第1卷 半导体的基本特性 云南省（职教高考）电工技术类《电子技术基础与技能考点双析卷》

编写说明：云南省高等职业教育考试电工技术类《电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1卷精准对标云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》： （一）了解内容：半导体的基本特性 云南省电工技术类专业综合理论考试 《电子技术基础与技能》 考点双析卷 第1卷 半导体的基本特性 老师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、判断题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 1．印制电路板焊接后的清洗是焊接操作的一个组成部分，只有同时符合焊接、清洗质量要求，才算是一个合格的焊点。( ) 2．目前大部分遥控装置是应用半导体的热敏性来实现控制的。( ) 3．电子产品的生产企业，应该具备与所生产的产品相配套的、完善的仪器设备，而对生产场所无严格要求。( ) 4．P、N型半导体都是纯净的半导体。( ) 5．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) 6．在型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改型为型半导体。( ) 7．元器件引线成形时，引线弯折处距离根部尺寸应大于2mm，以防止引线折断或被拉出。( ) 8．本征半导体的导电性能强于杂质半导体。( ) 9．光照越强，温度越高，半导体的导电能力越强，说明半导体有光敏性和热敏性其实质是一样的。( ) 10．在半导体内部，型半导体只有电子是载流子。( ) 11．无论什么状态下，P型半导体由于载流子是空穴，所以对外显正电性。( ) 12．将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背，就可以得到一只二极管。( ) 13．把一块P型半导体和一块N型半导体紧紧结合在一起，在结合处就能形成一个PN结。( ) 14．在组装电子产品时，一般情况下对元件的筛选，主要是核查元器件的型号和规格，可不进行外观检查。( ) 15．因为P型半导体多数载流子是带正电的空穴，所以P型半导体呈正电性。( ) 16．少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。( ) 17．N型半导体中的多数载流子是电子，电子带负电，因此N型半导体带负电。( ) 18．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( ) 19．本征半导体内部没有空穴和自由电子。( ) 20．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。( ) 二、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 21．半导体中传导电流的载流子是（    ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 22．以下会影响电子元器件性能的因素是（   ） A．静电 B．潮湿 C．振动 D．以上都是 23．P型半导体是（    ） A．纯净半导体 B．掺杂半导体 C．带正电的 D．带负电的 24．PN结中，哪一侧是正电荷区（   ） A．P区 B．N区 C．无法确定 D．两侧都是 25．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（   ） A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 26．下列选项中，不属于对助焊剂的要求的是（   ） A．常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B．在焊接过程中具有较高的活化性、较低的表面张力，黏度和比重应小于焊料 C．绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D．不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 27．某一集成电路的引脚如图所示，则1脚是（   ） A．a B．b C．c D．d 28．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 29．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（    ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 30．杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。（   ） A．大于 B．等于 C．小于 D．无法比较 31．P型半导体中，多数载流子和少数载流子分别是（   ） A．空穴、电子 B．电子、空穴 C．正离子、负离子 D．负离子、正离子 32．单向晶闸管由4块掺杂半导体组成，三极管由3块掺杂半导体组成，二极管由2块掺杂半导体组成，（    ） A．一只二极管，一只三极管组合具有一只单向晶闸管的功能 B．两只三极管组合后可具有一只单向晶闸管的功能 C．二极管与三极管任何组合形式均不会有一只单向晶闸管的功能 D．两只二极管串联具有一只单向晶闸管的功能 33．PN 结的反向电流（   ） A．随反向电压增大而增大 B．随反向电压增大而减小 C．基本不变 D．先增大后减小 34．（单选）N型半导体中的多数载流子是（   ） A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．负离子 35．PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（     ） A．多子扩散 B．少子扩散 C．少子漂移 D．多子漂移 36．当温度不变，PN结的反向电压增大时，将导致（   ） A．空间电荷区不变，反向电流减小 B．空间电荷区变窄，反向电流减小 C．空间电荷区变宽，反向电流基本不变 D．空间电荷区和反向电流均保持不变 37．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于杂质浓度，而少数载流子浓度则与______有很大关系。（   ） A．温度 B．电压 C．杂质浓度 D．电流 38．P型半导体中的多数载流子是（   ） A．自由电子 B．空穴 C．三价杂质原子 D．三价杂质离子 39．结加正向电压时，空间电荷区将（   ） A．变窄 B．基本不变 C．变宽 D．无法确定 40．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（   ） A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子 C．P型半导体，其少子为空穴 D．N型半导体，其多子为空穴 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：云南省高等职业教育考试电工技术类《电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1卷精准对标云南省中职职教高考职业技能考试说明《电子技术基础与技能》： （一）了解内容：半导体的基本特性 云南省电工技术类专业综合理论考试 《电子技术基础与技能》 考点双析卷 第1卷 半导体的基本特性 老师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、判断题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 1．印制电路板焊接后的清洗是焊接操作的一个组成部分，只有同时符合焊接、清洗质量要求，才算是一个合格的焊点。( ) 【答案】正确 2．目前大部分遥控装置是应用半导体的热敏性来实现控制的。( ) 【答案】错误 3．电子产品的生产企业，应该具备与所生产的产品相配套的、完善的仪器设备，而对生产场所无严格要求。( ) 【答案】错误 4．P、N型半导体都是纯净的半导体。( ) 【答案】错误 【详解】P、N型半导体是在纯净半导体中加入了及其微量的杂质元素得到的，所以是杂质半导体。 5．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) 【答案】正确 6．在型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改型为型半导体。( ) 【答案】错误 7．元器件引线成形时，引线弯折处距离根部尺寸应大于2mm，以防止引线折断或被拉出。( ) 【答案】错误 8．本征半导体的导电性能强于杂质半导体。( ) 【答案】错误 9．光照越强，温度越高，半导体的导电能力越强，说明半导体有光敏性和热敏性其实质是一样的。( ) 【答案】错误 【详解】光敏性表现为对光照的敏感，热敏性表现为对温度的敏感。 10．在半导体内部，型半导体只有电子是载流子。( ) 【答案】错误 11．无论什么状态下，P型半导体由于载流子是空穴，所以对外显正电性。( ) 【答案】错误 12．将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背，就可以得到一只二极管。( ) 【答案】错误 【详解】二极管内部核心结构是一个PN结，PN结需要特殊的工艺才能得到。 13．把一块P型半导体和一块N型半导体紧紧结合在一起，在结合处就能形成一个PN结。( ) 【答案】错误 14．在组装电子产品时，一般情况下对元件的筛选，主要是核查元器件的型号和规格，可不进行外观检查。( ) 【答案】错误 15．因为P型半导体多数载流子是带正电的空穴，所以P型半导体呈正电性。( ) 【答案】错误 16．少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。( ) 【答案】正确 【详解】P型半导体掺入了三价元素，所以空穴较多，即多子是空穴，少子是自由电子。 17．N型半导体中的多数载流子是电子，电子带负电，因此N型半导体带负电。( ) 【答案】错误 18．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( ) 【答案】正确 【详解】电场使得电子和空穴获得能量，加速了它们的定向运动，减少了它们在材料内部复合的机会。而且，外电场还可以从半导体的其他区域或者接触的电极处吸引更多的载流子进入电场作用区域，从而增强了电子电流和空穴电流。 19．本征半导体内部没有空穴和自由电子。( ) 【答案】错误 20．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。( ) 【答案】错误 二、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 21．半导体中传导电流的载流子是（    ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 【答案】C 【详解】半导体材料通常由两种不同类型的输运载流子组成：电子和空穴。 22．以下会影响电子元器件性能的因素是（   ） A．静电 B．潮湿 C．振动 D．以上都是 【答案】D 【详解】静电、潮湿、振动等都会影响电子元器件的性能。所以选择 D 选项。 23．P型半导体是（    ） A．纯净半导体 B．掺杂半导体 C．带正电的 D．带负电的 【答案】B 【详解】纯净半导体掺杂之后区分N型或P型半导体。 24．PN结中，哪一侧是正电荷区（   ） A．P区 B．N区 C．无法确定 D．两侧都是 【答案】A 【详解】在PN结中，P型半导体区域由于空穴浓度高，呈现出正电性，而N型半导体区域由于电子浓度高，呈现出负电性。因此，正电荷区是P区。 25．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（   ） A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 【答案】A 26．下列选项中，不属于对助焊剂的要求的是（   ） A．常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B．在焊接过程中具有较高的活化性、较低的表面张力，黏度和比重应小于焊料 C．绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D．不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 【答案】D 27．某一集成电路的引脚如图所示，则1脚是（   ） A．a B．b C．c D．d 【答案】C 28．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 【答案】B 【详解】PN 结加反向电压时，处于截止状态，电流很小。所以选择 B 选项。 29．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（    ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 【答案】C 【详解】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。 30．杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。（   ） A．大于 B．等于 C．小于 D．无法比较 【答案】C 31．P型半导体中，多数载流子和少数载流子分别是（   ） A．空穴、电子 B．电子、空穴 C．正离子、负离子 D．负离子、正离子 【答案】A 32．单向晶闸管由4块掺杂半导体组成，三极管由3块掺杂半导体组成，二极管由2块掺杂半导体组成，（    ） A．一只二极管，一只三极管组合具有一只单向晶闸管的功能 B．两只三极管组合后可具有一只单向晶闸管的功能 C．二极管与三极管任何组合形式均不会有一只单向晶闸管的功能 D．两只二极管串联具有一只单向晶闸管的功能 【答案】B 33．PN 结的反向电流（   ） A．随反向电压增大而增大 B．随反向电压增大而减小 C．基本不变 D．先增大后减小 【答案】C 【详解】PN 结的反向电流在一定范围内基本不变。所以选择 C 选项。 34．（单选）N型半导体中的多数载流子是（   ） A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．负离子 【答案】A 35．PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（     ） A．多子扩散 B．少子扩散 C．少子漂移 D．多子漂移 【答案】A 【详解】如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。 这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。 36．当温度不变，PN结的反向电压增大时，将导致（   ） A．空间电荷区不变，反向电流减小 B．空间电荷区变窄，反向电流减小 C．空间电荷区变宽，反向电流基本不变 D．空间电荷区和反向电流均保持不变 【答案】C 37．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于杂质浓度，而少数载流子浓度则与______有很大关系。（   ） A．温度 B．电压 C．杂质浓度 D．电流 【答案】A 38．P型半导体中的多数载流子是（   ） A．自由电子 B．空穴 C．三价杂质原子 D．三价杂质离子 【答案】B 39．结加正向电压时，空间电荷区将（   ） A．变窄 B．基本不变 C．变宽 D．无法确定 【答案】A 40．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（   ） A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子 C．P型半导体，其少子为空穴 D．N型半导体，其多子为空穴 【答案】B 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