第2卷 二极管（一） 内蒙古自治区（对口招生）电子电工类专业《电子技术模块考点双析卷》

编写说明：内蒙古自治区（对口招生）统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑，依据2026年内蒙古自治区（对口招生）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第2卷精准对标内蒙古自治区（对口招生）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》： （一）掌握内容：二极管（一） 内蒙古自治区电气技术类专业综合理论考试 《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第2卷 二极管（一） 学生练习卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1．二极管正向电阻比反向电阻（    ） A．大 B．小 C．一样大 D．无法确定 【答案】B 2．若把二极管直接同一个电动势为2V，内阻为零的电源实行正向连接，则该管会（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．截止 【答案】C 3．晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于（    ） A．零偏 B．反偏 C．正偏 D．以上均不正确 【答案】B 【详解】因为-5>-10，所以二极管是反偏。 4．如图所示，二极管的状态是（   ） A．导通 B．截止 C．反向击穿 D．无法判断 【答案】B 【详解】把二极管开路，开路电压（左边为+）为5-10=-5V，二极管承受反向电压而截止。 5．要使二极管正向导通，则加在二极管的正向偏置电压应大于（   ） A．死区电压 B．饱和电压 C．击穿电压 D．最高反向工作电压 【答案】A 6．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 【答案】A 【详解】二极管的核心结构是一个PN结。 7．二极管型号中的数字通常表示（   ） A．材料和性能 B．规格和参数 C．生产厂家 D．生产日期 【答案】B 8．在使用万用表检测二极管时，为什么要先将两表笔短接调零（   ） A．为了保护二极管 B．为了保护万用表 C．为了确保测量准确 D．为了预热万用表 【答案】C 【详解】在使用万用表检测二极管之前，将两表笔短接调零是为了确保测量准确，消除万用表自身内阻和接触电阻对测量结果的影响。 9．检测元件D1的质量，应该选用万用表（   ） A．欧姆档 B．电压档 C．二极管档 D．电容档 【答案】C 【详解】测试二极管应选用万用表二极管档位。 10．若二极管的正向电阻远大于反向电阻，这可能表明什么问题（   ） A．二极管正常 B．二极管反向连接 C．二极管损坏 D．无法确定 【答案】C 【详解】若二极管的正向电阻远大于反向电阻，这可能表明二极管内部损坏，无法正常导通电流。 11．在检测二极管时，若万用表正反向测量都显示“OL”或“1”，通常表示什么（   ） A．二极管短路 B．二极管断路 C．二极管正向电阻 D．二极管反向电阻 【答案】B 【详解】当万用表显示“OL”或“1”时，通常表示所测电阻非常大，接近无穷大，说明二极管可能处于断路状态。 12．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 【答案】C 13．二极管伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ）​ A．电压很小，电流很大​ B．电压增大，电流急剧增大​ C．电压反向，电流几乎为零​ D．电压反向增大到一定值，电流急剧增大​ 【答案】B 14．二极管的伏安特性曲线中，正向导通电压通常为（   ） A．0.1V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【详解】硅二极管的正向导通电压通常为0.7V，锗二极管为0.3V。所以选择D选项。 15．当环境温度降低时，晶体二极管的反向电流将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小 【答案】B 【详解】温度降低时，反向饱和电流会减小。 16．关于晶体二极管的正确叙述是（   ） A．普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。 B．普通二极管只发生热击穿，不发生电击穿。 C．硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。 D．普通二极管发生击穿后，不可逆转，必然损坏。 【答案】A 17．下列关于二极管温度特性的说法，错误的是（   ） A．温度升高，反向电流增大 B．温度升高，正向压降增大 C．温度升高，导通电压降低 D．温度升高，反向击穿电压降低 【答案】B 【详解】温度升高，正向压降减小，不是增大。 18．硅二极管的死区电压为______，锗二极管的导通电压为______。（    ） A．0.3V  0.1V B．0.5V  0.3V C．0.5V  0.1V D．0.7V  0.3V 【答案】B 19．某锗二极管反向击穿电压为40V，则其最高反向工作电压约为（   ） A．40V B．80V C．20V D．10V 【答案】C 20．若二极管的反向击穿电压为 100V，则其最高反向工作电压应选（   ）​ A．100V​ B．80V​ C．50V​ D．200V​ 【答案】C 二、填空题（本大题共15空，每空2分，共30分） 21．如题图所示的电路中，Uo=___V。（设二极管为硅管） 【答案】6 22．如图所示电路，A点的电位为______V。 【答案】11 【详解】根据二极管的单向导电性，可知截止，导通，又因为二极管均为理想二极管，故管相当于导线，点电位为。 23．电路如图所示，二极管导通电压为，则输出电压为______。 【答案】2 24．当二极管两端加正向电压时，它的动态电阻随正向电流的增加而______。 【答案】减小 25．使用二极管前要先判别其__________，并检查质量好坏，否则电路不仅不能正常工作，而且可能烧坏二极管和其他元器件。 【答案】极性 26．二极管的伏安特性曲线反映的是二极管______的关系曲线。 【答案】VD－ID 27．如图所示的二极管的伏安特性曲线中，虚线是___半导体材料。（选填：硅/锗） 【答案】锗 28．普通二极管的两个极限参数是最大整流电流和___。 【答案】最高反向工作电压 29．二极管的反向饱和电流会随______升高而增大。 【答案】温度 30．硅管的热稳定性比锗管______，故一般采用______材料制成稳压二极管。 【答案】 好 硅 31．二极管按管芯的结构不同，可以分为______、______和平面形。 【答案】 点接触型 面接触型 32．二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、_______区和_______区四个工作 【答案】 反向截止 反向击穿 三、简答题（本大题共2小题，每题5分，共10分） 33．选用二极管时主要考虑哪些参数，请写出这些参数的含义。 【答案】最大整流电流，最高反向工作电压。 34．已知某硅二极管的伏安特性曲线近似为：当正向电压 V>0.7V 时，正向电流 I=（V-0.7）/100（单位：A）。若该二极管两端加正向电压 1.2V，求通过二极管的正向电流。​ 【答案】解：将V=1.2V 代入公式， 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：内蒙古自治区（对口招生）统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑，依据2026年内蒙古自治区（对口招生）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第2卷精准对标内蒙古自治区（对口招生）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》： （一）掌握内容：二极管（一） 内蒙古自治区电气技术类专业综合理论考试 《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第2卷 二极管（一） 学生练习卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1．二极管正向电阻比反向电阻（    ） A．大 B．小 C．一样大 D．无法确定 2．若把二极管直接同一个电动势为2V，内阻为零的电源实行正向连接，则该管会（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．截止 3．晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于（    ） A．零偏 B．反偏 C．正偏 D．以上均不正确 4．如图所示，二极管的状态是（   ） A．导通 B．截止 C．反向击穿 D．无法判断 5．要使二极管正向导通，则加在二极管的正向偏置电压应大于（   ） A．死区电压 B．饱和电压 C．击穿电压 D．最高反向工作电压 6．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 7．二极管型号中的数字通常表示（   ） A．材料和性能 B．规格和参数 C．生产厂家 D．生产日期 8．在使用万用表检测二极管时，为什么要先将两表笔短接调零（   ） A．为了保护二极管 B．为了保护万用表 C．为了确保测量准确 D．为了预热万用表 9．检测元件D1的质量，应该选用万用表（   ） A．欧姆档 B．电压档 C．二极管档 D．电容档 10．若二极管的正向电阻远大于反向电阻，这可能表明什么问题（   ） A．二极管正常 B．二极管反向连接 C．二极管损坏 D．无法确定 11．在检测二极管时，若万用表正反向测量都显示“OL”或“1”，通常表示什么（   ） A．二极管短路 B．二极管断路 C．二极管正向电阻 D．二极管反向电阻 12．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 13．二极管伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ）​ A．电压很小，电流很大​ B．电压增大，电流急剧增大​ C．电压反向，电流几乎为零​ D．电压反向增大到一定值，电流急剧增大​ 14．二极管的伏安特性曲线中，正向导通电压通常为（   ） A．0.1V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 15．当环境温度降低时，晶体二极管的反向电流将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小 16．关于晶体二极管的正确叙述是（   ） A．普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。 B．普通二极管只发生热击穿，不发生电击穿。 C．硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。 D．普通二极管发生击穿后，不可逆转，必然损坏。 17．下列关于二极管温度特性的说法，错误的是（   ） A．温度升高，反向电流增大 B．温度升高，正向压降增大 C．温度升高，导通电压降低 D．温度升高，反向击穿电压降低 18．硅二极管的死区电压为______，锗二极管的导通电压为______。（    ） A．0.3V  0.1V B．0.5V  0.3V C．0.5V  0.1V D．0.7V  0.3V 19．某锗二极管反向击穿电压为40V，则其最高反向工作电压约为（   ） A．40V B．80V C．20V D．10V 20．若二极管的反向击穿电压为 100V，则其最高反向工作电压应选（   ）​ A．100V​ B．80V​ C．50V​ D．200V​ 二、填空题（本大题共15空，每空2分，共30分） 21．如题图所示的电路中，Uo=___V。（设二极管为硅管） 22．如图所示电路，A点的电位为______V。 23．电路如图所示，二极管导通电压为，则输出电压为______。 24．当二极管两端加正向电压时，它的动态电阻随正向电流的增加而______。 25．使用二极管前要先判别其__________，并检查质量好坏，否则电路不仅不能正常工作，而且可能烧坏二极管和其他元器件。 26．二极管的伏安特性曲线反映的是二极管______的关系曲线。 27．如图所示的二极管的伏安特性曲线中，虚线是___半导体材料。（选填：硅/锗） 28．普通二极管的两个极限参数是最大整流电流和___。 29．二极管的反向饱和电流会随______升高而增大。 30．硅管的热稳定性比锗管______，故一般采用______材料制成稳压二极管。 31．二极管按管芯的结构不同，可以分为______、______和平面形。 32．二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、_______区和_______区四个工作 三、简答题（本大题共2小题，每题5分，共10分） 33．选用二极管时主要考虑哪些参数，请写出这些参数的含义。 34．已知某硅二极管的伏安特性曲线近似为：当正向电压 V>0.7V 时，正向电流 I=（V-0.7）/100（单位：A）。若该二极管两端加正向电压 1.2V，求通过二极管的正向电流。​ 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $