第8卷 场效晶体管放大电路《电子技术基础》河北省对口招生《电子电工类考纲百套卷》

编写说明：河北省2027版对口招生专业理论考试《电子电工类考纲百套卷》，依据《河北省普通高等学校对口招生电子电工类专业考试大纲》编写。每门课程均分三层训练：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编写专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是《电子电工类考纲百套卷》的第8卷，按考纲中的《电子技术基础》---（三）场效晶体管放大电路的第1点范围与要求编写。其范围要求是：1．熟悉结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的结构、符号、工作原理、特性曲线及主要参数。 河北省《电子电工类考纲百套卷》 第8卷 《电子技术基础》 场效晶体管放大电路 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 D. 电阻 【答案】B 【解析】场效应管属于电压控制型器件，它依靠外加栅极电压产生的电场效应来改变半导体的导电能力，进而实现对漏极电流大小的控制，这也是场效应管名称的由来，因此正确选项为B。 2.如图所示电路符号代表 型场效应管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 【答案】D 【解析】对于绝缘栅型场效应管，电路符号中漏极一侧的箭头指向栅极方向代表P型衬底，对应N沟道场效应管；符号中虚线表示代表增强型场效应管，连续线表示耗尽型。因此该符号对应增强型NMOS，正确选项为D。 3.场效应管三个电极中，用G表示的电极称为（ ）极。 A.控制极 B. 漏极 C.源极 D. 栅极 【答案】D 【解析】场效应管的三个电极为源极S，漏极D，栅极G。 4.场效应管的转移特性曲线反映的是（ ）之间的关系。 A.与 B. 与 C. 与 D. 与 【答案】D 【解析】场效应管的转移特性曲线反映的是与之间的关系。 5.场效应管的输出特性曲线反映的是（ ）之间的关系。 A. 与 B. 与 C. 对 D. 对 【答案】A 【解析】场效应管的输出特性曲线反映的是与之间的关系。 6.场效应管的跨导表征的控制作用（ ）。 A. 对 B. 对 C. 对 D. 对 【答案】C 【解析】场效应管的跨导是指为定值时，与由它引起的漏极电流之比的倒数。 7.场效应管的源极符号为（　　）。 A. S B. D C. G D. C 【答案】A 【解析】场效应管的三个电极为源极S，漏极D，栅极G。 8.场效应管的主要特点是（ ）。 A.输入电阻高 B.输入电阻小 C.躁声大 D.耗电大 【答案】A 【解析】场效应管是电压控制器件，依靠栅极电压来控制漏极电流，具有输入电阻高、噪声低、功耗小、动态范围大的特点。 9.场效晶体管的三个基本引脚是（　　）。 A.基极、发射极、集电极 B.栅极、漏极、源极 C.输入极、输出极、公共极 D.正极、负极、公共端 【答案】B 【解析】场效应管的三个电极为源极S，漏极D，栅极G。 10.焊接场效应管时,应该先焊接（ ）。 A.源极 B.栅极 C.漏极 D.屏蔽外壳 【答案】A 【解析】焊接时应先焊源极，最后焊栅极。 11.N沟道结型场效应晶体管，其栅源电压为（ ） A．正极性 B．负极性 C．零 D．正负极性都可以 【答案】B 【解析】N沟道结型场效应管工作时，要保证栅源之间的PN结反偏，才能实现栅极电压对导电沟道宽度的控制，因此栅源电压需要为负极性。 12.如图符号表示（ ）。 ( S G ) A.P沟道增强型MOS B.P沟道结型 C.N沟道增强型MOS D.N沟道结型 【答案】D 【解析】略 13.场效应晶体管的控制类型属于（ ）。 A.输入电压控制输出电压 B.输入电流控制输出电流 C.输入电流控制输出电压 D.输入电压控制输出电流 【答案】D 【解析】场效应晶体管是通过栅极输入电压来改变导电沟道的状态，进而控制漏极输出电流的大小，它的栅极电流几乎为零，因此属于输入电压控制输出电流的器件。 14.如图代表（ ）绝缘栅场效应管的符号。 ( D S G ) A.P沟道增强型 B.N沟道耗尽型 C.N沟道增强型 D.P沟道耗尽型 【答案】A 【解析】略 15.场效应管本质上是一个（ ）。 A．电流控制电流源器件 B．电流控制电压源器件 C．电压控制电流源器件 D．电压控制电压源器件 【答案】 C 【解析】场效应管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件。 二、判断题（本大题共7小题，每题2分，共14分） 1.结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN 结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小。（ ） 【答案】× 【解析】结型场效应管工作时，栅源之间需要加反向偏压，正向偏压会使结型场效应管的PN结导通，无法正常实现对漏极电流的控制，其工作原理是利用栅源反向电压改变PN结耗尽区的宽度，进而改变导电沟道的宽窄，最终控制漏极电流，因此该说法错误。 2.耗尽型MOS管在栅源电压UGS 为正或为负时，均能实现压控电流的作用。（ ） 【答案】√ 【解析】耗尽型MOS管的特点就是在制造过程中，已经在栅氧化层中掺入了大量正离子，使得UGS=0时就已经形成了导电沟道，因此当栅源电压UGS为正、负或零时，都能改变导电沟道的状态，实现对漏极电流的控制，因此该说法正确。 3.在放大电路中，场效晶体管可以作为放大元件使用。（ ） 【答案】√ 【解析】场效晶体管具有电压控制电流的特性，能够实现信号的放大作用，无论是结型场效应管还是绝缘栅型场效应管，都可以工作在放大区，通过输入的栅源电压控制漏极电流的变化，将输入信号进行放大，因此在放大电路中可以作为放大元件使用，该说法正确。 4.场效晶体管的栅极电流为零时，其源极和漏极之间的电阻为无穷大。（ ） 【答案】× 【解析】场效应管只有工作在截止区时，栅极电流为零，源漏之间电阻才近似为无穷大。当栅源电压满足导通条件，形成导电沟道后，即便栅极电流几乎为零，源极和漏极之间也会形成导通通路，电阻远小于无穷大，可以通过栅源电压控制沟道的导电能力，因此该说法错误。 5.场效应管放大电路有共源、共漏和共栅三种组态。（ ） 【答案】√ 【解析】根据输出回路和输入回路的公共端不同，场效应管放大电路共有三种组态：输出漏极是共源极放大电路、源极、栅极分别对应公共端分别为源极、漏极和栅极，分别对应共源、共漏和共栅三种组态，因此该说法正确。 6.场效晶体管的驱动方式与三极管不同，通常采用电压驱动方式。（ ） 【答案】√ 【解析】场效晶体管是电压控制型器件，依靠栅源电压控制导电沟道的导电能力，正常工作时栅极电流几乎为零，属于电压驱动；而双极型三极管是电流控制型器件，依靠基极电流控制集电极电流，属于电流驱动，因此该说法正确。 7.场效应晶体管是一种电压型控制器件，具有高输入电阻和低噪声的特点。（ ） 【答案】√ 【解析】略 三、填空题（本大题共6小题，每题2分，共12分） 1. 场效晶体管从结构上可分为结型和________型两大类。 【答案】绝缘栅 【解析】略 2.结型场效晶体管的输出特性曲线是指在一定的________下，________和________之间的关系。 【答案】 【解析】略 3.与三极管b、c、e三个电极相对应的场效晶体管的三个电极为________、________、________。 【答案】栅极 漏极 源极 【解析】略 4.场效晶体管的输出特性曲线分为________、________、________三个区域。 【答案】可调电阻区 饱和区 击穿区 【解析】略 5.三极管是一种 控制型器件，场效应管是一种 控制型器件。 【答案】电流 电压 【解析】略 6.绝缘栅场效应晶体管分为________和________两种基本类型。 【答案】增强型、耗尽型 【解析】略 四、简答题（本大题共2小题，每题6分，共12分） 1.论述场效应晶体管的最大漏源电压对电路设计的影响。 【答案】场效应晶体管的最大漏源电压（VDSmax）是指晶体管能够承受的最大漏源电压，超过这个值可能导致晶体管损坏。VDSmax对电路设计有重要影响，因为它限制了晶体管可以安全工作的最大电压。在设计电路时，必须确保在所有工作条件下，晶体管的VDS不会超过VDSmax，以保证电路的可靠性和安全性。 2.结型场效应晶体管的漏极与源极是否可以对调使用？ 【答案】可以，结型场效应管的源极S和漏极D在制造工艺上是对称的，可以互换使用。 五、计算题（本大题共2小题，共32分） 1.已知放大电路中一只 N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为 4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、 MOS管 、 增强型 、 耗尽型 ）， 并说明①、②、③与 G、S、D的对应关系。 【答案】解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与 G、 S、 D 的对应关系如解图所示。 2.测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态 (截止区、恒流区、可变电 阻区），并填入表内。 【答案】因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态， 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：河北省2027版对口招生专业理论考试《电子电工类考纲百套卷》，依据《河北省普通高等学校对口招生电子电工类专业考试大纲》编写。每门课程均分三层训练：基础层（具象化支架）拆解考点为微目标，紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷；巩固层（关联性支架）强化知识交叉与场景关联，按考纲专题编写专题训练卷；应用层（引导性支架）聚焦真题突破，结合知识模块与教材编写课程综合卷。 本试卷是《电子电工类考纲百套卷》的第8卷，按考纲中的《电子技术基础》---（三）场效晶体管放大电路的第1点范围与要求编写。其范围要求是：1．熟悉结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的结构、符号、工作原理、特性曲线及主要参数。 河北省《电子电工类考纲百套卷》 第8卷 《电子技术基础》 场效晶体管放大电路 考点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 D. 电阻 2.如图所示电路符号代表 型场效应管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 3.场效应管三个电极中，用G表示的电极称为（ ）极。 A.控制极 B. 漏极 C.源极 D. 栅极 4.场效应管的转移特性曲线反映的是（ ）之间的关系。 A.与 B. 与 C. 与 D. 与 5.场效应管的输出特性曲线反映的是（ ）之间的关系。 A. 与 B. 与 C. 对 D. 对 6.场效应管的跨导表征的控制作用（ ）。 A. 对 B. 对 C. 对 D. 对 7.场效应管的源极符号为（　　）。 A. S B. D C. G D. C 8.场效应管的主要特点是（ ）。 A.输入电阻高 B.输入电阻小 C.躁声大 D.耗电大 9.场效晶体管的三个基本引脚是（　　）。 A.基极、发射极、集电极 B.栅极、漏极、源极 C.输入极、输出极、公共极 D.正极、负极、公共端 10.焊接场效应管时,应该先焊接（ ）。 A.源极 B.栅极 C.漏极 D.屏蔽外壳 11.N沟道结型场效应晶体管，其栅源电压为（ ） A．正极性 B．负极性 C．零 D．正负极性都可以 12.如图符号表示（ ）。 ( S G ) A.P沟道增强型MOS B.P沟道结型 C.N沟道增强型MOS D.N沟道结型 13.场效应晶体管的控制类型属于（ ）。 A.输入电压控制输出电压 B.输入电流控制输出电流 C.输入电流控制输出电压 D.输入电压控制输出电流 14.如图代表（ ）绝缘栅场效应管的符号。 ( D S G ) A.P沟道增强型 B.N沟道耗尽型 C.N沟道增强型 D.P沟道耗尽型 15.场效应管本质上是一个（ ）。 A．电流控制电流源器件 B．电流控制电压源器件 C．电压控制电流源器件 D．电压控制电压源器件 二、判断题（本大题共7小题，每题2分，共14分） 1.结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN 结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小。（ ） 2.耗尽型MOS管在栅源电压UGS 为正或为负时，均能实现压控电流的作用。（ ） 3.在放大电路中，场效晶体管可以作为放大元件使用。（ ） 4.场效晶体管的栅极电流为零时，其源极和漏极之间的电阻为无穷大。（ ） 5.场效应管放大电路有共源、共漏和共栅三种组态。（ ） 6.场效晶体管的驱动方式与三极管不同，通常采用电压驱动方式。（ ） 7.场效应晶体管是一种电压型控制器件，具有高输入电阻和低噪声的特点。（ ） 三、填空题（本大题共6小题，每题2分，共12分） 1. 场效晶体管从结构上可分为结型和________型两大类。 2.结型场效晶体管的输出特性曲线是指在一定的________下，________和________之间的关系。 3.与三极管b、c、e三个电极相对应的场效晶体管的三个电极为________、________、________。 4.场效晶体管的输出特性曲线分为________、________、________三个区域。 5.三极管是一种 控制型器件，场效应管是一种 控制型器件。 6.绝缘栅场效应晶体管分为________和________两种基本类型。 四、简答题（本大题共2小题，每题6分，共12分） 1.论述场效应晶体管的最大漏源电压对电路设计的影响。 2.结型场效应晶体管的漏极与源极是否可以对调使用？ 五、计算题（本大题共2小题，共32分） 1.已知放大电路中一只 N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为 4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、 MOS管 、 增强型 、 耗尽型 ）， 并说明①、②、③与 G、S、D的对应关系。 2.测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态 (截止区、恒流区、可变电 阻区），并填入表内。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $