课题6 三极管基础结构 河南省（春季高考）《电子技术基础与技能》45分钟训练卷

2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题6 三极管基础结构 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 双极型晶体三极管内部一共有几层半导体掺杂区（ ） A. 4 层 B. 2 层 C. 1 层 D. 3 层 【答案】D 【解析】三极管三层半导体：发射区、基区、集电区，共 3 层。 2. NPN 三极管三层半导体从发射区到集电区排列顺序为（ ） A. N-P-N B. P-N-P C. N-N-P D. P-P-N 【答案】A 【解析】NPN：发射区 N、基区 P、集电区 N。 3. PNP 三极管三层半导体排列顺序是（ ） A. N-P-N B. P-N-P C. P-N-N D. N-P-P 【答案】B 【解析】PNP：发射区 P、基区 N、集电区 P。 4. 三极管中间薄层半导体区域名称是（ ） A. 基区 B. 发射区 C. 集电区 D. 耗尽区 【答案】A 【解析】中间薄层为基区。 5. 三极管掺杂面积最大的区域为（ ） A. 基区 B. 发射区 C. 集电区 D. 耗尽区 【答案】C 【解析】集电区面积最大，利于散热。 6. 三极管掺杂浓度最高的区域是（ ） A. 中性区 B. 集电区 C. 基区 D. 发射区 【答案】D 【解析】发射区掺杂浓度最高，可大量发射载流子。 7. NPN 三极管电路发射极箭头方向为（ ） A. 向外 B. 向内 C. 无箭头 D. 双向 【答案】A 【解析】NPN 发射极箭头向外，代表正向电流流出管子。 8. PNP 三极管发射极箭头方向为（ ） A. 水平 B. 向外 C. 向内 D. 上下 【答案】C 【解析】PNP 箭头向内，正向电流流入管子。 9. 三极管三个电极不包含下面哪个（ ） A. 栅极 g B. 基极 b C. 发射极 e D. 集电极 c 【答案】A 【解析】栅极是场效应管电极，三极管无 g 极。 10. 三极管符号中箭头只绘制在哪个电极上（ ） A. 集电极 c B. 基极 b C. 发射极 e D. 无电极 【答案】C 【解析】箭头只画在发射极 e。 11. 发射极箭头代表的物理含义是（ ） A. 集电极电流方向 B. 发射结正向电流方向 C. 基极电流方向 D. 反向漏电流方向 【答案】B 【解析】箭头指向代表发射结正向导通时电流流动方向。 12. 三极管内部一共形成几个 PN 结（ ） A. 0 个 B. 1 个 C. 3 个 D. 2 个 【答案】D 【解析】发射结、集电结，共 2 个 PN 结。 13. 连接发射区与基区的 PN 结叫做（ ） A. 发射结 B. 集电结 C. 耗尽结 D. 中性结 【答案】A 【解析】发射区与基区交界处为发射结。 14. 连接基区与集电区的 PN 结名称是（ ） A. 发射结 B. 集电结 C. 复合结 D. 漂移结 【答案】B 【解析】基区与集电区交界处为集电结。 15. 三极管基区半导体特点是（ ） A. 掺杂浓度最高 B. 厚高掺杂 C. 面积最大 D. 薄且低掺杂 【答案】D 【解析】基区做得很薄，掺杂极低，减少载流子复合，保证放大能力。 16. 下列描述 NPN 三极管正确的是（ ） A. 三层均为 N 型 B. 发射区 P、基区 N、集电区 P C. 发射区 N、基区 P、集电区 N D. 三层均为 P 型 【答案】C 【解析】NPN 三层顺序：N-P-N。 17. PNP 三极管发射极引出的半导体类型是（ ） A. P 型 B. N 型 C. 耗尽层 D. 中性层 【答案】A 【解析】PNP 发射区为 P 型半导体。 18. 三极管集电极设计大面积的原因是（ ） A. 增大放大倍数 B. 散发功耗热量 C. 提高导通电流 D. 降低正向压降 【答案】B 【解析】集电极承载大部分功耗，加大面积散热。 19. 发射区高掺杂主要作用是（ ） A. 提高反向耐压 B. 散热 C. 减小电阻 D. 大量注入载流子 【答案】D 【解析】发射区高掺杂，能向基区大量注入多数载流子。 20. 观察电路符号，仅通过箭头向内 / 向外可区分（ ） A. NPN/PNP 管型 B. 三极管功率大小 C. 放大倍数高低 D. 工作频率高低 【答案】A 【解析】箭头方向是区分 NPN、PNP 最直观标识。 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. NPN 三极管发射极箭头向外，PNP 向内。（ ） 【答案】√ 【解析】行业标准符号规定 NPN 箭头向外，PNP 向内。 2. 三极管内部只有一个 PN 结，结构类似二极管。（ ） 【答案】× 【解析】三极管有发射结、集电结两个 PN 结，二极管仅 1 个。 3. 基区薄、低掺杂是三极管具备电流放大的关键条件。（ ） 【答案】√ 【解析】若基区厚、掺杂高，载流子大量复合，失去放大作用。 4. 集电区面积最大，主要作用散热。（ ） 【答案】√ 【解析】集电极电流大，发热多，大面积散热。 5. 发射结位于集电区与基区之间。（ ） 【答案】× 【解析】发射结在发射区与基区之间；集电结在基区与集电区之间​。 6. NPN 三极管三层半导体结构依次为 N‑P‑N。（ ） 【答案】√ 【解析】NPN 型三极管三层半导体结构顺序为 N（发射区）‑P（基区）‑N（集电区）。 7. 三极管三个电极分别是基极 b、发射极 e、阳极 a。（ ） 【答案】× 【解析】三极管三个电极是基极 b、发射极 e、集电极 c；阳极 a 属于二极管电极名称​。 8. 三极管内部两个 PN 结分别是发射结和集电结。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管存在两个 PN 结，发射区‑基区形成发射结，基区‑集电区形成集电结​。 9. PNP 三极管发射极箭头朝外。（ ） 【答案】× 【解析】三极管符号箭头画在发射极，PNP 箭头朝内，NPN 箭头朝外。题干描述朝外是错误​。 10. 三极管基区厚度最薄，掺杂浓度最低。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管基区做得很薄，并且掺杂浓度最低，该结构特点是三极管能够实现电流放大的必要条件。 三、简答题（20 分） 1. 分别说明发射区、基区、集电区各自掺杂特点与设计作用。（20 分） 【答案】①发射区：高掺杂，大量注入多子（3 分） ②基区：薄、低掺杂，减少载流子复合，保证传输（3 分） ③集电区：面积大、掺杂低，收集载流、散热（4 分） 四、综合应用题（共 2 大题，合计 20 分） 1. 画出NPN 三极管三层内部剖面图，标注三层半导体、发射结、集电结、b/e/c 三极。（10 分） 【答案】1. NPN 剖面结构（10 分） 2. 画出 NPN、PNP 标准电路符号，说明发射极箭头含义。（10 分） 【答案】 箭头含义：代表发射结正向导通时电流流动方向（5 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 2027版河南省（春季高考）电子与信息大类《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共55份试卷。试卷命题与春季高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子技术理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为春季高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息大类高考的学生。与本专辑配套的还有河南省（春季高考）电子与信息大类《电工技术基础》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 模块二 电子元器件 课题6 三极管基础结构 时间：45分钟 总分：100分 班级___________姓名__________学号__________成绩________ 一、选择题（每题2分，共40分） 1. 双极型晶体三极管内部一共有几层半导体掺杂区（ ） A. 4 层 B. 2 层 C. 1 层 D. 3 层 2. NPN 三极管三层半导体从发射区到集电区排列顺序为（ ） A. N-P-N B. P-N-P C. N-N-P D. P-P-N 3. PNP 三极管三层半导体排列顺序是（ ） A. N-P-N B. P-N-P C. P-N-N D. N-P-P 4. 三极管中间薄层半导体区域名称是（ ） A. 基区 B. 发射区 C. 集电区 D. 耗尽区 5. 三极管掺杂面积最大的区域为（ ） A. 基区 B. 发射区 C. 集电区 D. 耗尽区 6. 三极管掺杂浓度最高的区域是（ ） A. 中性区 B. 集电区 C. 基区 D. 发射区 7. NPN 三极管电路发射极箭头方向为（ ） A. 向外 B. 向内 C. 无箭头 D. 双向 8. PNP 三极管发射极箭头方向为（ ） A. 水平 B. 向外 C. 向内 D. 上下 9. 三极管三个电极不包含下面哪个（ ） A. 栅极 g B. 基极 b C. 发射极 e D. 集电极 c 10. 三极管符号中箭头只绘制在哪个电极上（ ） A. 集电极 c B. 基极 b C. 发射极 e D. 无电极 11. 发射极箭头代表的物理含义是（ ） A. 集电极电流方向 B. 发射结正向电流方向 C. 基极电流方向 D. 反向漏电流方向 12. 三极管内部一共形成几个 PN 结（ ） A. 0 个 B. 1 个 C. 3 个 D. 2 个 13. 连接发射区与基区的 PN 结叫做（ ） A. 发射结 B. 集电结 C. 耗尽结 D. 中性结 14. 连接基区与集电区的 PN 结名称是（ ） A. 发射结 B. 集电结 C. 复合结 D. 漂移结 15. 三极管基区半导体特点是（ ） A. 掺杂浓度最高 B. 厚高掺杂 C. 面积最大 D. 薄且低掺杂 16. 下列描述 NPN 三极管正确的是（ ） A. 三层均为 N 型 B. 发射区 P、基区 N、集电区 P C. 发射区 N、基区 P、集电区 N D. 三层均为 P 型 17. PNP 三极管发射极引出的半导体类型是（ ） A. P 型 B. N 型 C. 耗尽层 D. 中性层 18. 三极管集电极设计大面积的原因是（ ） A. 增大放大倍数 B. 散发功耗热量 C. 提高导通电流 D. 降低正向压降 19. 发射区高掺杂主要作用是（ ） A. 提高反向耐压 B. 散热 C. 减小电阻 D. 大量注入载流子 20. 观察电路符号，仅通过箭头向内 / 向外可区分（ ） A. NPN/PNP 管型 B. 三极管功率大小 C. 放大倍数高低 D. 工作频率高低 二、判断题（每小题2分，共20分。正确打“√”，错误打“×”） 1. NPN 三极管发射极箭头向外，PNP 向内。（ ） 2. 三极管内部只有一个 PN 结，结构类似二极管。（ ） 3. 基区薄、低掺杂是三极管具备电流放大的关键条件。（ ） 4. 集电区面积最大，主要作用散热。（ ） 5. 发射结位于集电区与基区之间。（ ） 6. NPN 三极管三层半导体结构依次为 N‑P‑N。（ ） 7. 三极管三个电极分别是基极 b、发射极 e、阳极 a。（ ） 8. 三极管内部两个 PN 结分别是发射结和集电结。（ ） 9. PNP 三极管发射极箭头朝外。（ ） 10. 三极管基区厚度最薄，掺杂浓度最低。（ ） 三、简答题（20 分） 1. 分别说明发射区、基区、集电区各自掺杂特点与设计作用。（20 分） 四、综合应用题（共 2 大题，合计 20 分） 1. 画出NPN 三极管三层内部剖面图，标注三层半导体、发射结、集电结、b/e/c 三极。（10 分） 2. 画出 NPN、PNP 标准电路符号，说明发射极箭头含义。（10 分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $