第10卷 三极管 云南省（职教高考）电工技术类《电子技术基础与技能考点双析卷》

编写说明：云南省高等职业教育考试电工技术类《电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第10卷精准对标云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》： （一）理解内容：三极管 云南省电工技术类专业综合理论考试 《电子技术基础与技能》 考点双析卷 第10卷 三极管 学生卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、判断题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 1．三极管的输入电阻Rbe可以用万用表的欧姆档测出。( ) 2．三极管是电流控制型器件，是利用基极电流来控制集电极电流的。( ) 3．三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。( ) 4．三极管从基区引出的电极叫基极。( ) 5．三极管的开关特性是指：当三极管处于饱和导通状态时相当于开关的断开。( ) 6．晶体三极管的穿透电流ICEO越小，其稳定性越好。( ) 7．三极管可作为调整管使用，主要是三极管的VCE能随基极电流IB的变化而变化，IB大，则VCE变小，IB小，则VCE变大。( ) 8．三极管的直流和交流的意义不同，但在使用时并没有严格区分它们的大小。( ) 9．用万用表测试三极管的两个PN结的阻值，一次为7.6kΩ，一次为7.2kΩ，则阻值小的那一次测试的是发射结。( ) 10．三极管的β随着温度的升高而增大。( ) 11．对一只接于电路中的三极管，测得三个引脚上的对地电位为VA=11.6V、VB=2V、VC=2.7V，则该三极管为NPN型锗管。( ) 12．晶体三极管工作在截止状态时，其集电极电流几乎为零。( ) 13．三极管处于放大状态时，三极管的两个PN结都处于正偏( ) 14．处于放大状态的三极管的三个引脚电压为V1=10V，V2=0.7V，V3=1V，则引脚1、2、3分别为C、E、B，三极管为NPN型三极管，材料为硅。( ) 15．集电极基极偏置放大电路是共集电极放大电路。( ) 二、单选题（本大题共18小题，每小题3分，共54分） 16．如图所示电路，已知三极管VT的电流放大系数，则三极管VT处于（   ） A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．无法确定 17．晶体管的 ICEO 大，说明其（   ） A．工作电流大 B．击穿电压高 C．热稳定性差 D．寿命长 18．用万用表R×1K挡测一正常放大的三极管，将红表笔接三极管的基极，用黑表笔依次去接三极管的另两个电极，两次测得的电阻值在几十至几百kΩ，又当三极管工作于放大状态时测得V，则该三极管是（    ） A．NPN型硅管 B．PNP型硅管 C．NPN锗管 D．PNP型锗管 19．三极管工作在饱和状态时，它的将（   ） A．随增加而增加 B．随增加而减小 C．与无关，只决定于和 D．不发生变化 20．3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（   ） A．被击穿 B．工作正常 C．功耗太大过热甚至烧坏 D．不确定 21．晶体管的穿透电流ICEO是表明该管______的参数。（   ） A．温度稳定性好坏 B．允许通过最大电流的极限 C．电流放大能力 D．带负载能力 22．在室温升高时，晶体三极管放大电路（基本放大电路）的电压放大倍数（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 23．三极管中，哪个区域的宽度最窄（   ） A．发射区 B．基区 C．集电区 D．无法确定 24．某晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，则在下列几种情况中，能正常工作的是（   ）。 A．UCE=3V，IC=10mA B．UCE=2V，IC=40mA C．UCE=10V，IC=20mA D．UCE=15V，IC=20mA 25．三极管内部有___个PN结（   ） A．1 B．2 C．3 D．0 26．如图所示，若三点对应的电流放大倍数分别为，则它们的大小关系是（   ） A． B． C． D．不能确定 27．三极管处于放大状态时，其集电极电流与基极电流之间的关系是（   ） A．无关 B．成正比 C．成反比 D．无法确定 28．有四个晶体管，的，的，的，的，其他参数相同，则在实际应用中选（   ） A． B． C． D． 29．下列关于标号为3AG54B管子说法错误的是（   ） A．第一位数“3”表示该管为三极管 B．第二部分字母“A”表示NPN型锗管 C．第三部分字母”G”表示高频小功率管 D．第四部分数字“54”表示生产序号 30．硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于 状态（   ） A．饱和 B．截止 C．放大 D．无法判断 31．正常工作的三极管的三个引脚的电流关系说法错误的是（   ） A．流入管子的电流与流出管子的电流相等 B．发射极的电流一直是最大的 C．基极电流一直是最小的 D．集电极电流与基极电流近似相等 32．测得某三极管的 PCM = 100mW，ICM = 20mA，U (BR)CEO = 15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（   ） A．UCE = 3V,IC = 10mA B．UCE = 2V,IC = 40mA C．UCE = 6V,IC = 20mA D．UCE = 20V,IC = 2mA 33．三极管中，哪个参数表示了集电极与发射极之间的最大允许电压（   ） A．反向饱和电流 B．电流放大倍数 C．击穿电压 D．门限电压 三、多选题（本大题共4小题，每小题4分，共16分） 34．用指针式万用表检测小功率三极管时，可使用万用表的 档（   ） A． B． C． D． 35．已知某三极管时，；时，，则下列说法正确的有（   ） A．该三极管的直流电流放大倍数为100 B．该三极管的交流电流放大倍数为100 C．该三极管的直流电流放大倍数为50 D．该三极管的交流电流放大倍数为50 36．下列三极管中，是截止的有（   ） A．B．C． D． 37．某三极管的型号为3DG120，则表示这是（   ） A．NPN型硅材料的三极管 B．PNP型硅材料的三极管 C．高频小功率三极管 D．低频小功率三极管 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：云南省高等职业教育考试电工技术类《电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第10卷精准对标云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》： （一）理解内容：三极管 云南省电工技术类专业综合理论考试 《电子技术基础与技能》 考点双析卷 第10卷 三极管 学生卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、判断题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 1．三极管的输入电阻Rbe可以用万用表的欧姆档测出。( ) 【答案】错误 2．三极管是电流控制型器件，是利用基极电流来控制集电极电流的。( ) 【答案】正确 3．三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。( ) 【答案】正确 4．三极管从基区引出的电极叫基极。( ) 【答案】正确 【详解】从基区引出的电极叫基极。 5．三极管的开关特性是指：当三极管处于饱和导通状态时相当于开关的断开。( ) 【答案】错误 【详解】本题查三极管的开关特性。 6．晶体三极管的穿透电流ICEO越小，其稳定性越好。( ) 【答案】正确 【详解】ICEO会随温度升高而显著增大。ICEO越小，受温度的影响就越小，电路的热稳定性也就越好。 对放大性能的影响：ICEO越小，说明三极管在基极电流为零时，集电极与发射极之间的漏电越少，三极管受基极电流控制的特性就越明显，放大性能就越稳定。 7．三极管可作为调整管使用，主要是三极管的VCE能随基极电流IB的变化而变化，IB大，则VCE变小，IB小，则VCE变大。( ) 【答案】正确 8．三极管的直流和交流的意义不同，但在使用时并没有严格区分它们的大小。( ) 【答案】正确 9．用万用表测试三极管的两个PN结的阻值，一次为7.6kΩ，一次为7.2kΩ，则阻值小的那一次测试的是发射结。( ) 【答案】错误 【详解】发射结比集电结窄，所以阻值略大于集电结 10．三极管的β随着温度的升高而增大。( ) 【答案】正确 11．对一只接于电路中的三极管，测得三个引脚上的对地电位为VA=11.6V、VB=2V、VC=2.7V，则该三极管为NPN型锗管。( ) 【答案】错误 12．晶体三极管工作在截止状态时，其集电极电流几乎为零。( ) 【答案】正确 13．三极管处于放大状态时，三极管的两个PN结都处于正偏( ) 【答案】错误 【详解】三极管放大时，集电结反偏，发射结正偏。 14．处于放大状态的三极管的三个引脚电压为V1=10V，V2=0.7V，V3=1V，则引脚1、2、3分别为C、E、B，三极管为NPN型三极管，材料为硅。( ) 【答案】错误 【详解】大小排在中间的为基极，即为引脚3，与基极相差常数的是发射极，为引脚2，剩下的引脚1为集电极，=0.3v，说明管子为锗管，根据排序得到VC>VB>VE，故管子为NPN型。 15．集电极基极偏置放大电路是共集电极放大电路。( ) 【答案】错误 二、单选题（本大题共18小题，每小题3分，共54分） 16．如图所示电路，已知三极管VT的电流放大系数，则三极管VT处于（   ） A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．无法确定 【答案】A 17．晶体管的 ICEO 大，说明其（   ） A．工作电流大 B．击穿电压高 C．热稳定性差 D．寿命长 【答案】A 【详解】 ICEO大意味着晶体管的集 - 射极之间存在较大的漏电流。当温度升高时，这种漏电流会迅速增大，因为 ICEO受温度影响较大，会导致晶体管的工作状态很容易受温度变化的影响，所以说明其热稳定性差。选C。 18．用万用表R×1K挡测一正常放大的三极管，将红表笔接三极管的基极，用黑表笔依次去接三极管的另两个电极，两次测得的电阻值在几十至几百kΩ，又当三极管工作于放大状态时测得V，则该三极管是（    ） A．NPN型硅管 B．PNP型硅管 C．NPN锗管 D．PNP型锗管 【答案】B 19．三极管工作在饱和状态时，它的将（   ） A．随增加而增加 B．随增加而减小 C．与无关，只决定于和 D．不发生变化 【答案】C 【详解】饱和状态下的三极管无电流放大，不受的控制，随增大，急剧增大。 20．3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（   ） A．被击穿 B．工作正常 C．功耗太大过热甚至烧坏 D．不确定 【答案】C 【详解】 即实际功率大于集电极最大允许功率损耗。 所以该管功耗太大，会过热甚至烧坏。 21．晶体管的穿透电流ICEO是表明该管______的参数。（   ） A．温度稳定性好坏 B．允许通过最大电流的极限 C．电流放大能力 D．带负载能力 【答案】A 22．在室温升高时，晶体三极管放大电路（基本放大电路）的电压放大倍数（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 【答案】A 23．三极管中，哪个区域的宽度最窄（   ） A．发射区 B．基区 C．集电区 D．无法确定 【答案】B 【详解】三极管中，基区的宽度最窄，这有助于实现电流的放大作用。 24．某晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，则在下列几种情况中，能正常工作的是（   ）。 A．UCE=3V，IC=10mA B．UCE=2V，IC=40mA C．UCE=10V，IC=20mA D．UCE=15V，IC=20mA 【答案】A 【详解】需要满足三个条件，IC<ICM， UCE<U(BR)CEO，P<PCM。 25．三极管内部有___个PN结（   ） A．1 B．2 C．3 D．0 【答案】B 【详解】三极管的核心结构是两个PN结。 26．如图所示，若三点对应的电流放大倍数分别为，则它们的大小关系是（   ） A． B． C． D．不能确定 【答案】A 27．三极管处于放大状态时，其集电极电流与基极电流之间的关系是（   ） A．无关 B．成正比 C．成反比 D．无法确定 【答案】B 【详解】三极管处于放大状态时，其集电极电流与基极电流之间成正比关系，这是三极管电流放大作用的基础。 28．有四个晶体管，的，的，的，的，其他参数相同，则在实际应用中选（   ） A． B． C． D． 【答案】B 【详解】三极管参数集电极发射极反向饱和电流越小，三极管性能越稳定，对比电流放大系数，反向电流相同，电流放大系数高，性能稳定。 29．下列关于标号为3AG54B管子说法错误的是（   ） A．第一位数“3”表示该管为三极管 B．第二部分字母“A”表示NPN型锗管 C．第三部分字母”G”表示高频小功率管 D．第四部分数字“54”表示生产序号 【答案】B 【详解】第二部分字母“A”表示PNP型锗管。 30．硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于 状态（   ） A．饱和 B．截止 C．放大 D．无法判断 【答案】A 【详解】硅管的饱和管压降为0.3V，故为饱和状态。 31．正常工作的三极管的三个引脚的电流关系说法错误的是（   ） A．流入管子的电流与流出管子的电流相等 B．发射极的电流一直是最大的 C．基极电流一直是最小的 D．集电极电流与基极电流近似相等 【答案】D 【详解】集电极电流是基极电流的β倍。 32．测得某三极管的 PCM = 100mW，ICM = 20mA，U (BR)CEO = 15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（   ） A．UCE = 3V,IC = 10mA B．UCE = 2V,IC = 40mA C．UCE = 6V,IC = 20mA D．UCE = 20V,IC = 2mA 【答案】A 【详解】B项，； C项，； D项，。 33．三极管中，哪个参数表示了集电极与发射极之间的最大允许电压（   ） A．反向饱和电流 B．电流放大倍数 C．击穿电压 D．门限电压 【答案】C 【详解】三极管中，击穿电压表示了集电极与发射极之间的最大允许电压，超过了这个电压，三极管可能会损坏。 三、多选题（本大题共4小题，每小题4分，共16分） 34．用指针式万用表检测小功率三极管时，可使用万用表的 档（   ） A． B． C． D． 【答案】BC 35．已知某三极管时，；时，，则下列说法正确的有（   ） A．该三极管的直流电流放大倍数为100 B．该三极管的交流电流放大倍数为100 C．该三极管的直流电流放大倍数为50 D．该三极管的交流电流放大倍数为50 【答案】AB 36．下列三极管中，是截止的有（   ） A．B．C． D． 【答案】CD 37．某三极管的型号为3DG120，则表示这是（   ） A．NPN型硅材料的三极管 B．PNP型硅材料的三极管 C．高频小功率三极管 D．低频小功率三极管 【答案】AC 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $