课题4 特殊二极管 河南省（春季高考）《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题4 特殊二极管 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 稳压二极管正常稳压工作区域是（ ） A. 截止区 B. 正向导通区 C. 反向电击穿区 D. 饱和区 【答案】C 【解析】稳压二极管仅在反向电击穿区，电压恒定不变，实现稳压。 2. 稳压二极管电路符号区别于普通二极管的标识是（ ） A. 阴极侧短折线 B. 外侧向外箭头 C. 外侧向内箭头 D. 两侧电容标识 【答案】A 【解析】稳压管符号：普通二极管基础上，阴极竖线增加短折线标识。 3. 稳压二极管接入电路必须串联的保护元件是（ ） A. 滤波电容 B. 限流电阻 C. 电感 D. 三极管 【答案】B 【解析】限流电阻分担多余电压，限制击穿电流，防止稳压管过流烧毁。 4. 稳压二极管正向导通压降近似为（ ） A. 0.7V B. 稳定稳压值 C. 0.3V D. 2V 【答案】A 【解析】稳压管正向特性和普通硅二极管一致，导通压降 0.7V。 5. 发光二极管（LED）能量转换形式为（ ） A. 热能→光能 B. 光能→电能 C. 电能→热能 D. 电能→光能 【答案】D 【解析】LED 正向电流通过时，电子空穴复合释放光能，电能转光能。 6. LED 正常工作偏置状态为（ ） A. 任意偏置 B. 反向偏置 C. 零偏置 D. 正向偏置 【答案】D 【解析】只有正向导通才有电流、产生发光效果。 7. 普通红色 LED 正向导通压降约为（ ） A. 1.8～2.2V B. 0.7V C. 0.3V D. 5V 【答案】A 【解析】红、绿可见光 LED 导通压降普遍 1.8~2.2V，远高于硅整流管。 8. LED 电路符号特征是（ ） A. 阴极折线标识 B. 外侧两条向外斜箭头 C. 内侧入射箭头 D. 电容标记 【答案】B 【解析】LED 符号外侧绘制向外两条斜箭头，代表向外发光。 9. 光电二极管能量转换形式为（ ） A. 电能→热能 B. 电能→光能 C. 光能→电能 D. 光能→热能 【答案】C 【解析】光电二极管受光照激发产生光生载流子，光能转化为电信号。 10. 光电二极管正常检测工作偏置为（ ） A. 反向偏置 B. 正向偏置 C. 零偏置 D. 饱和偏置 【答案】A 【解析】反向偏置耗尽层加宽，提升光生载流子收集效率，检测灵敏度更高。 11. 光电二极管电路符号特征（ ） A. 电容符号 B. 向外发光箭头 C. 阴极折线 D. 两条向内入射箭头 【答案】D 【解析】光电二极管符号箭头指向器件内部，代表光线射入。 12. 光照强度增大，光电二极管反向漏电流会（ ） A. 不变 B. 变小 C. 变大 D. 归零 【答案】C 【解析】光照越强，激发的少子数量越多，反向光电流越大。 13. 变容二极管依靠哪种参数随电压变化工作（ ） A. 导通压降 B. 正向电流 C. PN 结结电容 D. 反向击穿电压 【答案】C 【解析】变容二极管核心特性：反向电压改变耗尽层厚度，改变结电容。 14. 变容二极管必须在什么偏置下使用（ ） A. 正向偏置 B. 反向偏置 C. 零偏置 D. 击穿区 【答案】B 【解析】正向导通耗尽层消失，电容基本固定，只有反向偏置电容随电压变化。 15. 变容二极管典型应用电路是（ ） A. 指示灯电路 B. 直流稳压电路 C. 高频调谐、调频电路 D. 光电检测电路 【答案】C 【解析】收音机、射频电路调频调谐是变容二极管核心用途。 16. 肖特基二极管核心结构是（ ） A. 双层耗尽层 B. PN 同质结 C. PNP 三层结构 D. 金属 - 半导体结 【答案】D 【解析】肖特基不是传统 PN 结，是金属与 N 型半导体接触面形成金属半导体结。 17. 肖特基二极管最突出优势是（ ） A. 开关速度极快、正向压降低 B. 稳压精度高 C. 反向耐压极高 D. 结电容大 【答案】A 【解析】无少数载流子存储，开关速度远快于普通硅二极管。 18. 肖特基二极管正向导通压降典型值约为（ ） A. 1.8V B. 0.7V C. 0.2V D. 3V 【答案】C 【解析】肖特基正向压降仅 0.15~0.3V，典型 0.2V。 19. 适合高频整流、开关电源的二极管是（ ） A. 光电二极管 B. 稳压二极管 C. LED D. 肖特基二极管 【答案】D 【解析】开关电源、高频整流电路大量使用肖特基管降低损耗。 20. 下列器件不能工作在反向击穿区的是（ ） A. 发光二极管 B. 稳压二极管 C. 变容二极管 D. 光电二极管 【答案】A 【解析】LED 反向耐压很低，反向高压极易击穿损坏，不能工作在击穿区。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 稳压二极管正向接入电路也具备稳压功能。（ ） 【答案】× 【解析】正向仅 0.7V 导通，电压不恒定，无稳压作用。 2. 光电二极管正向接入电路无法实现光信号检测。（ ） 【答案】√ 【解析】正向偏置无光电检测效果，只有反向才能随光照改变电流。 3. 变容二极管正向导通时结电容变化明显，适合调频。（ ） 【答案】× 【解析】正向结电容几乎不变，只有反向偏置电容随电压明显变化。 4. 肖特基二极管适合高频快速开关整流场景。（ ） 【答案】√ 【解析】高速开关、高频整流是肖特基核心应用场景。 5. 发光二极管反向加高压不会损坏器件。（ ） 【答案】× 【解析】LED 反向击穿电压极低，反向高压会永久损坏 PN 结。 6. 稳压二极管利用反向热击穿实现电压稳定。（ ） 【答案】× 【解析】稳压二极管工作依靠电击穿，电击穿可逆；热击穿属于不可逆破坏性击穿，会直接损坏稳压。 7. 光电二极管受光照产生光生（反向）电流，实现光电检测。（ ） 【答案】√ 【解析】光电二极管受到光照后会激发少数载流子，产生光生反向电流，以此完成光电信号检测。 8. 变容二极管反向电压越大，PN 结结电容越小。（ ） 【答案】√ 【解析】变容二极管施加的反向电压增大，PN 结耗尽层加宽，等效极板间距增大，结电容变小。 9. 肖特基二极管存在明显少子存储效应，开关速度慢。（ ） 【答案】× 【解析】肖特基二极管没有少子存储效应，开关速度快，适合高频高速开关电路。 10. LED 串联限流电阻限制电流，防止过流烧毁。（ ） 【答案】√ 【解析】LED 耐受电流很小，电路中必须串联限流电阻进行分压限流，避免过流造成 LED 烧毁。 三、简答题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 简述变容二极管结构特点、电压 - 电容变化规律及典型应用。（10 分） 【答案】结构：标准 PN 结二极管（3 分）； 规律：反向电压增大→耗尽层变宽→结电容减小（3 分）； 应用：收音机调频、射频调谐、振荡电路（4 分）。 2. 简述肖特基二极管结构、电气特点与适用电路场景。（10 分） 【答案】结构：金属材料与 N 型半导体形成金属 - 半导体结（3 分）； 特点：正向压降低、无少子存储、开关速度快（3 分）； 应用：高频整流、开关电源、低压大电流续流电路（4 分）。 四、综合应用题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 画出稳压二极管标准电路符号并标注阴阳极，简述反向击穿稳压工作原理。（10 分） 【答案】（4分） 原理：反向电压达到 Uz 进入电击穿区，电流大范围变化时，管子两端电压基本保持不变，串联限流电阻限制电流，实现稳压（6 分）。 2. 对比 LED 与光电二极管能量转换、工作偏置、典型应用差异。（10 分） 【答案】①能量转换：LED 电能→光能；光电二极管光能→电能（3 分） ②工作偏置：LED 正向导通；光电二极管反向偏置（3 分） ③应用：LED 指示灯、显示屏、照明；光电管光检测、光纤接收（4 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题4 特殊二极管 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 稳压二极管正常稳压工作区域是（ ） A. 截止区 B. 正向导通区 C. 反向电击穿区 D. 饱和区 【答案】C 【解析】稳压二极管仅在反向电击穿区，电压恒定不变，实现稳压。 2. 稳压二极管电路符号区别于普通二极管的标识是（ ） A. 阴极侧短折线 B. 外侧向外箭头 C. 外侧向内箭头 D. 两侧电容标识 【答案】A 【解析】稳压管符号：普通二极管基础上，阴极竖线增加短折线标识。 3. 稳压二极管接入电路必须串联的保护元件是（ ） A. 滤波电容 B. 限流电阻 C. 电感 D. 三极管 【答案】B 【解析】限流电阻分担多余电压，限制击穿电流，防止稳压管过流烧毁。 4. 稳压二极管正向导通压降近似为（ ） A. 0.7V B. 稳定稳压值 C. 0.3V D. 2V 【答案】A 【解析】稳压管正向特性和普通硅二极管一致，导通压降 0.7V。 5. 发光二极管（LED）能量转换形式为（ ） A. 热能→光能 B. 光能→电能 C. 电能→热能 D. 电能→光能 【答案】D 【解析】LED 正向电流通过时，电子空穴复合释放光能，电能转光能。 6. LED 正常工作偏置状态为（ ） A. 任意偏置 B. 反向偏置 C. 零偏置 D. 正向偏置 【答案】D 【解析】只有正向导通才有电流、产生发光效果。 7. 普通红色 LED 正向导通压降约为（ ） A. 1.8～2.2V B. 0.7V C. 0.3V D. 5V 【答案】A 【解析】红、绿可见光 LED 导通压降普遍 1.8~2.2V，远高于硅整流管。 8. LED 电路符号特征是（ ） A. 阴极折线标识 B. 外侧两条向外斜箭头 C. 内侧入射箭头 D. 电容标记 【答案】B 【解析】LED 符号外侧绘制向外两条斜箭头，代表向外发光。 9. 光电二极管能量转换形式为（ ） A. 电能→热能 B. 电能→光能 C. 光能→电能 D. 光能→热能 【答案】C 【解析】光电二极管受光照激发产生光生载流子，光能转化为电信号。 10. 光电二极管正常检测工作偏置为（ ） A. 反向偏置 B. 正向偏置 C. 零偏置 D. 饱和偏置 【答案】A 【解析】反向偏置耗尽层加宽，提升光生载流子收集效率，检测灵敏度更高。 11. 光电二极管电路符号特征（ ） A. 电容符号 B. 向外发光箭头 C. 阴极折线 D. 两条向内入射箭头 【答案】D 【解析】光电二极管符号箭头指向器件内部，代表光线射入。 12. 光照强度增大，光电二极管反向漏电流会（ ） A. 不变 B. 变小 C. 变大 D. 归零 【答案】C 【解析】光照越强，激发的少子数量越多，反向光电流越大。 13. 变容二极管依靠哪种参数随电压变化工作（ ） A. 导通压降 B. 正向电流 C. PN 结结电容 D. 反向击穿电压 【答案】C 【解析】变容二极管核心特性：反向电压改变耗尽层厚度，改变结电容。 14. 变容二极管必须在什么偏置下使用（ ） A. 正向偏置 B. 反向偏置 C. 零偏置 D. 击穿区 【答案】B 【解析】正向导通耗尽层消失，电容基本固定，只有反向偏置电容随电压变化。 15. 变容二极管典型应用电路是（ ） A. 指示灯电路 B. 直流稳压电路 C. 高频调谐、调频电路 D. 光电检测电路 【答案】C 【解析】收音机、射频电路调频调谐是变容二极管核心用途。 16. 肖特基二极管核心结构是（ ） A. 双层耗尽层 B. PN 同质结 C. PNP 三层结构 D. 金属 - 半导体结 【答案】D 【解析】肖特基不是传统 PN 结，是金属与 N 型半导体接触面形成金属半导体结。 17. 肖特基二极管最突出优势是（ ） A. 开关速度极快、正向压降低 B. 稳压精度高 C. 反向耐压极高 D. 结电容大 【答案】A 【解析】无少数载流子存储，开关速度远快于普通硅二极管。 18. 肖特基二极管正向导通压降典型值约为（ ） A. 1.8V B. 0.7V C. 0.2V D. 3V 【答案】C 【解析】肖特基正向压降仅 0.15~0.3V，典型 0.2V。 19. 适合高频整流、开关电源的二极管是（ ） A. 光电二极管 B. 稳压二极管 C. LED D. 肖特基二极管 【答案】D 【解析】开关电源、高频整流电路大量使用肖特基管降低损耗。 20. 下列器件不能工作在反向击穿区的是（ ） A. 发光二极管 B. 稳压二极管 C. 变容二极管 D. 光电二极管 【答案】A 【解析】LED 反向耐压很低，反向高压极易击穿损坏，不能工作在击穿区。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. 稳压二极管正向接入电路也具备稳压功能。（ ） 【答案】× 【解析】正向仅 0.7V 导通，电压不恒定，无稳压作用。 2. 光电二极管正向接入电路无法实现光信号检测。（ ） 【答案】√ 【解析】正向偏置无光电检测效果，只有反向才能随光照改变电流。 3. 变容二极管正向导通时结电容变化明显，适合调频。（ ） 【答案】× 【解析】正向结电容几乎不变，只有反向偏置电容随电压明显变化。 4. 肖特基二极管适合高频快速开关整流场景。（ ） 【答案】√ 【解析】高速开关、高频整流是肖特基核心应用场景。 5. 发光二极管反向加高压不会损坏器件。（ ） 【答案】× 【解析】LED 反向击穿电压极低，反向高压会永久损坏 PN 结。 6. 稳压二极管利用反向热击穿实现电压稳定。（ ） 【答案】× 【解析】稳压二极管工作依靠电击穿，电击穿可逆；热击穿属于不可逆破坏性击穿，会直接损坏稳压。 7. 光电二极管受光照产生光生（反向）电流，实现光电检测。（ ） 【答案】√ 【解析】光电二极管受到光照后会激发少数载流子，产生光生反向电流，以此完成光电信号检测。 8. 变容二极管反向电压越大，PN 结结电容越小。（ ） 【答案】√ 【解析】变容二极管施加的反向电压增大，PN 结耗尽层加宽，等效极板间距增大，结电容变小。 9. 肖特基二极管存在明显少子存储效应，开关速度慢。（ ） 【答案】× 【解析】肖特基二极管没有少子存储效应，开关速度快，适合高频高速开关电路。 10. LED 串联限流电阻限制电流，防止过流烧毁。（ ） 【答案】√ 【解析】LED 耐受电流很小，电路中必须串联限流电阻进行分压限流，避免过流造成 LED 烧毁。 三、简答题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 简述变容二极管结构特点、电压 - 电容变化规律及典型应用。（10 分） 【答案】结构：标准 PN 结二极管（3 分）； 规律：反向电压增大→耗尽层变宽→结电容减小（3 分）； 应用：收音机调频、射频调谐、振荡电路（4 分）。 2. 简述肖特基二极管结构、电气特点与适用电路场景。（10 分） 【答案】结构：金属材料与 N 型半导体形成金属 - 半导体结（3 分）； 特点：正向压降低、无少子存储、开关速度快（3 分）； 应用：高频整流、开关电源、低压大电流续流电路（4 分）。 四、综合应用题（每题 10 分，共 2 大题，合计 20 分） 1. 画出稳压二极管标准电路符号并标注阴阳极，简述反向击穿稳压工作原理。（10 分） 【答案】（4分） 原理：反向电压达到 Uz 进入电击穿区，电流大范围变化时，管子两端电压基本保持不变，串联限流电阻限制电流，实现稳压（6 分）。 2. 对比 LED 与光电二极管能量转换、工作偏置、典型应用差异。（10 分） 【答案】①能量转换：LED 电能→光能；光电二极管光能→电能（3 分） ②工作偏置：LED 正向导通；光电二极管反向偏置（3 分） ③应用：LED 指示灯、显示屏、照明；光电管光检测、光纤接收（4 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $