课题8 三极管输出特性与工作区域、参数 河南省（春季高考）《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题8 三极管输出特性与工作区域、参数 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 三极管输出特性曲线横轴物理量为（ ） A. UBE B. IC C. UCE D. IB 【答案】C 【解析】输出特性横轴为管压降UCE。 2. 三极管输出特性曲线纵轴物理量为（ ） A. IE B. UCE C. IB D. IC 【答案】D 【解析】输出特性纵轴为集电极电流IC。 3. 输出特性曲线中，IB≈0对应的区域是（ ） A. 截止区 B. 放大区 C. 饱和区 D. 击穿区 【答案】A 【解析】IB≈0，无输入电流，三极管截止。 4. 三极管放大区标准偏置条件（ ） A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 【答案】B 【解析】放大区唯一标准偏置：发射结正偏，集电结反偏。 5. 三极管饱和区偏置条件（ ） A. 两结全部反偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结、集电结均正向偏置 D. 无固定偏置要求 【答案】C 【解析】饱和时内外电场共同作用，发射结、集电结全部正向偏置。 6. 三极管截止区偏置条件（ ） A. 发射结零偏/反偏，集电结反偏 B. 两结全部正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结正偏，集电结零偏 【答案】A 【解析】截止区发射结不加正向电压（零偏 / 反偏），集电结保持反偏。 7. 放大区核心电气特征（ ） A. UCE随IB线性下降 B. UCE很小，IC不随IB增大 C. IB≈0，仅有微小ICEO D. IC=βIB，IC几乎不受UCE影响 【答案】D 【解析】放大区恒流特性，IC=βIB，UCE变化对电流影响极小。 8. 饱和区典型电压特征硅管UCE(sat)约为（ ） A. 0.7V B. 0.3V C. 1.2V D. 5V 【答案】B 【解析】硅管饱和压降标准值约 0.3V。 9. 三极管作线性信号放大时工作在（ ） A. 截止区 B. 饱和区 C. 放大区 D. 击穿区 【答案】C 【解析】放大区具备线性电流控制能力，用于音频、电压放大。 10. 三极管开关导通状态工作在（ ） A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 D. 反向区 【答案】A 【解析】饱和区UCE极小，等效开关导通。 11. 三极管开关断开状态工作在（ ） A. 稳压区 B. 饱和区 C. 放大区 D. 截止区 【答案】D 【解析】截止区无明显集电极电流，等效开关断开。 12. 穿透电流符号ICEO含义是（ ） A. 最大集电极工作电流 B. IB=0时的集电极 - 发射极漏电流 C. 集电极反向耐压 D. 基极饱和电流 【答案】B 【解析】ICEO定义：基极开路，C、E 之间的穿透漏电流。 13. ICEO随温度升高变化规律（ ） A. 不变 B. 减小 C. 显著增大 D. 归零 【答案】C 【解析】温度升高，本征激发少子增多，穿透电流大幅上升。 14. 三极管电流放大系数 β 物理含义（ ） A. 基极电流对集电极电流控制倍数 B. 发射极与集电极电流比值 C. 电压放大倍数 D. 反向耐压系数 【答案】A 【解析】β代表基极小电流控制集电极大电流的放大倍数。 15. UCEO参数代表（ ） A. 最大正向工作电压 B. 基极开路时，集电极 - 发射极反向击穿电压 C. 发射结导通电压 D. 饱和压降 【答案】B 【解析】UCEO：基极开路状态下，集电极发射极最大耐压，超过易击穿。 16. 输出特性曲线放大区曲线近似平行等距，说明（ ） A. 管子进入饱和 B. UCE恒定 C. ICEO不变 D. β基本恒定 【答案】D 【解析】放大区曲线平行等距，说明同等ΔIB对应同等ΔIC，β稳定。 17. 饱和区中继续增大IB，IC会（ ） A. 几乎不变 B. 同步成倍增大 C. 线性减小 D. 急剧上升击穿 【答案】A 【解析】进入饱和后，集电极收集载流子能力达到上限，再增大IB，IC基本不变。 18. 截止区IB≈0，回路仅存在微小（） A. 饱和电流 B. 穿透电流ICEO C. 正向基极电流 D. 发射极电流 【答案】B 【解析】截止区仅有不受基极控制的微小穿透电流。 19. 三极管温度稳定性由哪个参数决定（） A. UBE B. β C. UCE(sat) D. ICEO 【答案】D 【解析】ICEO是温度漂移主要来源，直接决定管子热稳定性。 20. 下列参数越大，三极管放大能力越强（） A. β B. ICEO C. UCEO D. UCE(sat) 【答案】A 【解析】β越大，相同基极电流下集电极电流放大倍数越高。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 放大区IC仅由IB控制，几乎不受UCE变化影响。（ ） 【答案】√ 【解析】放大区恒流特性，管压降变化不改变集电极电流。 2. 饱和区两 PN 结均正向偏置，IC不再随IB增大而成倍增加。（ ） 【答案】√ 【解析】饱和集电结正偏，失去收集载流子能力，电流不再随IB线性增大。 3. 截止区发射结正偏、集电结反偏。（ ） 【答案】× 【解析】截止区发射结反偏或零偏，放大区才是发射结正偏。 4. 穿透电流ICEO越小，三极管温度稳定性越好。（ ） 【答案】√ 【解析】ICEO是无用漏电流，数值越小，温度变化带来的电流漂移越小。 5. β数值越大，三极管温度漂移问题越轻微。（ ） 【答案】× 【解析】β 越大，ICEO对总电流影响越明显，温漂越严重。 6. 三极管输出特性曲线分为截止区、放大区、饱和区。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管输出特性曲线三个工作区域分别是截止区、放大区、饱和区。 7. 三极管实现线性放大，应工作在饱和区。（ ） 【答案】× 【解析】三极管线性放大需要工作在放大区；饱和区主要用作开关导通状态，不能线性放大信号。 8. 三极管做开关使用，开关导通状态对应饱和区。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管开关模式：截止区对应开关断开，饱和区对应开关导通。 9. ICEO称为击穿电流。（ ） 【答案】× 【解析】ICEO为穿透电流，指基极开路时，集电极‑发射极之间的微弱漏电流。 10. 三极管放大区偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。（ ） 【答案】× 【解析】放大区偏置条件：发射结正偏，集电结反偏；集电结正偏是饱和区的偏置特点。 三、简答题（共 10 分） 1. 简述三极管用作放大电路、电子开关时分别工作在哪一区域，说明原因。（10 分） 【答案】 工作区域应用简答（10 分） 放大电路：工作在放大区（5 分），原因：IC随IB线性变化，可实现信号线性放大，波形不失真； 电子开关：交替工作在截止、饱和区（5 分），截止等效断开，饱和等效导通，满足开关通断逻辑。 四、综合应用题（共 3题，合计 30 分） 1. 绘制三极管输出特性示意图，标注横轴UCE、纵轴IC，划分截止、放大、饱和三区。（10 分） 【答案】 2. 列表对比三极管截止区、放大区、饱和区的偏置条件、核心电气特征、典型应用。（10 分） 【答案】（每栏 1 分，共 10 分，描述缺失酌情扣分） 区域 偏置条件 电气特性 应用 截止 发射结反/零偏，集电结反偏 IB≈0，IC≈ICEO 开关断开 放大 发射结正偏，集电结反偏 IC=βIB，恒流 线性放大 饱和 两结均正偏 UCE（sat）≈0.3V，IC不随IB上升 开关导通 3. 分别说明β、ICEO、UCEO三个参数物理意义，以及参数大小对管子性能的影响。（10 分） 【答案】 三大参数解读（10 分，每项 3～4 分） ①β：电流放大系数，β=ΔIC /ΔIB；β 越大放大能力越强，但温漂变大； ②ICEO：基极开路穿透电流；数值越小，管子热稳定性能越好； ③UCEO：基开路集射反向击穿电压；选用电路工作电压必须低于该值，防止击穿。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题8 三极管输出特性与工作区域、参数 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 三极管输出特性曲线横轴物理量为（ ） A. UBE B. IC C. UCE D. IB 2. 三极管输出特性曲线纵轴物理量为（ ） A. IE B. UCE C. IB D. IC 3. 输出特性曲线中，IB≈0对应的区域是（ ） A. 截止区 B. 放大区 C. 饱和区 D. 击穿区 4. 三极管放大区标准偏置条件（ ） A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 5. 三极管饱和区偏置条件（ ） A. 两结全部反偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结、集电结均正向偏置 D. 无固定偏置要求 6. 三极管截止区偏置条件（ ） A. 发射结零偏/反偏，集电结反偏 B. 两结全部正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结正偏，集电结零偏 7. 放大区核心电气特征（ ） A. UCE随IB线性下降 B. UCE很小，IC不随IB增大 C. IB≈0，仅有微小ICEO D. IC=βIB，IC几乎不受UCE影响 8. 饱和区典型电压特征硅管UCE(sat)约为（ ） A. 0.7V B. 0.3V C. 1.2V D. 5V 9. 三极管作线性信号放大时工作在（ ） A. 截止区 B. 饱和区 C. 放大区 D. 击穿区 10. 三极管开关导通状态工作在（ ） A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 D. 反向区 11. 三极管开关断开状态工作在（ ） A. 稳压区 B. 饱和区 C. 放大区 D. 截止区 12. 穿透电流符号ICEO含义是（ ） A. 最大集电极工作电流 B. IB=0时的集电极 - 发射极漏电流 C. 集电极反向耐压 D. 基极饱和电流 13. ICEO随温度升高变化规律（ ） A. 不变 B. 减小 C. 显著增大 D. 归零 14. 三极管电流放大系数 β 物理含义（ ） A. 基极电流对集电极电流控制倍数 B. 发射极与集电极电流比值 C. 电压放大倍数 D. 反向耐压系数 15. UCEO参数代表（ ） A. 最大正向工作电压 B. 基极开路时，集电极 - 发射极反向击穿电压 C. 发射结导通电压 D. 饱和压降 16. 输出特性曲线放大区曲线近似平行等距，说明（ ） A. 管子进入饱和 B. UCE恒定 C. ICEO不变 D. β基本恒定 17. 饱和区中继续增大IB，IC会（ ） A. 几乎不变 B. 同步成倍增大 C. 线性减小 D. 急剧上升击穿 18. 截止区IB≈0，回路仅存在微小（） A. 饱和电流 B. 穿透电流ICEO C. 正向基极电流 D. 发射极电流 19. 三极管温度稳定性由哪个参数决定（） A. UBE B. β C. UCE(sat) D. ICEO 20. 下列参数越大，三极管放大能力越强（） A. β B. ICEO C. UCEO D. UCE(sat) 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 放大区IC仅由IB控制，几乎不受UCE变化影响。（ ） 2. 饱和区两 PN 结均正向偏置，IC不再随IB增大而成倍增加。（ ） 3. 截止区发射结正偏、集电结反偏。（ ） 4. 穿透电流ICEO越小，三极管温度稳定性越好。（ ） 5. β数值越大，三极管温度漂移问题越轻微。（ ） 6. 三极管输出特性曲线分为截止区、放大区、饱和区。（ ） 7. 三极管实现线性放大，应工作在饱和区。（ ） 8. 三极管做开关使用，开关导通状态对应饱和区。（ ） 9. ICEO称为击穿电流。（ ） 10. 三极管放大区偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。（ ） 三、简答题（共 10 分） 1. 简述三极管用作放大电路、电子开关时分别工作在哪一区域，说明原因。（10 分） 四、综合应用题（共 3题，合计 30 分） 1. 绘制三极管输出特性示意图，标注横轴UCE、纵轴IC，划分截止、放大、饱和三区。（10 分） 2. 列表对比三极管截止区、放大区、饱和区的偏置条件、核心电气特征、典型应用。（10 分） 3. 分别说明β、ICEO、UCEO三个参数物理意义，以及参数大小对管子性能的影响。（10 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $