课题3 半导体基础与普通二极管 河南省（春季高考）《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题3 半导体基础与普通二极管 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 本征半导体纯净硅晶体中，常温下产生的两种载流子是（ ） A. 自由电子、空穴 B. 离子、原子核 C. 质子、中子 D. 电子、质子 【答案】A 【解析】本征半导体受热激发产生成对自由电子与空穴两种载流子。 2. P 型半导体掺入的杂质元素为（ ） A. 五价磷 B. 三价硼 C. 碳 D. 铜 【答案】B 【解析】三价硼杂质，掺入硅后产生大量空穴，形成 P 型半导体。 3. N 型半导体掺入的杂质元素为（ ） A. 氧 B. 三价硼 C. 五价磷 D. 铝 【答案】C 【解析】五价磷杂质，多出自由电子，形成 N 型半导体。 4. P 型半导体多数载流子是（ ） A. 空穴 B. 自由电子 C. 杂质离子 D. 价电子 【答案】A 【解析】P 型半导体空穴数量远大于电子，空穴为多数载流子。 5. N 型半导体多数载流子是（ ） A. 空穴 B. 自由电子 C. 原子核 D. 正离子 【答案】B 【解析】N 型自由电子数量远大于空穴，电子为多子。 6. P 型与 N 型半导体结合交界面形成薄层称为（ ） A. 导电层 B. 耗尽层 C. 掺杂层 D. PN 结 【答案】D 【解析】P、N 结合界面电荷薄层定义为 PN 结。 7. PN 结内部空间电荷区又称（ ） A. 耗尽层 B. 导电区 C. 掺杂区 D. 中性区 【答案】A 【解析】空间电荷区几乎无自由载流子，又称耗尽层。 8. 多数载流子由高浓度向低浓度移动的运动叫（ ） A. 热运动 B. 漂移运动 C. 扩散运动 D. 电离运动 【答案】C 【解析】扩散：多子从高浓度向低浓度自然移动。 9. 少数载流子在内电场作用下产生的运动是（ ） A. 扩散运动 B. 漂移运动 C. 复合运动 D. 激发运动 【答案】B 【解析】漂移：内电场牵引少子定向移动。 10. PN 结正向偏置条件为（ ） A. P 接正、N 接负 B. P 接负、N 接正 C. 两端等电位 D. 任意接法 【答案】A 【解析】正向偏置：P 接电源正极，N 接负极，削弱内电场。 11. PN 结反向偏置时，耗尽层宽度变化为（ ） A. 不变 B. 变窄 C. 变宽 D. 消失 【答案】C 【解析】反向偏置外电场叠加内电场，耗尽层变宽，载流子难以通过。 12. 二极管电路符号中三角形一端代表（ ） A. 阴极 N B. 阳极 P C. 耗尽层 D. 内电场 【答案】B 【解析】二极管符号三角代表阳极（P 区）。 13. 二极管符号垂直短竖线代表（ ） A. 外电路 B. 阳极 P C. PN 结 D. 阴极 N 【答案】D 【解析】竖短线代表阴极（N 区）。 14. 硅二极管常温正向导通压降典型值（ ） A. 3V B. 0.3V C. 1.5V D. 0.7V 【答案】D 【解析】硅管 PN 结势垒电压约 0.7V。 15. 锗二极管常温正向导通压降典型值（ ） A. 0.7V B. 0.3V C. 1V D. 2V 【答案】B 【解析】锗管势垒电压低，约 0.3V。 16. 二极管最大整流电流符号是（ ） A. IR ​B. URM ​C. IF ​D. UF 【答案】C 【解析】IF：最大允许正向整流电流。。 17. 最高反向工作电压符号是（ ） A. URM B. IF C. IR D. UD 【答案】A 【解析】URM：安全最高反向电压，超过易击穿。 18. 反向饱和电流符号IR随温度升高会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 归零 【答案】A 【解析】温度升高，本征激发加剧，少子数量增加，反向漏电流变大。 19. 二极管反向偏置时回路电流特征（ ） A. 大正向电流 B. 极小漏电流 C. 无电流 D. 恒定大电流 【答案】B 【解析】反向只有微量少子形成漏电流，几乎无导电能力。 20. 选用整流二极管，首要参考参数是（ ） A. 封装尺寸 B. 导通压降 C. 反向漏电流 D. IF、URM 【答案】D 【解析】整流电路核心限制：工作电流不超IF，反向峰值电压不超URM。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 纯净本征半导体导电能力很强，可直接做元器件。（ ） 【答案】× 【解析】纯净硅载流子极少，导电能力极弱，必须掺杂才能做器件。 2. PN 结正向偏置时耗尽层变窄，扩散运动占主导。（ ） 【答案】√ 【解析】正偏外电场抵消内电场，耗尽层收缩，扩散运动远大于漂移，形成大电流。 3. 二极管阴极接高电位、阳极接低电位属于正向偏置。（ ） 【答案】× 【解析】阳极低、阴极高为反向偏置，二极管截止。 4. 温度上升，二极管反向漏电流IR明显增大。（ ） 【答案】√ 【解析】温度升高少子增多，反向饱和漏电流显著上升。 5. 选型时二极管IF应大于电路实际最大工作电流。（ ） 【答案】√ 【解析】留安全余量，防止过载烧毁二极管。 6. P 型半导体多子是空穴，N 型半导体多子为自由电子。（ ） 【答案】√ 【解析】P 型半导体多数载流子（多子）是空穴；N 型半导体多数载流子是自由电子。 7. PN 结具备双向导电性，可以正向、反向都导通。（ ） 【答案】× 【解析】PN 结核心特性为单向导电性，正向导通，反向截止，并非双向均可导通，这也是二极管的工作基础。 8. 二极管阳极对应 P 型半导体区域。（ ） 【答案】√ 【解析】二极管由 PN 结构成，阳极引出端接 P 型半导体区域，阴极引出端接 N 型半导体区域。 9. 二极管伏安特性分为正向特性、反向特性两部分。（ ） 【答案】√ 【解析】二极管伏安特性曲线主要由正向特性、反向特性两大部分组成。 10. 二极管参数URM代表最低反向工作电压。（ ） 【答案】× 【解析】URM是最高反向工作电压，实际工作时反向电压不能超过该参数，防止二极管损坏。 三、简答题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 文字描述 PN 结内部结构，标注 P 区、N 区、耗尽层、内电场方向。（10 分） 【答案】PN 结结构描述（10 分） 结构分层：左侧 P 区（多空穴）、右侧 N 区（多电子）；交界面形成耗尽层，P 侧带负电、N 侧带正电；内电场方向由 N 区指向 P 区。分层、耗尽层、电场方向各得分点，缺一项扣 3 分。 2. 简述 PN 结单向导电性的完整工作原理（扩散、漂移、正反向偏置）。（10 分） 【答案】单向导电性原理（10 分） ①无外加电压：扩散与漂移动态平衡，无外部电流（2 分）； ②正向偏置：外电场抵消内电场，耗尽层变窄，扩散运动主导，产生大正向电流，二极管导通（4 分）； ③反向偏置：外电场增强内电场，耗尽层加宽，仅微弱漂移漏电流，二极管截止（4 分）。 四、综合应用题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 绘制二极管伏安特性曲线文字示意图，标注正向导通区、反向截止区，标出硅、锗导通压降。（10 分） 【答案】伏安特性曲线（10 分） 2. 分别说明IF、URM、IR三个核心参数物理意义及选型要求。（10 分） 【答案】二极管参数说明（10 分，每个参数 3～4 分） ①IF最大整流电流：二极管长期允许最大正向平均电流，选型电路工作电流必须小于IF； ②URM最高反向工作电压：安全反向电压上限，反向峰值电压不能超过该值，防止电击穿； ③IR反向饱和漏电流：反向偏置微小电流，数值越小管子性能、温度稳定性越好。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题3 半导体基础与普通二极管 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 本征半导体纯净硅晶体中，常温下产生的两种载流子是（ ） A. 自由电子、空穴 B. 离子、原子核 C. 质子、中子 D. 电子、质子 2. P 型半导体掺入的杂质元素为（ ） A. 五价磷 B. 三价硼 C. 碳 D. 铜 3. N 型半导体掺入的杂质元素为（ ） A. 氧 B. 三价硼 C. 五价磷 D. 铝 4. P 型半导体多数载流子是（ ） A. 空穴 B. 自由电子 C. 杂质离子 D. 价电子 5. N 型半导体多数载流子是（ ） A. 空穴 B. 自由电子 C. 原子核 D. 正离子 6. P 型与 N 型半导体结合交界面形成薄层称为（ ） A. 导电层 B. 耗尽层 C. 掺杂层 D. PN 结 7. PN 结内部空间电荷区又称（ ） A. 耗尽层 B. 导电区 C. 掺杂区 D. 中性区 8. 多数载流子由高浓度向低浓度移动的运动叫（ ） A. 热运动 B. 漂移运动 C. 扩散运动 D. 电离运动 9. 少数载流子在内电场作用下产生的运动是（ ） A. 扩散运动 B. 漂移运动 C. 复合运动 D. 激发运动 10. PN 结正向偏置条件为（ ） A. P 接正、N 接负 B. P 接负、N 接正 C. 两端等电位 D. 任意接法 11. PN 结反向偏置时，耗尽层宽度变化为（ ） A. 不变 B. 变窄 C. 变宽 D. 消失 12. 二极管电路符号中三角形一端代表（ ） A. 阴极 N B. 阳极 P C. 耗尽层 D. 内电场 13. 二极管符号垂直短竖线代表（ ） A. 外电路 B. 阳极 P C. PN 结 D. 阴极 N 14. 硅二极管常温正向导通压降典型值（ ） A. 3V B. 0.3V C. 1.5V D. 0.7V 15. 锗二极管常温正向导通压降典型值（ ） A. 0.7V B. 0.3V C. 1V D. 2V 16. 二极管最大整流电流符号是（ ） A. IR ​B. URM ​C. IF ​D. UF 17. 最高反向工作电压符号是（ ） A. URM B. IF C. IR D. UD 18. 反向饱和电流符号IR随温度升高会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 归零 19. 二极管反向偏置时回路电流特征（ ） A. 大正向电流 B. 极小漏电流 C. 无电流 D. 恒定大电流 20. 选用整流二极管，首要参考参数是（ ） A. 封装尺寸 B. 导通压降 C. 反向漏电流 D. IF、URM 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 纯净本征半导体导电能力很强，可直接做元器件。（ ） 2. PN 结正向偏置时耗尽层变窄，扩散运动占主导。（ ） 3. 二极管阴极接高电位、阳极接低电位属于正向偏置。（ ） 4. 温度上升，二极管反向漏电流IR明显增大。（ ） 5. 选型时二极管IF应大于电路实际最大工作电流。（ ） 6. P 型半导体多子是空穴，N 型半导体多子为自由电子。（ ） 7. PN 结具备双向导电性，可以正向、反向都导通。（ ） 8. 二极管阳极对应 P 型半导体区域。（ ） 9. 二极管伏安特性分为正向特性、反向特性两部分。（ ） 10. 二极管参数URM代表最低反向工作电压。（ ） 三、简答题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 文字描述 PN 结内部结构，标注 P 区、N 区、耗尽层、内电场方向。（10 分） 2. 简述 PN 结单向导电性的完整工作原理（扩散、漂移、正反向偏置）。（10 分） 四、综合应用题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 绘制二极管伏安特性曲线文字示意图，标注正向导通区、反向截止区，标出硅、锗导通压降。（10 分） 2. 分别说明IF、URM、IR三个核心参数物理意义及选型要求。（10 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $