原子的分数坐标为，C错误； D．Mn原子个数为4，Se原子个数也为4，，D正确； 故答案为D。 17．（2026·内蒙古赤峰·一模）我国科学家提出了一种理论计算方法——利用材料的晶体结构数据预测其热电性能。化合物X是通过该法筛选出的一种潜在热电材料，其晶胞结构如图1，沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示。 已知：X的式量为，晶体密度为，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．X的化学式为 B．距离K最近的有6个 C．Se位于Br构成的八面体中心 D．相邻K之间的最短距离为 【答案】B 【详解】A．数目为，K的数目8，化学式应为K2SeBr6​，A正确； B．K位于围成的四面体中心，每个K原子周围最近的数量为4个，B错误； C．从图中的结构可以看出，Se原子被6个Br原子包围，形成正八面体结构，Se位于八面体中心，C正确； D．根据投影图，相邻K的最短距离为晶胞边长的一半，相邻K之间的最短距离为，D正确； 故答案为B。 18．（2026·辽宁大连·一模）掺杂Ln3+获得的一种发光材料，其结构如图所示。下列说法错误的是 A．x：y：z=1：1：3 B．Ⅰ晶体中只含有离子键 C．Ⅰ中K+与Mg2+的配位数相同 D．Ⅱ中K+的空缺率为12.5%( K+的空缺率) 【答案】C 【详解】A．对结构I用均摊法计算各离子数目：位于晶胞顶点，共8个顶点，数目为 ；位于晶胞体心，数目为 1；位于晶胞棱上，共12条棱，数目为 ； 因此 ，A正确； B．该晶体由活泼金属阳离子、和活泼非金属阴离子构成，只存在离子键，B正确； C．配位数为周围最近的异号离子数目：在体心，晶胞的12条棱的棱心都是，到所有的距离相等且最近，因此配位数为12；在顶点，距离其最近的共6个（x、y、z三个方向各2个），配位数为6； 二者配位数不同，C错误； D．掺杂后，晶胞中1个顶点的被替换： 总正电荷：，总负电荷为，因此需要的总正电荷为，即现有数目为； 总位置数为1，因此空位数为，空缺率，D正确； 故答案选C。 19．（2026·内蒙古包头·二模）某笼形包合物的晶胞结构如图所示(H原子未画出，晶胞棱上的小黑球代表)，顶面、底面上白球(C原子)和黑球(N原子)共同构成的，六元环代表且每个六元环只有一半属于该晶胞，晶胞边长为。下列说法错误的是 A．该笼形包合物的晶体类型为混合型晶体 B．因的相对分子质量小，该物质受热时比更易脱出 C．晶胞中周围紧邻的N原子数为6 D．该笼形包合物的密度为 【答案】B 【详解】A．由图可知，中中的与、与形成配位键，还存在分子间作用力，具有分子晶体和离子晶体的特性，属于混合型晶体，A正确； B．与形成配位键，作用力较强，而仅通过分子间作用力结合，作用力较弱，因此受热时比更易脱出，与相对分子质量无关，B错误； C．上下方向各连接1个的N原子，同一平面内连接4个的N原子，周围紧邻的N原子共6个，如图：，C正确； D．1个晶胞含有1个单元，质量为，晶胞体积为，代入密度公式得，D正确； 故选B。 20．（2026·内蒙古呼和浩特·二模）制备光学材料。如图所示，晶体中掺入少量后，会出现能量不同的“正电”区域、“负电”区域，光照下发出特定波长的光。下列说法错误的是 A．区域带正电 B．区域B“”中的离子为 C．掺入CuCl后，晶体的理论密度低于纯晶体 D．若晶胞参数为，则晶胞内与相邻的最短距离为 【答案】C 【详解】A．CuCl中阴离子氯离子进入区域A中，氯离子比硫离子负电荷少，使得区域A带正电，A正确； B．区域B“”中替代的是锌离子的位置，故应该为阳离子，所以是，B正确； C．氯化铜的相对分子质量大于硫化锌，掺入CuCl后，晶体的理论密度高于纯晶体，C错误； D．和的最短间距为体对角线的，即，D正确； 故选C。 1 / 11 学科网（北京）股份有限公司 $ 专题06 物质结构：晶胞、电子排布、晶体性质（专项训练） 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 1. A 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2. C 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 1. B 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2．C 考向三 晶胞简单计算、晶体作用力分析 3．B 4. B 1． D 2．C 3．D 4. B 5. B 6. D 7. A 8. A 9. C 10. B 11. D 12. B 13. D 14. D 15. B 16. D 17. B 18. C 19. B 20. C 1 / 11 学科网（北京）股份有限公司 $ 专题06 物质结构：晶胞、电子排布、晶体性质 内容导览 考情概览：摸清命题规律，锁定复习重点 2026真题研析：拆解最新真题，示范分析路径 5年真题精炼：精练近年真题，吃透常见考法 最新模拟探源：跟进模拟新题，预判考查风向 命题解读 考向 近五年考查统计 该类试题以新型超导材料、二维金属、特殊氧化物晶体为情境，考查原子简化电子排布、周期表分区、晶体类型与性质、晶胞配位数、简单晶胞参数计算。命题选用课本以外的陌生晶胞结构图，侧重识图分析，不完全依赖复杂计算；常结合共价晶体、金属晶体的物理性质设置选项，区分不同晶体微粒间作用力差异。难度中等，部分选项有一定区分度，考查考生读取晶胞图像信息、微观结构模型认知能力。 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 2026・黑吉辽蒙卷T7 2022・辽宁卷T7 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2026・黑吉辽蒙卷T9 2025・黑吉辽蒙卷T9 2024・黑吉辽蒙卷T14 2023・辽宁卷T14 考向三 晶胞简单计算、晶体作用力分析 2025・黑吉辽蒙卷T9 2024・黑吉辽蒙卷T14 2023・辽宁卷T14 近年高考黑吉辽蒙卷化学试题常考查电子排布、晶体性质、晶胞相关判断，试题以新型超导材料、陌生氧化物晶体为真实载体，创设晶体微观识图情境，将晶体结构知识与图像信息深度融合，避免复杂繁琐晶胞计算，侧重 “晶体知识在陌生材料中的应用”。例如以 “新型功能晶体” 为背景，考查电子排布、晶体物理性质、配位数判断；考点交叉融合，一题多考：一道题目往往同时考查多个知识点，如周期表分区、微粒间作用力、晶胞结构识别、晶体性质差异等，强调知识的关联性与综合运用能力；难度中等、定位为中档选择题：该板块试题属于试卷中部选择题，依托陌生晶胞图，考查物质结构必备知识，重点考查考生图像读取与微观模型认知能力。 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 1.（2026·黑吉辽蒙卷）大面积单原子层二维金属制备过程示意图如下。下列说法错误的是 A. 位于周期表第四周期第ⅢA族，其简化电子排布式为 B. 蓝宝石砧座的硬度高，其主要成分可当作共价晶体 C. 常温常压下，等物质的量的能量高于晶体 D. 的一个基本结构单元为 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2.（2026·黑吉辽蒙卷）金属钒（立方晶胞，Ⅰ）和硅粉高温熔炼可制取传统超导材料（立方晶胞，Ⅱ）。已知此体系中紧邻钒原子间的距离变短可增强超导性能。下列说法错误的是 A. B. 与紧邻的有12个 C. 晶胞中的价层电子总数为19 D. 的超导性质优于金属钒 考向一 晶体类型、晶体物理性质分析 1. （2022·辽宁·高考真题）理论化学模拟得到一种离子，结构如图。下列关于该离子的说法错误的是 A. 所有原子均满足8电子结构 B. N原子的杂化方式有2种 C. 空间结构为四面体形 D. 常温下不稳定 考向二 晶胞识图、配位数、微粒计数 2．（2023·辽宁·高考真题）晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1)，进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是 A. 图1晶体密度为g∙cm-3 B. 图1中O原子的配位数为6 考向三 晶胞简单计算、晶体作用力分析 3．（2025·黑吉辽蒙·高考真题）晶体因x变化形成空位而导致颜色各异，当时，其立方晶胞结构如图。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A. 与W最近且等距的O有6个 B. x增大时，W的平均价态升高 C. 密度为时， D. 空位数不同，吸收的可见光波长不同 4. （2024·黑吉辽蒙卷）某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 A. 结构1钴硫化物的化学式为 B. 晶胞2中S与S的最短距离为 C. 晶胞2中距最近的S有4个 D. 晶胞2和晶胞3表示同一晶体 1．（2026·辽宁辽阳·一模）的晶胞形状为立方体，边长为a nm，结构如图所示。已知：的摩尔质量为M g/mol，阿伏加德罗常数的值为。下列说法不正确的是 A．图中黑球表示 B．该晶体的密度为 C．黑球的配位数为8 D．两个白球的最近距离为 2．（2026·吉林·三模）铜的化合物种类繁多，在人类的生产生活中有着广泛的应用。实验测得一种铜与溴形成的化合物的沸点为1345℃，其晶胞结构如图所示（晶体的密度为，设为阿伏加德罗常数的值）。下列说法正确的是 A．已知原子分数坐标：A点为，则B点的原子分数坐标为 B．晶体中与Br最近且距离相等的Br有4个 C．Cu与Br之间的最短距离为 D．该晶胞沿z轴方向上的投影图为 3．（2026·辽宁朝阳·三模）气态 AlCl3通常以二聚体Al2Cl6的形式存在，其空间结构如图a．AlF3的熔点为1090℃，其晶胞结构如图b，属于立方晶胞，晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．AlCl3的熔点低于AlF3 B．Al2Cl6分子中有配位键 C．AlF3中F-的配位数为2 D．AlF3晶体的密度可表示为： 4．（2026·辽宁锦州·二模）新型半导体芯片材料由层与层交替堆叠而形成，磷掺杂后产生氧空位，获得了更高性能，其晶体结构如图所示。下列说法正确的是 A．该晶体层间靠范德华力维系 B．掺杂前该晶胞沿轴方向在平面的投影为 C．掺杂前晶体中，与最近且等距的为3个 D．磷掺杂后，化学式可表示为，则 5．（2026·内蒙古乌兰察布·二模）六方氮化硼晶体中，氮硼交替形成层状结构如图所示，与石墨相似，具有层状结构，可作高温润滑剂，熔点低于石墨，不能导电。下列说法错误的是 A．距离B原子最近的B原子个数为6 B．氮化硼中的B-N键长小于石墨中的键长 C．该晶体层间存在范德华力 D．的电负性大，电子定域在原子周围，六方氮化硼晶体中没有自由电子 6．（2026·内蒙古兴安·二模）氧元素是地球上存在最广泛的元素，也是与生命活动息息相关的主要元素，其单质及化合物在多方面具有重要应用。氧能与大部分元素形成氧化物如等；过氧化物如等可以作为优秀的氧化剂。下列说法正确的是 A．互为同素异形体 B．分子中σ键和π键数目比为2:1 C．分子中键角大小： D．如图所示晶胞中有4个铜原子 7．（2026·内蒙古兴安·二模）从微观视角探析物质结构及性质是学习化学的有效方法。下列实例与解释不符的是 选项 实例 解释 A 键角依次减小 孤电子对与成键电子对的斥力大于成键电子对之间的斥力 B 原子光谱是不连续的线状谱线 原子的能级是量子化的 C 逐个断开中的C-H键，每步所需能量不同 各步中的C-H键所处化学环境不同 D CsCl晶体中、与8个配位，而NaCl晶体中与6个配位 比的半径大 A．A B．B C．C D．D 8．（2026·黑龙江哈尔滨·三模）由构成的晶体出现氧空位后，晶体具有一定的超导性，该四方晶体的晶胞结构如图所示()。下列说法错误的是 A．晶体中Y位于O构成的八面体空隙 B．晶体中Y与O最近距离为 C．晶体的化学式为 D．晶体中Cu(Ⅱ)与Cu(Ⅲ)原子个数比为 9．（2026·黑龙江哈尔滨·二模）高纯度GaN晶体具有优异的光学与半导体性能，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为apm。下列说法正确的是 A．N原子填充在Ga原子面心立方堆积形成的八面体空隙中 B．晶胞内Ga原子之间的最短距离为 C．该晶胞的密度为 D．将晶胞顶点N原子替换为P，则晶胞中 10．（2026·吉林·三模）是一种钠离子电池正极材料，充放电过程中正极材料立方晶胞（示意图）的组成变化如图所示，晶胞内未标出因放电产生的0价Cu原子。下列说法正确的是 A．每个晶胞中个数为 B．每个NaCuSe晶胞中0价Cu原子个数为 C．时，晶胞中空位、和数目之比为 D．在晶胞结构中，晶胞参数为，则其密度为 11．（2026·辽宁锦州·二模）某化学研究室通过富金、溶金、萃金和成金四步实现废旧CPU针脚（含有大量、和等金属，金含量1%左右）中金的回收。其中萃金步骤使用与溶金时形成的在溶液中发生高度特异性的自组装结合，快速共沉淀形成具有延伸结构的一维复合物，过程如图所示。下列说法错误的是 A．富金时，通过稀硝酸可以有效地除去、和，实现金的富集 B．溶金时，可形成，其晶体中含有离子键和配位键 C．萃金时，形成的一维复合物具有超分子的特征 D．成金时，（焦亚硫酸钠）还原一维复合物，最多生成 12．（2026·辽宁大连·二模）金属卤化物发光材料在电子显示、照明和生物荧光探针等领域得到广泛应用，其中一种的立方晶胞结构如图1所示，晶体密度为；当部分被取代后可获得高性能激光材料，其基本结构单元如图2所示。设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．图1中该晶体的化学式为KCaCl3 B．中 C．若图1晶胞中以作为晶胞的顶点，则位于晶胞的体心 D．图1中最近的两个间的距离为 13．（2026·辽宁朝阳·一模）氧化铈()可作脱硝催化剂，其立方晶胞结构如图所示(晶胞参数为a nm)。催化脱硝时，能在和之间改变氧化状态，并引起氧空位的形成，得到新的铈氧化物(假设形成新铈氧化物的过程中，晶胞结构不发生变化；设为阿伏加德罗常数的值)。 已知：的空穴率。 下列说法错误的是 A．晶体中与最近且等距的有12个 B．若新的铈氧化物化学式为，则其晶体中和的个数比为 C．晶体的密度为 D．若新晶体的化学式为，则新晶体中的空穴率为25% 14．（2026·内蒙古包头·一模）某高效储能材料的晶胞是立方体结构，边长为a nm，结构示意图如下下列说法正确的是 A．中配位原子是N、Cl B．晶体中距离最近的有3个 C．该晶胞中两个间的最短距离为 D．已知的摩尔质量为，该晶体的密度为 15．（2026·内蒙古呼和浩特·一模）电池正极材料MnO晶体充放电过程中正极材料立方晶胞的组成变化如图所示。I为MnO活化过程，活化后得□的缺陷型晶体，□表示阳离子空位，晶胞参数为a nm，表示阿伏伽德罗常数的值。空位率。下列说法正确的是 A．原始MnO中的配位数为12 B．若□中Mn的平均化合价为，则阳离子空位率为 C．当时，MnO晶体的密度为 D．Ⅱ为充电过程 16．（2026·内蒙古鄂尔多斯·一模）硒化锰()是一种半导体材料，有三种晶型，其中的立方晶胞如图甲所示，晶胞边长为a nm。图乙是晶胞沿y轴方向的投影图，其中1号原子的分数坐标为，下列说法中正确的是 A．原子和原子的最短核间距为 B．晶体中的配位数为8 C．图中2号原子的分数坐标为 D．设表示阿伏加德罗常数的值，晶体的密度为 17．（2026·内蒙古赤峰·一模）我国科学家提出了一种理论计算方法——利用材料的晶体结构数据预测其热电性能。化合物X是通过该法筛选出的一种潜在热电材料，其晶胞结构如图1，沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示。 已知：X的式量为，晶体密度为，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．X的化学式为 B．距离K最近的有6个 C．Se位于Br构成的八面体中心 D．相邻K之间的最短距离为 18．（2026·辽宁大连·一模）掺杂Ln3+获得的一种发光材料，其结构如图所示。下列说法错误的是 A．x：y：z=1：1：3 B．Ⅰ晶体中只含有离子键 C．Ⅰ中K+与Mg2+的配位数相同 D．Ⅱ中K+的空缺率为12.5%( K+的空缺率) 19．（2026·内蒙古包头·二模）某笼形包合物的晶胞结构如图所示(H原子未画出，晶胞棱上的小黑球代表)，顶面、底面上白球(C原子)和黑球(N原子)共同构成的，六元环代表且每个六元环只有一半属于该晶胞，晶胞边长为。下列说法错误的是 A．该笼形包合物的晶体类型为混合型晶体 B．因的相对分子质量小，该物质受热时比更易脱出 C．晶胞中周围紧邻的N原子数为6 D．该笼形包合物的密度为 20．（2026·内蒙古呼和浩特·二模）制备光学材料。如图所示，晶体中掺入少量后，会出现能量不同的“正电”区域、“负电”区域，光照下发出特定波长的光。下列说法错误的是 A．区域带正电 B．区域B“”中的离子为 C．掺入CuCl后，晶体的理论密度低于纯晶体 D．若晶胞参数为，则晶胞内与相邻的最短距离为 1 / 11 学科网（北京）股份有限公司 $