课时分层检测(23)碳、硅无机非金属材料-【创新大课堂】2027年高三化学一轮总复习

5.C[浓氨水与生石灰反应可生成NH3,NH3的密度小于空气密度，112.答案(1)圆底烧瓶b 故可采用向下排空气法收集，A能达到实验目的：CuS),与H2S发， (2)防止温度过高，反应速率过快 生反应：CuSO1+H2S=CuS￥+H2S()1,乙块不与CuS()1反应，！ (3)Cr()3+2HC1=Cr(2C12+H2() 也不溶于水，故可用CuSC)1溶液除去C2H2中的H2S,B能达到实· (4)加入过量氯化钠可产生过量的氯化氢气体，使更多的C()3参 验目的：蒸馏分离CH2C12和CC11时，温度计的水银球应该置于蒸！ 与反应 馏烧瓶的支管口处，C不能达到实验目的：将小晶体置于饱和明矾 (5)将Cr(O2Cl2蒸气迅速冷凝，便于收集，提高产率（或减缓铬酰氯 溶液中，可为溶液结晶提供晶核，促使明矾晶体析出，D能达到实验 挥发) 目的。] (6)B吸收未参与反应的HC1气体和逸出的铬酰氯蒸气；防止空 6.A[通入C)2气体依次发生反应：CO2+N2CO3+H2O 气中的水蒸气进入装置 2NaHC(O)3、CaC)3+H2()十CO2==Ca(HC()3)2,由于在相同温度 课时分层检测（二十三） 下NaHCO的溶解度小于Na2CO3,最终瓶中仍有白色晶体析出，： 不会得到澄清溶液，A项选；通入C2,发生反应：Cl2十2FC12一1.A[金代六曲葵花鎏金银盏的主要成分为银，银属于金属，北燕鸭 2FeCl3、2FeCl3+Fe一3FeCl2,最终Fe消失得到澄清溶液，B项 形玻璃注、汉代白玉耳杯及新石器时代彩绘几何纹双腹陶罐的主要 不选；通入HCI,N)在酸性条件下会表现强氧化性，发生离子反： 成分都是硅酸盐，故A符合题意。] 应：3Cu+8H+十2NO。—3Cu2++2NO个+4H2O,最终Cu消失：2.B[《清明上河图》纸画材料的主要成分是纤维素，故不选A;敦煌 得到澄清溶液，C项不选：AgC】在水中存在溶解平衡：AgCI(s)一 飞天壁画是在石壁上画的，石壁的主要成分为硅酸盐材料，故远B: Ag(aq)+C1(aq),通入NH3后，Ag+与NH3结合生成 《簪花仕女图》绢帛画材科为蚕丝，属于蛋白质，故不选C;《四美图》 [Ag(NH)2]+,促使溶解平衡正向移动，最终AgCI消失得到澄清： 木版画为木质材料，主要成分是纤雏素，故不远D。] 溶液，D项不远。] ·3.D[石墨耐高温具有滑腻感，可用作润滑剂，作润滑剂与导电性无 7.A[浓硝酸具有挥发性，挥发出的硝酸也能与碘化钾溶液反应生成！ 关，A错误；单晶硅具有良好的半导体性能，可用作半导体材科，B 碘，则淀粉-KI溶液变蓝色不能说明浓硝酸分解生成二氧化氮，故A 错误；HF能与二氧化硅反应，故可以用于刻蚀玻璃，与弱酸性无关， 符合题意：钢与浓硫酸共热反应生成的二氧化硫有漂白性，使品红溶 C错误：二氧化氟具有强氧化性，可以使蛋白质变性，达到自来水杀 液褪色，故B不符合题意：浓氢氧化钠溶液与氟化铵溶液共热反应生 菌消毒的目的，D正确：故选D。] 成氨气，使酚酞溶液变红，故C不符合题意；乙醇具有挥发性，挥发出4，D[C0是导致温室效应的主要气体，A错误；C0和CO2组成元 的乙醇不与溴水反应，溴水褪色则说明2-溴丙烷与氢氧化钠的乙醇 素相同，但它们分子组成不同，化学性质不相同，B错误：单质是指 溶液共热发生消去反应生成了丙烯，故D不符合题意。] 只含有一种元素的纯净物，故金刚石、石墨是碳的单质，C。也是碳 8.B[氢气密度小于空气，不能用向上排空气法收集，A项错误；硫化 的单质，C错误；在高温条件下，碳能使C)2转变成C),CO)2+C 亚铁固体和稀硫酸在常温下可发生复分解反应，生成的H2S气体 高温2C0,D正确.] 密度比空气大，B项正确：铜片和稀硝酸反应可制取NO气体，但5.D[Si)2属于酸性氧化物，但是可以和HF反应，D错误。] N0会与空气中的氧气反应，不能用排空气法收集，C项错误；二氧！6.D[酸雨是氮氧化物、二氧化硫的排放引起的，与二氧化碳无关，故 化锰固体与浓盐酸在加热条件下才能反应制取氯气，常温下反应不！A错误：由图可知，C0、氢氧化钠等均可以循环利用，故B错误；高 能发生，D项错误。] 温反应炉需要消耗大量的能量，能量消耗较高，故C错误；由流程图 9.D[由反应物的状态和反应条件可选用③装置作为制取装置。除 可知，该过程中主要涉及CO2和NaOH的反应，CaO和水的反应， 去CO2可远用④或⑤装置，要收集C()只能用⑧装置，故合理的装】 氢氧化钙和碳酸钠的反应及碳酸钙的分解等，均没有涉及到氧化还 置组合为③④⑧或③⑤⑧。] 原反应，故D正确。] 10.C[装置甲为固液不加热制备氯气，二氧化锰固体和浓盐酸加热；7.B[CH1是最简单的有机化合物，A正确；b是单质C,是CO2,C 制备C2,故A错误：装置乙的作用是除去氟气中的HCI,同时可作： 在高温下被Si()2氧化成CO,不是CO2,B错误：d为C),CO)与血红 安全瓶，以监测装置丙中是否发生堵塞，故B错误：装置丁碘和氯· 蛋白结合的能力比()2强，C正确；e是C()2,将氨气和C)2通入饱 气反应生成IC13,三氟化碘熔，点为33℃，沸点为73℃，最恰当的{ 和食盐水反应生成NH,CI和NaHCO,D正确。] 加热方式是用水浴加热，故C正确；ICl易与水发生反应，同时可！8.C[Si与C同主族，Si的还原性比C的强，但在高温下能发生反 能还有C12未反应完，所以装置戊的作用是吸收多余的C12、防止 外界水蒸气进入丁，换成氟化钙无法吸收多余的C12,故D错误。] 应：2C+S0,高温2C04+Si,A项错裙：不能用带磨口玻璃塞的试 11.答案(1)圆底烧瓶 剂瓶盛放Na2Si()2溶液，因为Na2Si()3溶液本身是一种黏合剂，B (2)E→C→D 项错误；S()2是酸性氧化物，但不能与水反应，所以制取硅酸可用可 (3)BC 溶性硅酸盐与C()2或盐酸反应：Na2SiO)3十CO2十H2)一一 (4)液封 Na2C)3+H2SiO)3￥，Na2Si)3+2HC==2NaC1+H2SiO3￥，C项 (5)ABC 正确：Na2CO)3与Si()2在高温下的反应与对应的酸的酸性强弱无 解析A作为H2S的发生装置，为避免倒吸不能冷，所以D、E· 关，该反应说明硅酸盐在高温下比碳酸盐更稳定，D项错误。] 都是冷却H,S的装置，C装置千燥H,S,F冷却并收集H,S,G作9D[石英砂主要成分为Si02,与C在高温下反应生成粗S,2C+ 为平衡气压和液封，防止空气中的水蒸气进入，据此回答。(1)仪· Si0,高温si+2C0+,粒si与HCI在30℃反应生成粗SiHCL,粗 器X的名称是圆底烧瓶：(2)制备气体的装置包括发生装置，除杂、 SiHCI3中含有少量的SiCl1,根据二者沸点的不同，可以采取蒸馏的 干燥装置，收集装置和尾气处理，由于不能骤冷，要逐步冷却，所以· 方法分离，纯SiHC1在1100℃的条件下与H2反应生成纯Si, B连E,E连C,C连D,D连F:(3)H2S是酸性气体，不可以用碱性 siHC6+H,100℃si+3HC1。由反应Si0,+2c高墨si+200+ 千燥剂，所以不可以用氢氧化钾和碱石灰，故选BC:(4)装置G中 可知，碳作还原剂，表现还原性，不是非金属性，A错误；B.步骤②中 汞的两个作用是：①平衡气压：②起液封作用，防止空气中的水蒸： 气进入：(5)A.H2S有毒，该实验操作须在通风橱中进行，故A正· 反应为Si(租)+3HC130℃-SiHCl,+H,步聚③中反应为SiHC, 确；B.气体不能骤冷，装置D的主要作用是预冷却H2S,故B正！ 确；C.加入的MgCl2固体，可使MgCl2溶液保持饱和，有利于平稳 +H2 1100℃s(她)+3HC,故H2和HC1均可循环利用，B错 持续产生H,S,故C正确：D.该实验产生的尾气不可用硝酸吸收，{ 硝酸的氧化性虽然可以把H2S氧化为S单质，但是稀硝酸产生的· 误：步赛③中反应为SiHC,十H,11o0℃s(纯)+3HC,SiHC。 NO或者浓硝酸产生的N()2,会污染空气，故D错误：故选ABC。 中H元素化合价由一1价上升至十1价，转化为HCI,Si元素化合价 517 由十4价下降至0价，转化为Si,SiHCI3既作氧化剂又作还原剂，H2!3.C[电子所具有的能量不同，就会在不同的能层上运动，A项正确： 中H元素化合价由0价上升至十1价，氢气作还原剂，故氧化剂与， 电子运动状态是由能层、能级、电子云的空间伸展方向以及电子自 还原剂的物质的量之比为1：2，C错误；SiHCI的H元素显一1价， 旋状态共同决定的，B项正确；同一能级的电子具有相同的能量，与 溶于水产生H2,三个Si一CI键水解生成HC1和H2Si)3,与NaOH 电子云的空间伸展方向无关，与其自旋状态也无关，D项正确；能层 中和生成NaCl和Na2Si)3两种盐，反应的离子方程式为SiHCI3+ 数确定能层中的最多原子轨道数，C项错误。] 5(OH一Si()+3C】+H2↑+2H2(O,D正确；故选D。] {4.C[电子云是用小黑点表示电子在核外空间某处出现的概率，小黑 10.D[两性氧化物是既能与酸反应生成盐和水，又能与碱反应生成 点不代表电子，小黑点的疏密表示电子出现概率的大小，A、B项错 盐和水的氧化物，Si)2与HF反应生成SiF1和H2),SiF1不是 误：3d3表示第三能层d能级有3个电子，d能级有5个轨道，D项错 盐，因此SiO2不是两性氧化物，A项错误；Na2Si()3溶液中通入过 误。] 量的C()2生成HCO2,B项错误；粗硅提纯过程中，粗Si与HCI反！5，D[A项，质量很小的电子在做高速运动时，其运动规律跟普通物 应生成SiHCla和H2,因此H2也可以循环利用，C项错误；硅胶具： 体不同，没有固定的运动轨道：B项，第三能层只有3s、3p、3d三个能 有吸水性，且没有毒性，可用作食品千燥剂，D项正确。] 级，而3s能级有1个轨道、3p能级有3个轨道、3d能级有5个轨道， 11.C[将溶液和固体分开，采用过滤操作，操作1为过滤，操作2为 故第三能层有9个轨道：C项，氢原子中只有1个电子，只填充1s轨 洗涤和烘千，故A错误：S),是共价晶体，没有分子，故B错误；由 道，但还存在其他空轨道：D项，电子的运动状态与能层、能级、原子 除杂原理可知副反应为2Mg+Si△Mg,Si,故C正确：当有2m0l 轨道和自旋状态有关，在同一原子内部没有两个电子存在完全相同 的运动状态。] 电子转移时，参加反应的Mg的物质的量为1mol,能生成0.5mol 6.C[p能级能量不一定比s能级的能量高，如2p的能量小于3s,A 单质硅，但因有副反应发生，最终获得的Si的质量少于14g,故D} 错误；同一原子中，各p能级的轨道数都为3，B错误；从空间角度 错误。] 看，2s轨道空间包含了1s轨道，比1s轨道大，C正确：2p,、2P,,2P 12.A[二氧化锰固体与浓盐酸加热反应生成氟气，而I装置没有酒！ 轨道相互垂直，能量相等，D错误；故远C。] 精灯，因此I装置不可用于二氧化锰固体与浓盐酸反应制备氟气， :7.B[金属纳灼烧后吸收能量，电子由基态跃迁到高能级变为激发 故A错误；氨气中含有水蒸气，根据SHCI3遇水会剧烈反应，则装 置Ⅱ中盛装的是浓H2S)1,其作用是千燥氢气，根据SHCI3的沸 态，从激发态返回基态时释放能量，释放的能量以黄光（辐射）的形 式体现，为发射光谱，故远B。] 点：31,85℃，则装置Ⅲ烧杯盛装的是温度高于32℃的温水，将· 8.D[原子光谱有两种：吸收光谱和发射光谱，电子在激发态跃迁到 SiHCI3变为气体以便进入到N中与氢气反应，故B正确：氢气和氧 基态时会产生原子光谱属于发射光谱，而电子从基态跃迁到激发态 气混合气体会发生爆炸，因此实验时，先打开装有稀硫酸仪器的活 塞，收集尾气验纯，再预热装置Ⅳ石英管，故C正确：根据用SiHClg! 时会吸收能量，产生吸收光谱，所以电子在激发态和基态之间的相 互跃迁都会产生原子光谱，A错误；丁达尔效应是胶体的分散质微 与过量H2在1100~1200℃反应制备高纯硅，因此W中发生反应1 的化学方程式SiHC,十H,高温Ssi+3HC,故D正确.] 粒对光线发生散射产生的，与原子核外电子的跃迁无关，B错误；原 子的电子吸收一定的能量后，由低能级跃迁至较高能级，属于物理 13.(1)组装仪器并检查装置气密性当管式炉中固体消失，烧瓶中无： 变化，C错误；不同的原子在电子发生跃迁时，吸收或发射的光谱不 液体滴下C、D之间没有吸水装登，缺少氢气的处理装置 同，所以现代化学中常利用原子光谱上的特征谱线来鉴定元素，D (2)SiHCl+5NaOH=Nag SiO+3NaCl+H2+2H2O 正确；故选D。] 14.答案(1)除去氮气中含有的少量氧气 9.A[硅原子由基态转化为激发态，这一过程吸收能量，则其处于激 (2)硝酸 发态时的能量高于基态时的能量，故A项正确，B、C项错误；转化后 (3)取最后一次洗涤液，测得pH为中性，则说明已水洗干净 硅原子与基态磷原子的电子层结构不相同，因为基态磷原子的最外 (4)abe 层排布式为3s23p,化学性质也不相同，D项错误。] （53SCl,+2N,+6H,商温s,N,+12HC 10.B[由守恒关系可知元素X的质量数为27，X与Y最外层电子数 解析硅胶具有吸水性，可以干燥氨气，净化后的干燥N2在氨化· 之和为8，质子数相差2，且X为金属元素，可推知X为A]元素，Y 炉中与粉碎的硅在1200一1400℃的温度下反应生成氮化硅：该！ 为P元素，二者都有十3价，都可以形成三氟化物，A项错误、B项 方法制取的氮化硅中混有少量C山，可以用硝酸“酸洗”除去杂质钢 正确；A1原子质子数为13，P原子质子数为15，故质子数：X<Y,C 及金属氧化物，再用蒸馏水“水洗”，“后处理”得到较纯净的氮化 项错误；P元素的含氧酸有H3PC)1、H3PO3、H3P)2等，D项 硅，据此分析解答。(1)加热条件下Cu能与氧气反应，则N2净化 错误。] 时铜屑的作用是可以除去氣气中含有的少量氧气。(2)该方法制：11.C[相同轨道中的两个电子运动方向相反，违反了泡利不相容原 取的氨化硅中混有少量C,氮化硅能与氢氯酸反应，盐酸、稀硫酸： 理，A不符合题意；电子应先充满同能级的轨道，违反了洪特规则， 均不与Cu反应，为除去氮化硅中混有的钢粉，可远择硝酸，Cu与 B不符合题意；K原子的电子排布式：1s22s22p53s23p54s',违反能 硝酸反应，而氮化硅与硝酸不反应。(3)氨化硅酸洗后表面附着！ 量最低原理，C符合题意；Br的电子排布式：[Ar]3d04s24p,正 酸，若氨化硅产品用水洗干净，则洗涤后的滤出液呈中性。(4)氣： 确，评价错误，D不符合题意：故远C。] 化硅硬度大，熔点高可以用来制作坩埚；熔点高、硬度大，化学性质12.B[3即能级有一个空轨道，说明3印能级有2个电子，3s能级肯定已 稳定可制作耐高温轴承，切削刀具等：氣化硅制作成本高，不适宜 填满，价电子排布式为3s23p,因此A中两微粒相同，不符合题意。 用作建筑材料。(5)四氟化硅和氮气在氢气的气氛保护下，加强热！ M层全充满而N层为4s2,M层上有d轨道，即价电子排布式为3d0 发生反应，可得较高纯度的氨化硅以及氟化氢，反应的化学方程式 4s2,应该是锌元素，3d4s2是铁元素的价电子排布式，符合题意。价 电子排布式为4s24p°，则3d能级已排满10个电子，核外电子排布式 为3SiC11+2N2+6H2 ,高s,N,十12HC1。 为1s22g22p3s23p3d04s24p,最外层电子数是核外电子总数的号 课时分层检测（二十四） 的原子，可按下述方法讨论：若最外层电子数为1，核外电子总数为 1,D[8F与19F质子数相同、中子数不同，因此两者不是同种核素， 5,不可能；最外层电子数为2，核外电子总数为10，不可能：同理，只 A错误：同素异形体指的是同种元素组成的不同单质，18F与9F不！ 有最外层电子数为？，核外电子总数为35时合理，其电子排布式也 是单质，因此两者不是同素异形体，B错误；同位素之间质子数和电！ 是1s22s22p3s23p3d04s24p,二者是同种元素的原子，不符合题 子数均相同，19F比18F多一个中子，C错误，D正确。] 意。2p能级有一个未成对电子，可以是2p,也可以是2p,因此二者 2.B[智X、8Q的质子数相同，所以是同一元素；8R2+M的质子 不一定属于同种元素的原子，不符合题意。] 数相同，所以是同一元素，0M是原子，8R2+是离子：9Z是质子数13.B[X基态原子核外只有三个能级，且各能级电子数相等，为 为18的元素；所以共有3种元素，质子数分别为18、19、20，故： 1s22s22p2,为C元素，Z原子的核外电子有8种运动状态，Z为O 选B。] 元素，Y为N元素，Z与W元素位于同一族，W为S元素，P原子 518课时分层检测（二十三） 1.(2024·黑吉辽卷)文物见证历史，化学创造文 明。东北三省出土的下列文物据其主要成分不 能与其他三项归为一类的是 A.金代六曲葵花鎏金银盏 B.北燕鸭形玻璃注 C.汉代白玉耳杯 D.新石器时代彩绘几何纹双腹陶罐 2.历代绘画是中华优秀传统文化的瑰宝。下列与 绘画作品有关的历史文物中，绘制在硅酸盐材 料上的是 A《清明上河图》纸画 B.敦煌飞天壁画 C.《簪花仕女图》绢帛画 D.《四美图》木版画 3.(2026·山东青岛二模)下列物质的性质与用途 具有对应关系的是 ( A.石墨能导电，可用作润滑剂 B.单晶硅硬度大，可用作半导体材料 C.氢氟酸有弱酸性，可用于刻蚀玻璃 D.C1O2有强氧化性，可用于自来水消毒 4.(2026·河北邯郸模拟)下列有关碳及其化合物 的说法正确的是 A.CO2不是导致温室效应的主要气体 B.CO和CO2组成元素相同，所以他们的化学 性质相同 C.金刚石、石墨是碳的单质，而C60是碳的化 合物 D.在高温条件下，碳能使CO2转变成CO 碳、硅 无机非金属材料 5.(2026·黑龙江绥化模拟)“千淘万漉虽辛苦，吹 尽狂沙始到金。”诗句中的“沙”的主要成分是 SiO2,下列说法错误的是 ( A.“从沙滩到用户”这句话涉及工业上制备粗硅 的工艺 B.“水玻璃”可以由SiO2与NaOH溶液反应 制得 C.SO2是制取传统硅酸盐产品玻璃的原料 之一 D.SO2属于酸性氧化物，不与任何酸反应 6.(2026·大连模拟)我国倡导低碳生活，减少二 氧化碳的排放，“碳捕捉技术”可实现二氧化 碳的分离、储存和利用。实际生产中，常利用 NaOH溶液来“捕捉”CO2,其工艺流程如图 所示（部分条件及物质未标出），下列说法正 确的是 ) C02含量 高的气体 一捕捉室-反应分离-高温反应炉C0, Cao CO2含量低的气体 A.CO2是引起酸雨的主要物质之一 B.整个过程中，只有CO2可循环利用 C.能源消耗低是该技术的一大优点 D.该生产过程中，没有涉及到氧化还原反应 7.(2026·广东模拟)如图是碳元素的“价一类”二 维图，下列有关说法不正确的是 ( 化合价 NaHCO +2 0 ob 氢化物单质氧化物酸盐类别 A.a是最简单的有机化合物 B.b在高温下被SiO2氧化成c C.d与血红蛋白结合的能力比O2强 D.将氨气和e通入饱和食盐水中可得到 NaHCOs 33 8.下列有关硅及其化合物的说法正确的是( A,在粗硅的制取中发生反应：2C+SO2高温 2CO个+Si,Si被还原，所以C的还原性大 于Si B.Na2SiO3属于盐，不属于碱，所以Na2SiO3溶 液可以保存在带磨口玻璃塞的试剂瓶中 C.用SiO2制取硅酸，应先使SiO2与NaOH溶 液反应，然后通入CO? D.由Na2C0十SiO,高温C02◆十Na2Si0,可 知，H2SiO3的酸性大于H2CO3 9.“从沙滩到用户”是指半导体工业中，从沙子中 (主要成分是SO2)提取粗硅，加工成高纯硅，最 终制成电子产品的过程，具体原理如下。己知 电负性：CI>H>Si,下列说法正确的是( 石英砂 焦炭 HCI SiHCIs 粗硅 高温 300℃ ① ② (粗) H2 →高纯硅 1100 ③ A.步骤①的反应为s10,十2C高温Si十2C0+, 说明碳的非金属性比硅强 B.整个过程中只有H2可以循环利用 C.步骤③中，氧化剂与还原剂的物质的量之比 为1：1 D.SHCl3与氢氧化钠溶液反应的离子方程式为 SiHCI3+5OH--SiO号-+3C1-+H2↑ +2H2O 10.下图表示利用二氧化硅制备硅及其化合物的 流程。下列选项中正确的是 品片5@数司 HESF☒ 溶液asOH9HSr0OA NaOH 硅胶 (xSiO2yH2O) Na,Co→Na2SiO3 H2O 高温 C02 334 A.SO2能与氢氧化钠及氢氟酸反应，属于两 性氧化物 B.Na2SiO3溶液中通入过量的CO2:SiO号-+ CO2+H2O—H2SiO3V+CO3 C.粗硅提纯过程中只有HC1可循环利用 D.硅胶可用作食品干燥剂 11.清华大学等重点高校为解决中国“芯”一半 导体芯片，成立了“芯片学院”。某小组拟在实 验室制造硅，其流程如图。 过量盐酸在 镁条点 石英砂、燃引发 Si C02氛围中 Si 除杂 镁粉 MgO MgC12溶液 Mg2Si HC1溶液 S]操作2滤渣 操作1 MgC12溶液 HC1溶液 制造原理：2Mg十SiO,点燃2Mg0+Si; 除杂原理：Mg2Si+4HCI—2MgCl2+SiH4↑， MgO+2HCl-MgCl2+H2O。 下列说法正确的是 A.操作1、操作2均为过滤 B.SiO2、SiH4均含有共价键，等质量的二者分 子数之比为8：15 C.点燃石英砂和镁粉的混合物发生的副反应 为2Mg+Si△Mg2Si D.当有2mol电子转移时，能生成14gSi 12.制造芯片用到高纯硅，用SiHC3(沸点：31.85℃， SiHCI3.遇水会剧烈反应)与过量H2在 1100~1200℃反应制备高纯硅的装置如下图 所示（夹持装置和尾气处理装置略去），下列说 法错误的是 () 稀 管式炉石英管 SiHCI3 接尾气处 酸 理装置 A.I装置可用于二氧化锰固体与浓盐酸反应 制备氯气 B.装置Ⅱ中盛装的是浓H2SO4、装置Ⅲ烧杯盛 装的是温度高于32℃的温水 C.实验时，先打开装有稀硫酸仪器的活塞，收 集尾气验纯，再预热装置V石英管 D.IV中发生反应的化学方程式：SiHCI3+H2 高温Si十3HCI 13.(2023·山东卷)三氯甲硅烷(SiHCI3)是制取 高纯硅的重要原料，常温下为无色液体，沸点 为31.8℃，熔点为一126.5℃，易水解。实验 室根据反应Si+3HC1△SiHC13十H2,利用 如下装置制备SiHCI3粗品（加热及夹持装置 略)。回答下列问题： HCI→ B 管式炉。 浓硫酸 A 、冷却液 冰水 NaOH 溶液 D (1)制备SiHCI3时进行操作：（1)…；(i) 将盛有硅粉的瓷舟置于管式炉中；（ⅲ）通入 HC,一段时间后接通冷凝装置，加热开始反 应。操作(1)为 判断制备反应结束的实验现象是 图示装置存在的两处缺陷是 335 (2)已知电负性CI>H>Si,SiHCI3.在浓 NaOH溶液中发生反应的化学方程式为 14.氮化硅是一种性能优异的无机非金属材料，它 的熔点高、硬度大、电绝缘性好、化学性质稳 定，但生产成本较高，不溶于酸（氢氟酸除外）。 种用工业硅（含少量铁、铜的单质及氧化物） 和N2(含少量O2)合成氮化硅的工艺流程 如下： 硅块→粉碎 稀酸X蒸馏水 N图圆的- 处 600℃ 1200-1400℃ 18-36h 接真空 装置 氮化硅 (1)N2净化时，铜屑的作用是 (2)X可能是 (填“盐酸”“硝酸”“硫 酸”或“氢氟酸”)。 (3)如何证明氮化硅产品已用水洗干净？ (4)推测氮化硅可能的用途 (填字 母)。 a.制作切削刀具 b.制作坩埚 c.制作耐高温轴承 d.用作建筑材料 (5)工业上还可以采用化学气相沉积法制备氮 化硅。在H2的环境中，使SiCl4与N2在高温 下反应生成氮化硅沉积在石墨表面，该反应的 化学方程式为