内容正文:
晶体结构的计算
常见晶体结构
示意图
堆积方式
一、常见晶体结构
二、配位数
1、晶体中原子(或分子)的配位数:若晶体中的微粒为同种原子或同种分子,则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目。
2、离子晶体的配位数:指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。
配位数_______________ 配位数_______________
配位数_________ 配位数______
Na+配位数________ Cs+配位数________ Zn2+配位数________
Cl-配位数________ Cl-配位数________ S2-配位数_________
Ca+配位数________ 1个Ti原子距离最近的O原子数目为________个
F-配位数_________ 1个Co原子距离最近的O原子数目为________个
三.晶体空间利用率的计算方法
空间利用率:指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。
空间利用率=×100%
①简单立方堆积立方体的棱长为2r,球的半径为r,空间利用率_________
②体心立方堆积(如图2所示),空间利用率_________
③面心立方最密堆积(如图4所示),空间利用率_________
④六方最密堆积(如图3所示),空间利用率_________
三、晶胞参数、晶体密度
晶胞参数:晶胞的具体形状大小由它的三组棱长a、b、c及棱间交角α、β、γ合称为晶胞参数当棱间交角α=β=γ=90°是,晶胞参数指三组棱长 单位:nm/pm
晶体密度(ρ)的计算
1.下图为金刚石的晶胞,晶胞参数为a,NA为阿伏加德罗常数的值,则晶胞的密度为________
2.下图为氯化钠的晶胞,晶胞参数为a,NA为阿伏加德罗常数的值,则晶胞的密度为________
3.某镍白铜合金的立方晶胞结构(镍的原子量:59)如图所示。若合金的密度为d g/cm3,晶胞参数a=____________nm
4.用晶体的X射线衍射法对Cu的测定得到以下结果:Cu的晶胞为面心立方最密堆积,已知该晶体的密度为9.00 g·cm-3,Cu的原子半径为_________________cm(设阿伏加德罗常数为NA,要求列式计算)。
练:GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_________________
四、原子的分数坐标(坐标参数):
以晶胞参数为_______________建立的坐标系,可以表示晶胞中各原子的位置分数坐标值
1、CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构,晶胞结构如图所示。其中原子坐标参数A为(,,),
则B、C的原子坐标参数分别为____________________________________
2、以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分
数坐标,例如图1中原子1的坐标为( , , ),则原子 2 和 3 的坐标分别
为___________________、___________________
3.以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标,例如,图中原子1的坐标为(,,0),则原子2和3的坐标分别为________、 ________。
五、四面体、八面体空隙
四面体空隙= _____________ 八面体空隙= _____________
1、石墨烯可转化为富勒烯(C60),某金属K与C60可制备一种低温超导材料,晶胞如右图所示,K原子位于晶胞的棱上与内部。该晶胞中 K 原子的个数为________,该材料的化学式为____________K ,填充了 C60结构中的______________________空隙
2、科学研究表明,Fe3O4是由 Fe2+、Fe3+、O2-通过离子键而组成的复杂离子晶体。O2-的重复排列方式如图 b 所示,该排列方式中存在着两种类型的由 O2-围成的空隙,如 1、3、6、7 的O2-围成的空隙和 3、6、7、8、9、12 的O2-围成的空隙,前者为正四面体空隙,后者为正八面体空隙Fe3O4中有一半的 Fe3+ 填充在正四面体空隙中,另一半Fe3+和 Fe2+填充在正八面体空隙中,则Fe3O4晶体中,正四面体空隙数与O2-数之比为______,其中有______%正四面体空隙填有 Fe3+,有________%正八面体空隙没有被填充。
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1.砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料,其结构与硫化锌相似,其晶胞结构如下图1所示,图2为晶胞沿z轴的1∶1平面投影图,已知图中A球的原子坐标参数为(0,0,0),B球为(1,1,1),下列说法错误的是( )
A.Ga的配位数是4
B.晶胞参数为2a pm
C.晶胞中离As原子距离最近且相等的As原子有8个
D.晶胞中离B球距离最远的黑球的坐标参数为(,,)
2.锆(Zr)是重要的战略金属,可从其氧化物中提取。下图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是( )
A.该氧化物的化学式为ZrO2 B.该氧化物的密度为g·cm-3
C.Zr原子之间的最短距离为apm D.每个O原子周围有6个紧邻的O原子
3.某种铁的氧化物的立方体结构如图所示,白球为O2-,其余代表铁的离子,NA表示阿伏加德罗常数的值。下列有关说法错误的是
A.Fe的离子均位于O2-构成的正八面体空隙中
B.该铁的氧化物的化学式为Fe3O4
C.设立方体的棱长为1,则a点的坐标为(,,)
D.若立方体棱长为dnm,则晶体密度计算式为 g•cm-3
4.一种广谱性熏蒸杀虫剂,其晶体熔点约2000℃,晶胞结构如图所示。已知该晶体的密度为表示阿伏加德罗常数的值。下列有关该晶体的说法错误的是
A.化学式为AlP
B.晶胞中含有4个P原子
C.晶胞中Al原子的配位数为8
D.两个P原子间的最近核间距为1010pm
5.经理论计算预测,一种由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb形成的新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为金刚石晶体中的C原子被Hg、Ge和Sb取代后形成。其晶胞如图所示,下列说法正确的
A.Hg、Ge、Sb三种元素都位于周期表的ds区
B.设X的最简式的式量为Mr,则X晶体的密度为
C.晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为6
D.X晶体是一种合金,内部有自由电子,是电的良导体
6.CuS晶胞结构中S2-的位置如图1所示。Cu2+位于S2-所构成的四面体中心,其晶胞俯视图如图2所示。若晶胞参数为apm,阿伏加德罗常数的数值为NA,下列说法正确的是
A.CuS晶胞中,Cu2+的配位数为8
B.CuS晶体的密度为
C.CuS晶胞中,Cu2+之间的最短距离为0.5apm
D.CuS晶胞中,Cu2+填充了8个四面体空隙
7.某立方晶系的锑钾(Sb—K)合金可作为钾离子电池的电极材料,下图表示晶胞。下列说法中错误的是
A.该晶胞的体积为 B.K和Sb原子数之比为3:1
C.与K最邻近的Sb原子数为4 D.该晶胞的俯视图为
8.某种红镍矿晶体的晶胞如图。晶胞参数分别为、、,下方As原子分数坐标为,为阿伏加德罗常数的值。下列有关说法错误的是
A.该化合物的化学式为 B.上方As原子分数坐标为
C.Ni原子的配位数为4 D.该晶体晶胞的密度为
9.FeS2晶体的晶胞如图所示。晶胞边长为a nm、FeS2相对分子质量为M、阿伏加德罗常数的值为NA,其晶体密度的计算表达式为__________________g·cm-3;晶胞中Fe2+位于S所形成的正八面体的体心,该正八面体的边长为________nm。
10.某金属晶体中原子的堆积方式如图所示,已知该金属的原子半径为a cm,晶胞的高为b cm,A、C、D三点原子的坐标参数分别为A(0,0,0)、C(2a,0,0)、D(0,0,b),则B点原子的坐标参数为_____________。
11.某种磁性氮化铁的结构如图所示,Fe为________堆积,N随机排列在Fe构成的正四面体空隙中,空隙的占有率为,则该化合物的化学式为________。其中铁原子最近的铁原子的个数为________;氮化铁晶胞底边长为a nm,高为c nm,则这种磁性氮化铁的晶体密度为________g·cm-3(用含a、c和NA的计算式表示)。
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