课题7 三极管电流关系、放大系数、输入特性 河南省(春季高考)《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2026-08-05
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资源信息

学段 中职
学科 职教专业课
课程 电子技术基础与技能
教材版本 -
年级 -
章节 -
类型 题集-专项训练
知识点 三极管及放大电路基础
使用场景 中职复习
学年 2026-2027
地区(省份) 河南省
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 ZIP
文件大小 198 KB
发布时间 2026-08-05
更新时间 2026-08-05
作者 xkw_085033238
品牌系列 学易金卷·阶段检测模拟卷
审核时间 2026-08-05
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价格 3.00储值(1储值=1元)
来源 学科网

内容正文:

2027版河南省(春季高考)电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑,共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关,精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识,熟悉高考题型和命题规律,提高解题能力和应试技巧,为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础,本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省(春季高考)电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑,欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题7 三极管电流关系、放大系数、输入特性 时间:45分钟 总分:100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题(每题2分,共40分) 1. 三极管三个电极电流标准分配关系式为( ) A. IE = IC − IB B. IB = IE + IC C. IC = IE + IB D. IE = IB + IC 【答案】D 【解析】发射极电流分为基极复合电流与集电极收集电流两部分,IE=IB+IC。 2. 三极管三个电流大小对比正确的是( ) A. IE > IC ≫ IB B. IB > IC > IE C. IC > IB > IE D. 三者近似相等 【答案】A 【解析】绝大部分载流子被集电极收集,IC≫IB,发射极是两者之和,电流最大。 3. 发射极电流IE 物理意义是( ) A. 反向漏电流 B. 仅基极复合电流 C. 发射区注入载流子总电流 D. 仅集电极收集电流 【答案】C 【解析】IE是发射区注入全部多子形成的总电流。 4. 电流放大系数 β 的定义公式是( ) A. β= B. β= C. β= D. β= 【答案】B 【解析】β 定义:放大区集电极电流变化量除以基极电流变化量。 5. β 数值代表的控制关系是( ) A. 发射极控制基极 B. 集电极控制基极 C. 发射极控制集电极 D. 基极电流控制集电极电流 【答案】D 【解析】三极管核心控制逻辑:微小基极电流控制大集电极电流。 6. 已知ΔIB=20μA,ΔIC=1.2mA,β 数值为( ) A. 1.2 B. 0.06 C. 60 D. 24 【答案】C 【解析】统一单位:1.2mA=1200μA,β=1200÷20=60。 7. 三极管正常放大状态下,β 常见取值范围( ) A. 20~200 B. 0~1 C. 几百上千 D. 小于 10 【答案】A 【解析】常规小信号硅管 β 区间 20~200。 8. 穿透电流ICEO是( ) A. IB=0时的集电极电流 B. IC=0时基极电流 C. 发射极反向电流 D. 饱和电流 【答案】A 【解析】IB开路无输入时,仍存在微小穿透电流ICEO。 9. ICEO随温度升高变化规律( ) A. 归零 B. 减小 C. 不变 D. 明显增大 【答案】D 【解析】温度升高,少子数量激增,穿透电流显著变大。 10. β 越大,三极管温度稳定性( ) A. 越好 B. 越差 C. 无影响 D. 完全稳定 【答案】B 【解析】β 越大,穿透电流对总IC影响越明显,温漂越大,稳定性差。 11. 三极管输入特性曲线的横轴物理量是( ) A. IB B. UCE C. UBE D. IC 【答案】C 【解析】输入特性横轴:发射结电压UBE。 12. 三极管输入特性曲线的纵轴物理量是( ) A. IB B. UBE C. IC D. IE 【答案】A 【解析】输入特性纵轴:基极电流IB。 13. 绘制输入特性曲线的前提条件是( ) A. IE固定不变 B. IB固定不变 C. IC固定不变 D. UCE固定不变 【答案】D 【解析】输入特性测试条件:保持集射电压UCE恒定。 14. 硅三极管输入特性开启电压约为( ) A. 0.1V B. 0.5V C. 0.3V D. 1.2V 【答案】B 【解析】硅管发射结开启电压约 0.5V,低于 0.5V 几乎无基极电流。 15. 硅三极管正常放大时UBE典型值( ) A. 1V B. 0.3V C. 0.7V D. 1.5V 【答案】C 【解析】硅管正常放大发射结压降稳定 0.7V。 16. UCE>1V后,继续增大UCE,输入特性曲线会( ) A. 曲线变陡 B. 大幅左移 C. 大幅右移 D. 基本重合,几乎不变 【答案】D 【解析】UCE≥1V后,集电结反偏充分,收集载流子能力饱和,曲线基本重合。 17. 输入特性曲线近似哪种器件特性( ) A. 二极管伏安特性 B. 电阻线性曲线 C. 稳压管反向曲线 D. 电感曲线 【答案】A 【解析】输入特性本质是发射结 PN 结伏安特性,和二极管曲线近似。 18. 基极微小电流变化,就能引起集电极大电流变化,该现象叫( ) A. 单向导电 B. 电流放大作用 C. 稳压作用 D. 开关作用 【答案】B 【解析】基极小信号控制集电极大电流,即电流放大作用。 19. 忽略穿透电流时,IC近似等于( ) A. βIB B. IE C. IB D. (1+β)IB 【答案】A 【解析】忽略穿透电流,放大区IC≈βIB。 20. 发射极总电流IE与IB关系式( ) A. IE=IB B. IE=βIB C. IE=(1+β)IB D. IE=βIC 【答案】C 【解析】IE=IB+IC=IB+βIB=(1+β)IB。 二、判断题(每小题2分,共20分。正确打“√”,错误打“×”) 1. IE是三极管三个电流中数值最大的电流。( ) 【答案】√ 【解析】IE=IB+IC,发射极电流为两者之和,数值最大。 2. β 越大代表三极管放大能力越强,但温度稳定性变差。( ) 【答案】√ 【解析】β 越大放大倍数越高,但穿透电流带来的温漂更严重。 3. 输入特性曲线横轴为基极电流IB,纵轴为发射结电压UBE。( ) 【答案】× 【解析】横轴UBE,纵轴IB,题干坐标轴写反。 4. UCE大于 1V 后,输入特性曲线几乎不再随UCE变化。( ) 【答案】√ 【解析】UCE超过 1V,集电结充分反偏,曲线几乎重合。 5. 穿透电流ICEO越小,三极管温度稳定性越好。( ) 【答案】√ 【解析】穿透电流属于不受基极控制的无用漏电流,数值越小管子性能越好。 6. 三极管电流分配核心公式:IE=IB+IC。( ) 【答案】√ 【解析】三极管电流分配关系:发射极电流等于基极电流与集电极电流之和,公式IE=IB+IC。 7. 电流放大系数 β 等于集电极电流变化量与发射极电流变化量之比。( ) 【答案】× 【解析】β(交流电流放大系数)= 集电极电流变化量 ÷基极电流变化量,不是发射极电流变化量。 8. 三极管输入特性曲线是UCE固定时,IB与UBE的关系曲线。( ) 【答案】√ 【解析】输入特性定义:保持集射极电压UCE不变,基极电流IB随发射结电压UBE变化的关系曲线。 9. 硅三极管发射结导通电压约 0.2V。( ) 【答案】× 【解析】硅管发射结导通电压约0.7V;锗管发射结导通电压约 0.2V。 10. IB=0时,集电极存在微小穿透电流,符号为ICEO。( ) 【答案】√ 【解析】基极开路(IB=0),集‑射之间的微弱漏电流称为穿透电流,符号ICEO。 三、简答题(共 2 大题,合计 30 分) 1. 简述三极管IE=IB+IC电流传输完整物理原理。(20 分) 【答案】发射区高掺杂大量多子注入基区;绝大部分多子越过薄基区到达集电结,被反向偏置集电极收集形成IC;极少部分多子在基区与少子复合,形成基极电流IB;发射极流出总电流是两部分之和,满足IE=IB+IC。(分发射、复合、收集、公式四点,缺一点扣 2~3 分) 2. 简述三极管输入特性与二极管伏安特性的相似点与区别。(10 分) 【答案】相似:均为 PN 结正向伏安特性,存在开启电压,电压超过阈值后电流急剧增大(5 分) 区别:二极管仅有一个 PN 结;三极管输入特性受UCE轻微影响,UCE不同曲线略有偏移(5 分) 四、计算题(共 10 分) 1. 已知ΔIB=30μA,ΔIC=1.5mA,计算电流放大系数 β。(10 分) 【答案】统一单位:ΔIC=1.5mA=1500μA(3 分) 公式:β= (3 分) 计算:β=1500÷30=50(4 分) 原创精品资源学科网独家享有版权,侵权必究! 学科网(北京)股份有限公司 $ 2027版河南省(春季高考)电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑,共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关,精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识,熟悉高考题型和命题规律,提高解题能力和应试技巧,为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础,本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省(春季高考)电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑,欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题7 三极管电流关系、放大系数、输入特性 时间:45分钟 总分:100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题(每题2分,共40分) 1. 三极管三个电极电流标准分配关系式为( ) A. IE = IC − IB B. IB = IE + IC C. IC = IE + IB D. IE = IB + IC 2. 三极管三个电流大小对比正确的是( ) A. IE > IC ≫ IB B. IB > IC > IE C. IC > IB > IE D. 三者近似相等 3. 发射极电流IE 物理意义是( ) A. 反向漏电流 B. 仅基极复合电流 C. 发射区注入载流子总电流 D. 仅集电极收集电流 4. 电流放大系数 β 的定义公式是( ) A. β= B. β= C. β= D. β= 5. β 数值代表的控制关系是( ) A. 发射极控制基极 B. 集电极控制基极 C. 发射极控制集电极 D. 基极电流控制集电极电流 6. 已知ΔIB=20μA,ΔIC=1.2mA,β 数值为( ) A. 1.2 B. 0.06 C. 60 D. 24 7. 三极管正常放大状态下,β 常见取值范围( ) A. 20~200 B. 0~1 C. 几百上千 D. 小于 10 8. 穿透电流ICEO是( ) A. IB=0时的集电极电流 B. IC=0时基极电流 C. 发射极反向电流 D. 饱和电流 9. ICEO随温度升高变化规律( ) A. 归零 B. 减小 C. 不变 D. 明显增大 10. β 越大,三极管温度稳定性( ) A. 越好 B. 越差 C. 无影响 D. 完全稳定 11. 三极管输入特性曲线的横轴物理量是( ) A. IB B. UCE C. UBE D. IC 12. 三极管输入特性曲线的纵轴物理量是( ) A. IB B. UBE C. IC D. IE 13. 绘制输入特性曲线的前提条件是( ) A. IE固定不变 B. IB固定不变 C. IC固定不变 D. UCE固定不变 14. 硅三极管输入特性开启电压约为( ) A. 0.1V B. 0.5V C. 0.3V D. 1.2V 15. 硅三极管正常放大时UBE典型值( ) A. 1V B. 0.3V C. 0.7V D. 1.5V 16. UCE>1V后,继续增大UCE,输入特性曲线会( ) A. 曲线变陡 B. 大幅左移 C. 大幅右移 D. 基本重合,几乎不变 17. 输入特性曲线近似哪种器件特性( ) A. 二极管伏安特性 B. 电阻线性曲线 C. 稳压管反向曲线 D. 电感曲线 18. 基极微小电流变化,就能引起集电极大电流变化,该现象叫( ) A. 单向导电 B. 电流放大作用 C. 稳压作用 D. 开关作用 19. 忽略穿透电流时,IC近似等于( ) A. βIB B. IE C. IB D. (1+β)IB 20. 发射极总电流IE与IB关系式( ) A. IE=IB B. IE=βIB C. IE=(1+β)IB D. IE=βIC 二、判断题(每小题2分,共20分。正确打“√”,错误打“×”) 1. IE是三极管三个电流中数值最大的电流。( ) 2. β 越大代表三极管放大能力越强,但温度稳定性变差。( ) 3. 输入特性曲线横轴为基极电流IB,纵轴为发射结电压UBE。( ) 4. UCE大于 1V 后,输入特性曲线几乎不再随UCE变化。( ) 5. 穿透电流ICEO越小,三极管温度稳定性越好。( ) 6. 三极管电流分配核心公式:IE=IB+IC。( ) 7. 电流放大系数 β 等于集电极电流变化量与发射极电流变化量之比。( ) 8. 三极管输入特性曲线是UCE固定时,IB与UBE的关系曲线。( ) 9. 硅三极管发射结导通电压约 0.2V。( ) 10. IB=0时,集电极存在微小穿透电流,符号为ICEO。( ) 三、简答题(共 2 大题,合计 30 分) 1. 简述三极管IE=IB+IC电流传输完整物理原理。(20 分) 2. 简述三极管输入特性与二极管伏安特性的相似点与区别。(10 分) 四、计算题(共 10 分) 1. 已知ΔIB=30μA,ΔIC=1.5mA,计算电流放大系数 β。(10 分) 原创精品资源学科网独家享有版权,侵权必究! 学科网(北京)股份有限公司 $

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