第2卷 三极管《模拟电子技术基础及应用》山东省春季高考《电子技术类 考纲百套卷》

编写说明：山东省春季高考《电子技术类 考纲百套卷》，依据山东省《电子技术类专业知识考试标准》编写。每门课程均分三层训练：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第2卷，按《模拟电子技术基础及应用》范围和要求编写。具体内容为: 1．常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 (1)理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数。 (2)会使用万用表检测三极管。 2027版山东省《电子技术类 考纲百套卷》 第2卷 《模拟电子技术基础及应用》 三极管 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．三极管属于（　　　）控制型器件。 A. 电压　　 B. 电流　　 C. 功率　　 D. 磁场 2．处于放大状态的NPN型三极管，其三个电极的电位关系是（　　　）。 A. VC＞VB＞VE　　 B. VE＞VB＞VC C. VB＞VC＞VE　　 D. VC＞VE＞VB 3．某三极管的三个电极电位分别为：V1=3V，V2=2.3V，V3=12V。则该管为（　　　）。 A. NPN型硅管　　 B. PNP型硅管 C. NPN型锗管　　 D. PNP型锗管 4．测得某三极管的发射极电流 IE=3mA，基极电流 IB=0.05mA，则集电极电流 IC 和电流放大系数 β 约为（　　　）。 A. 3.05mA, 59　　 B. 3.05mA, 61 C. 2.95mA, 60　　 D. 2.95mA, 59 5．三极管的输出特性曲线分为三个区域，其中 IC 几乎不随 UCE 变化而变化的区域是（　　　）。 A. 截止区　　 B. 饱和区　　 C. 放大区　　 D. 击穿区 6．当三极管工作在饱和区时，其两个PN结的状态是（　　　）。 A. 发射结正偏，集电结反偏　　 B. 发射结反偏，集电结正偏 C. 发射结正偏，集电结正偏　　 D. 发射结反偏，集电结反偏 7．三极管的参数 ICEO 指的是（　　　）。 A. 集电极-基极反向饱和电流 B. 集电极-发射极穿透电流 C. 发射极开路时的集电极电流 D. 基极开路时的集电极电流 8．温度升高时，三极管的电流放大系数 β 会（　　　）。 A. 增大　　 B. 减小　　 C. 不变　　 D. 无法确定 9．使用指针式万用表R×1k挡检测NPN型三极管时，黑表笔接基极，红表笔分别接另外两极，若指针偏转角度都很大，说明（　　　）。 A. 测量方法错误 B. 该管已击穿 C. 该管内部断路 D. 该管是好的，且黑表笔接的是基极 10．某电路中三极管正常工作，测得 UBE≈0.7V，UCE≈0.3V，则该管处于（　　　）状态。 A. 放大　　 B. 截止　　 C. 饱和　　 D. 损坏 11．三极管的极限参数 U(BR)CEO 是指（　　　）。 A. 集电极-发射极反向击穿电压 B. 集电极-基极反向击穿电压 C. 发射极-基极反向击穿电压 D. 集电极最大允许电流 12．在放大电路中，若输入信号为正弦波，输出波形出现顶部削平（对于NPN管共射电路），说明静态工作点设置（　　　）。 A. 过高，产生截止失真　　 B. 过低，产生截止失真 C. 合适，无失真　　　　　 D. 过高，产生饱和失真 13．下列哪个参数反映了三极管的热稳定性好坏？（　　　） A. β　　 B. ICBO　　 C. fT　　 D. PCM 14．用万用表判别三极管管脚时，若测得某两脚之间的正反向电阻都很小（接近0），说明（　　　）。 A. 这两个脚之间短路（击穿） B. 这两个脚之间断路 C. 测量档位选择错误 D. 这是一个正常的PN结 15．已知某三极管 β=50，当 IB 从 10μA 增加到 20μA 时，IC 的变化量 ΔIC 为（　　　）。 A. 10mA　　 B. 1mA　　 C. 5mA　　 D. 0.5mA 16．PNP型三极管处于放大状态时，集电极电位 VC 与基极电位 VB 的关系是（　　　）。 A. VC＞VB　　 B. VC＜VB　　 C. VC=VB　　 D. 不确定 17．三极管作为开关使用时，主要工作在（　　　）。 A. 放大区和截止区　　 B. 饱和区和截止区 C. 放大区和饱和区　　 D. 仅放大区 18．某三极管手册上标有 PCM=100mW，若工作时 IC=10mA，则 UCE 不能超过（　　　）。 A. 1V　　 B. 10V　　 C. 100V　　 D. 0.1V 19．在用万用表判断三极管C、E极时，利用的是三极管的（　　　）特性。 A. 单向导电性　　 B. 电流放大作用 C. 反向击穿特性　 D. 频率特性 20．关于三极管的结构，下列说法错误的是（　　　）。 A. 基区很薄，掺杂浓度低 B. 发射区掺杂浓度高 C. 集电区面积较大 D. 发射区和集电区可以互换使用 二、简答题（本大题共5小题，共40分） 1．画出NPN型和PNP型三极管的电气符号，并标注出三个电极的名称。（8分） 2．简述三极管工作在放大区的外部偏置条件，并写出三个电极电流之间的关系式。（8分） 3．说明三极管三个工作区的发射结和集电结的偏置状态。（8分） 4．如何用万用表的欧姆档判别一只三极管的基极和管型？（8分） 5．温度升高时，三极管的电流放大系数β、反向饱和电流ICBO和发射结导通电压UBE（on）将如何变化？（8分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司zxxk.com 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：山东省春季高考《电子技术类 考纲百套卷》，依据山东省《电子技术类专业知识考试标准》编写。每门课程均分三层训练：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第2卷，按《模拟电子技术基础及应用》范围和要求编写。具体内容为: 1．常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 (1)理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数。 (2)会使用万用表检测三极管。 2027版山东省《电子技术类 考纲百套卷》 第2卷 《模拟电子技术基础及应用》 三极管 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．三极管属于（　　　）控制型器件。 A. 电压　　 B. 电流　　 C. 功率　　 D. 磁场 【答案】B 【解析】三极管是电流控制型器件，通过基极电流控制集电极电流；场效应管是电压控制型器件。 2．处于放大状态的NPN型三极管，其三个电极的电位关系是（　　　）。 A. VC＞VB＞VE　　 B. VE＞VB＞VC C. VB＞VC＞VE　　 D. VC＞VE＞VB 【答案】A 【解析】NPN管放大时，发射结正偏（VB＞VE），集电结反偏（VC＞VB），所以 VC＞VB＞VE。 3．某三极管的三个电极电位分别为：V1=3V，V2=2.3V，V3=12V。则该管为（　　　）。 A. NPN型硅管　　 B. PNP型硅管 C. NPN型锗管　　 D. PNP型锗管 【答案】A 【解析】三个电位中，V3=12V最高，为集电极；V1=3V，V2=2.3V，差0.7V，符合硅管发射结正偏压降（0.7V），且基极电位高于发射极，为NPN管，故选A。 4．测得某三极管的发射极电流 IE=3mA，基极电流 IB=0.05mA，则集电极电流 IC和电流放大系数 β 约为（　　　）。 A. 3.05mA, 59　　 B. 3.05mA, 61 C. 2.95mA, 60　　 D. 2.95mA, 59 【答案】D 【解析】IC = IE - IB = 3 - 0.05 = 2.95mA；β = IC/IB = 2.95/0.05 = 59。 5．三极管的输出特性曲线分为三个区域，其中 IC 几乎不随 UCE 变化而变化的区域是（　　　）。 A. 截止区　　 B. 饱和区　　 C. 放大区　　 D. 击穿区 【答案】C 【解析】在放大区，IC 主要由 IB 决定，几乎不受 UCE 影响，曲线平坦。 6．当三极管工作在饱和区时，其两个PN结的状态是（　　　）。 A. 发射结正偏，集电结反偏　　 B. 发射结反偏，集电结正偏 C. 发射结正偏，集电结正偏　　 D. 发射结反偏，集电结反偏 【答案】C 【解析】饱和区时，发射结和集电结均正偏。放大区是发射结正偏、集电结反偏；截止区是两者反偏。 7．三极管的参数 ICEO 指的是（　　　）。 A. 集电极-基极反向饱和电流 B. 集电极-发射极穿透电流 C. 发射极开路时的集电极电流 D. 基极开路时的集电极电流 【答案】B 【解析】ICEO 是基极开路时，集电极与发射极之间的穿透电流，即集电极-发射极反向电流。 8．温度升高时，三极管的电流放大系数 β 会（　　　）。 A. 增大　　 B. 减小　　 C. 不变　　 D. 无法确定 【答案】A 【解析】温度升高，载流子运动加剧，β 增大，温度稳定性变差。 9．使用指针式万用表R×1k挡检测NPN型三极管时，黑表笔接基极，红表笔分别接另外两极，若指针偏转角度都很大，说明（　　　）。 A. 测量方法错误 B. 该管已击穿 C. 该管内部断路 D. 该管是好的，且黑表笔接的是基极 【答案】D 【解析】对于NPN管，黑表笔（内部电池正极）接基极时，两个PN结均正偏，电阻小，指针偏转大，说明管子正常且黑表笔接的是基极。 10．某电路中三极管正常工作，测得 UBE≈0.7V，UCE≈0.3V，则该管处于（　　　）状态。 A. 放大　　 B. 截止　　 C. 饱和　　 D. 损坏 【答案】C 【解析】UBE=0.7V（硅管正偏），UCE≈0.3V很小，说明管压降小，为饱和状态。 11．三极管的极限参数 U(BR)CEO 是指（　　　）。 A. 集电极-发射极反向击穿电压 B. 集电极-基极反向击穿电压 C. 发射极-基极反向击穿电压 D. 集电极最大允许电流 【答案】A 【解析】U(BR)CEO 是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。 12．在放大电路中，若输入信号为正弦波，输出波形出现顶部削平（对于NPN管共射电路），说明静态工作点设置（　　　）。 A. 过高，产生截止失真　　 B. 过低，产生截止失真 C. 合适，无失真　　　　　 D. 过高，产生饱和失真 【答案】D 【解析】NPN共射电路，输出顶部削平是饱和失真，原因是静态工作点过高，接近饱和区。 13．下列哪个参数反映了三极管的热稳定性好坏？（　　　） A. β　　 B. ICBO　　 C. fT　　 D. PCM 【答案】B 【解析】ICBO 是集电极-基极反向饱和电流，其值随温度变化大，ICBO 越小，热稳定性越好。 14．用万用表判别三极管管脚时，若测得某两脚之间的正反向电阻都很小（接近0），说明（　　　）。 A. 这两个脚之间短路（击穿） B. 这两个脚之间断路 C. 测量档位选择错误 D. 这是一个正常的PN结 【答案】A 【解析】正反向电阻都很小，说明两脚之间已击穿短路，不是正常PN结。 15．已知某三极管 β=50，当 IB 从 10μA 增加到 20μA 时，IC 的变化量 ΔIC 为（　　　）。 A. 10mA　　 B. 1mA　　 C. 5mA　　 D. 0.5mA 【答案】D 【解析】ΔIC = β·ΔIB = 50 × (20-10)μA = 50×10μA = 500μA = 0.5mA。 16．PNP型三极管处于放大状态时，集电极电位 VC 与基极电位 VB 的关系是（　　　）。 A. VC＞VB　　 B. VC＜VB　　 C. VC=VB　　 D. 不确定 【答案】B 【解析】PNP管放大时，集电结反偏，即 VC 低于 VB（对于PNP，集电极电位最低），所以 VC＜VB。 17．三极管作为开关使用时，主要工作在（　　　）。 A. 放大区和截止区　　 B. 饱和区和截止区 C. 放大区和饱和区　　 D. 仅放大区 【答案】B 【解析】开关状态对应饱和（导通）和截止（断开）两个状态。 18．某三极管手册上标有 PCM=100mW，若工作时 IC=10mA，则 UCE 不能超过（　　　）。 A. 1V　　 B. 10V　　 C. 100V　　 D. 0.1V 【答案】B 【解析】PCM = IC·UCE，所以 UCE ≤ PCM/IC = 100mW/10mA = 10V。 19．在用万用表判断三极管C、E极时，利用的是三极管的（　　　）特性。 A. 单向导电性　　 B. 电流放大作用 C. 反向击穿特性　 D. 频率特性 【答案】B 【解析】用万用表判断C、E极时，通常用R×1k挡，通过检测管子的放大能力（如用手指触碰基极看指针偏转）来区分，利用的是电流放大作用。 20．关于三极管的结构，下列说法错误的是（　　　）。 A. 基区很薄，掺杂浓度低 B. 发射区掺杂浓度高 C. 集电区面积较大 D. 发射区和集电区可以互换使用 【答案】D 【解析】发射区和集电区结构不同（掺杂浓度、面积等），不能互换使用。A、B、C均正确。 二、简答题（本大题共5小题，共40分） 1．画出NPN型和PNP型三极管的电气符号，并标注出三个电极的名称。（8分） 【答案】NPN型符号：发射极箭头朝外（从基区指向发射区）；PNP型符号：发射极箭头朝内（从发射区指向基区）。三个电极分别为：集电极C、基极B、发射极E。 2．简述三极管工作在放大区的外部偏置条件，并写出三个电极电流之间的关系式。（8分） 【答案】放大区的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏（对于NPN管：VC＞VB＞VE；对于PNP管：VC＜VB＜VE）。电流关系：IE = IC + IB，且 IC = β·IB（近似）。 3．说明三极管三个工作区的发射结和集电结的偏置状态。（8分） 【答案】① 截止区：发射结反偏，集电结反偏；② 放大区：发射结正偏，集电结反偏；③ 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 4．如何用万用表的欧姆档判别一只三极管的基极和管型？（8分） 【答案】（1）将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极两两之间的正反向电阻。（2）找到公共脚：当某一脚与其他两脚之间均呈现较小的正向电阻（指针偏转较大）时，若黑表笔接该脚，则为NPN管，该脚为基极；若红表笔接该脚，则为PNP管，该脚为基极。（3）若测量结果不符合上述规律，则说明管子已损坏。 5．温度升高时，三极管的电流放大系数β、反向饱和电流ICBO和发射结导通电压UBE（on）将如何变化？（8分） 【答案】温度升高时：① β 增大；② ICBO 显著增大（每升高10℃约增加一倍）；③ 发射结导通电压 UBE（on）减小（约 -2.5mV/℃）。这些变化导致三极管的温度稳定性变差。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司zxxk.com 学科网（北京）股份有限公司 $