第29卷 场效晶体管与谐振放大器 山东省（职教高考）电气技术类专业《电子技术基础及应用考点双析卷》

编写说明：山东省（春季高考）统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑，依据2026年山东省（春季高考）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第29卷精准对标山东省（春季高考）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》： （一）掌握内容：场效晶体管与谐振放大器 山东省电气技术类专业综合理论考试 《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第29卷 场效晶体管与谐振放大器 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共10小题，每小题3分，共30分） 1．增强型 MOS 管在 VGS=0 时， 原始导电沟道​。（   ） A．有​ B．没有​ C．不确定​ D．以上都对​ 【答案】B 2．增强型NMOS效应管工作时，应加上 栅源电压（   ） A．正向 B．反向 C．0 D．正向或反向 【答案】A 3．场效应晶体管的放大区又称为（    ） A．截止区 B．击穿区 C．导通区 D．饱和区 【答案】D 4．如图所示，N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP 约为（   ）​ A．-2V​ B．-3.4V​ C．2V​ D．3.4V​ 【答案】B 5．某一振荡电路的反馈系数，要使该电路产生自激振荡，则其放大器的放大倍数应（   ） A． B． C． D． 【答案】C 6．共栅极型场效应管数码管的公共端应接（   ） A．地 B．电源 C．不确定，取决于具体电路 D．以上都不对 【答案】C 【详解】共栅极型场效应管数码管的公共端接法取决于具体的电路设计和要求，不能简单地确定是接电源还是地。所以选择C选项。 7．如图所示电路符号代表 型场效应管（   ） A．耗尽型 MOS B．耗尽型NMOS C．增强型PMOS D．增强型NMOS 【答案】D 8．场效应管放大器中，自偏压电路适用于 型场效应管。（    ） A．增强型N沟道 B．增强型P沟道 C．耗尽型N沟道 D．以上都不是 【答案】C 9．已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（   ） A．增强型PMOS B．增强型NMOS C．耗尽型PMOS D．耗尽型NMOS 【答案】B 【详解】对于 N 沟道增强型场效应管（NMOS），当时UGS=0，ID=0，只有当UGS增大到开启电压时，才有漏极电流ID。从图中可以看出，当UGS=0时，ID=0，且随着UGS增大，ID增大，所以该场效应管是增强型 NMOS。 10．增强型 NMOS 管的开启电压 UT 为（   ）​ A．正值​ B．负值​ C．零​ D．不确定​ 【答案】A 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 11．NMOS场效应管存放时，栅极是允许悬空的。( ) 【答案】错误 12．增强型场效应管的输入电阻大，因此其输入端可以悬空。( ) 【答案】错误 13．放大器必须同时满足相位平衡条件和振幅条件才能产生自激振荡。( ) 【答案】正确 【详解】只有同时满足相位平衡条件和振幅平衡条件，反馈信号才能在相位和幅度上都合适，从而在放大器的输出端产生持续的、频率和幅度相对稳定的自激振荡。如果仅满足其中一个条件，都无法产生稳定的自激振荡。 14．全部场效应管放大电路的偏置电路可以采用自偏压电路。( ) 【答案】错误 【详解】这种说法是错误的。 并非全部场效应管放大电路的偏置电路都可以采用自偏压电路，只有耗尽型场效应管放大电路能采用自偏压电路，增强型场效应管放大电路一般不能采用。    耗尽型场效应管在UGS=0时就有导电沟道，可通过自偏压电路产生合适的栅源偏压，使管子工作在合适的区域。而增强型场效应管在UGS=0时没有导电沟道，必须在栅源之间加一定的正向电压才能形成沟道，自偏压电路无法为其提供合适的正向偏压，通常采用分压式偏置电路等其他偏置方式来设置合适的工作点。 15．NMOS仅表示增强型绝缘栅型场效应管。( ) 【答案】错误 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 16．正弦波振荡器由放大器、______和______组成。 【答案】 选频网络 正反馈 17．作放大作用时，场效应管应工作在______（截止区，饱和区，可变电阻区） 【答案】饱和区 【详解】作放大作用时，场效应管应工作在饱和区。    场效应管有三个工作区域，分别是截止区、饱和区和可变电阻区。 在饱和区，场效应管的漏极电流几乎不随漏源电压的增加而变化，主要受栅源电压控制，此时场效应管具有恒流特性，能将输入信号的变化以较为稳定的比例转换为输出电流或电压的变化，实现信号的放大功能。 18．绝缘栅型场效应管由金属、氧化物、半导体组成，简称_____管。​ 【答案】MOS 19．场效应管具有输入电阻很______、抗干扰能力强等特点。 【答案】高 【详解】场效应管具有输入电阻很高、抗干扰能力强等特点。 原因：场效应管是电压控制型器件，其栅极和源极之间一般是绝缘的（如 MOSFET 的栅极和沟道之间有二氧化硅绝缘层），所以输入电阻非常高，可以达到107到1015。高输入电阻使得场效应管从信号源吸取的电流极小，对前级电路的影响小，同时也能有效抑制外界的电磁干扰等，从而表现出很强的抗干扰能力。   20．场效应管具有输入电阻很_______、抗干扰能力_______等特点。 【答案】 高 强 四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 21．图为某场效应管的输出特性曲线。 (1)判断该场效应管的类型； (2)求该管饱和漏极电流； (3)求该管夹断电压。 【答案】(1)该场效应管的类型为P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 (2) (3)夹断电压为+3V。 22．画出N沟道结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管的电路符号，并标出各电极。 【答案】 5、 综合应用题（20分） 23．已知某场效应晶体管的特性如图所示，试求： (1)该场效应晶体管的类型。 (2)它的夹断电压VGS（OFF）或开启电压VGS（TH）大约是多少？ (3)它的饱和漏极电流IDSS大约是多少？ 【答案】(1)N沟道耗尽型场效晶体管。 (2)夹断电压为－6V。 (3)漏极电流为8mA。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：山东省（春季高考）统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑，依据2026年山东省（春季高考）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第29卷精准对标山东省（春季高考）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》： （一）掌握内容：场效晶体管与谐振放大器 山东省电气技术类专业综合理论考试 《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第29卷 场效晶体管与谐振放大器 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共10小题，每小题3分，共30分） 1．增强型 MOS 管在 VGS=0 时， 原始导电沟道​。（   ） A．有​ B．没有​ C．不确定​ D．以上都对​ 2．增强型NMOS效应管工作时，应加上 栅源电压（   ） A．正向 B．反向 C．0 D．正向或反向 3．场效应晶体管的放大区又称为（    ） A．截止区 B．击穿区 C．导通区 D．饱和区 4．如图所示，N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP 约为（   ）​ A．-2V​ B．-3.4V​ C．2V​ D．3.4V​ 5．某一振荡电路的反馈系数，要使该电路产生自激振荡，则其放大器的放大倍数应（   ） A． B． C． D． 6．共栅极型场效应管数码管的公共端应接（   ） A．地 B．电源 C．不确定，取决于具体电路 D．以上都不对 7．如图所示电路符号代表 型场效应管（   ） A．耗尽型 MOS B．耗尽型NMOS C．增强型PMOS D．增强型NMOS 8．场效应管放大器中，自偏压电路适用于 型场效应管。（    ） A．增强型N沟道 B．增强型P沟道 C．耗尽型N沟道 D．以上都不是 9．已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（   ） A．增强型PMOS B．增强型NMOS C．耗尽型PMOS D．耗尽型NMOS 10．增强型 NMOS 管的开启电压 UT 为（   ）​ A．正值​ B．负值​ C．零​ D．不确定​ 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 11．NMOS场效应管存放时，栅极是允许悬空的。( ) 12．增强型场效应管的输入电阻大，因此其输入端可以悬空。( ) 13．放大器必须同时满足相位平衡条件和振幅条件才能产生自激振荡。( ) 14．全部场效应管放大电路的偏置电路可以采用自偏压电路。( ) 15．NMOS仅表示增强型绝缘栅型场效应管。( ) 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 16．正弦波振荡器由放大器、______和______组成。 17．作放大作用时，场效应管应工作在______（截止区，饱和区，可变电阻区） 18．绝缘栅型场效应管由金属、氧化物、半导体组成，简称_____管。​ 19．场效应管具有输入电阻很______、抗干扰能力强等特点。 20．场效应管具有输入电阻很_______、抗干扰能力_______等特点。 四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 21．图为某场效应管的输出特性曲线。 (1)判断该场效应管的类型； (2)求该管饱和漏极电流； (3)求该管夹断电压。 22．画出N沟道结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管的电路符号，并标出各电极。 5、 综合应用题（20分） 23．已知某场效应晶体管的特性如图所示，试求： (1)该场效应晶体管的类型。 (2)它的夹断电压VGS（OFF）或开启电压VGS（TH）大约是多少？ (3)它的饱和漏极电流IDSS大约是多少？ 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $