第50卷 常用半导体器件 专题训练卷《电子技术基础与技能》内蒙古自治区(对口招生)机电类 考纲百套卷
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内容正文:
编写说明:内蒙古自治区《机电类考纲百套卷》,依据《内蒙古自治区高等职业院校对口招收中等职业学校毕业生机电类专业综合考试指导纲要》编写。本专辑涵盖电工基础、电子基础、机械基础模块,且每个课程均采用三阶递进式训练体系:基础层(具象化支架)拆解考点为微目标,紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷;巩固层(关联性支架)强化知识交叉与场景关联,按考纲专题编写专题训练卷;应用层(引导性支架)聚焦综合提升,结合知识模块与教材编写课程综合卷。
本试卷是第50卷专题训练卷,按《电子技术基础与技能》中的《常用半导体器件》范围和要求编写。具体内容为1.掌握二极管的结构、类型及单向导电性;2.掌握二极管的伏安特性及主要参数(死区电压、正向导通压降、反向饱和电流);3.了解稳压二极管的工作特性及稳压管稳压电路的基本原理。4.掌握三极管的结构、三个管脚名称及电流放大作用;5.掌握三极管的三种工作状态(截止、放大、饱和)及其偏置条件;6.掌握三极管的输入特性曲线和输出特性曲线。
内蒙古自治区《机电类考纲百套卷》 第50卷
《电子技术基础与技能》
常用半导体器件 专题训练卷
考试时间60分钟 满分100分
班级 姓名 学号 成绩
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
1.对于晶体二极管,如果正极电位较负极电位更低,则该二极管处于什么状态?( )
A.正向偏置 B.内部正向偏置
C.反向偏置 D.不偏置
2.如图所示为某二极管的伏安特性曲线,下列说法正确的是( )
A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大
C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏
3.稳压二极管工作在( )
A.正向导通区 B.反向截止区
C.反向击穿区 D.死区
4.稳压二极管要处于稳压状态,应工作在( )
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.空间电荷区
5.两只硅稳压管的稳压值分别为8V和6V,将它们串联使用时,可获得的稳压值可能是( )
A.14V,7.3V,5.3V,1.4V
B.14V,8.3V,6.3V,1.4V
C.14V,8.3V,6.3V,0.6V
D.14V,8.7V,6.7V,1.4V
6.发光二极管的工作区域是( )
A.正向导通区 B.反向截止区
C.死区 D.反向击穿区
7.一般发光二极管外壳上印有绿点的一端是二极管的( )
A.正极 B.负极 C.阳极 D.阴极
8.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线( )
A.VD-ID B.VD-rD C.ID-RD D.f-ID
9.三极管内部有___个PN结( )
A.1 B.2 C.3 D.0
10.三极管的主要参数中,哪个参数反映了三极管放大电流的能力( )
A.电流放大倍数 B.反向饱和电流
C.击穿电压 D.门限电压
11.下面图形符号中,表示 NPN 型三极管的是( )
A. B. C. D.
12.下列关于三极管的说法,错误的是( )
A.三极管具有电流放大作用
B.三极管的集电极电流总是小于发射极电流
C.三极管工作在饱和区时,相当于开关闭合
D.三极管可以工作在截止区、放大区和饱和区之外的区域
13.如图所示为晶体管共发射极输出特性曲线,图中区域①代表的是( )
A.饱和区 B.放大区 C.截止区 D.击穿区
14.晶体管的 ICEO 大,说明其( )
A.工作电流大 B.击穿电压高
C.热稳定性差 D.寿命长
15.基本放大电路中,9011型三极管处于放大状态时,三者电位关系是( )
A.UC>UE>UB B.UC>UB>UE C.UE>UB>UC D.UE>UC>UB
二、填空题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
16.电路如图所示,二极管导通电压为,则输出电压为______。
17.稳压二极管工作在击穿区,反向电流的变化很大,但管子两端电压变化很小,这就是稳压管的___特性。
18.稳压二极管的工作区域是______区,发光二极管工作在______区。
19.三极管工作在正常放大状态的条件是:发射结_________,集电结__________。三极管处于饱和状态时的外部条件是发射结加___________偏置电压,集电结加___________偏置电压。
20.三极管内电流的分配关系是______=______。
21.数字电路中的三极管只工作于______________、_____________两种状态。
22.三极管在放大电路正常工作时_____结必须正偏,______结必须反偏
23.二极管的伏安特性按照二极管的不同偏置状态,可分为______特性和______特性。
24.工作在截止和饱和状态的三极管可作为_________器件。
25.三极管饱和导通的条件是_____________;截止条件是______________。
三、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
26.绘出硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,并标出各区。
27. 什么是三极管的电流放大作用;什么是三极管的恒流特性。
四、综合计算题(本大题共1小题,每小题20分,共20分)
28.如图所示电路中,稳压管的稳定电压,图中电压表流过的电流忽略不计,试求:
(1)当开关S闭合时,电压表V和电流表、的读数分别为多少?
(2)当开关S断开时,电压表V和电流表、的读数分别为多少?
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编写说明:内蒙古自治区《机电类考纲百套卷》,依据《内蒙古自治区高等职业院校对口招收中等职业学校毕业生机电类专业综合考试指导纲要》编写。本专辑涵盖电工基础、电子基础、机械基础模块,且每个课程均采用三阶递进式训练体系:基础层(具象化支架)拆解考点为微目标,紧扣考纲“掌握”“理解”要求编写考点训练卷;巩固层(关联性支架)强化知识交叉与场景关联,按考纲专题编写专题训练卷;应用层(引导性支架)聚焦综合提升,结合知识模块与教材编写课程综合卷。
本试卷是第50卷专题训练卷,按《电子技术基础与技能》中的《常用半导体器件》范围和要求编写。具体内容为1.掌握二极管的结构、类型及单向导电性;2.掌握二极管的伏安特性及主要参数(死区电压、正向导通压降、反向饱和电流);3.了解稳压二极管的工作特性及稳压管稳压电路的基本原理。4.掌握三极管的结构、三个管脚名称及电流放大作用;5.掌握三极管的三种工作状态(截止、放大、饱和)及其偏置条件;6.掌握三极管的输入特性曲线和输出特性曲线。
内蒙古自治区《机电类考纲百套卷》 第50卷
《电子技术基础与技能》
常用半导体器件 专题训练卷
考试时间60分钟 满分100分
班级 姓名 学号 成绩
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
1.对于晶体二极管,如果正极电位较负极电位更低,则该二极管处于什么状态?( )
A.正向偏置 B.内部正向偏置
C.反向偏置 D.不偏置
【答案】C
【详解】当晶体二极管的正极电位比负极电位更低时,这意味着正极电位相对于负极更为负,二极管处于反向偏置状态。
因此,正确答案是 C。
2.如图所示为某二极管的伏安特性曲线,下列说法正确的是( )
A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大
C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏
【答案】B
3.稳压二极管工作在( )
A.正向导通区 B.反向截止区
C.反向击穿区 D.死区
【答案】C
【详解】稳压二极管工作在反向击穿区。
4.稳压二极管要处于稳压状态,应工作在( )
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.空间电荷区
【答案】C
【详解】本题考查稳压二极管处于稳压状态时工作在反击穿区,当稳压二极管处于正向导通时与普通二极管的作用相同,由于制作稳压二极管的材料为硅材料,因此当稳压二极管处于正向导通时,正向压降为0.7V。
5.两只硅稳压管的稳压值分别为8V和6V,将它们串联使用时,可获得的稳压值可能是( )
A.14V,7.3V,5.3V,1.4V
B.14V,8.3V,6.3V,1.4V
C.14V,8.3V,6.3V,0.6V
D.14V,8.7V,6.7V,1.4V
【答案】D
6.发光二极管的工作区域是( )
A.正向导通区 B.反向截止区
C.死区 D.反向击穿区
【答案】A
7.一般发光二极管外壳上印有绿点的一端是二极管的( )
A.正极 B.负极 C.阳极 D.阴极
【答案】B
【详解】一般发光二极管外壳上印有绿点的一端是负极。选择B选项。
8.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线( )
A.VD-ID B.VD-rD C.ID-RD D.f-ID
【答案】A
【详解】二极管的伏安特性曲线反映的是二极管两端电压VD与流过二极管的电流ID的关系。
9.三极管内部有___个PN结( )
A.1 B.2 C.3 D.0
【答案】B
【详解】三极管的核心结构是两个PN结。
10.三极管的主要参数中,哪个参数反映了三极管放大电流的能力( )
A.电流放大倍数 B.反向饱和电流
C.击穿电压 D.门限电压
【答案】A
【详解】三极管的主要参数中,电流放大倍数反映了三极管放大电流的能力。
11.下面图形符号中,表示 NPN 型三极管的是( )
A. B. C. D.
【答案】A
12.下列关于三极管的说法,错误的是( )
A.三极管具有电流放大作用
B.三极管的集电极电流总是小于发射极电流
C.三极管工作在饱和区时,相当于开关闭合
D.三极管可以工作在截止区、放大区和饱和区之外的区域
【答案】D
【详解】三极管只能工作在截止区、放大区和饱和区,不存在之外的区域。选择D选项。
13.如图所示为晶体管共发射极输出特性曲线,图中区域①代表的是( )
A.饱和区 B.放大区 C.截止区 D.击穿区
【答案】A
14.晶体管的 ICEO 大,说明其( )
A.工作电流大 B.击穿电压高
C.热稳定性差 D.寿命长
【答案】A
【详解】 ICEO大意味着晶体管的集 - 射极之间存在较大的漏电流。当温度升高时,这种漏电流会迅速增大,因为 ICEO受温度影响较大,会导致晶体管的工作状态很容易受温度变化的影响,所以说明其热稳定性差。选C。
15.基本放大电路中,9011型三极管处于放大状态时,三者电位关系是( )
A.UC>UE>UB B.UC>UB>UE C.UE>UB>UC D.UE>UC>UB
【答案】B
二、填空题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
16.电路如图所示,二极管导通电压为,则输出电压为______。
【答案】2
17.稳压二极管工作在击穿区,反向电流的变化很大,但管子两端电压变化很小,这就是稳压管的___特性。
【答案】稳压
18.稳压二极管的工作区域是______区,发光二极管工作在______区。
【答案】 反向击穿 正向导通
19.三极管工作在正常放大状态的条件是:发射结_________,集电结__________。三极管处于饱和状态时的外部条件是发射结加___________偏置电压,集电结加___________偏置电压。
【答案】 正偏 反偏 正向 正向
20.三极管内电流的分配关系是______=______。
【答案】
21.数字电路中的三极管只工作于______________、_____________两种状态。
【答案】 饱和 截止
22.三极管在放大电路正常工作时_____结必须正偏,______结必须反偏
【答案】 发射 集电
23.二极管的伏安特性按照二极管的不同偏置状态,可分为______特性和______特性。
【答案】 正向 反向
24.工作在截止和饱和状态的三极管可作为_________器件。
【答案】开关
【详解】工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件。
25.三极管饱和导通的条件是_____________;截止条件是______________。
【答案】 IB ≥ IBS = VCC/(βRC) UBE ≤ 0
【详解】三极管饱和导通的条件是IB ≥ IBS = VCC /(βRC);截止条件是UBE ≤ 0。
三、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
26.绘出硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,并标出各区。
【答案】二极管伏安特性曲线分区是死区、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
27.什么是三极管的电流放大作用;什么是三极管的恒流特性。
【答案】电流放大作用是当Ib有一微小变化时,就能引起Ic较大的变化。三极管的恒流特性是当Ib一定时,1c不随Uce的变化而变化
四、综合计算题(本大题共1小题,每小题20分,共20分)
28.如图所示电路中,稳压管的稳定电压,图中电压表流过的电流忽略不计,试求:
(1)当开关S闭合时,电压表V和电流表、的读数分别为多少?
(2)当开关S断开时,电压表V和电流表、的读数分别为多少?
【答案】(1)8.6mA、8.6mA
(2)6.67mA、0A
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