专题1 半导体二极管（练习）-山东省（春季高考）电子技术类《模拟电子基础及应用》考纲讲练测

编写说明：本专辑为山东省（春季高考）电子技术类《模拟电子基础及应用考纲讲练测》，严格依据山东省春季高考考试大纲（专业课）电子技术类考试范围及要求编写，精准对标考纲，兼顾考点覆盖与实战应用。每套讲练测提供讲义、课件、练习三大配套教学文件，贯穿九大核心环节：考点解读、思维导图、知识梳理、背诵环节、常考题、高考真题、课堂练习、课堂小结及课后测验，形成“讲-练-测-评”闭环式教学与复习逻辑，助力考生夯实基础、突破重难点。 山东省电子技术类 《模拟电子基础及应用考纲讲练测》 专题1 半导体二极管 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本题共16小题，每小题5分，共80分） 1. 下列物质中，导电能力介于导体和绝缘体之间的是（　　　）。 A. 铜 B. 橡胶 C. 硅 D. 铁 2. 半导体中参与导电的载流子包括（　　　）。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C. 自由电子和空穴 D. 正离子和负离子 3. 以下哪个不是半导体的敏感特性？（　　　） A. 热敏性 B. 光敏性 C. 掺杂性 D. 导电性 4. 关于本征半导体，下列说法正确的是（　　　）。 A. 本征半导体含有少量杂质 B. 本征半导体中自由电子和空穴数目相等 C. 本征半导体的导电能力很强 D. 本征半导体中只有自由电子参与导电 5. P型半导体的多数载流子是（　　　）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 6. N型半导体中掺入的元素是（　　　）。 A. 3价元素 B. 5价元素 C. 4价元素 D. 2价元素 7. 下列关于杂质半导体的说法正确的是（　　　）。 A. P型半导体带正电 B. N型半导体带负电 C. P型和N型半导体均保持电中性 D. 杂质半导体不是电中性的 8. PN结加正向偏置电压时，其状态为（　　　）。 A. 导通 B. 截止 C. 击穿 D. 无法确定 9. PN结加反向偏置电压时，其状态为（　　　）。 A. 导通 B. 截止 C. 击穿 D. 放大 10. PN结的单向导电性中，电流只能从（　　　）。 A. N区流向P区 B. P区流向N区 C. 两个方向都能流 D. 两个方向都不能流 11. 半导体二极管的管芯是（　　　）。 A. 一个PN结 B. 两个PN结 C. 三个PN结 D. 四个PN结 12. 硅二极管的死区电压和导通压降分别约为（　　　）。 A. 0.2V、0.3V B. 0.5V、0.7V C. 0.7V、0.5V D. 0.3V、0.2V 13. 锗二极管的死区电压和导通压降分别约为（　　　）。 A. 0.2V、0.3V B. 0.5V、0.7V C. 0.7V、0.5V D. 0.3V、0.2V 14. 二极管按用途分类时，下列哪个不属于常见类型？（　　　） A. 整流管 B. 稳压管 C. 开关管 D. 面接触型 15. 在二极管伏安特性中，反向截止区的反向电流（　　　）。 A. 随反向电压增大而显著增大 B. 基本不变 C. 随反向电压增大而减小 D. 等于零 16. 下列哪个是N型半导体的多数载流子？（　　　） A. 空穴 B. 电子 C. 正离子 D. 负离子 二、简答题（本题共4小题，每小题5分，共20分） 17. 简述PN结的单向导电性。（5分） 18. 写出硅二极管和锗二极管的死区电压和导通压降数值。（5分） 19. 画出一个二极管的结构示意图，标出正极、负极和PN结的位置。（5分） 20. 某硅二极管正向导通时管压降为0.7V，最大允许电流为100mA。现将该二极管与一个200Ω电阻串联后接在5V电源上。（1）求电路中的电流；（2）判断该二极管是否会因电流过大而损坏。（5分） 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：本专辑为山东省（春季高考）电子技术类《模拟电子基础及应用考纲讲练测》，严格依据山东省春季高考考试大纲（专业课）电子技术类考试范围及要求编写，精准对标考纲，兼顾考点覆盖与实战应用。每套讲练测提供讲义、课件、练习三大配套教学文件，贯穿九大核心环节：考点解读、思维导图、知识梳理、背诵环节、常考题、高考真题、课堂练习、课堂小结及课后测验，形成“讲-练-测-评”闭环式教学与复习逻辑，助力考生夯实基础、突破重难点。 山东省电子技术类 《模拟电子基础及应用考纲讲练测》 专题1 半导体二极管 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本题共16小题，每小题5分，共80分） 1. 下列物质中，导电能力介于导体和绝缘体之间的是（　　　）。 A. 铜 B. 橡胶 C. 硅 D. 铁 【答案】 C 【解析】 铜和铁属于导体，橡胶属于绝缘体，硅是常用的半导体材料。 2. 半导体中参与导电的载流子包括（　　　）。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C. 自由电子和空穴 D. 正离子和负离子 【答案】 C 【解析】 半导体中自由电子和空穴同时参与导电。 3. 以下哪个不是半导体的敏感特性？（　　　） A. 热敏性 B. 光敏性 C. 掺杂性 D. 导电性 【答案】 D 【解析】 敏感特性包括热敏性、光敏性和掺杂性，导电性是基本属性。 4. 关于本征半导体，下列说法正确的是（　　　）。 A. 本征半导体含有少量杂质 B. 本征半导体中自由电子和空穴数目相等 C. 本征半导体的导电能力很强 D. 本征半导体中只有自由电子参与导电 【答案】 B 【解析】 本征半导体是完全纯净的半导体，自由电子和空穴数目相等。 5. P型半导体的多数载流子是（　　　）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 【答案】 B 【解析】 P型半导体掺入3价元素，多数载流子为空穴。 6. N型半导体中掺入的元素是（　　　）。 A. 3价元素 B. 5价元素 C. 4价元素 D. 2价元素 【答案】 B 【解析】 N型半导体掺入5价元素，多数载流子为电子。 7. 下列关于杂质半导体的说法正确的是（　　　）。 A. P型半导体带正电 B. N型半导体带负电 C. P型和N型半导体均保持电中性 D. 杂质半导体不是电中性的 【答案】 C 【解析】 P型和N型半导体都保持电中性。 8. PN结加正向偏置电压时，其状态为（　　　）。 A. 导通 B. 截止 C. 击穿 D. 无法确定 【答案】 A 【解析】 PN结正向偏置时导通。 9. PN结加反向偏置电压时，其状态为（　　　）。 A. 导通 B. 截止 C. 击穿 D. 放大 【答案】 B 【解析】 PN结反向偏置时截止。 10. PN结的单向导电性中，电流只能从（　　　）。 A. N区流向P区 B. P区流向N区 C. 两个方向都能流 D. 两个方向都不能流 【答案】 B 【解析】 PN结电流只能从P端流向N端。 11. 半导体二极管的管芯是（　　　）。 A. 一个PN结 B. 两个PN结 C. 三个PN结 D. 四个PN结 【答案】 A 【解析】 二极管的核心是一个PN结。 12. 硅二极管的死区电压和导通压降分别约为（　　　）。 A. 0.2V、0.3V B. 0.5V、0.7V C. 0.7V、0.5V D. 0.3V、0.2V 【答案】 B 【解析】 硅管死区电压约0.5V，导通压降约0.7V。 13. 锗二极管的死区电压和导通压降分别约为（　　　）。 A. 0.2V、0.3V B. 0.5V、0.7V C. 0.7V、0.5V D. 0.3V、0.2V 【答案】 A 【解析】 锗管死区电压约0.2V，导通压降约0.3V。 14. 二极管按用途分类时，下列哪个不属于常见类型？（　　　） A. 整流管 B. 稳压管 C. 开关管 D. 面接触型 【答案】 D 【解析】 面接触型是按PN结面积分类的，不是按用途分类。 15. 在二极管伏安特性中，反向截止区的反向电流（　　　）。 A. 随反向电压增大而显著增大 B. 基本不变 C. 随反向电压增大而减小 D. 等于零 【答案】 B 【解析】 反向截止区反向电流很小，且基本不随电压变化。 16. 下列哪个是N型半导体的多数载流子？（　　　） A. 空穴 B. 电子 C. 正离子 D. 负离子 【答案】 B 【解析】 N型半导体多数载流子为电子。 二、简答题（本题共4小题，每小题5分，共20分） 17. 简述PN结的单向导电性。（5分） 【答案】 PN结加正向偏置电压（P端接电源正极、N端接电源负极）时导通，加反向偏置电压（P端接电源负极、N端接电源正极）时截止，电流只能从P端流向N端，不能从N端流向P端。 18. 写出硅二极管和锗二极管的死区电压和导通压降数值。（5分） 【答案】 硅管：死区电压约0.5V，导通压降约0.7V；锗管：死区电压约0.2V，导通压降约0.3V。 19. 画出一个二极管的结构示意图，标出正极、负极和PN结的位置。（5分） 【答案】 20. 某硅二极管正向导通时管压降为0.7V，最大允许电流为100mA。现将该二极管与一个200Ω电阻串联后接在5V电源上。（1）求电路中的电流；（2）判断该二极管是否会因电流过大而损坏。（5分） 【答案】 （1）UR = 5 - 0.7 = 4.3V，I = UR / R = 4.3 / 200 = 0.0215A = 21.5mA。（2）21.5mA < 100mA，不会损坏。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $