第2练 二极管的特性与参数《电子技术基础与技能》（苏教版) 一课一练

编写说明：考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况，我们依据支架式教学理念，精心编制了《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练。专辑里的每一份练习，都与课堂所授知识点紧密相关，题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣，培养他们的学习自觉性，帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法，为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。 本卷是《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练的第2练，内容涵盖第一章二极管及其应用的第二节二极管的特性与参数。 《电子技术基础与技能》(苏教版）第2练 第一章 二极管及其应用 第二节 二极管的特性与参数 一、填空题 1.硅二极管正向导通压降约为 V。 【答案】：0.7 【解析】：硅管导通压降约0.7V，锗管约0.3V。 2.二极管外加正向电压超过________时才导通。 【答案】：死区电压 【解析】：硅管死区约0.5V，锗管约0.1V，大于才导通。 3.温度升高，二极管反向电流会 。 【答案】：增大 【解析】：温度越高，少数载流子越多，反向漏电流变大。 二、单项选择题 4.锗二极管导通压降约为（ ）V。 A.0.1 B.0.3 C.0.5 D.0.7 【答案】：B 【解析】：锗管导通压降约0.3V，记忆典型值。 5.稳压管工作在（ ）区。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.死区 【答案】：C 【解析】：稳压管利用反向击穿特性实现稳压。 6.整流管选用主要看IFM与（ ） A.URM B.功耗 C.频率 D.耐压 【答案】：A 【解析】：选管重点为最大整流电流与最高反向电压。 三、判断题 7.二极管正向电阻小于反向电阻。（ ） 【答案】：√ 【解析】：正向导通电阻小，反向截止电阻大。 8.反向击穿后二极管立即烧毁。（ ） 【答案】：× 【解析】：稳压管可工作在反向击穿，限流则不损坏。 9.理想二极管正向压降为0。（ ） 【答案】：√ 【解析】：理想模型正向导通短路，压降为0。 四、简答题 10.简述二极管伏安特性与硅锗管主要参数区别。 【答案】：二极管具单向导电；硅管死区0.5V、导通0.7V；锗管死区0.1V、导通0.3V；反向超击穿电压电流剧增。 【解析】：伏安特性分死区、导通、截止、击穿四区。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况，我们依据支架式教学理念，精心编制了《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练。专辑里的每一份练习，都与课堂所授知识点紧密相关，题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣，培养他们的学习自觉性，帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法，为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。 本卷是《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练的第2练，内容涵盖第一章二极管及其应用的第二节二极管的特性与参数。 《电子技术基础与技能》(苏教版）第2练 第一章 二极管及其应用 第二节 二极管的特性与参数 一、填空题 1.硅二极管正向导通压降约为 V。 2.二极管外加正向电压超过 时才导通。 3.温度升高，二极管反向电流会 。 二、单项选择题 4.锗二极管导通压降约为（ ）V。 A.0.1 B.0.3 C.0.5 D.0.7 5.稳压管工作在（ ）区。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.死区 6.整流管选用主要看IFM与（ ） A.URM B.功耗 C.频率 D.耐压 三、判断题 7.二极管正向电阻小于反向电阻。（ ） 8.反向击穿后二极管立即烧毁。（ ） 9.理想二极管正向压降为0。（ ） 四、简答题 10.简述二极管伏安特性与硅锗管主要参数区别。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $