广东阳江市2025-2026学年高二下学期7月期末质量监测物理试题

机密★启用前 2025一2026学年度第二学期物理学科期末质量监测 高二物理 本试卷共6页，15小题，满分100分.考试用时75分钟， 注意事项：1.答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的学枚、姓名和准考证号填写 在答题卡上.将条形码粘贴在答题卡“条形码粘贴处” 2.作答选择题时，选出每小题答案后，用2B铅笔把答题卡上对应题目选项的答案信 息点涂黑：如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案。 3.非选择题必须用黑色字迹的钢笔或签字笔作答，答案必须写在答题卡各题目指定区 域内相应位置上：如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案：不准使用 铅笔和涂改液.不按以上要求作答的答案无效. 4.考生必须保持答题卡的整洁.考试结束后，将试卷和答题卡一并交回. 一、选择题（本大题共7小题，每小题4分，共28分.在每小题给出的四个选项中，只有一项是 符合题目要求的) 1.2025年，中国科学院近代物理研究所联合其他团队首次观测到新核素“铝-20”及其奇特衰变， 其衰变的核心方程为Al→3Ne+H。下列说法正确的是() A.a=10,b=1 B.增大压强可以加速A1的衰变 C.AI的比结合能大于'Ne的比结合能 D.Al与Ne的质量差等于衰变的质量亏损 2、关于以下各图所示的热学相关知识，描述正确的是() 各速率区间的分子数 液体 占总分子数的百分比 分子 6分子 两分子系统的势能，与0气体分子速半分布速半 分子向作用力与 两分子间距离的关系 分子间距离的关系 乙 丙 丁 A.图甲中，布朗微粒越大，布朗运动越明显 B.图乙中，当分子距离为r,时，分子势能最小 C.图丙中，曲线1对应气体的温度低于曲线2对应气体的温度 D.图丁中，当分子问的距离>时，随着r增大，分子力先减小后增大 高二物理试卷(A)第1页（共6页) 3.一个闭合线圈在两异名磁极问的匀强磁场中运动，且保证运动范围在匀强磁场内，下列几种情 况，线圈中能产生感应电流的是() (a) b) (c) (d) A.图()中，线圈在匀强磁场中向上平移 B.图(b)中，线圈在匀强磁场中向右平移 C.图(c)中，线圈在匀强磁场中向右上方平移D.图()中，线图绕垂直于匀强磁场的轴转动 4.麦克斯韦于1873年在著作《电磁通论》中系统阐述了电磁场理论体系，有两个基本假设：变化 的电场周围会产生磁场，变化的磁场周围会产生电场。请判断以下四组电场产生的磁场随时间t的 变化规律，其中错误的是（) A 5.2026年6月，江门中微子实验(JUN0)的首个物理成果发表，其利用了光电倍增管将探测中微 子被液体“俘获”时产生的闪烁光转换为电信号输出。图甲为光电倍增管的原理图，当频率为ν的 入射光照射到阴极K上时，发生光电效应，有光电子逸出，光电子被加速后撞击下一个倍增极，微 发的电子数逐级倍增，最后被阳极A收集。K极和第一倍增极的电路可以简化成如图乙所示。已知 电子电荷量为e,质量为m,阴极K的逸出功为w。.普朗克常量为h。下列说法正确的是（) 阴极K第二倍增极D,第四倍增极D, 光束心囟口 ak f11 入射光 第一倍增极D,第三倍增极D,阳极A 图甲 图乙 A.频率小于v的光照射到K极，也一定能发生光电效应 B.仅增大该入射光光强不影响阳极A单位时问内收集到的电子数 C.从阴极K逸出的光电子的最大初动能为hv-W。 D.若电压表示数为U,则光电子到达第一倍增极D的最大动能为hv+eU 高二物理试卷（A)第2页（共6页) 、如图所示是一个测量磁感应强度大小的实验方案.整个装置悬挂在弹簧测 力计下，装置下端有单匝正方形线框，边长为0.1m,部分线框处于一个待 测匀强磁场中，磁场方向垂直于线框平面向里。断电时，弹簧测力计示数为 电源 ).6N,当线框通入2A直流电流时，发现弹簧测力计的示数为0.7N,线框ab,cd 边的中点、f恰好位于磁场边界处，则待测磁场磁感应强度大小为() A.1T B.3T C.0.5T D.3.5T X X XX 7.2026年5月，新能源汽车的销售市场占有率进一步提升，下图为通过远距离输电方式给新能源 汽车充电桩供电的示意图，两台变压器均为理想变压器，升压变压器T,和降压变压器T,的原、副 线圈匝数比分别为n1n2=1:16、n3n4=375:19,输电线总电阻为r=202。在T,的原线圈两端接 入电压为500V的交流电，不考虑其他因素的影响，下列说法正确的是（) T 充 充电 A.升压变压器T,输出电压T,为4000V B.当充电桩使用个数增多时，T,的输出电压增大 C.当T,的输入功率为200kW时，输电线上损失的电功率为1X10W D.当T,的输入功率为200kW时，T,的输出电压有效值为380V 二、多选题（本大题共3小题，每题6分，共18分，在每小题给出的四个选项中，至少有两项是 符合题目要求的) 8.风力发电的原理可简化为叶片带动线圈在匀强磁场中匀速转动产生交流电。匀强磁场的磁感应强 度大小为B,矩形线圈的匝数从面积S、角速度ω，发电装置内各部分电阻均不计。在t=0时刻， 线圈平面恰与磁场方向平行，线圈沿逆时针方向匀速转动，如图所示。 下列说法正确的是（) A、t=0时刻，电流方向由b到a B、线圈中产生的感应电动势最大值Em=NBSw C、在线圈的输出端a、b问，接入一阻值为R的定值电阻（图中未 画出)，在0一t时间内电阻R产生的热量Qt, R D、线圈每转一周电流方向变化1次 9、如图甲、乙所示是一个粒子检测装置示意图，粒子都由N缝进入通道，MN与O点相距2R, 该通道的上下表面是以O点在面上的投影点为圆心，内半径为R、外半径为3℉的半圆环，磁感应 强度为B的匀强磁场垂直于半圆环，正对着通道出口处放置照相底片，能记录粒子从出口射出时的 高二物理试卷(A)第3页（共6页） 位置。电荷量为Q、质量为m、速度为，的碳2（化C)原子核经磁场偏转后恰好能击中照相底片的 正中间位置，不考虑粒子问的相互作用，粒子重力忽略不计，则下列说法正确的是() B 磁场区《 照相底片 以粒子源 直线加速器 底片 甲 粒子源 A磁感应强度为R mvo 乙 B.当碳2(？C)原子核的速度为时，也能打在底片上 C.当碳1(2C)原子核的速度为时，也能打在底片上 D.换成速度相同的a粒子(CHe),仍能打在底片正中间位置 10.经颅磁刺激仪(TMS)是一种无创神经调控技术。其刺激线圈通电后产生瞬变磁场，穿透颅骨在 大脑皮层诱导出感应电流，改变神经元膜电位。为简化研究，将刺激线圈视为一个匝数为20匝、 半径为Q,06▣的圆形线圈。线圆中心处的磁感应强度大小为8=袋，其中么=12x10Tm1A, N为线圈匝数，I为线圈中的电流，R为线圈半径。大脑皮层中某神经回路等效为一个单匝圆环， 面积为2.0×10m,电阻为0.50Ω。该圆环位于线圈中心处，且平面与线圈平面平行，磁场垂直 穿过圆环，可看作匀强磁场。现使线图中的电流在0.10ms内由0增大到40。关于该过程，下列 说法正确的是（)。 A.感应电流的方向与刺激线圈电流的方向相反 B.穿过该神经回路的磁通量变化量为9.6×10Wb C.神经回路中产生的平均感应电动势为1.92×10V D.若将脉冲电流改为恒定电流，仍可持续对脑神经元产生电 刺激作用 三、实验题（本大题共2小题，每空2分，共14分） 11.某同学在实验室用传感器做“一定质量的气体在体积不变时，其压强与温度的关系”实验，实 验装置如图，压强传感器通过软管与试管内密闭气体连通。 压强传感器 (1)该实验所用物理方法是 A.控制变量法B.等效替代法C.理想模型法 温度传感器 (2)实验中，该同学的以下做法中，哪一项是正确的 A.无需测量被封闭气体的体积 B.密封气体的试管大部分在水面之上 C.每次加入热水后，用温度传感器搅拌使水温均匀 D.每次加入热水后，立即读数 高二物理试卷(A)第4页（共6页） (3)该同学记录了不同热力学温度T时的压强p,在操作正确的情况下，描绘出来的图像可能是 B C 12.为探究影响感应电流方向的因素，某学习小组使用图甲所示的电磁感应实验装置进行实验，其 中线圈A中有铁芯。 ()图甲是小明同学进行“探究感应电流方向”的实验装置，为了完成该实验，请用笔画线代替 导线完成余下电路： (2)小明同学将线圈A插入线圈B中，闭合开关S时，发现灵敏电流计G的指针向左偏转，接着 保持线圈A、B不动，将线圈A中的铁芯拔出，则灵敏电流计G的指针将向 (填“左” 或“右”)偏转： (3)图乙是小军同学对课本演示实验装置改进后制作的“楞次定律演示 仪”。演示仪由反向并联的红、蓝两只发光二极管、一定匝数的螺线管、 灵敏电流计G以及强力条形磁铁组成。正确连接好实验电路后，将条形磁 蓝不 V红 铁从图示位置迅速向上移动过程中， (填“红”或“蓝”)色 二极管发光： (4)小军同学发现，条形磁铁向上移动得越快，灵敏电流计G的示数越大，这说明感应电动势随 (填“磁通量”“磁通量的变化量”或“磁通量的变化率”)的增大而增大。 四、计算题（本大题共3小题，共40分） 13.(9分)如图所示，导热性能良好的气缸管道A、B横截面积很小且相等。B中水银柱高度为 25cm。管道A中活塞与水银柱之间封闭了长度为30cm的理想气柱。大气压强为75cmHg。级慢移动 活塞，使管道B中的水银上升20cm,管道A中的空气未进入管道B,外界气温恒定。 (1)求此时封闭气体的长度。(5分) (2)判断该过程管道A中的封闭气体吸热还是放热，请说明理由。(4分) 高二物理试卷(A)第5页（共6页） 14.（14分)如图所示，足够长的光滑平行金属导轨W,PQ竖直放置，其宽度L=1m,一磁感应强 度B=0.1T的匀强磁场垂直向里穿过导轨平面，导轨的上端M与P之间连接阻值为R0.40Ω的电阻， 质量为m0.01kg,电阻为r=0.302的金属棒ab紧贴在导轨上，现使ab棒由静止开始下滑，下滑 过程中ab棒始终保持水平，且与导轨接触良好，1.5s后，其下滑距离为x。=7m,刚好达到最大速 度，全程的速度v与时间t的关系如图所示，导轨电阻不计，g10m/s2(忽略b棒运动过程中对原 磁场的影响)，求： (1)下滑过程中，a、b两点，哪点电势高？ ab棒在磁场中运动的最大速度是多少？ (2)0~2s内，整个电路产生的焦耳热： a + XX X (3)0~2s内，通过电阻R的电荷量。 X XBX 4 011.5234t/s 15.（17分)离子注入是芯片（晶圆)制造过程的一道重要工序，初速度忽略不计的离子先经直线 加速器加速后进入偏转系统，之后被注入到晶圆的不同位置。若已知直线加速器的加速电压为， 偏转系统为校长为L的正方体空间，其内可存在方向平行于×轴向外的匀强磁场或匀强电场，正方 体只有上下底面能进出离子，离子打到正方体其他平面上均被立刻吸收。正方体的底面与晶圆所在 水平面（足够大)平行，下底面到晶圆距离为d。有一正离子的质量为m,电荷量为q,当偏转系 统不加磁场和电场时，正离子恰好沿正方体的中心线竖直 注入到晶圆上的O点（即图中坐标原点）。不计离子重力。 直线加速器 求： (1)进入偏转系统的离子速度多大？偏转系统同时存 在电场和磁场时，正离子注入晶圆的位置在第几象限？ (2)若偏转系统仅加磁场，磁场强度B要满足什么条 偏转系统 件才能使正离子注入晶圆的位置离O点最远。 (3)偏转系统仅加电场为E时，正离子穿过偏转系统 后，求注入到晶圆所在平面的位置坐标。 第二象限 第三象限 第一象限人第四象限 晶圆所在平面 高二物理试卷（A)第6页（共6页）