4.1 半导体存储器（练习）《计算机原理》(电工版第五版) 【上好课】

半导体存储器 1、 单项选择题 1、在半导体存储器中，双极型存储器与单极型（MOS 型）存储器相比，其主要特点是（ ） A. 集成度高，功耗低 B. 集成度低，功耗大，但工作速度快 C. 成本低，容量大 D. 不需要刷新电路 【答案】B 【解析】双极型存储器采用 TTL 电路，优点是工作速度快，但集成度较低，功耗大，价格较贵；而单极型存储器（MOS）集成度高，功耗低，价格便宜。 2、静态 RAM（SRAM）中的基本存储电路通常是利用（ ）来存储信息的。 A. 触发器 B. 电容上的电荷 C. 熔丝 D. 浮栅晶体管 【答案】A 【解析】静态 RAM 的基本存储单元由 T1、T2、T3、T4 组成一个双稳态触发器，利用触发器的稳定状态来保存一个二进制数据位。 3、动态 RAM（DRAM）之所以需要定期进行刷新操作，是因为（ ） A. 其存储单元是电容，电容的电荷会泄漏 B. 其存储单元是触发器，状态不稳定 C. 其读写速度太慢，需要刷新以提高速度 D. 其集成度太高，容易产生干扰 【答案】A 【解析】动态基本存储单元以电荷的形式存储在电容上，由于存在极间电阻，电容的电荷会慢慢泄放，导致电位降低，因此必须在电平达到低电平之前进行刷新。 4、在存储器结构中，采用双译码（复合译码）编址方式的主要目的是（ ） A. 提高存储器的存取速度 B. 简化存储器的控制逻辑 C. 减少选择线的数量，节省芯片面积 D. 增加存储器的容量 【答案】C 【解析】双译码编址方式适用于大容量的存储器中。例如对于 256 个字的存储器，采用单译码需要 256 根字线，而采用双译码（16x16）则只需要 32 根地址选择线，大大减少了选择线的数量。 5、Intel 6116 芯片是一种静态 RAM，其容量为（ ） A. 2K×8 位 B. 4K×8 位 C. 8K×8 位 D. 1K×8 位 【答案】A 【解析】 6116 芯片是高速静态 CMOS 随机存储器，容量是 2K×8b，即 2KB。 6、关于可编程只读存储器（PROM），下列说法正确的是（ ） A. 用户可以多次对其进行编程和修改 B. 出厂时已存储了固定信息，用户不可修改 C. 用户只能进行一次编程，一旦写入便不可更改 D. 必须用紫外线照射才能擦除信息 【答案】C 【解析】 PROM 在使用时由用户根据需要写入信息，但是只要用户写入信息，就不可更改，即使写入错误，也只能使 PROM 报废。 7、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）的主要优点是（ ） A. 集成度最高 B. 可以字节为单位进行擦除和改写，无需拆卸芯片 C. 存取速度比静态 RAM 还快 D. 成本最低 【答案】B 【解析】 EEPROM 可以字节为单位擦除和改写，并且在用户系统上即可完成，使用起来比需要紫外线擦除的 EPROM 更加方便。 8、铁电存储器（FRAM）的核心技术是利用了（ ） A. 浮栅上的电荷 B. 熔丝的熔断 C. 铁电晶体材料的极化状态 D. 双稳态触发器 【答案】C 【解析】 FRAM 由铁电晶体材料组成，电场加载到铁电晶体材料上，中心原子会沿着电场方向运动达到稳定状态，利用这一物理特性来存储数据。 9、与 EEPROM 相比，铁电存储器（FRAM）的一个显著优势是（ ） A. 成本更低 B. 集成度更高 C. 几乎可以无限次地写入（寿命极长） D. 不需要电源即可工作 【答案】C 【解析】 EEPROM 的写入次数是百万次（10^6 次），而新一代的铁电存储器（FRAM）却是一亿亿次（10^12 次）的写入寿命，几乎可以无限次写入。 10、某半导体存储芯片有 12 根地址线和 8 根数据线，则该芯片的存储容量为（ ） A. 12KB B. 4KB C. 8KB D. 16KB 【答案】B 【解析】容量计算公式：容量 = 2^m × n。其中 m 为地址线根数，n 为数据线根数。2^12 × 8 = 4096 × 8 bit = 4096 Byte = 4KB。 二、判断题 1、随机存取存储器（RAM）意味着可以随机地从任何地址读取数据，其存取时间与数据所在的位置无关。（ ） 【答案】 √ 【解析】机存取是相对顺序存取而言的。对于随机存取存储器，读取任何地址单元的信息都无需从头开始，存取时间不取决于信息所在的位置。 2、静态 RAM（SRAM）虽然功耗较大，但因为它不需要刷新电路，所以存取速度比动态 RAM（DRAM）快。（ ） 【答案】 √ 【解析】静态 RAM 由于 T1 和 T2 管总有一个导通，需要消耗电能，因此功耗较大；但它不需要刷新电路，使得电路简单，同时，存取速度也比动态 RAM 快。 3、EPROM（可擦除可编程 ROM）通常使用电信号进行擦除，可以在不拆卸芯片的情况下完成修改。（ ） 【答案】 × 【解析】 EPROM 擦除信息的方法是使用紫外线照射，需要将器件从系统上拆卸下来，而 EEPROM 才是使用电信号擦除。 4、铁电存储器（FRAM）既具有 RAM 的读写便利性，又具有 ROM 的非易失性，即断电后数据不会丢失。（ ） 【答案】 √ 【解析】铁电存储器能兼容 RAM 的一切功能，并且和 ROM 技术一样，是一种非易失性的存储器，在断电情况下能保存数据不变。 5、存储器的存取时间（Access Time）通常小于或等于存储周期（Memory Cycle）。（ ） 【答案】 √ 【解析】存储周期是连续启动两次独立的存取操作所需要的时间。一般来说，完成一次存取操作后，需要有一小段恢复时间，所以存储周期一般比存取时间长。 三、填空题 1、半导体存储器的基本结构通常包括存储矩阵、地址译码器、控制逻辑和____。 【答案】3态双向缓冲器 【解析】半导体存储器一般由地址译码器、存储矩阵、控制逻辑和3态双向缓冲器等部分组成。 2、动态 RAM（DRAM）的基本存储电路通常利用 MOS 管栅极电容上的____来存储信息。 【答案】电荷 【解析】动态基本存储单元是以电荷的形式存储信息的，信息存储在 MOS 管栅极之间的极间电容上或直接存储在电容上。 3、掩膜式 ROM 中的信息是由制造厂家在芯片生产过程中通过____二次光刻写入的，用户无法修改。 【答案】掩膜 【解析】掩膜式 ROM 由制造厂家对芯片图形（掩膜）进行二次光刻而成，用户不能修改芯片的内容。 4、EEPROM（电可擦除可编程 ROM）主要有读、写、字节擦除和____四种工作方式。 【答案】整体擦除 【解析】 EEPROM 通常有 4 种工作方式，即读方式、写方式、字节擦除方式和整体擦除方式。 5、衡量半导体存储器速度的指标包括存取时间和存储周期，其中存储周期是指连续启动两次独立的存取操作所需要的____。 【答案】时间 【解析】存储周期为连续启动两次独立的存取操作所需要的时间。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 半导体存储器 1、 单项选择题 1、在半导体存储器中，双极型存储器与单极型（MOS 型）存储器相比，其主要特点是（ ） A. 集成度高，功耗低 B. 集成度低，功耗大，但工作速度快 C. 成本低，容量大 D. 不需要刷新电路 2、静态 RAM（SRAM）中的基本存储电路通常是利用（ ）来存储信息的。 A. 触发器 B. 电容上的电荷 C. 熔丝 D. 浮栅晶体管 3、动态 RAM（DRAM）之所以需要定期进行刷新操作，是因为（ ） A. 其存储单元是电容，电容的电荷会泄漏 B. 其存储单元是触发器，状态不稳定 C. 其读写速度太慢，需要刷新以提高速度 D. 其集成度太高，容易产生干扰 4、在存储器结构中，采用双译码（复合译码）编址方式的主要目的是（ ） A. 提高存储器的存取速度 B. 简化存储器的控制逻辑 C. 减少选择线的数量，节省芯片面积 D. 增加存储器的容量 5、Intel 6116 芯片是一种静态 RAM，其容量为（ ） A. 2K×8 位 B. 4K×8 位 C. 8K×8 位 D. 1K×8 位 6、关于可编程只读存储器（PROM），下列说法正确的是（ ） A. 用户可以多次对其进行编程和修改 B. 出厂时已存储了固定信息，用户不可修改 C. 用户只能进行一次编程，一旦写入便不可更改 D. 必须用紫外线照射才能擦除信息 7、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）的主要优点是（ ） A. 集成度最高 B. 可以字节为单位进行擦除和改写，无需拆卸芯片 C. 存取速度比静态 RAM 还快 D. 成本最低 8、铁电存储器（FRAM）的核心技术是利用了（ ） A. 浮栅上的电荷 B. 熔丝的熔断 C. 铁电晶体材料的极化状态 D. 双稳态触发器 9、与 EEPROM 相比，铁电存储器（FRAM）的一个显著优势是（ ） A. 成本更低 B. 集成度更高 C. 几乎可以无限次地写入（寿命极长） D. 不需要电源即可工作 10、某半导体存储芯片有 12 根地址线和 8 根数据线，则该芯片的存储容量为（ ） A. 12KB B. 4KB C. 8KB D. 16KB 二、判断题 1、随机存取存储器（RAM）意味着可以随机地从任何地址读取数据，其存取时间与数据所在的位置无关。（ ） 2、静态 RAM（SRAM）虽然功耗较大，但因为它不需要刷新电路，所以存取速度比动态 RAM（DRAM）快。（ ） 3、EPROM（可擦除可编程 ROM）通常使用电信号进行擦除，可以在不拆卸芯片的情况下完成修改。（ ） 4、铁电存储器（FRAM）既具有 RAM 的读写便利性，又具有 ROM 的非易失性，即断电后数据不会丢失。（ ） 5、存储器的存取时间（Access Time）通常小于或等于存储周期（Memory Cycle）。（ ） 三、填空题 1、半导体存储器的基本结构通常包括存储矩阵、地址译码器、控制逻辑和____。 2、动态 RAM（DRAM）的基本存储电路通常利用 MOS 管栅极电容上的____来存储信息。 3、掩膜式 ROM 中的信息是由制造厂家在芯片生产过程中通过____二次光刻写入的，用户无法修改。 4、EEPROM（电可擦除可编程 ROM）主要有读、写、字节擦除和____四种工作方式。 5、衡量半导体存储器速度的指标包括存取时间和存储周期，其中存储周期是指连续启动两次独立的存取操作所需要的____。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $