第16练 内存分类 《计算机组装与维修》 （电工版第四版） 一课一练 （内蒙古）

【编写说明】依托三阶支架资源编写方案，《一课一练》明确基础层具象化支架定位，作为课堂同步配套资源，其内容与课堂教学深度绑定，并且精准匹配中职学生知识基础与学习特质，遵循“由浅入深、循序渐进”的认知规律，聚焦基础性与实效性核心，通过拆解知识点、简化认知难度，切实降低学习门槛，为后续知识巩固与能力提升筑牢根基，是优质课后作业首选。 本卷是《计算机组装与维修》（电工版第四版）《一课一练》第16练，内容是内存分类。 《计算机组装与维修》（电工版第四版）一课一练 第16练 内存分类 一、单选题 1. 内存按工作原理分类主要有（ ） A. SRAM和DRAM两大类 B. ROM和RAM两大类 C. DDR和SDR两大类 D. 硬盘和光盘两大类 【答案】A 【解析】内存按工作原理分类主要有SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）两大类。 2. SRAM静态随机存储器的主要特点是（ ） A. 不需要刷新但集成度低 B. 容量大价格低 C. 断电后数据保留 D. 需要不断刷新数据 【答案】A 【解析】SRAM不需要刷新电路即可保持数据，但集成度低、成本高，通常用作CPU缓存。 3. DRAM动态随机存储器需要定期刷新的原因是（ ） A. 降低存储器功耗 B. 防止电容电荷泄漏丢失数据 C. 增加存储器容量 D. 提高数据读取速度 【答案】B 【解析】DRAM使用电容存储数据，电容会自然泄漏电荷，需要定期刷新充电才能保持数据不丢失。 4. DDR内存相比SDR内存的核心改进是（ ） A. 一般将时钟频率提高四倍 B. 在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据 C. 常见的将数据位宽加倍 D. 在每个时钟周期的上升沿传输数据 【答案】B 【解析】DDR内存的核心改进是在时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据，双倍数据速率使带宽翻倍。 5. DDR4内存的标准工作电压是（ ） A. 1.8V B. 2.5V C. 1.2V D. 1.5V 【答案】C 【解析】DDR4内存的标准工作电压为1.2V，相比DDR3的1.5V进一步降低，减少了功耗和发热。 6. DDR5内存相比DDR4最显著的改进是（ ） A. 工作电压升高 B. 引脚数量减少 C. 起始频率更高带宽更大 D. 不再支持双通道 【答案】C 【解析】DDR5相比DDR4起始频率更高（4800MHz起）、带宽更大，同时电压更低至1.1V。 7. DDR4内存条上的防呆缺口位置与DDR3不同其目的是（ ） A. 增加内存容量 B. 提升内存频率 C. 美化内存外观 D. 防止不同代际内存混插 【答案】D 【解析】DDR4内存条的防呆缺口位置与DDR3不同，防止用户将不同代际内存混插到错误插槽中。 二、判断题 8. SRAM速度快但成本高容量小通常用作CPU内部缓存而DRAM速度稍慢但成本低容量大用作主内存（ ） 【答案】√ 【解析】SRAM速度快成本高容量小用作CPU缓存，DRAM速度稍慢成本低容量大用作计算机主内存，各有适用场景。 9. DDR内存从DDR1发展到DDR5每一代的工作电压都在增加以提升传输速率（ ） 【答案】× 【解析】DDR内存从DDR1到DDR5每一代的工作电压都在降低（如2.5V→1.8V→1.5V→1.2V→1.1V），降低功耗而非增加电压。 10. DDR5内存可以直接插在DDR4主板插槽中使用两者完全兼容（ ） 【答案】× 【解析】DDR5内存与DDR4插槽物理结构不同，防呆缺口位置不同，不能混插使用，需要DDR5专用主板。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 【编写说明】依托三阶支架资源编写方案，《一课一练》明确基础层具象化支架定位，作为课堂同步配套资源，其内容与课堂教学深度绑定，并且精准匹配中职学生知识基础与学习特质，遵循“由浅入深、循序渐进”的认知规律，聚焦基础性与实效性核心，通过拆解知识点、简化认知难度，切实降低学习门槛，为后续知识巩固与能力提升筑牢根基，是优质课后作业首选。 本卷是《计算机组装与维修》（电工版第四版）《一课一练》第16练，内容是内存分类。 《计算机组装与维修》（电工版第四版）一课一练 第16练 内存分类 一、单选题 1. 内存按工作原理分类主要有（ ） A. SRAM和DRAM两大类 B. ROM和RAM两大类 C. DDR和SDR两大类 D. 硬盘和光盘两大类 2. SRAM静态随机存储器的主要特点是（ ） A. 不需要刷新但集成度低 B. 容量大价格低 C. 断电后数据保留 D. 需要不断刷新数据 3. DRAM动态随机存储器需要定期刷新的原因是（ ） A. 降低存储器功耗 B. 防止电容电荷泄漏丢失数据 C. 增加存储器容量 D. 提高数据读取速度 4. DDR内存相比SDR内存的核心改进是（ ） A. 一般将时钟频率提高四倍 B. 在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据 C. 常见的将数据位宽加倍 D. 在每个时钟周期的上升沿传输数据 5. DDR4内存的标准工作电压是（ ） A. 1.8V B. 2.5V C. 1.2V D. 1.5V 6. DDR5内存相比DDR4最显著的改进是（ ） A. 工作电压升高 B. 引脚数量减少 C. 起始频率更高带宽更大 D. 不再支持双通道 7. DDR4内存条上的防呆缺口位置与DDR3不同其目的是（ ） A. 增加内存容量 B. 提升内存频率 C. 美化内存外观 D. 防止不同代际内存混插 二、判断题 8. SRAM速度快但成本高容量小通常用作CPU内部缓存而DRAM速度稍慢但成本低容量大用作主内存（ ） 9. DDR内存从DDR1发展到DDR5每一代的工作电压都在增加以提升传输速率（ ） 10. DDR5内存可以直接插在DDR4主板插槽中使用两者完全兼容（ ） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $