第26练 MOS场效应管及放大器 内蒙古自治区（对口招生）《电子技术基础与技能》（高教版·第四版） 一课一练

编写说明：考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况，我们依据支架式教学理念，精心编制了内蒙古自治区（对口招生）《电子技术基础与技能》（高教版·第四版）一课一练。专辑里的每一份练习，都与课堂所授知识点紧密相关，题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣，培养他们的学习自觉性，帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法，为他们后续的逐步提升奠定坚实基础。 本卷是内蒙古自治区（对口招生）《电子技术基础与技能》（高教版·第四版）一课一练的第26练，内容涵盖了解MOS场效应管的结构和工作原理，掌握其伏安特性曲线和主要参数。 内蒙古自治区（对口招生）一课一练 《电子技术基础与技能》（高教版·第四版） 第26练 第三单元 常用放大器 第三章 MOS场效应管放大器 第一节 MOS场效应管及放大器 一、单项选择题 1. 在电子技术教材中，MOS器件通常归入的控制类型为（ ） A. 电压控制型器件 B. 电流控制型器件 C. 功率控制型器件 D. 频率控制型器件 【答案】A 【解析】MOS器件的输入端主要由栅源间电压控制漏极电流，栅极输入电流很小，因此通常属于电压控制型器件。 2. MOS管输入电阻很高的主要结构原因是（ ） A. 栅极与沟道间绝缘 B. 漏极与沟道间短接 C. 源极与衬底间断开 D. 漏极与源极间绝缘 【答案】A 【解析】MOS管的栅极与半导体沟道之间隔有很薄的绝缘层，使栅极直流电流极小，所以输入电阻很高。 3. 对N沟道增强型MOS管，若漏源间电压保持在放大区条件下，栅源间电压超过开启值后，漏极电流通常（ ） A. 随漏极电阻减小而减小 B. 随栅源电压增大而增大 C. 随电源电压降低而增大 D. 随输入电阻增大而减小 【答案】B 【解析】N沟道增强型MOS管在栅源间电压大于开启值后形成导电沟道，栅源间电压越大，沟道导电能力越强，漏极电流通常随之增大。 4. 某共源极放大器接通电源后，输出端电压接近电源电压，输入信号正常但输出几乎无交流变化，测得栅源间偏置低于开启值。最可能的原因是（ ） A. 漏极负载电阻偏小 B. 栅极偏置电压偏低 C. 源极旁路电容短路 D. 输入耦合电容偏大 【答案】B 【解析】栅源间偏置低于开启值时，增强型MOS管不能建立合适静态工作点，漏极电流很小，漏极电压会接近电源电压，放大器不能正常放大交流信号。 二、判断题 5. MOS场效应管的栅极输入电流很小，因此输入电阻通常较高。（ ） 【答案】√ 【解析】MOS场效应管栅极与沟道之间有绝缘层，直流输入电流极小，所以输入电阻较高，这是其重要特点之一。 6. N沟道增强型MOS管在栅源间电压为零时已经形成稳定导电沟道。（ ） 【答案】× 【解析】N沟道增强型MOS管需要栅源间电压达到一定开启条件后才形成导电沟道，栅源间电压为零时通常处于截止状态。 7. 转移特性曲线可反映漏极电流随栅源间电压变化的关系。（ ） 【答案】√ 【解析】转移特性曲线描述控制电压对输出电流的影响，常用于分析MOS管由栅源间电压控制漏极电流的规律。 8. MOS管放大器静态工作点只由输入信号幅度决定，与直流偏置电路无关。（ ） 【答案】× 【解析】静态工作点由直流偏置电路和器件参数共同决定，输入信号只是在静态工作点附近产生交流变化，不能代替偏置作用。 三、填空题 9. MOS场效应管是一种利用______控制漏极电流的半导体器件。 【答案】栅源间电压 【解析】MOS场效应管的控制量是栅源间电压，漏极电流随该电压变化而变化，因此它属于电压控制型器件。 10. MOS管的三个电极通常称为栅极、______和______。 【答案】漏极；源极 【解析】MOS管常用三个引出电极进行电路连接，按教材术语分别为栅极、漏极和源极，填空应按题干顺序书写。 11. 增强型MOS管由截止转入导通所需的最小栅源间电压称为______。 【答案】开启电压 【解析】增强型MOS管需要栅源间电压达到一定数值后才开始明显导通，该临界控制电压称为开启电压。 12. 在共源极放大电路中，输出信号通常从______极取出，输入信号通常加在______极与源极之间。 【答案】漏；栅 【解析】共源极放大电路以源极作为公共端，输入信号加在栅极与源极之间，输出信号通常从漏极取出。 四、综合题 13. 简述MOS场效应管输入电阻高的原因及其在使用中的注意事项。 【答案】（1）MOS场效应管的栅极与沟道之间有绝缘层，栅极直流电流很小，所以输入电阻高。 （2）输入电阻高使前级电路负载较轻，有利于微弱信号的输入和放大。 （3）使用时应注意防止静电损伤栅极绝缘层，焊接、测量和存放时应采取防静电措施。 【解析】本题考查MOS场效应管结构特点与使用要求。答题时应从绝缘栅结构、输入电阻特点和静电防护三个方面说明，不能只写“输入电阻高”这一结论。 14. 某N沟道增强型MOS管放大电路中，开启电压为2 V。调试时测得栅源间静态电压为4 V，漏极电流为2 mA。若小信号跨导近似取2 mS，漏极电阻为3 kΩ，忽略其他影响，求：（1）该管是否具备导通条件；（2）电压放大倍数的近似值。 【答案】（1）具备导通条件。 （2）电压放大倍数近似为-6。 【解析】（1）判断导通条件应比较栅源间静态电压与开启电压。已知栅源间静态电压为4 V，开启电压为2 V，前者大于后者，因此该N沟道增强型MOS管具备导通条件。 （2）共源极放大电路的电压放大倍数可近似按计算。已知跨导为2 mS，即0.002 S，漏极电阻为3 kΩ，即3000 Ω，代入得，因此电压放大倍数近似为-6，负号表示输出信号与输入信号反相。 15. 某N沟道增强型MOS管共源极放大器出现输出波形严重削顶。测量结果如下：电源电压为12 V，静态漏极电压为11.5 V，源极接地，输入信号峰值较小且波形正常，栅极偏置电压为1.6 V，该管开启电压约为2 V。分析：（1）静态工作状态是否合适；（2）输出削顶的主要原因；（3）提出两项调整措施。 【答案】（1）静态工作状态不合适，MOS管接近截止。 （2）主要原因是栅极偏置电压低于开启电压，漏极电流过小，使漏极静态电压接近电源电压，输出信号缺少正常变化范围。 （3）可适当提高栅极直流偏置电压，使栅源间静态电压高于开启电压并留有合适余量；可检查偏置电阻、栅极接线和电源连接，排除偏置电路开路或参数错误。 【解析】（1）源极接地时，栅源间静态电压等于栅极偏置电压。测得栅极偏置电压为1.6 V，小于开启电压2 V，因此增强型MOS管不能处于合适放大状态。 （2）静态漏极电压为11.5 V且接近12 V电源电压，说明漏极电阻上的电压降很小，漏极电流过小。该现象与偏置不足导致器件接近截止相符合，所以输出波形会出现严重失真。 （3）调整时应先保证直流工作点正确，再检查交流通路。提高合适的栅极偏置可使器件进入放大区，检查偏置电阻和接线可排除因元件或连接错误造成的偏置异常。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况，我们依据支架式教学理念，精心编制了内蒙古自治区（对口招生）《电子技术基础与技能》（高教版·第四版）一课一练。专辑里的每一份练习，都与课堂所授知识点紧密相关，题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣，培养他们的学习自觉性，帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法，为他们后续的逐步提升奠定坚实基础。 本卷是内蒙古自治区（对口招生）《电子技术基础与技能》（高教版·第四版）一课一练的第26练，内容涵盖了解MOS场效应管的结构和工作原理，掌握其伏安特性曲线和主要参数。 内蒙古自治区（对口招生）一课一练 《电子技术基础与技能》（高教版·第四版） 第26练 第三单元 常用放大器 第三章 MOS场效应管放大器 第一节 MOS场效应管及放大器 一、单项选择题 1. 在电子技术教材中，MOS器件通常归入的控制类型为（ ） A. 电压控制型器件 B. 电流控制型器件 C. 功率控制型器件 D. 频率控制型器件 2. MOS管输入电阻很高的主要结构原因是（ ） A. 栅极与沟道间绝缘 B. 漏极与沟道间短接 C. 源极与衬底间断开 D. 漏极与源极间绝缘 3. 对N沟道增强型MOS管，若漏源间电压保持在放大区条件下，栅源间电压超过开启值后，漏极电流通常（ ） A. 随漏极电阻减小而减小 B. 随栅源电压增大而增大 C. 随电源电压降低而增大 D. 随输入电阻增大而减小 4. 某共源极放大器接通电源后，输出端电压接近电源电压，输入信号正常但输出几乎无交流变化，测得栅源间偏置低于开启值。最可能的原因是（ ） A. 漏极负载电阻偏小 B. 栅极偏置电压偏低 C. 源极旁路电容短路 D. 输入耦合电容偏大 二、判断题 5. MOS场效应管的栅极输入电流很小，因此输入电阻通常较高。（ ） 6. N沟道增强型MOS管在栅源间电压为零时已经形成稳定导电沟道。（ ） 7. 转移特性曲线可反映漏极电流随栅源间电压变化的关系。（ ） 8. MOS管放大器静态工作点只由输入信号幅度决定，与直流偏置电路无关。（ ） 三、填空题 9. MOS场效应管是一种利用______控制漏极电流的半导体器件。 10. MOS管的三个电极通常称为栅极、______和______。 11. 增强型MOS管由截止转入导通所需的最小栅源间电压称为______。 12. 在共源极放大电路中，输出信号通常从______极取出，输入信号通常加在______极与源极之间。 四、综合题 13. 简述MOS场效应管输入电阻高的原因及其在使用中的注意事项。 14. 某N沟道增强型MOS管放大电路中，开启电压为2 V。调试时测得栅源间静态电压为4 V，漏极电流为2 mA。若小信号跨导近似取2 mS，漏极电阻为3 kΩ，忽略其他影响，求：（1）该管是否具备导通条件；（2）电压放大倍数的近似值。 15. 某N沟道增强型MOS管共源极放大器出现输出波形严重削顶。测量结果如下：电源电压为12 V，静态漏极电压为11.5 V，源极接地，输入信号峰值较小且波形正常，栅极偏置电压为1.6 V，该管开启电压约为2 V。分析：（1）静态工作状态是否合适；（2）输出削顶的主要原因；（3）提出两项调整措施。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $