06 素养提升练(六) 证据推理——应用相关理论解释物质结构与性质的关系-（配套练习）【高考快车道】2027年高考化学大一轮总复习

**基本信息** 聚焦物质结构与性质关系，通过11道填空题强化证据推理能力，含2022年湖南卷真题，适配一轮复习核心知识点巩固与应用。 **题型特征** |题型|题量/分值|知识覆盖|命题特色| |----|-----------|----------|----------| |填空题|11道|电离能、电负性比较及原因，氢键、范德华力对性质影响，晶体熔沸点比较及键型分析|结合高考真题，梯度设计（基础比较→原因分析→综合应用），突出结构决定性质的化学观念与证据推理能力|

素养提升练(六)　证据推理——应用相关理论解释物质结构与性质的关系 1.(1)O>C>H>Fe (2)小于　O原子半径更小,更难失去电子 (3)F>O>Cl [解析] (1)金属元素的电负性小于非金属元素,则铁元素的电负性最小,一般非金属元素的非金属性越强,电负性越大,氢、碳、氧元素的非金属性依次增强,则电负性依次增大,所以富马酸亚铁中四种元素的电负性由大到小的顺序为O>C>H>Fe。 2.(1)N>C>H　(2)As>Se>Ge　Se>As>Ge 3.(1)大于　Zn核外电子排布为全满稳定状态,较难失去电子,Cu的价层电子排布为3d104s1,易失去4s电子变为3d10全充满稳定结构 (2)Na与Li同族,Na电子层数多,原子半径大,易失电子　Li、Be、B同周期,核电荷数依次增加,B的第一电离能失去的电子是2p能级的,该能级电子的能量比Be失去的2s能级电子的高,所以Be的第一电离能较大;与Li相比,B的核电荷数大,原子半径小,较难失去电子,第一电离能较大 4.(1)Cu+和Ni+的价层电子排布分别为3d10和3d84s1,前者为全充满稳定结构,能量低,难以再失去1个电子 (2)b [解析] (2)C原子的价层电子排布为2s22p2,Si原子的价层电子排布为3s23p2,P原子的价层电子排布为3s23p3,由第一电离能规律可知,第一电离能:C>Si,P>Si;当P原子失去3个电子后,再失去的一个电子为比3p能级能量低的3s能级的电子,需要的能量较多,即第四电离能与第三电离能相差较大,故符合此情况的曲线为b。 5.(1)两者均为分子晶体,CH3CH2NH2可以形成分子间氢键,使分子间作用力增大,而CH3CH2F不能 (2)两者熔化时需克服的均为离子键,由于C2H5N的半径大于N,C2H5NH3NO3的离子键弱于NH4NO3,故熔点低 6.(1)甲苯分子间只存在范德华力,苯胺分子之间存在氢键 (2)>　P2H4分子间只存在范德华力,N2H4分子间存在氢键 (3)S8相对分子质量大,分子间范德华力强 (4)H2O>CH3OH>CO2>H2　H2O分子间与CH3OH分子间均存在氢键,H2O中氢键比CH3OH多,沸点更高;CO2与H2均为非极性分子,CO2的相对分子质量较大,范德华力较强,沸点更高 7.(1)平面三角　加成产物CH3OH分子之间能形成氢键 (2)ⅥA　两者均为分子晶体且结构相似,H2Te相对分子质量比H2S大,分子间作用力更强　两者均为分子晶体,H2O分子之间存在氢键 8.(1)<　能形成分子内氢键,使—OH更难电离出H+ (2)NH3分子间能形成氢键 (3)O—H>氢键>范德华力　形成分子内氢键,而形成分子间氢键,分子间氢键使分子间作用力增大,沸点升高 [解析] (1)氧的电负性较大,则中形成分子内氢键,即O—H…O,其大小介于化学键和范德华力之间,使—OH更难电离出H+,则水杨酸第二级电离平衡常数小于苯酚的电离平衡常数。(2)分子间氢键能使分子间作用力增大,使物质的熔点、沸点升高。(3)氢键弱于共价键而强于范德华力;对羟基苯甲醛形成分子间氢键,邻羟基苯甲醛形成分子内氢键。 9.(1)K原子半径较大且价层电子数较少,金属键较弱 (2)GaF3为离子晶体,GaCl3为分子晶体 (3)①SiX4属于分子晶体,相对分子质量越大,范德华力越大,沸点越高　 ②减弱　增强 [解析] (1)K和Cr都是金属晶体,其熔点、沸点与金属键的强弱有关。K和Cr处于同一周期,且核外最外层电子排布相同,但K的原子半径比Cr大,且K的价层电子数比Cr少,则K的金属键比Cr弱,因此K的熔点、沸点比Cr低。(2)GaF3的熔点高于1000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是二者所属晶体类型不同,GaF3是离子晶体,GaCl3是分子晶体,而一般离子晶体的熔点高于分子晶体的熔点。(3)①由题图可知四卤化硅的沸点逐渐升高,且均低于400 ℃,则四种物质均为分子晶体,其沸点与范德华力有关,相对分子质量越大,范德华力越大,其沸点越高。②PbX2的熔点先降低后升高,其中PbF2的熔点超过800 ℃,其余低于600 ℃,则PbF2为离子晶体,PbBr2、PbI2为分子晶体,据此推知,依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化学键的离子性减弱,共价性增强。 10.(1)AlCl3是分子晶体,而AlF3是离子晶体 (2)氧离子半径小于硫离子半径,所以CuO的离子键强,熔点较高 (3)Li2O、MgO为离子晶体,P4O6、SO2为分子晶体;MgO的离子键比Li2O强,分子间作用力:P4O6>SO2 11.(1)As　1　 (2)5s25p3　V形　 (3)cd (4)两者均属于共价晶体,原子半径N<P,键长Ga—N<Ga—P,键能Ga—N>Ga—P,故GaN熔点高 [解析] (3)N2H4分子的结构式为,有4个N—H σ键和1个N—N σ键,不含π键,故a错误;基态P原子中,核外电子排布式为1s22s22p63s23p3,最高能级为3p能级,最高能层为M,故b错误;Sb最后排入电子的能级为5p,根据元素周期表的分区确定Sb 位于p区,故c正确;升温实现液氨→氨气→氮气和氢气变化的阶段中,液氨→氨气,由液态变成气态,破坏的主要作用力是氢键,氨气→氮气和氢气破坏的是极性共价键,故d正确。 学科网（北京）股份有限公司 $ 素养提升练(六)　证据推理——应用相关理论解释物质结构与性质的关系 　　　　　 　　　　　 　　　　　 探究点一　电离能、电负性的比较及原因分析 1.(1)[2022·湖南卷节选] 富马酸亚铁(FeC4H2O4)是一种补铁剂,富马酸亚铁中各元素的电负性由大到小的顺序为　　　　　　　　　　　　 　　　　　。  (2)第一电离能的大小:C　　　　O(填“大于”或“小于”),其原因是　  　　　　　　　　　　 。  (3)O、F、Cl电负性由大到小的顺序为 　 　　　　　　。  2.(1)H、C、N的电负性由大到小的顺序为　　　 　　　　。  (2)Ge、As、Se的第一电离能由大到小的顺序为　　　　　 　,电负性由大到小的顺序为　　　　　　　　 　　　。  3.(1)黄铜是人类最早使用的合金之一,主要由 Zn 和 Cu 组成。第一电离能I1(Zn) 　　　　I1(Cu)(填“大于”或“小于”),原因是　  　 。  (2)I1(Li)>I1(Na),原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　。I1(Be)>I1(B)>I1(Li),原因是　  。  4.(1)元素铜与镍的第二电离能分别为I2(Cu)=1958 kJ·mol-1、I2(Ni)=1753 kJ·mol-1, I2(Cu)>I2(Ni)的原因是    　 。  (2)下图表示碳、硅和磷元素的四级电离能变化趋势,其中表示磷的曲线是　　　　(填字母)。  探究点二　范德华力、氢键对物质性质的影响及分析 5.(1)已知两种有机物的相关数据如表: 物质 CH3CH2F CH3CH2NH2 相对分子质量 48 45 沸点/℃ -37.7 16.6 化合物CH3CH2NH2的沸点高于CH3CH2F的原因是  　 。  (2)已知C2H5NH3NO3的熔点只有12 ℃,而NH4NO3的熔点为170 ℃,NH4NO3熔点高于C2H5NH3NO3的原因是  　。  6.(1)苯胺与甲苯()的相对分子质量相近,但苯胺的熔点(-5.9 ℃)、沸点(184.4 ℃)分别高于甲苯的熔点(-95.0 ℃)、沸点(110.6 ℃),原因是　 。   (2)沸点:N2H4　　　　P2H4(填“>”或“<”),判断依据是　 。   (3)S8的结构如图所示,其熔点和沸点要比二氧化硫的熔点和沸点高很多,主要原因为  　。  (4)研究发现,CO2低压合成甲醇的反应为CO2+3H2CH3OH+H2O,该反应所涉及的4种物质中,沸点从高到低的顺序为　　　　　　　　　　　　　,原因是　  　 。  7.按要求回答下列问题: (1)HCHO分子的空间结构为　　　　　　　形,它与H2加成后,加成产物的熔点、沸点比CH4的熔点、沸点高,其主要原因是(须指明加成产物是何物质)　　　　　 　　 　　　　　　　　　　　　　。  (2)S位于周期表中第　　　　族,该族元素气态氢化物中,H2Te比H2S沸点高的原因是　  　,  H2O比H2Te沸点高的原因是　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　 　　　 　。  8.(1)已知苯酚()具有弱酸性,其Ka=1.1×10-10;水杨酸第一级电离形成的离子能形成分子内氢键,据此判断,相同温度下电离平衡常数:Ka2(水杨酸)　 　　(填“>”或“<”)Ka(苯酚),其原因是　  　 。  (2)化合物NH3的沸点比化合物CH4的高,其主要原因是　　　　　 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　 　　　。  (3)H2O分子内的O—H、分子间的范德华力和氢键从强到弱依次为　 。的沸点比高,原因是 　 。  探究点三　晶体的熔、沸点比较及原因分析 9.(1)K和Cr位于同一周期,且核外最外层电子排布式相同,但金属K的熔点、沸点等都比金属Cr低,原因是　 。  (2)GaF3的熔点高于1000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是　 。  (3)四卤化硅SiX4的沸点和二卤化铅PbX2的熔点如图所示。 ①SiX4的沸点依F、Cl、Br、I次序升高的原因是　 。  ②结合SiX4的沸点和PbX2的熔点的变化规律,可推断:依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化学键的离子性　　　　、共价性　　　　。(填“增强”“不变”或“减弱”)  10.(1)氯化铝的熔点为190 ℃,而氟化铝的熔点为1290 ℃,导致这种差异的原因是　　　　 　　　　　　　　　　　　　。  (2)CuO的熔点比CuS的高,原因是  　。  (3)一些氧化物的熔点如表所示。 氧化物 Li2O MgO P4O6 SO2 熔点/℃ 1570 2800 23.8 -75.5 解释表中氧化物之间熔点差异的原因:    　 。  11.如图是元素周期表的一部分: (1)写出元素①的元素符号:　 　 　　,与①同周期的主族元素中,第一电离能比①大的有　 　　种。  (2)基态锑(Sb)原子的价层电子排布为　　 　　。[H2F]+[SbF6]-(氟酸锑)是一种超强酸,则[H2F]+的空间结构为　　 　　。  (3)下列说法正确的是　　 　　(填字母)。  a.N2H4分子中含5个σ键和1个π键 b.基态P原子中,电子占据的最高能级符号为M c.Sb 位于p区 d.升温实现液氨→氨气→氮气和氢气变化的阶段中,微粒间破坏的主要的作用力依次是氢键、极性共价键 (4)GaN、GaP都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如表所示,解释GaN、GaP熔点变化原因:  　。  物质 GaN GaP 熔点/℃ 1700 1480 学科网（北京）股份有限公司 $