第14卷 半导体器件结构、符号与参数识别-考点训练卷《电工电子技术》湖南省（职教高考）机电类 考纲百套卷（原卷版+解析版）

编写说明：湖南省对口招生《机电类考纲百套卷》，依据《2022年湖南省普通高等学校对口招生考试基本要求和考试大纲机电类》编写。本专辑涵盖六门课程，且每门课程均采用三阶递进式训练体系：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第14卷为考点训练卷，按《电工电子技术》范围和要求编写。具体内容为：1.掌握半导体器件的结构、符号、特性和主要参数等基本概念；2.会对半导体器件进行识别、比较、判断和规范选用。 湖南省《机电类考纲百套卷》 第14卷 《电工电子技术》 半导体器件结构符号特性与参数识别 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共12小题，每小题3分，共36分） 1. 半导体材料的导电能力（ ） A. 比导体强 B. 比绝缘体弱 C. 介于导体和绝缘体之间 D. 与导体相同 【答案】C 【解析】半导体导电能力介于导体和绝缘体之间，其导电能力可通过掺杂、温度、光照等因素控制。 2. 常用的半导体材料是（ ） A. 铜和铝　　B. 硅和锗　　C. 铁和钢　　D. 金和银 【答案】B 【解析】最常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge），硅应用最广泛。 3. 如图1所示，二极管的主要特性是（ ） A. 放大特性　　B. 单向导电性　　C. 稳压特性　　D. 振荡特性 【答案】B 【解析】二极管的主要特性是单向导电性：正向偏置时导通，反向偏置时截止。 4. 硅二极管的正向导通压降约为（ ） A. 0.2V　　B. 0.3V　　C. 0.7V　　D. 1.4V 【答案】C 【解析】硅二极管正向导通压降约为0.6~0.7V，通常取0.7V。 5. 锗二极管的正向导通压降约为（ ） A. 0.2V　　B. 0.7V　　C. 1.0V　　D. 1.4V 【答案】A 【解析】锗二极管正向导通压降约为0.2~0.3V，通常取0.2V或0.3V。 6. 二极管反向击穿后（ ） A. 一定损坏 B. 只要不超过最大耗散功率就不会损坏 C. 电流为零 D. 电压为零 【答案】B 【解析】二极管反向击穿后，只要反向电流不超过最大允许值（不超过最大耗散功率），就不会造成永久性损坏，稳压管就是利用这一特性工作的。 7. 图4所示的并联稳压支路中，稳压二极管应工作在________状态（ ） A. 正向导通　　B. 反向截止　　C. 反向击穿　　D. 饱和 【答案】C 【解析】稳压二极管工作在反向击穿状态，利用反向击穿区电压基本恒定的特性实现稳压。 8. NPN型三极管工作在放大状态时，各极电位关系为（ ） A. VC>VB>VE　　　B. VC<VB<VE C. VC=VB=VE　　　D. VB>VC>VE 【答案】A 【解析】NPN型三极管放大状态：发射结正偏（VB>VE），集电结反偏（VC>VB），所以VC>VB>VE。 9. 三极管的电流放大倍数β定义为（ ） A. β=IC/IB　　　B. β=IB/IC C. β=IC/IE　　　D. β=IE/IB 【答案】A 【解析】共射电流放大倍数β=IC/IB，表示集电极电流是基极电流的多少倍，通常β=20~200。 10. 三极管的三个工作区域不包括（ ） A. 放大区　　B. 饱和区　　C. 截止区　　D. 振荡区 【答案】D 【解析】三极管三个工作区域：放大区（发射结正偏、集电结反偏）、饱和区（发射结正偏、集电结正偏）、截止区（发射结反偏或零偏）。没有振荡区。 11. 三极管工作在饱和区时，集电极与发射极之间的压降VCE约为（ ） A. 0.3V　　B. 0.7V　　C. 1.0V　　D. 电源电压 【答案】A 【解析】三极管饱和时VCE≈0.3V（硅管饱和压降），此时IC不再随IB增大而增大。 12. 图5所示器件的栅极电压可控制沟道电流，因此该器件是________控制器件（ ） A. 电流　　B. 电压　　C. 功率　　D. 频率 【答案】B 【解析】场效应管（FET）是电压控制器件，输入电压控制输出电流，输入阻抗极高。双极型三极管（BJT）是电流控制器件。 二、双项选择题（本大题共4小题，每小题4分，共16分） 13. 关于二极管，下列说法正确的有（ ） A. 具有单向导电性 B. 硅管导通压降约0.7V C. 反向击穿一定损坏 D. 具有放大特性 【答案】AB 【解析】A正确（单向导电性是二极管的核心特性）；B正确（硅管正向导通压降约为0.7V）。C错误（反向击穿后只要电流不超过允许值就不会损坏，稳压管即利用反向击穿稳压）；D错误（二极管无电流放大作用，具有放大特性的是三极管）。 14. 如图2所示，关于三极管放大状态，下列说法正确的有（ ） A. 发射结正偏　　　B. 集电结正偏 C. IC=β×IB　　　D. VCE≈0.3V 【答案】AC 【解析】A正确（放大状态发射结必须正偏）；C正确（放大区满足 IC=β·IB，集电极电流随基极电流线性变化）。B错误（放大状态集电结应反偏，正偏则进入饱和区）；D错误（VCE≈0.3V 是三极管饱和压降，属于饱和区特征，不是放大区）。 15. 关于三极管的三个工作区域，下列说法正确的有（ ） A. 放大区IC不随IB变化 B. 饱和区IC不随IB增大 C. 截止区IC≈0 D. 饱和区VCE很大 【答案】BC 【解析】B正确（饱和区 IC 已达最大，继续增大 IB 不再使 IC 明显增加）；C正确（截止区发射结反偏或零偏，IB≈0，IC≈0）。A错误（放大区 IC=β·IB，随 IB 线性变化）；D错误（饱和区 VCE≈0.3V，数值很小）。 16. 关于稳压二极管，下列说法正确的有（ ） A. 工作在反向击穿区 B. 正向导通压降约1.4V C. 不能用于稳压电路 D. 正常工作时必须限制反向电流在允许范围内 【答案】AD 【解析】A正确（稳压管正是利用反向击穿区电压基本恒定的特性稳压）；D正确（稳压管击穿区工作时必须串限流电阻，把反向电流限制在允许范围内）。B错误（硅稳压管正向导通压降约为0.7V，与普通硅二极管相同）；C错误（稳压管可用于稳压、限幅等电路）。 三、填空题（本大题共6小题，每小题3分，共18分） 17. 常用半导体材料是________和________。 【答案】硅（Si）；锗（Ge） 【解析】最常用半导体材料：硅（Si）应用最广，锗（Ge）也常用。 18. 某 NPN 型硅三极管电流放大系数 β=50，基极电流 IB=40μA，则集电极电流 IC=______mA。 【答案】2.0 【解析】根据三极管共射电流放大系数的定义 β=IC/IB，可得 IC=β·IB=50×40μA=2000μA=2.0mA。 19. 稳压二极管工作在________区，利用该区域电压________的特性。 【答案】反向击穿；基本恒定 【解析】稳压管工作在反向击穿区，该区域反向电压基本恒定（不随电流大幅变化），用于稳压。 20. NPN三极管放大状态时，发射结________偏，集电结________偏。 【答案】正；反 【解析】NPN放大状态：发射结正偏（VB>VE），集电结反偏（VC>VB），即VC>VB>VE。 21. 三极管电流放大倍数β=________，三极管三个工作区是放大区、________和截止区。 【答案】IC/IB；饱和区 【解析】β=IC/IB（共射电流放大倍数）；三极管三区域：放大区、饱和区、截止区。 22. 场效应管是________控制器件，三极管是________控制器件。 【答案】电压；电流 【解析】场效应管（FET）：电压控制电流（输入电压控制输出电流）；三极管（BJT）：电流控制电流（基极电流控制集电极电流）。 四、计算题（本大题共1小题，共15分） 23. 某 NPN 型硅三极管如图3所示，已知电流放大系数 β=100，测得基极电流 IB=20μA。试求： （1）集电极电流 IC；（5分） （2）发射极电流 IE；（5分） （3）若又测得集射极电压 VCE=0.2V，判断该三极管工作在哪个工作区域，并说明理由。（5分） 提示：判断三极管工作区域时，可先由 β 与 IB 求出 IC、IE，再结合 VCE 与饱和压降比较。 【答案】（1）IC=2.0mA；（2）IE=2.02mA；（3）工作在饱和区 【解析】 （1）根据共射电流放大系数的定义 β=IC/IB 所以 IC=β·IB=100×20μA=2000μA=2.0mA。（5分） （2）发射极电流 IE=IB+IC=(1+β)IB =101×20μA=2020μA=2.02mA。（5分） （3）硅三极管饱和压降 VCE(sat) 约为 0.3V，题中测得 VCE=0.2V，已接近饱和压降； 此时发射结正偏、集电结也正偏，IC 不再随 IB 线性增大，三极管失去放大作用； 故该三极管工作在饱和区。（5分） 说明：当 VCE 明显大于饱和压降且发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大区； 当发射结反偏或零偏、IC≈0 时，三极管工作在截止区。 综上，利用 β 可求 IC、IE，再结合 VCE 即可判断三极管所处工作区域。 五、分析应用题（本大题共1小题，共15分） 24. 某电子设备中使用了一个二极管整流电路和一个三极管放大电路。请分析回答： （1）如何用万用表判断二极管的好坏和极性？（6分） （2）如何用万用表判断NPN三极管的管脚和好坏？（5分） （3）若测得某三极管VCE=0.2V，可能是什么原因？（4分） 【答案】 （1）用万用表电阻档测正反向电阻，正向小反向大则好，黑表笔接的是正极； （2）先找基极（PN结正向导通），再区分集电极和发射极（放大倍数大的是集电极）； （3）VCE=0.2V说明三极管工作在饱和区。 【解析】 （1）二极管好坏和极性判断：①将万用表拨到电阻档（R×100或R×1k档），两表笔分别接二极管两端，测量正向电阻和反向电阻。②若正向电阻较小（几千欧以下）、反向电阻很大（几百千欧以上），说明二极管单向导电性良好，是好的。③若正反向电阻都很大或都很小，说明二极管已损坏（开路或短路）。④极性判断：测量电阻较小时（正向导通），黑表笔（接万用表内部电池正极）接的是二极管正极（阳极），红表笔接的是负极（阴极）。（6分） （2）NPN三极管管脚和好坏判断：①找基极B：万用表黑表笔接假设的基极，红表笔分别接另外两个管脚，若两次测得电阻都较小（PN结正向导通），则黑表笔接的是基极，且为NPN型。②区分集电极C和发射极E：假设剩余两脚中一个是集电极，用手指同时接触基极和假设的集电极（相当于给基极一个偏置电流），测量集电极和发射极之间的电阻，记下阻值；然后对调假设，再测一次。两次测量中电阻较小的一次（放大倍数较大），黑表笔接的是集电极C，红表笔接的是发射极E。③好坏判断：发射结和集电结正向电阻小、反向电阻大，且有放大作用，则三极管是好的；若任何一个PN结正反向电阻都很小或很大，或无放大作用，则已损坏。（5分） （3）VCE=0.2V（硅管饱和压降约0.3V，0.2V接近饱和）说明三极管工作在饱和区。可能原因：①基极电流过大，IB太大导致IC达到饱和值，三极管进入饱和区；②集电极电阻RC过大，RC上压降大，导致VCE过小；③电源电压VCC过低；④负载短路导致集电极电流过大。饱和时IC不再随IB增大而增大，三极管失去放大作用，相当于开关闭合。（4分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：湖南省对口招生《机电类考纲百套卷》，依据《2022年湖南省普通高等学校对口招生考试基本要求和考试大纲机电类》编写。本专辑涵盖六门课程，且每门课程均采用三阶递进式训练体系：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第14卷为考点训练卷，按《电工电子技术》范围和要求编写。具体内容为：1.掌握半导体器件的结构、符号、特性和主要参数等基本概念；2.会对半导体器件进行识别、比较、判断和规范选用。 湖南省《机电类考纲百套卷》 第14卷 《电工电子技术》 半导体器件结构符号特性与参数识别 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共12小题，每小题3分，共36分） 1. 半导体材料的导电能力（ ） A. 比导体强 B. 比绝缘体弱 C. 介于导体和绝缘体之间 D. 与导体相同 2. 常用的半导体材料是（ ） A. 铜和铝　　B. 硅和锗　　C. 铁和钢　　D. 金和银 3. 如图1所示，二极管的主要特性是（ ） A. 放大特性　　B. 单向导电性　　C. 稳压特性　　D. 振荡特性 4. 硅二极管的正向导通压降约为（ ） A. 0.2V　　B. 0.3V　　C. 0.7V　　D. 1.4V 5. 锗二极管的正向导通压降约为（ ） A. 0.2V　　B. 0.7V　　C. 1.0V　　D. 1.4V 6. 二极管反向击穿后（ ） A. 一定损坏 B. 只要不超过最大耗散功率就不会损坏 C. 电流为零 D. 电压为零 7. 图4所示的并联稳压支路中，稳压二极管应工作在________状态（ ） A. 正向导通　　B. 反向截止　　C. 反向击穿　　D. 饱和 8. NPN型三极管工作在放大状态时，各极电位关系为（ ） A. VC>VB>VE　　　B. VC<VB<VE C. VC=VB=VE　　　D. VB>VC>VE 9. 三极管的电流放大倍数β定义为（ ） A. β=IC/IB　　　B. β=IB/IC C. β=IC/IE　　　D. β=IE/IB 10. 三极管的三个工作区域不包括（ ） A. 放大区　　B. 饱和区　　C. 截止区　　D. 振荡区 11. 三极管工作在饱和区时，集电极与发射极之间的压降VCE约为（ ） A. 0.3V　　B. 0.7V　　C. 1.0V　　D. 电源电压 12. 图5所示器件的栅极电压可控制沟道电流，因此该器件是________控制器件（ ） A. 电流　　B. 电压　　C. 功率　　D. 频率 二、双项选择题（本大题共4小题，每小题4分，共16分） 13. 关于二极管，下列说法正确的有（ ） A. 具有单向导电性 B. 硅管导通压降约0.7V C. 反向击穿一定损坏 D. 具有放大特性 14. 如图2所示，关于三极管放大状态，下列说法正确的有（ ） A. 发射结正偏　　　B. 集电结正偏 C. IC=β×IB　　　D. VCE≈0.3V 15. 关于三极管的三个工作区域，下列说法正确的有（ ） A. 放大区IC不随IB变化 B. 饱和区IC不随IB增大 C. 截止区IC≈0 D. 饱和区VCE很大 16. 关于稳压二极管，下列说法正确的有（ ） A. 工作在反向击穿区 B. 正向导通压降约1.4V C. 不能用于稳压电路 D. 正常工作时必须限制反向电流在允许范围内 三、填空题（本大题共6小题，每小题3分，共18分） 17. 常用半导体材料是________和________。 18. 某 NPN 型硅三极管电流放大系数 β=50，基极电流 IB=40μA，则集电极电流 IC=______mA。 19. 稳压二极管工作在________区，利用该区域电压________的特性。 20. NPN三极管放大状态时，发射结________偏，集电结________偏。 21. 三极管电流放大倍数β=________，三极管三个工作区是放大区、________和截止区。 22. 场效应管是________控制器件，三极管是________控制器件。 四、计算题（本大题共1小题，共15分） 23. 某 NPN 型硅三极管如图3所示，已知电流放大系数 β=100，测得基极电流 IB=20μA。试求： （1）集电极电流 IC；（5分） （2）发射极电流 IE；（5分） （3）若又测得集射极电压 VCE=0.2V，判断该三极管工作在哪个工作区域，并说明理由。（5分） 提示：判断三极管工作区域时，可先由 β 与 IB 求出 IC、IE，再结合 VCE 与饱和压降比较。 五、分析应用题（本大题共1小题，共15分） 24. 某电子设备中使用了一个二极管整流电路和一个三极管放大电路。请分析回答： （1）如何用万用表判断二极管的好坏和极性？（6分） （2）如何用万用表判断NPN三极管的管脚和好坏？（5分） （3）若测得某三极管VCE=0.2V，可能是什么原因？（4分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $