课题16 分压式偏置放大电路 河南省（春季高考）《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块三 放大器 课题16 分压式偏置放大电路 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 相比于固定偏置放大电路，分压式偏置放大电路最核心的优势是（ ） A. 放大倍数更高 B. 稳定静态工作点、抑制温度漂移 C. 输入电阻更小 D. 无需直流电源供电 【答案】B 【解析】分压偏置电路最大优势是抑制温漂、稳定静态工作点。 2. 分压式偏置放大电路稳定静态工作点的核心反馈机制是（ ） A. 直流电流负反馈 B. 交流电压正反馈 C. 交流电流正反馈 D. 直流电压正反馈 【答案】A 【解析】依靠发射极电阻RE引入直流电流负反馈，抵消温度引发的电流变化。 3. 分压式偏置电路中，用于固定三极管基极电位VB的元件是（ ） A. RC、RE B. 旁路电容CE C. 耦合电容 D. 上下偏置电阻RB1、RB2 【答案】D 【解析】RB1、RB2构成分压网络，固定基极直流电位，是稳Q的基础条件。 4. 分压式偏置电路实现静态工作点稳定的必要前提条件是（ ） A. I1≫IB B. I1≪IB C. VB = VBE D. RC = RE 【答案】A 【解析】只有分压电流I1远大于基极电流IB，才能忽略IB分流，保证VB稳定。 5. 环境温度升高时，硅三极管的参数变化规律正确的是（ ） A. β不变、UBE增大 B. β减小、IC增大 C. β增大、IC 增大、UBE减小 D. IC恒定不变 【答案】C 【解析】温度升高，硅管β增大、IC增大、UBE减小，是温度漂移的根本原因。 6. 温度升高引发电路稳Q调节的初始变化量是（ ） A. IB增大 B. IC、IE增大 C. VCE增大 D. VB大幅下降 【答案】B 【解析】温度升高→三极管导通能力增强，直接导致IC、IE同步增大。 7. 发射极电阻RE在稳Q过程中的主要作用是（ ） A. 放大交流信号 B. 抬升发射极电位、减小UBE，抑制电流漂移 C. 过滤高频干扰 D. 降低电源电压 【答案】B 【解析】IE增大使RE压降VE升高，UBE减小，抑制电流增大，实现稳Q。 8. 发射极旁路电容CE对电路静态工作点的影响为（ ） A. 大幅稳定Q点 B. 使Q点严重漂移 C. 无任何影响 D. 抬高静态电流 【答案】C 【解析】电容隔直通交，直流静态下电容开路，对静态工作点无任何影响。 9. 分压式偏置电路基极电位VB的标准计算公式是（ ） A. VB=VCC−ICRC B. C. VB= IERE D. VB=VCE 【答案】B 【解析】分压公式是本课必考基础公式，VB仅由电阻分压和电源决定。 10. 分压偏置电路中，发射极静态电压VE的计算式为（ ） A. VE= IERE B. VE= VB ＋UBE C. VE= VCC D. VE=ICRC 【答案】A 【解析】发射极电流流过RE产生压降，VE= IERE。 11. 常温下，硅三极管正常放大时的静态发射结电压UBE约为（ ） A. 0.3V B. 0.7V C. 1.2V D. 5V 【答案】B 【解析】行业标准：硅UBE≈0.7V，锗管UBE≈0.3V。 12. 分压偏置电路静态发射极电流IE的求解公式是（ ） A. B. C. D. 【答案】A 【解析】由固定VB减去UBE得到VE，再由欧姆定律求出IE。 13. 工程静态计算中，分压偏置电路的电流近似关系是（ ） A. IC ≫IE B. IC≈IE C. IC= IB D. IE≪IB 【答案】B 【解析】三极管IB数值极小，工程计算默认IC≈IE，简化计算。 14. 分压式偏置电路集射极静态电压VCEQ正确公式是（ ） A. B. C. D. 【答案】A 【解析】电源电压扣除RC、RE全部直流压降，剩余电压为管压降VCEQ。 15. 下列参数中，不属于放大电路静态工作点Q的是（ ） A. IBQ B. ICQ C. VCEQ D. 电压放大倍数AU 【答案】D 【解析】电压放大倍数AU是动态交流参数，不属于静态直流工作点。 16. 若分压偏置电路中RE开路，电路会出现的故障是（ ） A. 稳Q能力消失，温漂严重 B. 电源短路 C. 增益大幅升高 D. 电路截止不工作 【答案】A 【解析】RE开路后无直流负反馈，电路等同于固定偏置电路，温漂严重。 17. 发射极旁路电容CE的核心交流作用是（ ） A. 增大直流负反馈 B. 短路RE交流信号，避免增益下降 C. 稳定静态电压 D. 提升电源电压 【答案】B 【解析】CE旁路交流信号，消除RE交流负反馈，避免放大倍数下降。 18. 固定偏置电路的最大缺陷是（ ） A. 元件过多 B. 静态工作点极易受温度影响、稳定性差 C. 接线复杂 D. 输出电压过低 【答案】B 【解析】固定偏置电路无稳Q机制，Q点随温度、β变化，稳定性极差。 19. 温度下降时，分压偏置电路负反馈调节的最终结果是（ ） A. IC基本保持恒定 B. IC大幅增大 C. VCE大幅减小 D. VB随温度降低 【答案】A 【解析】负反馈为双向调节，升温、降温均可维持IC基本恒定。 20. 三极管工作在放大区的必备偏置条件是（ ） A. 发射结反偏、集电结正偏 B. 两结均反偏 C. 两结均正偏 D. 发射结正偏、集电结反偏 【答案】D 【解析】三极管放大区必备偏置：发射结正偏、集电结反偏。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 分压式偏置电路可有效抑制温度漂移，稳定静态工作点。（ ） 【答案】√ 【解析】电路核心功能，通过直流负反馈抑制温度漂移、稳定Q点。 2. 旁路电容CE会改变放大电路的直流静态工作点。（ ） 【答案】× 【解析】电容隔直通交，静态直流开路，不影响静态工作点。 3. 分压电阻阻值确定后，基极电位VB基本固定，不受三极管β值影响。（ ） 【答案】√ 【解析】分压电路固定VB，不受三极管β、UBE参数变化影响。 4. 在合理范围内，发射极电阻RE越大，直流负反馈越强，稳Q效果越好。（ ） 【答案】√ 【解析】RE越大，直流负反馈深度越深，稳Q效果越好（交流增益降低）。 5. 温度升高，三极管β值减小，会导致集电极电流IC下降。（ ） 【答案】× 【解析】温度升高，三极管β增大，IC随之升高。 6. 静态工作点是放大电路无交流输入信号时的直流工作状态。（ ） 【答案】√ 【解析】静态定义：无交流输入信号，仅直流供电的工作状态。 7. 计算VCEQ时，需要扣除RC和RE两个电阻的直流压降。（ ） 【答案】√ 【解析】直流电流串联流过RC、RE，两处压降均需从VCC中扣除。 8. 静态工程计算中，可近似认为IE≈IC，简化运算过程。（ ） 【答案】√ 【解析】IB数值极小，工程计算统一采用IE≈IC简化计算。 9. 若RE被短路，分压偏置电路仍具备稳定静态工作点的能力。（ ） 【答案】× 【解析】RE短路后无直流负反馈，彻底丧失稳Q能力。 10. 旁路电容CE可消除RE的交流负反馈，兼顾稳Q和高增益。（ ） 【答案】√ 【解析】CE旁路交流、保留直流负反馈，兼顾稳Q与高放大增益。 三、简答题（10 分） 1. 分压式偏置共射放大电路，为什么要满足条件I1≫IB？ 【答案】RB1、RB2构成分压电路。若满足I1≫IB，基极电流IBQ的分流作用可以忽略不计，基极电位VB只由电源和两个分压电阻决定，几乎不受三极管参数、温度变化的影响，才能实现稳定静态工作点。 如果该条件不满足，IBQ不可忽略，VB会受三极管参数影响，电路就失去稳定 Q 点的效果。 四、综合应用题（30 分） 1. 已知：分压式偏置共射放大电路，VCC=12V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=2kΩ，RE=1kΩ，硅管UBE=0.7V，满足I1≫IB近似条件。 （1）绘制标准分压式偏置放大电路原理图，完整标注三极管、偏置电阻、耦合电容、旁路电容、电源及输入输出端口。（10分） （2）分步精确计算电路静态工作点：VB、VE、IE、IC、VCEQ。（12分） （3）完整阐述温度升高时，该电路自动稳定静态工作点的负反馈调节原理。（8分） 【答案】（1）标准电路原理图绘制（10分） （2）静态工作点分步计算（12分） ① 基极电位分压计算：（3分） ② 发射极电位计算：VE= VB －UBE ＝4－0.7＝3.3V（2分） ③ 发射极静态电流：（2分） ④ 集电极静态电流：IC≈IE＝3.3mA（2分） ⑤ 集射极静态电压：（3分） （3）稳Q点自动调节原理（8分） ①当环境温度升高时，三极管电流放大系数β增大、穿透电流增大，导致集电极电流IC、发射极电流IE自发增大；（3分） ②由于RB1、RB2分压作用，基极电位VB保持固定不变，IE增大使RE直流压降VE升高；（2分） ③由UBE＝VB－VE可知，VE升高使UBE减小，基极电流IB随之减小；（2分） ④IB减小反向抑制IC增大，抵消温度带来的电流漂移，最终使IC、基本保持恒定，实现静态工作点稳定。（1分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块三 放大器 课题16 分压式偏置放大电路 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 相比于固定偏置放大电路，分压式偏置放大电路最核心的优势是（ ） A. 放大倍数更高 B. 稳定静态工作点、抑制温度漂移 C. 输入电阻更小 D. 无需直流电源供电 2. 分压式偏置放大电路稳定静态工作点的核心反馈机制是（ ） A. 直流电流负反馈 B. 交流电压正反馈 C. 交流电流正反馈 D. 直流电压正反馈 3. 分压式偏置电路中，用于固定三极管基极电位VB的元件是（ ） A. RC、RE B. 旁路电容CE C. 耦合电容 D. 上下偏置电阻RB1、RB2 4. 分压式偏置电路实现静态工作点稳定的必要前提条件是（ ） A. I1≫IB B. I1≪IB C. VB = VBE D. RC = RE 5. 环境温度升高时，硅三极管的参数变化规律正确的是（ ） A. β不变、UBE增大 B. β减小、IC增大 C. β增大、IC 增大、UBE减小 D. IC恒定不变 6. 温度升高引发电路稳Q调节的初始变化量是（ ） A. IB增大 B. IC、IE增大 C. VCE增大 D. VB大幅下降 7. 发射极电阻RE在稳Q过程中的主要作用是（ ） A. 放大交流信号 B. 抬升发射极电位、减小UBE，抑制电流漂移 C. 过滤高频干扰 D. 降低电源电压 8. 发射极旁路电容CE对电路静态工作点的影响为（ ） A. 大幅稳定Q点 B. 使Q点严重漂移 C. 无任何影响 D. 抬高静态电流 9. 分压式偏置电路基极电位VB的标准计算公式是（ ） A. VB=VCC−ICRC B. C. VB= IERE D. VB=VCE 10. 分压偏置电路中，发射极静态电压VE的计算式为（ ） A. VE= IERE B. VE= VB ＋UBE C. VE= VCC D. VE=ICRC 11. 常温下，硅三极管正常放大时的静态发射结电压UBE约为（ ） A. 0.3V B. 0.7V C. 1.2V D. 5V 12. 分压偏置电路静态发射极电流IE的求解公式是（ ） A. B. C. D. 13. 工程静态计算中，分压偏置电路的电流近似关系是（ ） A. IC ≫IE B. IC≈IE C. IC= IB D. IE≪IB 14. 分压式偏置电路集射极静态电压VCEQ正确公式是（ ） A. B. C. D. 15. 下列参数中，不属于放大电路静态工作点Q的是（ ） A. IBQ B. ICQ C. VCEQ D. 电压放大倍数AU 16. 若分压偏置电路中RE开路，电路会出现的故障是（ ） A. 稳Q能力消失，温漂严重 B. 电源短路 C. 增益大幅升高 D. 电路截止不工作 17. 发射极旁路电容CE的核心交流作用是（ ） A. 增大直流负反馈 B. 短路RE交流信号，避免增益下降 C. 稳定静态电压 D. 提升电源电压 18. 固定偏置电路的最大缺陷是（ ） A. 元件过多 B. 静态工作点极易受温度影响、稳定性差 C. 接线复杂 D. 输出电压过低 19. 温度下降时，分压偏置电路负反馈调节的最终结果是（ ） A. IC基本保持恒定 B. IC大幅增大 C. VCE大幅减小 D. VB随温度降低 20. 三极管工作在放大区的必备偏置条件是（ ） A. 发射结反偏、集电结正偏 B. 两结均反偏 C. 两结均正偏 D. 发射结正偏、集电结反偏 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 分压式偏置电路可有效抑制温度漂移，稳定静态工作点。（ ） 2. 旁路电容CE会改变放大电路的直流静态工作点。（ ） 3. 分压电阻阻值确定后，基极电位VB基本固定，不受三极管β值影响。（ ） 4. 在合理范围内，发射极电阻RE越大，直流负反馈越强，稳Q效果越好。（ ） 5. 温度升高，三极管β值减小，会导致集电极电流IC下降。（ ） 6. 静态工作点是放大电路无交流输入信号时的直流工作状态。（ ） 7. 计算VCEQ时，需要扣除RC和RE两个电阻的直流压降。（ ） 8. 静态工程计算中，可近似认为IE≈IC，简化运算过程。（ ） 9. 若RE被短路，分压偏置电路仍具备稳定静态工作点的能力。（ ） 10. 旁路电容CE可消除RE的交流负反馈，兼顾稳Q和高增益。（ ） 三、简答题（10 分） 1. 分压式偏置共射放大电路，为什么要满足条件I1≫IB？ 四、综合应用题（30 分） 1. 已知：分压式偏置共射放大电路，VCC=12V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=2kΩ，RE=1kΩ，硅管UBE=0.7V，满足I1≫IB近似条件。 （1）绘制标准分压式偏置放大电路原理图，完整标注三极管、偏置电阻、耦合电容、旁路电容、电源及输入输出端口。（10分） （2）分步精确计算电路静态工作点：VB、VE、IE、IC、VCEQ。（12分） （3）完整阐述温度升高时，该电路自动稳定静态工作点的负反馈调节原理。（8分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $