第1练 半导体基础与PN结 山东省(春季高考)机电技术类《电子技术基础》(高教版·第3版)一课一练
2026-07-20
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内容正文:
编写说明:考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况,我们依据支架式教学理念,精心编制了山东省(春季高考)机电技术类《电子技术基础》(高教版·第3版)一课一练。专辑里的每一份练习,都与课堂所授知识点紧密相关,题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣,培养他们的学习自觉性,帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法,为他们后续的逐步提升奠定坚实基础。
本卷是山东省(春季高考)机电技术类《电子技术基础》(高教版·第3版)一课一练的第1练,内容涵盖项目1 半导体器件的识别与检测 1-1 半导体基础与PN结。
山东省(春季高考)机电技术类 一课一练
《电子技术基础》(高教版·第3版)第1练
项目1 半导体器件的识别与检测 1-1 半导体基础与PN结
一、填空题
1.不含杂质且具有完整晶格结构的半导体称为本征半导体,其主要载流子是 ________ 和空穴。
2.在纯净半导体中掺入少量五价元素后形成的半导体称为 ________ 型半导体,多数载流子是自由电子。
3.P区和N区交界处形成的特殊薄层称为 ________,它具有单向导电特性。
二、单项选择题
4.自动化生产线控制电路中,需要判断某半导体材料的多数载流子为电子,该材料应属于( )
A.本征半导体 B.N型半导体
C.P型半导体 D.绝缘体
5.液压站控制电源中的PN结处于正向偏置时,外加电场对多数载流子的作用是( )
A.使耗尽层变宽 B.阻止多数载流子运动
C.完全消除所有载流子 D.使耗尽层变窄
6.检修数控设备输入电路时,若仅利用PN结的基本特性判断其导电方向,正确的说法是( )
A.反向偏置时容易导电
B.正反向偏置时电流完全相同
C.正向偏置时较容易导电
D.无论偏置方向都不导电
三、判断题
7.本征半导体中的自由电子和空穴是成对产生的,因此二者的浓度相等( )
8.P型半导体中空穴是多数载流子,但其中仍然存在少数自由电子( )
9.PN结反向偏置时,P区接电源负极、N区接电源正极,耗尽层会变窄,反向电流明显增大( )
四、简答题
10.某自动化生产线的直流控制电路中使用PN结实现整流。请说明PN结单向导电性的形成原因,并分别写出其正向偏置和反向偏置时的主要特点。
答:
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编写说明:考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况,我们依据支架式教学理念,精心编制了山东省(春季高考)机电技术类《电子技术基础》(高教版·第3版)一课一练。专辑里的每一份练习,都与课堂所授知识点紧密相关,题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣,培养他们的学习自觉性,帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法,为他们后续的逐步提升奠定坚实基础。
本卷是山东省(春季高考)机电技术类《电子技术基础》(高教版·第3版)一课一练的第1练,内容涵盖项目1 半导体器件的识别与检测 1-1 半导体基础与PN结。
山东省(春季高考)机电技术类 一课一练
《电子技术基础》(高教版·第3版)第1练
项目1 半导体器件的识别与检测 1-1 半导体基础与PN结
一、填空题
1.不含杂质且具有完整晶格结构的半导体称为本征半导体,其主要载流子是 ________ 和空穴。
【答案】自由电子
【解析】本征半导体中没有人为掺入杂质,载流子主要由热激发产生的自由电子和空穴组成。
2.在纯净半导体中掺入少量五价元素后形成的半导体称为 ________ 型半导体,多数载流子是自由电子。
【答案】N
【解析】五价杂质原子能够提供一个多余电子,因此掺杂后自由电子数量占优势,形成N型半导体。
3.P区和N区交界处形成的特殊薄层称为 ________,它具有单向导电特性。
【答案】PN结
【解析】P型半导体与N型半导体接触后,交界处形成PN结,PN结在正向和反向偏置下呈现不同的导电能力。
二、单项选择题
4.自动化生产线控制电路中,需要判断某半导体材料的多数载流子为电子,该材料应属于( )
A.本征半导体 B.N型半导体
C.P型半导体 D.绝缘体
【答案】B
【解析】N型半导体中掺入施主杂质后,自由电子浓度增加,因此多数载流子为电子。
5.液压站控制电源中的PN结处于正向偏置时,外加电场对多数载流子的作用是( )
A.使耗尽层变宽 B.阻止多数载流子运动
C.完全消除所有载流子 D.使耗尽层变窄
【答案】D
【解析】PN结正向偏置时,P区接电源正极、N区接电源负极,外加电场削弱内电场,使耗尽层变窄,载流子较容易通过。
6.检修数控设备输入电路时,若仅利用PN结的基本特性判断其导电方向,正确的说法是( )
A.反向偏置时容易导电
B.正反向偏置时电流完全相同
C.正向偏置时较容易导电
D.无论偏置方向都不导电
【答案】C
【解析】PN结正向偏置时容易导电,反向偏置时只有很小的反向电流,因此具有单向导电性。
三、判断题
7.本征半导体中的自由电子和空穴是成对产生的,因此二者的浓度相等( )
【答案】√
【解析】本征半导体中每产生一个自由电子,就会在对应位置留下一个空穴,所以自由电子和空穴的浓度相等。
8.P型半导体中空穴是多数载流子,但其中仍然存在少数自由电子( )
【答案】√
【解析】掺入受主杂质后,P型半导体的空穴数量占优势,但热激发仍会产生少量自由电子,因此自由电子属于少数载流子。
9.PN结反向偏置时,P区接电源负极、N区接电源正极,耗尽层会变窄,反向电流明显增大( )
【答案】×
【解析】PN结反向偏置时,P区接负极、N区接正极,内外电场方向相同,耗尽层变宽,通常只有很小的反向电流。
四、简答题
10.某自动化生产线的直流控制电路中使用PN结实现整流。请说明PN结单向导电性的形成原因,并分别写出其正向偏置和反向偏置时的主要特点。
【答案】1. P型半导体和N型半导体接触后,交界处的多数载流子相互扩散并复合,形成由固定离子组成的耗尽层和内电场,从而构成PN结。
2. 正向偏置时,P区接正极、N区接负极,外电场削弱内电场,耗尽层变窄,载流子容易通过,电流较大。
3. 反向偏置时,P区接负极、N区接正极,外电场增强内电场,耗尽层变宽,只有很小的反向电流通过。
【解析】PN结的耗尽层和内电场限制了载流子的扩散运动;正向偏置会削弱势垒并促进载流子通过,反向偏置会增强势垒并抑制多数载流子通过,因此PN结表现出单向导电性。
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