第50卷 半导体器件的基础知识-专题训练卷 《电子技术基础》 山东省（春季高考）电气技术类 考纲百套卷

编写说明：山东省《电气技术类考纲百套卷》，依据《山东省高校招生职业技能考试大纲电气技术类专业综合知识》编写。本专辑涵盖八个部分，且每个课程均采用三阶递进式训练体系：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第50卷为专题训练卷，按《电子技术基础》范围和要求编写。 山东省《电气技术类考纲百套卷》 第50卷 《电子技术基础》 半导体的基础知识 专题训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1.在N型半导体中，多数载流子是（ ） A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2.PN结形成时，在交界面附近产生的空间电荷区也称为（ ） A. 导电区 B. 耗尽层 C. 放大区 D. 饱和区 3.PN结反向偏置时，其呈现的电阻（ ） A. 很小 B. 很大 C. 为零 D. 不变 4.当环境温度升高时，PN结的反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 变为零 5.PN结的击穿现象发生在（ ） A. 正向电压过大时 B. 反向电压过小时 C. 反向电压过大时 D. 正向电压过小时 6.以下关于半导体的说法，正确的是（ ） A. 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间 B. 半导体的导电能力与温度无关 C. 半导体的导电能力固定不变 D. 所有半导体都是良导体 7.稳压二极管正常工作时，应处于（ ） A. 正向导通区 B. 反向截止区 C. 反向击穿区 D. 饱和区 8.用指针式万用表检测二极管，测得正反向电阻均很小，说明二极管（ ） A. 正常 B. 断路 C. 短路 D. 性能良好 9.用数字万用表检测二极管时，通常应拨到（ ） A. 电压档 B. 电流档 C. 电阻档 D. 二极管档 10.用指针式万用表检测二极管极性时，若测得阻值较小，则与黑表笔相连的电极是（ ） A. 负极 B. 正极 C. 无法判断 D. 可能是正极也可能是负极 11.用万用表检测二极管时，若正向电阻为10Ω，反向电阻为500kΩ，说明该二极管（ ） A. 已击穿 B. 已断路 C. 性能良好 D. 漏电严重 12.光电二极管的工作状态是（ ） A. 正向偏置 B. 反向偏置 C. 零偏置 D. 任意偏置. 13.二极管主要利用的特性是（ ） A. 正向稳压 B. 反向击穿 C. 单向导电性 D. 电容效应 14.三极管的三个引脚分别是发射极、基极和（ ） A. 集电极 B. 栅极 C. 源极 D. 漏极 15.NPN型三极管处于放大状态时，三个电极的电位关系是（ ） A. UE > UB > UC B. UC > UB > UE C. UB > UC > UE D. UC > UE > UB 16.用如图所示电路测试晶体管时，合上开关Si、S2后，电压表读数为1.5V，毫安培表没有指示，可能是下面原因的那一种（ ） A.集电极内部开路 B.发射极内部开路 C.B、E间击穿 D.发射结击穿 17.有四只晶体管，除β和ICBO不同外，其它参数一样，用作放大器件时，应选用（ ） A. β=50, ICBO=0.5mA B. β=140, ICBO=2.5mA C. β=10，ICBO=0.SmA D. β=50, ICBO=2.5mA 18.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ） A.NPN管的发射极 B.PNP管的发射极 C.PNP 管的集电极 D.无法确定 19.3AX31是三极管（ ） A. NPN型材料、高频小功率 B. PNP型锗材料、低频小功率 C.PNP型硅材料、低频小功率 D.NPN型材料、低频小功率 20.在放大电路中，测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V，则与之对应的三个电极分别是（ ） A. B、C.E C.C、E、B C. E、B、C D. B、E、C 二、简答计算题（本大题共4小题，每小题10分，共40分） 1. 一个处于放大状态的三极管，用万用表测得三个电极对地电位是:VA=-9.5V，VB=-5.9V，VC=-6.2V。试分析该管的材料、类型和管脚。 2. 图中,已知VA=3V,VB=OV,VDA、VDB均为硅管，试求:(1)输出端Y的电位;(2)说明二极管的作用。 3. 某硅整流二极管，用指针万用表分别置于 RX1、RX10、RX100、RX1K、RX10K 挡测量其正向电阻，记录数据如下： 挡位 RX1 RX10 RX100 RX1K RX10K R正（Ω） 30 200 1600 15000 指针摆动极小（近似∞） （1）为什么随着挡位提高（从RX1到RX1K），测得的正向电阻依次增大？ （2）RX10K挡测正向电阻反而很大，几乎不导通，为什么？ （3）在实际检测中，应该选择哪个挡位测量正向电阻最合适？为什么？ 4. 在放大电路中，测得某三极管的各极电流如图所示，请指出三极管各管脚极性和类型。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：山东省《电气技术类考纲百套卷》，依据《山东省高校招生职业技能考试大纲电气技术类专业综合知识》编写。本专辑涵盖八个部分，且每个课程均采用三阶递进式训练体系：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第50卷为专题训练卷，按《电子技术基础》范围和要求编写。 山东省《电气技术类考纲百套卷》 第50卷 《电子技术基础》 半导体的基础知识 专题训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1.在N型半导体中，多数载流子是（ ） A. 自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 【答案】A 2.PN结形成时，在交界面附近产生的空间电荷区也称为（ ） A. 导电区 B. 耗尽层 C. 放大区 D. 饱和区 【答案】B 3.PN结反向偏置时，其呈现的电阻（ ） A. 很小 B. 很大 C. 为零 D. 不变 【答案】B 4.当环境温度升高时，PN结的反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 变为零 【答案】A 5.PN结的击穿现象发生在（ ） A. 正向电压过大时 B. 反向电压过小时 C. 反向电压过大时 D. 正向电压过小时 【答案】C 6.以下关于半导体的说法，正确的是（ ） A. 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间 B. 半导体的导电能力与温度无关 C. 半导体的导电能力固定不变 D. 所有半导体都是良导体 【答案】A 7.稳压二极管正常工作时，应处于（ ） A. 正向导通区 B. 反向截止区 C. 反向击穿区 D. 饱和区 【答案】C 8.用指针式万用表检测二极管，测得正反向电阻均很小，说明二极管（ ） A. 正常 B. 断路 C. 短路 D. 性能良好 【答案】C 9.用数字万用表检测二极管时，通常应拨到（ ） A. 电压档 B. 电流档 C. 电阻档 D. 二极管档 【答案】D 10.用指针式万用表检测二极管极性时，若测得阻值较小，则与黑表笔相连的电极是（ ） A. 负极 B. 正极 C. 无法判断 D. 可能是正极也可能是负极 【答案】B 11.用万用表检测二极管时，若正向电阻为10Ω，反向电阻为500kΩ，说明该二极管（ ） A. 已击穿 B. 已断路 C. 性能良好 D. 漏电严重 【答案】C 12.光电二极管的工作状态是（ ） A. 正向偏置 B. 反向偏置 C. 零偏置 D. 任意偏置. 【答案】B 13.二极管主要利用的特性是（ ） A. 正向稳压 B. 反向击穿 C. 单向导电性 D. 电容效应 【答案】C 14.三极管的三个引脚分别是发射极、基极和（ ） A. 集电极 B. 栅极 C. 源极 D. 漏极 【答案】A 15.NPN型三极管处于放大状态时，三个电极的电位关系是（ ） A. UE > UB > UC B. UC > UB > UE C. UB > UC > UE D. UC > UE > UB 【答案】B 16.用如图所示电路测试晶体管时，合上开关Si、S2后，电压表读数为1.5V，毫安培表没有指示，可能是下面原因的那一种（ ） A.集电极内部开路 B.发射极内部开路 C.B、E间击穿 D.发射结击穿 【答案】B 17.有四只晶体管，除β和ICBO不同外，其它参数一样，用作放大器件时，应选用（ ） A. β=50, ICBO=0.5mA B. β=140, ICBO=2.5mA C. β=10，ICBO=0.SmA D. β=50, ICBO=2.5mA 【答案】A 18.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ） A.NPN管的发射极 B.PNP管的发射极 C.PNP 管的集电极 D.无法确定 【答案】B 19.3AX31是三极管（ ） A. NPN型材料、高频小功率 B. PNP型锗材料、低频小功率 C.PNP型硅材料、低频小功率 D.NPN型材料、低频小功率 【答案】B 20.在放大电路中，测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V，则与之对应的三个电极分别是（ ） A. B、C.E C.C、E、B C. E、B、C D. B、E、C 【答案】C 二、简答计算题（本大题共4小题，每小题10分，共40分） 1. 一个处于放大状态的三极管，用万用表测得三个电极对地电位是:VA=-9.5V，VB=-5.9V，VC=-6.2V。试分析该管的材料、类型和管脚。 【答案】 NPN型锗材料，管脚A:C；管脚B：E；管脚C：B 2. 图中,已知VA=3V,VB=OV,VDA、VDB均为硅管，试求:(1)输出端Y的电位;(2)说明二极管的作用。 【答案】 （1）2.3V （2）VDA：钳位作用；VDB：隔离作用 3. 某硅整流二极管，用指针万用表分别置于 RX1、RX10、RX100、RX1K、RX10K 挡测量其正向电阻，记录数据如下： 挡位 RX1 RX10 RX100 RX1K RX10K R正（Ω） 30 200 1600 15000 指针摆动极小（近似∞） （1）为什么随着挡位提高（从RX1到RX1K），测得的正向电阻依次增大？ （2）RX10K挡测正向电阻反而很大，几乎不导通，为什么？ （3）在实际检测中，应该选择哪个挡位测量正向电阻最合适？为什么？ 【答案】 （1）原因： 指针万用表不同电阻挡对应的中心电阻不同，且流过被测二极管的电流不同。 低挡位（如RX1）输出电流较大（可达几十mA），使二极管进入充分导通区，动态电阻很小，所以读数较小。 高挡位（如RX1K）输出电流较小（约几十μA~几百μA），二极管导通程度较低，呈现的等效电阻相对较大。 但总体上在RX1K以内，都处于正向导通区，所以读数随挡位提高而增大。 （2）RX10K挡异常现象： 指针万用表的RX10K挡内部使用9V或15V高压电池。 该电压高于硅二极管的击穿电压（1N4007约1000V？错——实际1N4007反向击穿电压约1000V，但正向特性不变。此处应为：RX10K挡电压高，但内阻极大，电流极小，二极管未充分导通？不，更关键的是：某些万用表RX10K挡是专门测漏电的，其测试电压虽高，但串联了很大的内阻，导致电流比RX1K还小，所以正向压降达不到导通阈值？） 更正标准答案： 实际原因是：RX10K挡虽然电池电压高（9V），但表头串联的电阻极大（约几十kΩ～几百kΩ），导致回路电流极小，硅二极管的正向压降无法达到0.5V以上，因此基本处于微导通或截止状态，所以测得的电阻很大。这个现象说明：不能用RX10K挡测二极管正向电阻。 （3） 最佳挡位选择： 对于普通整流二极管（1N4007等），推荐使用 RX100 或 RX1K 挡测量正向电阻。 原因： 电流适中（约零点几mA到几mA），能保证二极管处于正向导通区。 读数明显（表针偏转在刻度盘中间区域），便于观察。 不会因电流过大损坏小功率二极管。 4. 在放大电路中，测得某三极管的各极电流如图所示，请指出三极管各管脚极性和类型。 【答案】 PNP型。 管脚1：C。管脚2：E。管脚3：B。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $