第35练 第4章 半导体存储器的分类 (1)《计算机原理》(电工版第五版) 一课一练
2026-07-30
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内容正文:
编写说明:考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况,我们依据支架式教学理念,精心编制了《计算机原理》(电工版第五版)一课一练。专辑里的每一份练习,都与课堂所授知识点紧密相关,题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣,培养他们的学习自觉性,帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法,为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。
本卷是《计算机原理》(电工版第五版)一课一练的第4章的第35练,内容涵盖第4章存储系统的4.1.1 半导体存储器的分类(1)。
《计算机原理》(电工版第五版)一课一练 第35练
第4章 存储系统
4.1.1 半导体存储器的分类(1)
1、 单项选择题(本题共5小题)
1、单极型(MOS)存储器相对于双极型存储器的主要优势是( )
A. 工作速度快
B. 集成度高、功耗低、价格便宜
C. 可直接替代Cache
D. 不需要读写控制
【答案】B
【解析】单极型MOS存储器集成度高、功耗低、价格便宜,但速度较慢,常用于主存储器。双极型存储器速度快但集成度低、功耗大、价格贵,常用于Cache。
2、单译码编址方式的主要缺点是( )
A. 寻址速度慢
B. 地址译码器结构复杂,引出线多
C. 只适合大容量存储器
D. 无法随机存取
【答案】B
【解析】单译码方式中,一个字对应一条字选线。若有N条地址线,则需有2^N条字选线,地址译码器输出线数量巨大,结构复杂,仅适合小容量字结构。
3、动态随机存取存储器(DRAM)的基本存储单元存储信息的载体是( )
A. 触发器
B. 电容上的电荷
C. 磁芯
D. 晶体管开关
【答案】B
【解析】DRAM的基本存储单元利用MOS管栅极寄生电容或单独的电容上的电荷来存储信息。由于电荷会泄漏,需要定期刷新(通常2ms刷新一次)。
4、双译码编址方式比单译码方式的主要优势是( )
A. 减少了地址译码器的输出线数量
B. 存取速度更快
C. 不需要地址线
D. 功耗降低一半
【答案】A
【解析】双译码将地址分为行地址和列地址两路分别译码。N位地址时,行译码需2^(N/2)条行选线,列译码需2^(N/2)条列选线,总数约2×2^(N/2),远少于单译码的2^N条。
5、存储矩阵的N×8结构的含义是( )
A. 每个存储芯片有8个地址引脚
B. 每个地址存储8位数据,芯片的数据总线为8位
C. 芯片容量为8KB
D. 芯片有8根地址线
【答案】B
【解析】N×8结构表示芯片有N个存储单元(地址数),每个单元存储8位数据,即数据总线宽度为8位。例如512K×8表示512K个地址,每个地址8位。
2、 判断题(本题共3题)
1、双极型存储器的优点是集成度高、功耗低、价格便宜。( )
【答案】×
【解析】双极型存储器优点是工作速度快,但集成度低、功耗大、价格贵。集成度高、功耗低、价格便宜是单极型MOS存储器的特点。
2、静态RAM(SRAM)不需要定期刷新,存取速度比动态RAM更快。( )
【答案】√
【解析】SRAM用触发器电路存储信息,只要不断电就能保持数据,无需刷新。SRAM速度比DRAM快,但集成度较低,常用于Cache。
3、动态RAM(DRAM)的地址线通常采用行地址和列地址分时复用的方式输入。( )
【答案】√
【解析】为了减少引脚数量,DRAM通常将地址线分两批送入:先由RAS(行地址选通)锁存行地址,再由CAS(列地址选通)锁存列地址。如MCM511000A即采用此方式。
3、 简答题(本题共2小题)
1、请分别从电路角度和功能特点两方面,说明半导体存储器的分类及各类型的主要特点。
【答案】
按功能特点分:RAM(随机存取存储器,可读可写,如主存)和ROM(只读存储器,固定存储,如固件)。RAM又分静态SRAM和动态DRAM。
单极型(MOS):采用MOS电路,集成度高、功耗低、价格便宜,但速度较慢,多用于主存。
双极型(TTL):采用晶体管-晶体管逻辑电路,工作速度快,但集成度低、功耗大、价格贵,用于Cache。
2、请简要说明双译码编址方式的工作原理,并说明它相比于单译码方式的优势。
【答案】
优势:双译码大幅减少了地址译码器的输出线数量。如10位地址,单译码需1024条字选线,双译码仅需64条(32行+32列)。
双译码将地址分为行地址和列地址两部分。行译码产生行选通信号选中某一行,列译码产生列选通信号选中某一列。交叉点即为被选中的存储单元。
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编写说明:考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况,我们依据支架式教学理念,精心编制了《计算机原理》(电工版第五版)一课一练。专辑里的每一份练习,都与课堂所授知识点紧密相关,题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣,培养他们的学习自觉性,帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法,为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。
本卷是《计算机原理》(电工版第五版)一课一练的第4章的第35练,内容涵盖第4章存储系统的4.1.1 半导体存储器的分类(1)。
《计算机原理》(电工版第五版)一课一练 第35练
第4章 存储系统
4.1.1 半导体存储器的分类(1)
1、 单项选择题(本题共5小题)
1、单极型(MOS)存储器相对于双极型存储器的主要优势是( )
A. 工作速度快
B. 集成度高、功耗低、价格便宜
C. 可直接替代Cache
D. 不需要读写控制
2、单译码编址方式的主要缺点是( )
A. 寻址速度慢
B. 地址译码器结构复杂,引出线多
C. 只适合大容量存储器
D. 无法随机存取
3、动态随机存取存储器(DRAM)的基本存储单元存储信息的载体是( )
A. 触发器
B. 电容上的电荷
C. 磁芯
D. 晶体管开关
4、双译码编址方式比单译码方式的主要优势是( )
A. 减少了地址译码器的输出线数量
B. 存取速度更快
C. 不需要地址线
D. 功耗降低一半
5、存储矩阵的N×8结构的含义是( )
A. 每个存储芯片有8个地址引脚
B. 每个地址存储8位数据,芯片的数据总线为8位
C. 芯片容量为8KB
D. 芯片有8根地址线
2、 判断题(本题共3题)
1、双极型存储器的优点是集成度高、功耗低、价格便宜。( )
2、静态RAM(SRAM)不需要定期刷新,存取速度比动态RAM更快。( )
3、动态RAM(DRAM)的地址线通常采用行地址和列地址分时复用的方式输入。( )
3、 简答题(本题共2小题)
1、请分别从电路角度和功能特点两方面,说明半导体存储器的分类及各类型的主要特点。
2、请简要说明双译码编址方式的工作原理,并说明它相比于单译码方式的优势。
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