第1卷 半导体器件的基础知识 甘肃省（中职升学考试）电子电工类《电子技术与技能考点双析卷》

编写说明：甘肃省（中职升学考试）电工电子类《电子技术与技能》考点双析卷专辑，依据2026年甘肃省（中职升学考试）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1卷精准对标甘肃省（中职升学考试）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术与技能》： （一）掌握内容：半导体器件的基础知识 甘肃省电工电子类专业综合理论考试 《电子技术与技能》考点双析卷 第1卷 半导体器件的基础知识 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：120分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．如图所示为半导体二极管的结构符号，其中阳极对应的是（   ） A．左端引线​ B．右端引线​ C．三角形顶点​ D．矩形端​​ 2．二极管参数中，最大整流电流是指（   ）​ A．长期工作允许通过的最大正向平均电流​ B．反向击穿时的电流​ C．正向导通时的峰值电流​ D．反向截止时的漏电流​ 3．二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到___电压以前，通过的电流很小（   ） A．击穿 B．最大 C．死区 D．最小 4．晶体三极管内部由______个PN结构成。（    ） A．一 B．二 C．三 D．四 5．在三极管输出特性曲线中，当等于0时，三极管的集电极电流等于（    ） A． B． C． D．0 6．输入特性曲线反映三极管______关系的特性曲线。（    ） A．VCE与IB B．VCE与IC C．VBE与IC D．VBE与IB 7．如图所示元器件的结构符号，其中代表 NPN 型晶体管的是（   ）             A．a​ B．b​ C．c​ D．d​​ 8．二极管的主要参数中，反映其承受反向电压能力的是（   ） A．最大整流电流 B．最高反向工作电压 C．反向电流 D．正向压降 9．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 10．如图所示为晶体管共发射极输出特性曲线，图中区域①代表的是（   ） A．饱和区​ B．放大区​ C．截止区​ D．击穿区​ 二、多选题 11．已知某三极管时，；时，，则下列说法正确的有（   ） A．该三极管的直流电流放大倍数为100 B．该三极管的交流电流放大倍数为100 C．该三极管的直流电流放大倍数为50 D．该三极管的交流电流放大倍数为50 12．在数字电路中，半体三极管的工作区有（   ） A．截止区 B．放大区 C．饱和区 D．击穿区 13．二极管导通的必要条件有（   ） A．加正向电压 B．加反向电压 C．正向电压高于死区电压 D．反向电压高于击穿电压 三、填空题 14．硅管的热稳定性比锗管______，故一般采用______材料制成稳压二极管。 15．二极管的主要参数中，反映反向截止特性的两个参数分别是______和______。 16．某三极管输出特性曲线如图所示，图中虚线表示PCM曲线，则三极管交流电流放大系数______，穿透电流______，反向击穿电压______，集电极最大功耗______，集电极最大电流______。 17．在三极管内部结构中，三个区的工艺要求：（1）发射区掺杂浓度_________，面积_________；（2）集电区掺杂浓度_________，面积大；（3）基区厚度很_________。因此，集电区与发射区不能互换，也不能用两只二极管连在一起代替一只三极管。 18．二极管的伏安特性按照二极管的不同偏置状态，可分为______特性和______特性。 四、判断题 19．二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定。( ) 20．从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极( ) 21．二极管属于非线性器件。( ) 22．最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的反向电压。( ) 23．三极管从基区引出的电极叫基极。( ) 24．晶体管的发射区和集电区由同一种杂质半导体构成，因此发射极和集电极可以互换使用。( ) 25．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。( ) 26．稳压二极管的伏安特性曲线：正、反向特性曲线与普通二极管相同。( ) 27．硅二极管比锗二极管的稳定性要好。( ) 28．NPN三极管的电流是从发射极流出三极管。( ) 五、综合题 29．如图所示为某 NPN 型硅晶体管的共发射极输出特性曲线。 (1)根据特性曲线计算该晶体管的电流放大系数 β；​ (2)判断当 UCE=3V、IB=40μA 时，晶体管的工作区域，并说明理由；​ ​ 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：甘肃省（中职升学考试）电工电子类《电子技术与技能》考点双析卷专辑，依据2026年甘肃省（中职升学考试）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1卷精准对标甘肃省（中职升学考试）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术与技能》： （一）掌握内容：半导体器件的基础知识 甘肃省电工电子类专业综合理论考试 《电子技术与技能》考点双析卷 第1卷 半导体器件的基础知识 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：120分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．如图所示为半导体二极管的结构符号，其中阳极对应的是（   ） A．左端引线​ B．右端引线​ C．三角形顶点​ D．矩形端​​ 【答案】A 2．二极管参数中，最大整流电流是指（   ）​ A．长期工作允许通过的最大正向平均电流​ B．反向击穿时的电流​ C．正向导通时的峰值电流​ D．反向截止时的漏电流​ 【答案】A 3．二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到___电压以前，通过的电流很小（   ） A．击穿 B．最大 C．死区 D．最小 【答案】A 4．晶体三极管内部由______个PN结构成。（    ） A．一 B．二 C．三 D．四 【答案】B 5．在三极管输出特性曲线中，当等于0时，三极管的集电极电流等于（    ） A． B． C． D．0 【答案】B 6．输入特性曲线反映三极管______关系的特性曲线。（    ） A．VCE与IB B．VCE与IC C．VBE与IC D．VBE与IB 【答案】D 7．如图所示元器件的结构符号，其中代表 NPN 型晶体管的是（   ）             A．a​ B．b​ C．c​ D．d​​ 【答案】A 8．二极管的主要参数中，反映其承受反向电压能力的是（   ） A．最大整流电流 B．最高反向工作电压 C．反向电流 D．正向压降 【答案】B 【详解】最高反向工作电压反映了二极管承受反向电压的能力。所以选择 B 选项。 9．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 【答案】A 【详解】二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。 在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。 在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 10．如图所示为晶体管共发射极输出特性曲线，图中区域①代表的是（   ） A．饱和区​ B．放大区​ C．截止区​ D．击穿区​ 【答案】A 二、多选题 11．已知某三极管时，；时，，则下列说法正确的有（   ） A．该三极管的直流电流放大倍数为100 B．该三极管的交流电流放大倍数为100 C．该三极管的直流电流放大倍数为50 D．该三极管的交流电流放大倍数为50 【答案】AB 12．在数字电路中，半体三极管的工作区有（   ） A．截止区 B．放大区 C．饱和区 D．击穿区 【答案】AC 13．二极管导通的必要条件有（   ） A．加正向电压 B．加反向电压 C．正向电压高于死区电压 D．反向电压高于击穿电压 【答案】AC 三、填空题 14．硅管的热稳定性比锗管______，故一般采用______材料制成稳压二极管。 【答案】 好 硅 15．二极管的主要参数中，反映反向截止特性的两个参数分别是______和______。 【答案】 最高反向工作电压 反向饱和电流 16．某三极管输出特性曲线如图所示，图中虚线表示PCM曲线，则三极管交流电流放大系数______，穿透电流______，反向击穿电压______，集电极最大功耗______，集电极最大电流______。 【答案】 50 10μA 50V 50mW 5mA 17．在三极管内部结构中，三个区的工艺要求：（1）发射区掺杂浓度_________，面积_________；（2）集电区掺杂浓度_________，面积大；（3）基区厚度很_________。因此，集电区与发射区不能互换，也不能用两只二极管连在一起代替一只三极管。 【答案】 高 小 较低 薄 18．二极管的伏安特性按照二极管的不同偏置状态，可分为______特性和______特性。 【答案】 正向 反向 四、判断题 19．二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定。( ) 【答案】正确 20．从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极( ) 【答案】错误 【详解】电流从二极管的正极进入，从负极流出。 21．二极管属于非线性器件。( ) 【答案】正确 22．最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的反向电压。( ) 【答案】错误 23．三极管从基区引出的电极叫基极。( ) 【答案】正确 【详解】从基区引出的电极叫基极。 24．晶体管的发射区和集电区由同一种杂质半导体构成，因此发射极和集电极可以互换使用。( ) 【答案】错 25．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。( ) 【答案】正确 26．稳压二极管的伏安特性曲线：正、反向特性曲线与普通二极管相同。( ) 【答案】错误 【详解】本题考查稳压二极管的伏安特性曲线，稳压二极管的伏安特性曲线特点是：其正向特性与普通二极管相同，反向特性曲线在击穿区域，比普通二极管更陡直，因此该题的说法是错误的。 27．硅二极管比锗二极管的稳定性要好。( ) 【答案】正确 28．NPN三极管的电流是从发射极流出三极管。( ) 【答案】正确 【详解】 从NPN型三极管的图形符号可以得到NPN三极管的电流是从发射极流出三极管。 五、综合题 29．如图所示为某 NPN 型硅晶体管的共发射极输出特性曲线。 (1)根据特性曲线计算该晶体管的电流放大系数 β；​ (2)判断当 UCE=3V、IB=40μA 时，晶体管的工作区域，并说明理由；​ ​ 【答案】(1)电流放大系数计算： (2)工作区域判断： 当时，晶体管工作在放大区。理由：此时 UCE远大于 UCE（sat）（0.3V），且 IC随 IB成比例变化（符合 IC≈βIB规律），满足放大区 “发射结正偏、集电结反偏” 的条件 。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $