课题10 三极管三区工作原理与开关放大应用 河南省（春季高考）《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题10 三极管三区工作原理与开关放大应用 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 三极管工作在截止区时，基极电流IB近似为（ ） A. 很大 B. 0 C. 恒定 D. 随电压线性增大 2. 三极管截止区标准偏置条件是（ ） A. 发射结零偏/反偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 两结全部正向偏置 D. 无任何偏置要求 3. 三极管作为电子开关断开时，工作区域为（ ） A. 击穿区 B. 放大区 C. 饱和区 D. 截止区 4. 截止状态下，回路仅存在微小漏电流叫做（ ） A. 饱和电流 B. ICEO穿透电流 C. 基极电流 D. 正向电流 5. 穿透电流ICEO随温度升高会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 归零 6. 三极管实现线性信号放大必须工作在（ ） A. 饱和区 B. 截止区 C. 放大区 D. 反向区 7. 放大区核心恒流特征是（ ） A. IC=βIB，几乎不受UCE影响 B. UCE极小，电流不受基极控制 C. IB≈0，无集电极电流 D. 电流随管压降同步变大 8. 放大区集电极电流由哪个电流控制（ ） A. 负载电压 B. 发射极IE C. 集电极自身电压 D. 基极IB 9. 放大区输出特性曲线呈现平行等距，说明（ ） A. ICEO持续变大 B. β 基本恒定不变 C. 三极管进入饱和 D. 管压降固定不变 10. 小幅度交流信号输入三极管，依靠放大区哪种特性实现波形放大（ ） A. 基极小电流控制集电极大电流 B. 单向导电 C. 低饱和压降 D. 反向耐压高 11. 三极管开关导通时，工作区域为（ ） A. 稳压区 B. 放大区 C. 截止区 D. 饱和区 12. 三极管饱和区两个 PN 结偏置状态为（ ） A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 两结均反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 13. 硅三极管饱和压降UCE(sat)典型数值约（ ） A. 0.3V B. 0.7V C. 1.2V D. 5V 14. 三极管进入深度饱和后，继续增大基极电流，IC会（ ） A. 线性减小 B. 成倍增大 C. 基本不变 D. 急剧击穿 15. 饱和区三极管等效电路近似（ ） A. 断开开关 B. 闭合开关，内阻极小 C. 线性电阻 D. 稳压二极管 16. 若三极管放大电路静态工作点过高，易进入（ ） A. 恒流区 B. 截止区 C. 击穿区 D. 饱和区，产生饱和失真 17. 静态工作点过低，三极管容易进入（ ） A. 截止区，产生截止失真 B. 饱和区 C. 放大区 D. 振荡区 18. 三极管饱和压降越小，开关导通损耗（ ） A. 越大 B. 越小 C. 不变 D. 无规律 19. 数字电路中三极管交替工作在哪两个区域实现开关逻辑（ ） A. 仅放大区 B. 放大、饱和 C. 放大、截止 D. 饱和、截止 20. 同一三极管，β 越大，放大区电流放大能力（ ） A. 无变化 B. 越弱 C. 越强 D. 不稳定 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 三极管截止区发射结加正向电压才能断开回路。（ ） 2. 放大区集电极电流只由基极电流控制，与UCE基本无关。（ ） 3. 饱和区集电结反向偏置，具备电流放大能力。（ ） 4. UCE(sat)数值越小，三极管开关导通损耗越低。（ ） 5. 放大电路静态工作点过低会出现截止失真。（ ） 6. 三极管开关断开对应放大区，开关导通对应饱和区。（ ） 7. 三极管放大区满足关系式IC=βIB，具备电流放大作用。（ ） 8. 饱和状态下硅管饱和管压降UCE(sat)典型值约 3V。（ ） 9. 三极管放大区集电结必须处于反偏状态。（ ） 10. 三极管截止时，仅存在微小穿透电流ICEO。（ ） 三、简答题（共 2 题，合计 20 分） 1. 简述饱和压降UCE(sat)对开关电路功耗的影响。（10 分） 2. 简述三极管放大区恒流特性，说明信号放大核心原理。（10 分） 四、综合应用题（共 2 题，合计 20 分） 1. 写出三极管截止区、饱和区完整偏置条件，分别对应开关断开、导通两种工况。（10 分） 2. 对比三极管放大、开关两种应用对应的工作区域与电路作用。（10 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题10 三极管三区工作原理与开关放大应用 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 三极管工作在截止区时，基极电流IB近似为（ ） A. 很大 B. 0 C. 恒定 D. 随电压线性增大 【答案】B 【解析】截止时发射结无正向电压，几乎无基极电流。 2. 三极管截止区标准偏置条件是（ ） A. 发射结零偏/反偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 两结全部正向偏置 D. 无任何偏置要求 【答案】A 【解析】截止核心条件：发射结不加正向偏置，集电结持续反偏。 3. 三极管作为电子开关断开时，工作区域为（ ） A. 击穿区 B. 放大区 C. 饱和区 D. 截止区 【答案】D 【解析】截止区无明显集电极电流，等效开关断开。 4. 截止状态下，回路仅存在微小漏电流叫做（ ） A. 饱和电流 B. ICEO穿透电流 C. 基极电流 D. 正向电流 【答案】B 【解析】IB=0时 C、E 之间的漏电流称为穿透电流。 5. 穿透电流ICEO随温度升高会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 归零 【答案】A 【解析】温度升高，少子数量增多，穿透电流显著上升。 6. 三极管实现线性信号放大必须工作在（ ） A. 饱和区 B. 截止区 C. 放大区 D. 反向区 【答案】C 【解析】只有放大区IC与IB呈线性比例，波形无失真。 7. 放大区核心恒流特征是（ ） A. IC=βIB，几乎不受UCE影响 B. UCE极小，电流不受基极控制 C. IB≈0，无集电极电流 D. 电流随管压降同步变大 【答案】A 【解析】放大区恒流特性：管压降变化不会改变集电极电流大小。 8. 放大区集电极电流由哪个电流控制（ ） A. 负载电压 B. 发射极IE C. 集电极自身电压 D. 基极IB 【答案】D 【解析】三极管本质：微弱基极电流控制大功率集电极电流。 9. 放大区输出特性曲线呈现平行等距，说明（ ） A. ICEO持续变大 B. β 基本恒定不变 C. 三极管进入饱和 D. 管压降固定不变 【答案】B 【解析】同等ΔIB产生同等ΔIC，证明 β 稳定不变。 10. 小幅度交流信号输入三极管，依靠放大区哪种特性实现波形放大（ ） A. 基极小电流控制集电极大电流 B. 单向导电 C. 低饱和压降 D. 反向耐压高 【答案】A 【解析】微小输入信号改变IB，同步放大IC，实现电压放大。 11. 三极管开关导通时，工作区域为（ ） A. 稳压区 B. 放大区 C. 截止区 D. 饱和区 【答案】D 【解析】饱和区UCE极小，负载近似直通，等效开关闭合。 12. 三极管饱和区两个 PN 结偏置状态为（ ） A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 两结均反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 【答案】B 【解析】饱和时基区载流子饱和，集电结失去反向收集条件，正向偏置。 13. 硅三极管饱和压降UCE(sat)典型数值约（ ） A. 0.3V B. 0.7V C. 1.2V D. 5V 【答案】A 【解析】实训标准硅三极管饱和压降 0.3V 左右。 14. 三极管进入深度饱和后，继续增大基极电流，IC会（ ） A. 线性减小 B. 成倍增大 C. 基本不变 D. 急剧击穿 【答案】C 【解析】基极电流过大，集电极收集能力达到上限，电流不再增长。 15. 饱和区三极管等效电路近似（ ） A. 断开开关 B. 闭合开关，内阻极小 C. 线性电阻 D. 稳压二极管 【答案】B 【解析】饱和状态三极管内阻极低，近似导线导通。 16. 若三极管放大电路静态工作点过高，易进入（ ） A. 恒流区 B. 截止区 C. 击穿区 D. 饱和区，产生饱和失真 【答案】D 【解析】Q 点过高，静态IB太大，信号正半周进入饱和，波形底部失真。 17. 静态工作点过低，三极管容易进入（ ） A. 截止区，产生截止失真 B. 饱和区 C. 放大区 D. 振荡区 【答案】A 【解析】Q 点过低，静态IB接近 0，信号负半周进入截止，波形顶部失真。 18. 三极管饱和压降越小，开关导通损耗（ ） A. 越大 B. 越小 C. 不变 D. 无规律 【答案】B 【解析】导通损耗P=IC×UCE(sat)，压降越小功耗越低。 19. 数字电路中三极管交替工作在哪两个区域实现开关逻辑（ ） A. 仅放大区 B. 放大、饱和 C. 放大、截止 D. 饱和、截止 【答案】D 【解析】数字逻辑开关利用 “饱和导通、截止关断” 两种状态输出高低电平。 20. 同一三极管，β 越大，放大区电流放大能力（ ） A. 无变化 B. 越弱 C. 越强 D. 不稳定 【答案】C 【解析】β 是电流放大倍数，数值越大放大效果越强。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 三极管截止区发射结加正向电压才能断开回路。（ ） 【答案】× 【解析】发射结正向偏置三极管导通，截止需要反偏/零偏。 2. 放大区集电极电流只由基极电流控制，与UCE基本无关。（ ） 【答案】√ 【解析】放大区恒流特性，UCE在合理区间变化不影响IC。 3. 饱和区集电结反向偏置，具备电流放大能力。（ ） 【答案】× 【解析】饱和区集电结正向偏置，失去线性放大能力。 4. UCE(sat)数值越小，三极管开关导通损耗越低。（ ） 【答案】√ 【解析】导通功耗为电流与饱和压降乘积，压降越小发热越少。 5. 放大电路静态工作点过低会出现截止失真。（ ） 【答案】√ 【解析】静态电流太小，交流负半周三极管进入截止区，产生截止失真。 6. 三极管开关断开对应放大区，开关导通对应饱和区。（ ） 【答案】× 【解析】三极管做开关应用，开关断开对应截止区，开关导通对应饱和区；放大区用于信号放大，不作为开关状态。 7. 三极管放大区满足关系式IC=βIB，具备电流放大作用。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管工作在放大区，集电极电流与基极电流满足IC=βIB，体现电流放大能力。 8. 饱和状态下硅管饱和管压降UCE(sat)典型值约 3V。（ ） 【答案】× 【解析】硅三极管饱和压降UCE(sat)典型约0.3V，3V 远大于饱和压降。 9. 三极管放大区集电结必须处于反偏状态。（ ） 【答案】√ 【解析】放大区偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，是实现线性放大的必要条件。 10. 三极管截止时，仅存在微小穿透电流ICEO。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管截止，基极无有效驱动电流，集射极之间存在很小的穿透电流ICEO。 三、简答题（共 2 题，合计 20 分） 1. 简述饱和压降UCE(sat)对开关电路功耗的影响。（10 分） 【答案】饱和压降功耗影响（10 分） 开关导通功耗公式P=IC⋅UCE(sat)（4 分）； 负载电流不变时，饱和压降越大，管子发热损耗越大；选用低饱和压降三极管可以降低电路发热，提升电路稳定性（6 分）。 2. 简述三极管放大区恒流特性，说明信号放大核心原理。（10 分） 【答案】放大区恒流与放大原理（10 分） 恒流特性：发射结正偏、集电结反偏时，集电极电流IC=βIB，管压降UCE变化基本不改变IC（5 分）； 放大原理：微弱交流信号改变基极电流，利用 β 倍数同步放大集电极电流，经过集电极电阻转化为大幅变化的电压，实现信号放大（5 分）。 四、综合应用题（共 2 题，合计 20 分） 1. 写出三极管截止区、饱和区完整偏置条件，分别对应开关断开、导通两种工况。（10 分） 【答案】两区偏置 + 开关工况（10 分） 截止区：发射结零偏 / 反偏，集电结反偏，等效开关断开（5 分）； 饱和区：发射结、集电结均正向偏置，等效开关导通（5 分）。 2. 对比三极管放大、开关两种应用对应的工作区域与电路作用。（10 分） 【答案】放大与开关应用对比（10 分） 放大电路：工作在放大区，用于音频、低频模拟信号线性放大，要求波形不失真（5 分）； 开关电路：交替工作饱和、截止区，输出高低电平，用于数字控制、继电器驱动（5 分）。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $