第30卷 PN结的基本知识-考点训练卷 《电子技术基础》山东省（春季高考）电气技术类 考纲百套卷

编写说明：山东省《电气技术类考纲百套卷》，依据《山东省高校招生职业技能考试大纲电气技术类专业综合知识》编写。本专辑涵盖八个部分，且每个课程均采用三阶递进式训练体系：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第30卷为考点训练卷，按《电子技术基础》范围和要求编写。具体内容为：1.了解PN结、半导体二极管构造，理解二极管单向导电性、伏安特性及其主要参数。 山东省《电气技术类考纲百套卷》 第30卷 《电子技术基础》 PN结的基本知识 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1.在本征硅半导体中掺入微量五价元素磷，形成的半导体是（） A. P 型半导体 B. N 型半导体 C. 本征半导体 D. 绝缘体 【答案】B 2.PN 结反向偏置时，耗尽层宽度将（） A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 消失 【答案】B 3.PN 结正向偏置是指（） A. P 区接电源负极，N 区接正极 B. P 区接电源正极，N 区接负极 C. P、N 区均接正极 D. P、N 区均接负极 【答案】B 4.PN结加正向电压时，其正向电流是（） A、多数载流子扩散形成的 B、多数载流子漂移形成的 C、少数载流子漂移形成的 D、少数载流子扩散形成的 【答案】A 5.PN结形成后，在交界区两侧产生的空间电荷区（耗尽层）中，主要存在（ ） A. 自由电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和空穴 D. 受主离子和电子 【答案】B 6. 硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图所示，其中锗二极管的伏安特性曲线是（ ） A.AOD B.AOC C.BOC D. BOD 【答案】D 7.PN结的击穿现象发生在（ ）。 A. 正向电压很大时 B. 反向电压超过某值时 C. 正向电压小于死区电压时 D. 温度升高时 【答案】B 8.当二极管两端所加正向电压小于死区电压时，二极管相当于（ ）。 A. 导通 B. 大电阻（截止） C. 击穿 D. 恒压源 【答案】B 9.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 变为零 【答案】A 10.关于二极管，下列说法中正确的是（ ） A.二极管有两个PN节 B.二极管的电流与其两端电压成正比 C.发光二极管不具有单向导电性 D.二极管在一定条件下会失去单向导电性 【答案】D 11.某二极管反向电压为150V，则其最高反向工作电压为（ ） A.约等于150 V B.可大于150V C.不得大于40V D.等于75V 【答案】D 12.当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管呈现（ ） A.小阻值 B.大阻值 C.阻值为0 D.阻值为无穷大 【答案】B 13.二极管在工作电流超过（ ）时可能会因过热而损坏。 A. 最高工作频率 B. 反向击穿电压 C. 最大整流电流 D. 反向电流 【答案】C 14.二极管两端加上正向电压时（ ） A.一定导通 B.超过死区电压才导通 C.超过0.7V才导通 D.超过0.3V才导通 【答案】B 15.关于半导体二极管构造，说法正确的是（） A. 由 P 型半导体和 N 型半导体拼接成一个 PN 结，引出电极封装 B. 由两块 P 型半导体构成 C. 由两块 N 型半导体构成 D. 内部无 PN 结结构 【答案】A 16.面接触型二极管的主要特点是（ ）。 A. PN结面积小，结电容大 B. PN结面积大，结电容大 C. PN结面积小，结电容小 D. PN结面积大，结电容小 【答案】B 17.在整流电路中，二极管利用的是（ ）。 A. 单向导电性 B. 稳压特性 C. 发光特性 D. 变容特性 【答案】A 18.二极管反向截止时，仍有微弱的电流，该电流称为（ ）。 A. 正向电流 B. 反向饱和电流 C. 击穿电流 D. 浪涌电流 【答案】B 19.从伏安特性看，二极管属于（ ）。 A. 线性元件 B. 非线性元件 C. 时变元件 D. 无源元件 【答案】B 20.二极管的反向饱和电流随温度升高而（ ）。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增后减 【答案】A 二、简答计算题（本大题共4小题，每小题10分，共40分） 1. 简述PN结的单向导电性原理。 【答案】 （1）正向偏置（P接正、N接负）： 外加电场与内电场方向相反，削弱内电场，空间电荷区变窄，多数载流子扩散运动增强，形成较大的正向电流，PN结导通。 （2）反向偏置（P接负、N接正）： 外加电场与内电场方向相同，加强内电场，空间电荷区变宽，多数载流子扩散运动被阻碍，只有少数载流子形成微小的反向饱和电流，PN结截止。因此，PN结具有正向导通、反向截止的单向导电性。 2.简述二极管正向伏安特性及反向伏安特性特点。 【答案】 正向电压小于死区电压时，电流极小近乎截止；超过死区电压后，正向电流随正向电压微小增大而急剧上升。 反向电压在一定范围内，反向电流很小且基本不变，称为反向饱和电流；当反向电压超过击穿值，反向电流急剧增大，发生反向击穿。 3.比较硅二极管和锗二极管的主要不同点。 【答案】 项目 硅二极管 锗二极管 死区电压 约0.5V 约0.1~0.2V 正向导通压降 0.6~0.7V 0.2~0.3V 反向饱和电流 很小（nA级） 较大（μA级） 最高工作温度 约150℃ 约75℃ 单向导电性 更好 较差 4.某二极管正偏时电流较大，反偏时电流几乎为零，请从PN结载流子运动角度解释。 【答案】 正偏： 外加电场削弱内电场，势垒降低，空间电荷区变窄。多数载流子（P区空穴、N区电子）大量扩散越过PN结，形成较大正向电流。 反偏： 外加电场加强内电场，势垒升高，空间电荷区变宽。多数载流子扩散被抑制，只有少数载流子（P区电子、N区空穴）在内电场作用下漂移，形成微小反向饱和电流（μA或nA级）。因此正向电流远大于反向电流，呈现单向导电性。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：山东省《电气技术类考纲百套卷》，依据《山东省高校招生职业技能考试大纲电气技术类专业综合知识》编写。本专辑涵盖八个部分，且每个课程均采用三阶递进式训练体系：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲 “掌握”“理解” 要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是第30卷为考点训练卷，按《电子技术基础》范围和要求编写。具体内容为：1.了解PN结、半导体二极管构造，理解二极管单向导电性、伏安特性及其主要参数。 山东省《电气技术类考纲百套卷》 第30卷 《电子技术基础》 PN结的基本知识 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1.在本征硅半导体中掺入微量五价元素磷，形成的半导体是（） A. P 型半导体 B. N 型半导体 C. 本征半导体 D. 绝缘体 2.PN 结反向偏置时，耗尽层宽度将（） A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 消失 3.PN 结正向偏置是指（） A. P 区接电源负极，N 区接正极 B. P 区接电源正极，N 区接负极 C. P、N 区均接正极 D. P、N 区均接负极 4.PN结加正向电压时，其正向电流是（） A、多数载流子扩散形成的 B、多数载流子漂移形成的 C、少数载流子漂移形成的 D、少数载流子扩散形成的 5.PN结形成后，在交界区两侧产生的空间电荷区（耗尽层）中，主要存在（ ） A. 自由电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和空穴 D. 受主离子和电子 6.硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图所示，其中锗二极管的伏安特性曲线是（ ） A.AOD B.AOC C.BOC D. BOD 7.PN结的击穿现象发生在（ ）。 A. 正向电压很大时 B. 反向电压超过某值时 C. 正向电压小于死区电压时 D. 温度升高时 8.当二极管两端所加正向电压小于死区电压时，二极管相当于（ ）。 A. 导通 B. 大电阻（截止） C. 击穿 D. 恒压源 9.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 变为零 10.关于二极管，下列说法中正确的是（ ） A.二极管有两个PN节 B.二极管的电流与其两端电压成正比 C.发光二极管不具有单向导电性 D.二极管在一定条件下会失去单向导电性 11.某二极管反向电压为150V，则其最高反向工作电压为（ ） A.约等于150 V B.可大于150V C.不得大于40V D.等于76V 12.当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管呈现（ ） A.小阻值 B.大阻值 C.阻值为0 D.阻值为无穷大 13.二极管在工作电流超过（ ）时可能会因过热而损坏。 A. 最高工作频率 B. 反向击穿电压 C. 最大整流电流 D. 反向电流 14.二极管两端加上正向电压时（ ） A.一定导通 B.超过死区电压才导通 C.超过0.7V才导通 D.超过0.3V才导通 15.关于半导体二极管构造，说法正确的是（） A. 由 P 型半导体和 N 型半导体拼接成一个 PN 结，引出电极封装 B. 由两块 P 型半导体构成 C. 由两块 N 型半导体构成 D. 内部无 PN 结结构 16.面接触型二极管的主要特点是（ ）。 A. PN结面积小，结电容大 B. PN结面积大，结电容大 C. PN结面积小，结电容小 D. PN结面积大，结电容小 17.在整流电路中，二极管利用的是（ ）。 A. 单向导电性 B. 稳压特性 C. 发光特性 D. 变容特性 18.二极管反向截止时，仍有微弱的电流，该电流称为（ ）。 A. 正向电流 B. 反向饱和电流 C. 击穿电流 D. 浪涌电流 19.从伏安特性看，二极管属于（ ）。 A. 线性元件 B. 非线性元件 C. 时变元件 D. 无源元件 20.二极管的反向饱和电流随温度升高而（ ）。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增后减 二、简答计算题（本大题共4小题，每小题10分，共40分） 1. 简述PN结的单向导电性原理。 2.简述二极管正向伏安特性及反向伏安特性特点。 3.比较硅二极管和锗二极管的主要不同点。 4. 某二极管正偏时电流较大，反偏时电流几乎为零，请从PN结载流子运动角度解释。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $