第15卷 常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数《模拟电子技术基础及应用》山东省春季高考《电子技术类 考纲百套卷》

编写说明：山东省春季高考《电子技术类 考纲百套卷》，依据山东省《电子技术类专业知识考试标准》编写。每门课程均分三层训练：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第15卷，按《模拟电子技术基础及应用》范围和要求编写。具体内容为: 1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 (1)了解PN结、半导体二极管结构及单向导电性、伏安特性和主要参数。 (2)了解发光二极管、稳压二极管等特殊二极管的工作特点、主要参数和基本应用。 (3)会使用万用表检测二极管。 (4)理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数。 (5)会使用万用表检测三极管。 (6)了解单向晶闸管的结构和主要参数，掌握其工作特性。 (7)会使用万用表检测单向晶闸管。 2027版山东省《电子技术类 考纲百套卷》 第15卷 《模拟电子技术基础及应用》 常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 专题训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共30小题，每题2分，共60分） 1．半导体中同时参与导电的两种载流子是（   ）。 A. 自由电子和正离子 B. 空穴和负离子 C. 自由电子和空穴 D. 正离子和负离子 2．P型半导体中，多数载流子是（   ）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 3．二极管加反向电压小于击穿电压时，其反向电流（   ）。 A. 随电压增大而明显增大 B. 随电压增大而减小 C. 基本不变 D. 为零 4．用指针式万用表检测二极管，若表针偏转角度很大，说明此时二极管处于（   ）。 A. 反向截止状态 B. 击穿状态 C. 零偏状态 D. 正向导通状态 5．发光二极管的发光颜色取决于（   ）。 A. 外加电压大小 B. 通过电流大小 C. 半导体材料 D. 外壳颜色 6．光电二极管在无光照时，其反向电流（   ）。 A. 为零 B. 很小，称为暗电流 C. 很大 D. 等于正向电流 7．三极管三个区中，掺杂浓度最高的是（   ）。 A. 发射区 B. 基区 C. 集电区 D. 三个区相同 8．某三极管 IC=2.94mA，IB=0.06mA，则 β 为（   ）。 A. 49 B. 40 C. 50 D. 60 9．某三极管 β=100，IB=40μA，则 IC 为（   ）。 A. 4mA B. 2mA C. 6mA D. 8mA 10．三极管的反向饱和电流 ICBO 随温度升高而（   ）。 A. 减小 B. 增大 C. 不变 D. 先减后增 11．硅三极管与锗三极管相比，其穿透电流（   ）。 A. 较大 B. 相同 C. 较小 D. 无法比较 12．型号为 3CG 系列的三极管是（   ）。 A. PNP型硅材料 B. NPN型硅材料 C. PNP型锗材料 D. NPN型锗材料 13．用指针式万用表检测三极管，若黑表笔接某一管脚，红表笔分别接另外两脚，两次阻值均较大，则（   ）。 A. 黑表笔接的是基极，为PNP管 B. 红表笔接的是基极，为PNP管 C. 黑表笔接的是基极，为NPN管 D. 三极管已损坏 14．三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置为（   ）。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 15．晶闸管导通后，阳极电流（   ）。 A. 由门极控制 B. 等于门极电流 C. 与门极电流无关 D. 由负载决定 16．晶闸管由导通转为阻断时，其关断过程（   ）。 A. 由门极控制 B. 需加反向门极电压 C. 靠减小门极电流 D. 靠阳极电流自然过零 17．单向晶闸管的正向阻断状态是指（   ）。 A. 阳极加正向电压，门极加触发信号，晶闸管导通 B. 阳极加反向电压，晶闸管不导通 C. 阳极加正向电压，门极加反向电压 D. 阳极加正向电压，门极不加触发信号，晶闸管不导通 18．用万用表检测单向晶闸管，若门极G与阴极K之间的正反向电阻均很小，说明（   ）。 A. 该PN结已击穿 B. 该PN结正常 C. 该PN结已开路 D. 无法判断 19．二极管的最大整流电流 IFM 是指（   ）。 A. 二极管能承受的最大反向电流 B. 二极管长时间正常工作时允许通过的最大正向平均电流 C. 二极管导通时的瞬时最大电流 D. 二极管击穿时的电流 20．二极管的正向压降随温度升高而（   ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 先增后减 21．本征半导体中，自由电子和空穴的数量关系是（   ）。 A. 自由电子多于空穴 B. 空穴多于自由电子 C. 只有自由电子没有空穴 D. 自由电子和空穴数目相等 22．三极管处于饱和状态时，其管压降 UCE 约为（   ）。 A. 0.6V～0.8V B. 1V～2V C. 0.1V～0.3V D. 接近 VCC 23．三极管输出特性曲线中，饱和区的特点是（   ）。 A. IC 受 IB 控制 B. IC = 0 C. IC 随 UCE 增大而减小 D. IC 不受 IB 控制，仅受 UCE 控制 24．晶闸管的擎住电流 IL 与维持电流 IH 的大小关系是（   ）。 A. IL > IH B. IL = IH C. IL < IH D. 两者无关 25．三极管的集电结反偏时，其内电场（   ）。 A. 被削弱 B. 被增强 C. 不变 D. 消失 26．PN结加反向偏置时，多数载流子的扩散运动（   ）。 A. 增强 B. 不变 C. 减弱 D. 停止 27．变容二极管的结电容随反向电压增大而（   ）。 A. 增大 B. 不变 C. 先增后减 D. 减小 28．普通二极管反向击穿后，若电流过大，会导致（   ）。 A. 管子进入稳压状态 B. 管子永久性损坏 C. 管子导通 D. 管子截止 29．三极管的发射极电流 IE、集电极电流 IC、基极电流 IB 中，最大的是（   ）。 A. IB B. IC C. IE D. 三者相等 30．晶闸管正向阻断时，J₂ 结处于（   ）状态。 A. 正偏 B. 零偏 C. 击穿 D. 反偏 二、简答题（本大题共5小题，共40分） 1．简述半导体中自由电子和空穴的导电作用，以及本征半导体的特点。（8分） 2．画出二极管的伏安特性曲线，标出死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区，并说明死区的特点。（8分） 3．三极管工作在放大区时，发射结和集电结各处于什么偏置状态？为什么三极管的基区必须做得很薄？（8分） 4．晶闸管导通后，门极是否还起控制作用？要使导通状态的晶闸管关断，可以采取哪些方法？说明原因。（8分） 5．某三极管工作在放大状态，测得三个电极对地电位分别为 3.7V、4.4V、9.8V，判断该管的材料、类型并标出三个电极名称。（8分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司zxxk.com 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：山东省春季高考《电子技术类 考纲百套卷》，依据山东省《电子技术类专业知识考试标准》编写。每门课程均分三层训练：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第15卷，按《模拟电子技术基础及应用》范围和要求编写。具体内容为: 1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 (1)了解PN结、半导体二极管结构及单向导电性、伏安特性和主要参数。 (2)了解发光二极管、稳压二极管等特殊二极管的工作特点、主要参数和基本应用。 (3)会使用万用表检测二极管。 (4)理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数。 (5)会使用万用表检测三极管。 (6)了解单向晶闸管的结构和主要参数，掌握其工作特性。 (7)会使用万用表检测单向晶闸管。 2027版山东省《电子技术类 考纲百套卷》 第15卷 《模拟电子技术基础及应用》 常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 专题训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共30小题，每题2分，共60分） 1．半导体中同时参与导电的两种载流子是（   ）。 A. 自由电子和正离子 B. 空穴和负离子 C. 自由电子和空穴 D. 正离子和负离子 【答案】C 【解析】半导体中自由电子和空穴同时参与导电，这是与导体的重要区别。 2．P型半导体中，多数载流子是（   ）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 【答案】B 【解析】P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 3．二极管加反向电压小于击穿电压时，其反向电流（   ）。 A. 随电压增大而明显增大 B. 随电压增大而减小 C. 基本不变 D. 为零 【答案】C 【解析】反向截止区中，反向电流很小且基本不随电压变化，称为反向饱和电流。 4．用指针式万用表检测二极管，若表针偏转角度很大，说明此时二极管处于（   ）。 A. 反向截止状态 B. 击穿状态 C. 零偏状态 D. 正向导通状态 【答案】D 【解析】表针偏转角度大说明电阻小，二极管处于正向导通状态。 5．发光二极管的发光颜色取决于（   ）。 A. 外加电压大小 B. 通过电流大小 C. 半导体材料 D. 外壳颜色 【答案】C 【解析】发光二极管的发光颜色由半导体材料决定，与外壳颜色无关。 6．光电二极管在无光照时，其反向电流（   ）。 A. 为零 B. 很小，称为暗电流 C. 很大 D. 等于正向电流 【答案】B 【解析】光电二极管无光照时也有很小的反向电流，称为暗电流。 7．三极管三个区中，掺杂浓度最高的是（   ）。 A. 发射区 B. 基区 C. 集电区 D. 三个区相同 【答案】A 【解析】发射区掺杂浓度最高，保证发射效率；基区最薄；集电区面积最大。 8．某三极管 IC=2.94mA，IB=0.06mA，则 β 为（   ）。 A. 49 B. 40 C. 50 D. 60 【答案】A 【解析】β = IC/IB = 2.94/0.06 = 49。 9．某三极管 β=100，IB=40μA，则 IC 为（   ）。 A. 4mA B. 2mA C. 6mA D. 8mA 【答案】A 【解析】IC = β·IB = 100×40μA = 4000μA = 4mA。 10．三极管的反向饱和电流 ICBO 随温度升高而（   ）。 A. 减小 B. 增大 C. 不变 D. 先减后增 【答案】B 【解析】温度升高，少数载流子增加，ICBO 显著增大。 11．硅三极管与锗三极管相比，其穿透电流（   ）。 A. 较大 B. 相同 C. 较小 D. 无法比较 【答案】C 【解析】硅管穿透电流比锗管小，所以硅管热稳定性更好。 12．型号为 3CG 系列的三极管是（   ）。 A. PNP型硅材料 B. NPN型硅材料 C. PNP型锗材料 D. NPN型锗材料 【答案】A 【解析】3CG：C表示PNP型硅材料，G表示高频小功率。 13．用指针式万用表检测三极管，若黑表笔接某一管脚，红表笔分别接另外两脚，两次阻值均较大，则（   ）。 A. 黑表笔接的是基极，为PNP管 B. 红表笔接的是基极，为PNP管 C. 黑表笔接的是基极，为NPN管 D. 三极管已损坏 【答案】A 【解析】黑表笔接基极时，两个PN结反偏，阻值大，为PNP管。 14．三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置为（   ）。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 【答案】B 【解析】放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏。 15．晶闸管导通后，阳极电流（   ）。 A. 由门极控制 B. 等于门极电流 C. 与门极电流无关 D. 由负载决定 【答案】D 【解析】晶闸管导通后门极失去控制作用，阳极电流由电源电压和负载决定。 16．晶闸管由导通转为阻断时，其关断过程（   ）。 A. 由门极控制 B. 需加反向门极电压 C. 靠减小门极电流 D. 靠阳极电流自然过零 【答案】D 【解析】晶闸管关断靠阳极电流降至维持电流以下自然关断，门极不能控制关断。 17．单向晶闸管的正向阻断状态是指（   ）。 A. 阳极加正向电压，门极加触发信号，晶闸管导通 B. 阳极加反向电压，晶闸管不导通 C. 阳极加正向电压，门极加反向电压 D. 阳极加正向电压，门极不加触发信号，晶闸管不导通 【答案】D 【解析】正向阻断状态是阳极加正向电压，门极无触发信号，晶闸管不导通。 18．用万用表检测单向晶闸管，若门极G与阴极K之间的正反向电阻均很小，说明（   ）。 A. 该PN结已击穿 B. 该PN结正常 C. 该PN结已开路 D. 无法判断 【答案】A 【解析】门极与阴极之间是一个PN结，正反向电阻均很小说明该PN结已击穿。 19．二极管的最大整流电流 IFM 是指（   ）。 A. 二极管能承受的最大反向电流 B. 二极管长时间正常工作时允许通过的最大正向平均电流 C. 二极管导通时的瞬时最大电流 D. 二极管击穿时的电流 【答案】B 【解析】IFM 是二极管长时间正常工作允许通过的最大正向平均电流。 20．二极管的正向压降随温度升高而（   ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 先增后减 【答案】C 【解析】温度升高，二极管正向压降减小（约 -2.5mV/℃）。 21．本征半导体中，自由电子和空穴的数量关系是（   ）。 A. 自由电子多于空穴 B. 空穴多于自由电子 C. 只有自由电子没有空穴 D. 自由电子和空穴数目相等 【答案】D 【解析】本征半导体中自由电子和空穴成对出现，数目相等。 22．三极管处于饱和状态时，其管压降 UCE 约为（   ）。 A. 0.6V～0.8V B. 1V～2V C. 0.1V～0.3V D. 接近 VCC 【答案】C 【解析】饱和时 UCE 约为 0.1V～0.3V（硅管），管压降很小。 23．三极管输出特性曲线中，饱和区的特点是（   ）。 A. IC 受 IB 控制 B. IC = 0 C. IC 随 UCE 增大而减小 D. IC 不受 IB 控制，仅受 UCE 控制 【答案】D 【解析】饱和区中 IC 不受 IB 控制，仅受 UCE 控制。 24．晶闸管的擎住电流 IL 与维持电流 IH 的大小关系是（   ）。 A. IL > IH B. IL = IH C. IL < IH D. 两者无关 【答案】A 【解析】擎住电流 IL 大于维持电流 IH。 25．三极管的集电结反偏时，其内电场（   ）。 A. 被削弱 B. 被增强 C. 不变 D. 消失 【答案】B 【解析】反偏时外加电场与内电场方向相同，内电场增强。 26．PN结加反向偏置时，多数载流子的扩散运动（   ）。 A. 增强 B. 不变 C. 减弱 D. 停止 【答案】C 【解析】反向偏置时内电场增强，多数载流子扩散运动被削弱。 27．变容二极管的结电容随反向电压增大而（   ）。 A. 增大 B. 不变 C. 先增后减 D. 减小 【答案】D 【解析】反向电压增大，空间电荷区变宽，结电容减小。 28．普通二极管反向击穿后，若电流过大，会导致（   ）。 A. 管子进入稳压状态 B. 管子永久性损坏 C. 管子导通 D. 管子截止 【答案】B 【解析】普通二极管反向击穿后电流过大，会因过热而永久性损坏。 29．三极管的发射极电流 IE、集电极电流 IC、基极电流 IB 中，最大的是（   ）。 A. IB B. IC C. IE D. 三者相等 【答案】C 【解析】IE = IC + IB，所以 IE 最大。 30．晶闸管正向阻断时，J₂ 结处于（   ）状态。 A. 正偏 B. 零偏 C. 击穿 D. 反偏 【答案】D 【解析】正向阻断时 J₂ 结反偏，承受主要电压，晶闸管不导通。 二、简答题（本大题共5小题，共40分） 1．简述半导体中自由电子和空穴的导电作用，以及本征半导体的特点。（8分） 【答案】 自由电子带负电，在电场作用下定向移动形成电流；空穴带正电，通过价电子的填补运动形成电流。 本征半导体是完全纯净的半导体，自由电子和空穴数目相等，常温下载流子浓度低，导电能力差。 2．画出二极管的伏安特性曲线，标出死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区，并说明死区的特点。（8分） 【答案】反向截止区 死区 反向击穿区 正向导通区 死区：正向电压小于死区电压时，正向电流近似为零，管子呈现高阻（硅管约0.5V，锗管约0.2V）。 3．三极管工作在放大区时，发射结和集电结各处于什么偏置状态？为什么三极管的基区必须做得很薄？（8分） 【答案】 放大区时发射结正偏、集电结反偏。 基区做得很薄的原因：①基区薄可以使发射区注入的多数载流子在基区复合的机会大大减少，使大部分载流子能到达集电结；②基区薄有利于提高电流放大系数β；③基区薄可以使基区少数载流子的渡越时间缩短，提高三极管的高频性能。 4．晶闸管导通后，门极是否还起控制作用？要使导通状态的晶闸管关断，可以采取哪些方法？说明原因。（8分） 【答案】 晶闸管导通后，门极失去控制作用。 关断方法：①使阳极电流减小到维持电流IH以下，晶闸管自然关断（因为晶闸管内部正反馈需要足够的阳极电流来维持）；②在阳极与阴极之间加反向电压，使阳极电流迅速下降至维持电流以下；③利用外加电路强制使阳极电流减小到维持电流以下。门极不能控制晶闸管的关断，因为导通后门极已失去控制能力。 5．某三极管工作在放大状态，测得三个电极对地电位分别为 3.7V、4.4V、9.8V，判断该管的材料、类型并标出三个电极名称。（8分） 【答案】 （1）9.8V最高为集电极；4.4V和3.7V相差0.7V，符合硅管特征，且基极电位（4.4V）高于发射极电位（3.7V），为NPN型硅管。 （2）9.8V→集电极C，4.4V→基极B，3.7V→发射极E。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司zxxk.com 学科网（北京）股份有限公司 $