福建厦门双十中学2025-2026学年高二下学期物理周考试卷（5.22）

2025-2026学年度高二第二学期物理周考42026.5.22 (卷面分数：100分考试时间：75分钟) 一单选题（每题4分，共20分） 1.下图中所涉及物理知识的表述正确的是（) A。图甲中把玻璃管的裂口放在火焰上烧熔，它的尖端变钝，这不是因为表面张力的缘故 B,图乙中水龟可以停在水面，是因为受到水的浮力作用 C.图丙中液体和管壁表现为浸润现象 D.图丁中液晶显示器是利用液晶光学性质具有各向同性的特点制成的 2.关于热力学定律，下列说法正确的是（) A.气体向真空的自由膨胀是可逆的 B.一定质量的理想气体经历一缓慢的绝热膨胀过程，气体的内能不变 C.第二类永动机虽然不可能制成，但它不违背热力学第一定律 D.热力学第二定律的开尔文表述为：热量不能从低温物体传到高温物体 3,钻石中的碳原子以网状结构紧密地堆在一起，钻石是自然界中已知最硬的物质，是首饰和高强度的钻头、刻刀 等的生要材料。已知碳的摩尔质量为12g/mol,阿伏加德罗常数N、=6.02×10mol,则1克拉(1克拉=0.2g)的 钻石中含有的原子数约为() A.1.0×1020 B.1.0×102 C.3.6×102 D.3.6×1025 4随着人们生活水平的提高和健康意识的提升，反渗透膜(ReverseOsmosis)净水机进入了寻常百姓家。由于家用 反渗膜大多是1812-75G(Gallon Per Day)型号的，渗透较慢，制水速度不能及时满足水龙头用水量的需求，所以 需要用到纯净水压力储水罐来蓄水。其结构如图所示，气囊内事先被注入了一定质量的气体（可视为理想气体）， 初始体积为2L,随着纯净水的缓慢注入，水侧的压强逐渐升高，当水侧与气侧压强相等时气囊停止压缩，压力桶 储水完毕。用水时打开水龙头，罐中的纯净水可以迅速排出。下列说法正确的是() 注水 用水 A.向压力储水罐缓慢注水的过程中，气囊内气体对外做功 B.用水时，气囊内气体温度升高 C.向压力储水罐缓慢注水的过程中，每个分子的动能都变大 D.用水时，气囊内气体分子在单位时间碰撞气囊内壁单位面积的次数减小 空气 5.如图所示，O-z空间直角坐标系中，O点有一可视为质点的粒子源，能源源不断地沿与y轴正方向成45°角 的各个方向发射质量为m、电荷量为9、速度大小为√2，的带正电位子。整个空间存在沿y轴正方向、磁感应强度 大小为B的匀强磁场（未画出），一足够大的荧光屏垂直y轴放置，粒子打到屏上立即被吸收并发出荧光。现将该 荧光屏从0点缓慢沿y轴正方向移动，当屏上第一次出现一半径为m%的亮环时，屏到0点的距离为（不计粒子重 gB 力和粒子间的相互作用)() A.zmv xmvo qB B.2qB C.m πmVo 3aB D.AqB 二、双选题（每题6分，共30分） 6.根据热大学第二定律可知，下列说法中正确的是() A,不可能从单一热库吸收热量并把它全部用来做功，而不引起其他变化 B.设有冷凝器，只有单一的热库，能将从单一热库吸收的热量全部用来做功，而不引起其他变化的热机是可以 实现的 C.如果没有摩擦、漏气等，热机效率可以达到100% D.不可能使热量由低温物体传递到高温物体，而不引起其他变化 7.关于下列几幅图的说法正确的是（) 各速率区向的分予数 片总分下数的节分比 荧光 “金疗… ) ② 分子的递岸 a啦子散时妆促 氧气分子的速率分布图象 甲 乙 丙 丁 A.图甲是卢瑟福通过分析该实验提出了原子的害术结构模型 B.图乙中的双线绕法可减小绕线的漏磁现象，从而减小磁场能的损失 C.图丙是一种电感式微小位移传感器，铁芯2是敏感元件，线圈3是转换元件 卫.图丁中状态①的温度比状态②的温度低 8,在斯特林循环的p-V图像中，一定质量理想气体从状态a依次经过状态b、c和d后再回到状态a,整个过程由 两个等温和两个等容过程组成。仕a→b和d→a的过程中，气体放出的热量分别为4J和20J:在b→c和c→d的 过程中，气体吸收的热量分别为20J和12J。则下列说法正确的是（) A.状态a比状态c的温度高 B.c→d的过程中气体对外做功12J C.气体完成一次循环对外界所做的功为8J D.b→c的过程中，单位时间内单位器壁面积上分子碰撞次数减少 9.如图所示，光滑绝热气缸静置于地面上，总高为4L,气缸上端开口，顶部有卡扣。内部有两个厚度不计、质量均 为m横截面积为S的活塞M、N,活塞M导热，活塞N绝热，初始时活塞M距离气缸顶部的距离为L,活塞N 在气缸正中央，两活塞中间封闭了一定质量的理想气体A,活塞N与气缸底部封闭了一定质量的理想气体B,两气 体的初始温度均为T。气缸底部有一电热丝，可对B气体进行加热，现接通电源，对B气体缓慢加热，使其温度 缓慢升高，已知重力加速度为g,外界大气压恒为P。,且满足PS=mg,下列说法正确的是（) A.当B中气体的温度达到好时，活塞M恰好到达缸项 B.当B中气体的温度达到时，活塞M恰好到达缸顶 C.当活塞N距离缸项专时，B气体的压强为5p0 D.当活塞N距离缸项兰时，B气体的压强为6p0 2 10.如图所示，绕过光滑定滑轮的轻绳两端分别吊着矩形金属线框abcd和egh,两金属线框的水平宽度均为【，竖 直长度相同，线框abcd的质量为2m,电阻为R,线框eBh的质量为m,电阻为2R,水平线MN下方有垂直于纸 面向里的匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为B,开始时，ab边和e边到MN的距离均为1.5L,由静止释放西金 属线框，线框先一直加速运动，当cd边刚要进磁场时线框的加速度恰好为零，线框abcd进磁场的时间为！，线框运 动过程中，ab边、ef边始终与MN平行，线框始终与磁场垂直，重力加速度为g,则下列判断正确的是（) A.ab边刚进磁场时，线框abcd中的电流大小为L区 R B。寸边刚出磁场时，线框h的加速度大小为B-工 2mR C.两线框的竖直长度均为2mR(g+3√工4m'gR 3B2L2 3BL D.线框abcd中产生的焦耳热是线框egh中产生焦耳热的4倍 11.（4分)带有活塞的汽缸内封闭一定质量的理想气体，气体开始处于a状态，然后经过a→b→c状态变化过程 到达c状态。在V-T图中变化过程如图所示。 (1)气体从a状态经过a→b到达b状态的过程中压强 (填“增大”、“减小”或“不变”) (2)气体从b状态经过b→c到达c状态的过程要 (填吸收或放出")热量。 12.(8分)某探究小组利用半导体薄膜压力传感器等元件设计了一个 0 测量微小压力的装置，其电路如图(a)所示，R、R2、R为电阻箱， R为半导体薄膜压力传感器，C、D间连接电厍传感器（内阻无穷大） 入 A-V-C 图b) 图(a) (1)先用欧姆表×100挡粗测R的阻值，示数如图(b)所示，对应的读数是 (2)适当调节R、R2、R,使电压传感器示数为0，此时，R的阻值为（用R、R2、R表示）： (3)依次将0.5g的标准砝码加载到压力传感器上（压力传感器上所受压力大小 tUhv 300 等于砝码重力大小)，读出电压传感器示数U,所测数据如下表所示： 250 根据表中数据在图(c)上描点，绘制U-m关系图线如图 次数 1 2 3 4 J 6 砝码质量 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 电压U/mV 0 57 115 168 220 280 05 1.0 2.0 2.5 3.0g (4)完成前面三步的实验工作后，该测量微小压力的装置即可投入使用.在半导体薄膜压力传感器上施加微小压力F。, 电压传感器示数为200mV,则F。大小是N(重力加速度取9.8ms2,保留2位有效数字)： (⑤)若在步骤(4)中换用非理想毫伏表测量C、D间电压，在半导体薄膜压力传感器上施加微小压力F,，此时非理 想毫伏表读数为200mV,则FF（填>=”或“<"). 四、解答题（共38分） 13.（10分)中国是瓷器的故乡，号称“瓷器之国。.如图甲是烧制瓷器的窑炉，图乙为其简化原理图，上方有一单 向排气阀，当窑内气压升高到3p(为大气压强)时，排气阀才会开启，压强低于30时，排气阀自动关闭。某次 烧制过程，初始时窑内温度t=27℃，窑内气体压强为p0。已知烧制过程中窑 单向排气阀 内气体温度均匀且缓慢升高。不考虑瓷胚体积的变化，气体可视为理想气体， 绝对零度取-273℃。 密炉 (1)(4分)求排气阀开始排气时，窑内气体的温度： (2)(6分)求窑内温度为927℃时，排出气体质量与窑内原有气体质量的比值。 14.（13分)如图所示，矩形区域abcd内充满垂直该区域向里的匀强磁场，其中ab=23L,ad=4L。ad边的中 点S处有一可视为质点的粒子源，在该区域内沿ab方向持续发射出质量均为m、电荷量均为g,速率范围为0~3vo 的所有带电粒子，其中速率为2的粒子恰好从b点射出磁场。若在该区域内叠加一平行于该区域且范围足够大的 匀强电场（未画出），则速率为2的粒子恰好做匀速直线运动。不计粒子重力、粒子间的 相互作用及碰撞。 (1)(4分)求匀强磁场的磁感应强度大小B。 ××××对 (2)(3分)求匀强电场的电场强度E。 XX K XX (3)(6分)若保留电场、撤去磁场，其他条件不变，求粒子在该区域内运动的最长时间与最 短时间之比。 15,(15分)如图甲所示，在粗糙的水平面上有一滑板，滑板上固定着一个用粗细均匀的导线绕成的正方形闭合线 圈，匝数N=10,边长L=1m,总电阻R=52,滑板和线圈的总质量M=4kg,滑板与地面间的动摩擦因数μ=0.5， 前方虚线边界内有磁场，两竖直虚线边界与水平虚线的交点分别为A点和B点，且AB之间的距离为4m,其中虚 线AB以上区域内的磁场方向垂直纸面向里，磁感应强度大小B,按如图乙所示的规律变化，虚线AB以下的匀强磁 场方向垂直纸面向外，磁感应强度大小B,=T,A、B两点与线圈中心等高。现给线圈施加一水平拉力，使线圈以 速度v=lms匀速通过磁场区域，t=0时刻，线圈右侧恰好开始进入磁场。g=l0mls2。求： ↑BT XX X XX ·◆B2。。 777777n7nnn7n777nn77n777n7 s 图印 图乙 (1)(5分)t=0.1s时线圈中通过的电流： (2)(4分)线圈全部进入磁场区域前的瞬间所需拉力的大小： (3)(6分)从线圈右侧开始进入磁场到线圈左侧刚好出磁场区域的过程中滑板与地面之间因摩擦产生的内能。