第30卷 场效晶体管与谐振放大器 山东省(职教高考)电气技术类专业《电子技术基础及应用考点双析卷》
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编写说明:山东省(春季高考)统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑,依据2026年山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第30卷精准对标山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》:
(一)掌握内容:场效晶体管与谐振放大器
山东省电气技术类专业综合理论考试
《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第30卷
场效晶体管与谐振放大器 学生练习卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
1.如图代表 的符号( )
A.增强型NMOS B.耗尽型PMOS C.增强型PMOS D.耗尽型NMOS
2.场效晶体管的转移特性曲线是( )
A. B.
C. D.
3.如下图所示,该符号代表的 MOS 管是( )
A.增强型 NMOS 管 B.耗尽型 NMOS 管
C.增强型 PMOS 管 D.耗尽型 PMOS 管
4.场效应管放大器中,自偏压电路适用于 型场效应管。( )
A.增强型N沟道 B.增强型P沟道
C.耗尽型N沟道 D.以上都不是
5.和三极管相比较,关于场效应晶体管下面说法错误的是( )
A.温度稳定性好 B.输入电阻高 C.噪声小 D.输出电阻高
6.在自激振荡中( )
A.LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波
B.石英晶体振荡器不能产生正弦波
C.电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大
D.电容三点式振荡器的振荡频率不高
7.电路如图所示,以下说法正确的是( )
A.电路不满足振幅平衡条件,故不能自激振荡
B.电路不满足相位平衡条件,故不能自激振荡
C.电路不满足振幅及相位平衡条件,故不能自激振荡
D.电路满足相位平衡条件,且结构合理,故有可能自激振荡
8.耗尽型 MOS 管与增强型 MOS 管的核心区别是( )
A.导电类型 B.控制方式 C.有无原始沟道 D.功耗
9.场效应管的符号如图所示,则它是( )
A.N沟道增强型 B.P沟道增强型 C.N沟道耗尽型 D.P沟道耗尽型
10.增强型 NMOS 管的开启电压 UT 为( )
A.正值 B.负值 C.零 D.不确定
二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
11.NMOS推挽驱动电路中两个三极管在工作时一起导通,一起截止。( )
12.正弦波振荡器中如果没有选频网络,就不能引起自激振荡。( )
13.增强型场效应管的输入电阻大,因此其输入端可以悬空。( )
14.自激振荡器不需要输入信号,就能产生信号。( )
15.与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。( )
三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分)
16.场效应管跨导 gm 的单位通常是____(写中文)。
17.场效应管依靠____载流子导电,属于单极型晶体管。
18.正弦波振荡器由放大器、______和______组成。
19.如图所示为______场效晶体管的输出特性曲线。
20.场效应管是一种______控制型器件,具有______,噪声低等优点。场效应管的3只引脚分别是______、______和______。(选做题)
四、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
21.判断如图所示各电路能否产生振荡,若不能产生振荡,请指出错误原因,并进行改正,将结果填入表中。
表
图(a)
图(b)
图(c)
能否产生振荡
不能产生振荡的原因
改正措施
22.画出N沟道结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管的电路符号,并标出各电极。
5、 综合应用题(20分)
23.已知某 N 沟道结型场效应管的IDSS=6mA,夹断电压 VP=-3V,求 VGS=-1V 时的漏极电流 ID。
试卷第1页,共3页
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学科网(北京)股份有限公司
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编写说明:山东省(春季高考)统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑,依据2026年山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第30卷精准对标山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》:
(一)掌握内容:场效晶体管与谐振放大器
山东省电气技术类专业综合理论考试
《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第30卷
场效晶体管与谐振放大器 学生练习卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
1.如图代表 的符号( )
A.增强型NMOS B.耗尽型PMOS C.增强型PMOS D.耗尽型NMOS
【答案】A
2.场效晶体管的转移特性曲线是( )
A. B.
C. D.
【答案】A
3.如下图所示,该符号代表的 MOS 管是( )
A.增强型 NMOS 管 B.耗尽型 NMOS 管 C.增强型 PMOS 管 D.耗尽型 PMOS 管
【答案】C
4.场效应管放大器中,自偏压电路适用于 型场效应管。( )
A.增强型N沟道 B.增强型P沟道
C.耗尽型N沟道 D.以上都不是
【答案】C
5.和三极管相比较,关于场效应晶体管下面说法错误的是( )
A.温度稳定性好 B.输入电阻高 C.噪声小 D.输出电阻高
【答案】D
6.在自激振荡中( )
A.LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波
B.石英晶体振荡器不能产生正弦波
C.电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大
D.电容三点式振荡器的振荡频率不高
【答案】C
【详解】A:LC振荡器和RC振荡器通常可以产生正弦波,但并非绝对。若电路参数设置不当或存在干扰等因素,可能产生非正弦波,甚至无法起振,该选项错误。
B:石英晶体振荡器能产生非常稳定的正弦波信号,在通信、电子钟表等众多需要稳定时钟信号的领域广泛应用,该选项错误。
C:电感三点式振荡器中,反馈信号取自电感,由于电感对高次谐波的阻抗较大,使得输出波形中高次谐波成分相对较多,正弦波失真较大,该选项正确。
D:电容三点式振荡器的振荡频率可以做得较高,与电感三点式相比,其输出波形好,频率稳定性高,能达到较高频率,该选项错误。
7.电路如图所示,以下说法正确的是( )
A.电路不满足振幅平衡条件,故不能自激振荡
B.电路不满足相位平衡条件,故不能自激振荡
C.电路不满足振幅及相位平衡条件,故不能自激振荡
D.电路满足相位平衡条件,且结构合理,故有可能自激振荡
【答案】B
8.耗尽型 MOS 管与增强型 MOS 管的核心区别是( )
A.导电类型 B.控制方式 C.有无原始沟道 D.功耗
【答案】C
9.场效应管的符号如图所示,则它是( )
A.N沟道增强型 B.P沟道增强型 C.N沟道耗尽型 D.P沟道耗尽型
【答案】C
10.增强型 NMOS 管的开启电压 UT 为( )
A.正值 B.负值 C.零 D.不确定
【答案】A
二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
11.NMOS推挽驱动电路中两个三极管在工作时一起导通,一起截止。( )
【答案】错误
12.正弦波振荡器中如果没有选频网络,就不能引起自激振荡。( )
【答案】正确
【详解】选频网络的主要作用是从放大器输出的各种频率成分中选择出某一特定频率的信号,使得振荡器能够输出单一频率的正弦波信号。它能够对不同频率的信号呈现出不同的相移和衰减特性。
所以正弦波振荡器中如果没有选频网络,就不能引起自激振荡。
13.增强型场效应管的输入电阻大,因此其输入端可以悬空。( )
【答案】错误
14.自激振荡器不需要输入信号,就能产生信号。( )
【答案】正确
15.与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。( )
【答案】正确
三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分)
16.场效应管跨导 gm 的单位通常是____(写中文)。
【答案】毫西门子
17.场效应管依靠____载流子导电,属于单极型晶体管。
【答案】多数
18.正弦波振荡器由放大器、______和______组成。
【答案】 选频网络 正反馈
19.如图所示为______场效晶体管的输出特性曲线。
【答案】N沟道增强型MOS管
【详解】开启电压为是正值,是沟道增强型MOS管。
20.场效应管是一种______控制型器件,具有______,噪声低等优点。场效应管的3只引脚分别是______、______和______。(选做题)
【答案】 电压 输入电阻高 源极 漏极 栅极
四、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
21.判断如图所示各电路能否产生振荡,若不能产生振荡,请指出错误原因,并进行改正,将结果填入表中。
表
图(a)
图(b)
图(c)
能否产生振荡
不能产生振荡的原因
改正措施
【答案】
22.画出N沟道结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管的电路符号,并标出各电极。
【答案】
5、 综合应用题(20分)
23.已知某 N 沟道结型场效应管的IDSS=6mA,夹断电压 VP=-3V,求 VGS=-1V 时的漏极电流 ID。
【答案】
试卷第1页,共3页
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