第1卷 二极管(一) 内蒙古自治区(对口招生)电子电工类专业《电子技术模块考点双析卷》
2026-05-11
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内容正文:
编写说明:内蒙古自治区(对口招生)统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑,依据2026年内蒙古自治区(对口招生)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第1卷精准对标内蒙古自治区(对口招生)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》:
(一)掌握内容:二极管(一)
内蒙古自治区电气技术类专业综合理论考试
《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第1卷
二极管(一) 教师讲解卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共20小题,每小题3分,共60分)
1.电路如图所示,则二极管、的状态为( )
A.导通,截止 B.截止,导通
C.、均截止 D.、均导通
【答案】C
2.当硅晶体二极管加上0.3V的正向电压,二极管相当于( )
A.短路 B.断路 C.小电阻 D.无法确定
【答案】B
3.二极管正向导通时,呈现( )
A.较小的非线性电阻 B.较大的非线性电阻
C.较小的线性电阻 D.较大的线性电阻
【答案】A
4.根据晶体二极管的伏安特性的正向区,晶体二极管导通时相当于( )
A.大电阻 B.小电 C.断开的开关 D.接通的开关
【答案】D
5.如图所示,输出电压是( )
A.15V B.5V C.-15V D.-5V
【答案】C
6.下列图形符号中,哪一个是发光二极管的图形符号( )
A. B. C. D.
【答案】B
【详解】本题为高考真题,主要考察发光二极管的图形符号,注意区分A选项与B选项,箭头朝外指才是发光二极管,箭头朝内指是光电二极管。
7.判断二极管极性时,有白色环的一端通常为( )
A.正极 B.负极 C.不确定 D.以上都不对
【答案】B
【详解】有白色环的一端通常为负极。所以选择 B 选项。
8.某二极管的型号为1N4007,其中“7”表示( )
A.额定电流 B.反向击穿电压 C.工作频率 D.放大倍数
【答案】B
【详解】1N4007中的“7”表示反向击穿电压为1000V。选择B选项。
9.用指针式万用表挡测量电阻时,指针在30刻度处,被测电阻的阻值约为( )
A.30Ω B.300Ω C.3kΩ D.30kΩ
【答案】C
10.用数字式万用表测量小功率二极管极性时,应选用( )
A.二极管挡 B.直流电压挡 C.交流电压挡 D.电阻挡
【答案】A
【详解】用数字式万用表测量小功率二极管极性时,应选用二极管挡,A选项正确。
11.测量二极管正向电阻时,万用表应选择 挡位( )
A.电阻×1 B.电阻×10 C.电阻×100 D.电阻×1k
【答案】C
【详解】测量二极管正向电阻时,一般选择电阻×100挡位。选择C选项。
12.稳压二极管的工作区域是( )
A.正向导通区 B.反向截止区
C.死区 D.反向击穿区
【答案】D
13.如图所示为某二极管的伏安特性曲线,下列说法正确的是( )
A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大
C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏
【答案】B
14.下列选项中,二极管为硅管,工作于正常导通状态的是( )
A.-100V-50V B.4.3V5V
C.10V7.2V D.-12-11.7V
【答案】C
15.稳压二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线( )
A.VD—ID B.VD—rD C.ID—rD D.BW—ID
【答案】A
【详解】本题考查稳压二极管的伏安特性曲线,稳压二极管的伏安特性曲线是指加在稳压二极管两端的电压和流过稳压二极管的电流之间的关系,因此该题应选A。
16.如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,下列说法错误的是( )
A.Oa为锗管的正向特性曲线,锗二极管死区电压小
B.Ob为硅管正向特性曲线,硅二极管导通压降大
C.二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系
D.Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线,Od反向饱和电流小于Oc
【答案】D
17.二极管的主要参数中,反映其承受反向电压能力的是( )
A.最大整流电流 B.最高反向工作电压
C.反向电流 D.正向压降
【答案】B
【详解】最高反向工作电压反映了二极管承受反向电压的能力。所以选择 B 选项。
18.选择整流二极管时应主要考虑 两个参数( )
A.最大整流电流 B.最高反向工作电压
C.反向饱和电流 D.最高工作频率
【答案】AB
19.保险器件的主要参数不包括( )
A.额定电流 B.熔断时间 C.电阻值 D.额定电压
【答案】C
【详解】保险器件的主要参数包括额定电流、熔断时间和额定电压,电阻值不是主要参数。所以选择C选项。
20.二极管的反向饱和电流主要由什么决定( )
A.温度 B.材料 C.正向电压 D.反向电压
【答案】B
【详解】二极管的反向饱和电流主要由半导体材料决定,不同材料的二极管在相同条件下具有不同的反向饱和电流。因此,B选项正确。A选项错误,温度对反向饱和电流有一定影响,但不是主要因素。C和D选项错误,正向电压和反向电压与反向饱和电流无直接关系。
二、填空题(本大题共15空,每空2分,共30分)
21.PN 结具有_____导电性,即正向导通,反向截止。
【答案】单向
22.硅二极管的正极电位是-11V,负极电位是-10.3V,则该晶体二极管处于___状态。
【答案】截止
23.如图所示的电路中,若二极管VD1、VD2为理想元件,则UAB=___V。
【答案】0
24.理想二极管VD构成的电路如图所示,则Uo=___V。
【答案】-8
25.用指针式万用表测量一正常的整流二极管,测得一次电阻为3kΩ,则此时红表笔接的是二极管的______极。
【答案】负
26.当二极管两端正向电压大于死区电压时,二极管_____。
【答案】导通
27.二极管的伏安特性曲线不是直线,说明二极管属于______元件。
【答案】非线性
28.二极管长期运行时,允许通过的最大正向平均电流称为_______。
【答案】最大整流电流
【详解】二极管长期运行时,允许通过的最大正向平均电流称为最大整流电流。
29.二极管的正向动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而___。
【答案】减小
30.二极管反向漏电流是指二极管未击穿时的反向电流,其值愈______,则管子的单向导电性愈好。
【答案】小
31.LED工作于______区,稳压二极管工作于______区,变容二极管工作于______区。
【答案】 正向导通 反向击穿 反向截止区
32.2AP系列晶体二极管是由______半导体材料制成的,P代表是______。
【答案】 锗 普通管
三、简答题(本大题共2小题,每题5分,共10分)
33.绘出硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,并标出各区。
【答案】二极管伏安特性曲线分区是死区、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
34.如图所示电路,二极管为理想二极管,在的电压作用下,分析二极管的状态,并画出输出电压Uo的波形。
【答案】输出电压Uo的波形为:当ui≥6V时,二极管导通,Uo=ui;当ui<6V时,二极管截止,Uo=6V。
试卷第1页,共3页
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(一)掌握内容:二极管(一)
内蒙古自治区电气技术类专业综合理论考试
《电子技术基础及应用》 考点双析卷 第1卷
二极管(一) 教师讲解卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共20小题,每小题3分,共60分)
1.电路如图所示,则二极管、的状态为( )
A.导通,截止 B.截止,导通
C.、均截止 D.、均导通
2.当硅晶体二极管加上0.3V的正向电压,二极管相当于( )
A.短路 B.断路 C.小电阻 D.无法确定
3.二极管正向导通时,呈现( )
A.较小的非线性电阻 B.较大的非线性电阻
C.较小的线性电阻 D.较大的线性电阻
4.根据晶体二极管的伏安特性的正向区,晶体二极管导通时相当于( )
A.大电阻 B.小电 C.断开的开关 D.接通的开关
5.如图所示,输出电压是( )
A.15V B.5V C.-15V D.-5V
6.下列图形符号中,哪一个是发光二极管的图形符号( )
A. B. C. D.
7.判断二极管极性时,有白色环的一端通常为( )
A.正极 B.负极 C.不确定 D.以上都不对
8.某二极管的型号为1N4007,其中“7”表示( )
A.额定电流 B.反向击穿电压 C.工作频率 D.放大倍数
9.用指针式万用表挡测量电阻时,指针在30刻度处,被测电阻的阻值约为( )
A.30Ω B.300Ω C.3kΩ D.30kΩ
10.用数字式万用表测量小功率二极管极性时,应选用( )
A.二极管挡 B.直流电压挡 C.交流电压挡 D.电阻挡
11.测量二极管正向电阻时,万用表应选择 挡位( )
A.电阻×1 B.电阻×10 C.电阻×100 D.电阻×1k
12.稳压二极管的工作区域是( )
A.正向导通区 B.反向截止区
C.死区 D.反向击穿区
13.如图所示为某二极管的伏安特性曲线,下列说法正确的是( )
A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大
C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏
14.下列选项中,二极管为硅管,工作于正常导通状态的是( )
A.-100V-50V B.4.3V5V
C.10V7.2V D.-12-11.7V
15.稳压二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线( )
A.VD—ID B.VD—rD C.ID—rD D.BW—ID
16.如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,下列说法错误的是( )
A.Oa为锗管的正向特性曲线,锗二极管死区电压小
B.Ob为硅管正向特性曲线,硅二极管导通压降大
C.二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系
D.Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线,Od反向饱和电流小于Oc
17.二极管的主要参数中,反映其承受反向电压能力的是( )
A.最大整流电流 B.最高反向工作电压
C.反向电流 D.正向压降
18.选择整流二极管时应主要考虑 两个参数( )
A.最大整流电流 B.最高反向工作电压
C.反向饱和电流 D.最高工作频率
19.保险器件的主要参数不包括( )
A.额定电流 B.熔断时间 C.电阻值 D.额定电压
20.二极管的反向饱和电流主要由什么决定( )
A.温度 B.材料 C.正向电压 D.反向电压
二、填空题(本大题共15空,每空2分,共30分)
21.PN 结具有_____导电性,即正向导通,反向截止。
22.硅二极管的正极电位是-11V,负极电位是-10.3V,则该晶体二极管处于___状态。
23.如图所示的电路中,若二极管VD1、VD2为理想元件,则UAB=___V。
24.理想二极管VD构成的电路如图所示,则Uo=___V。
25.用指针式万用表测量一正常的整流二极管,测得一次电阻为3kΩ,则此时红表笔接的是二极管的______极。
26.当二极管两端正向电压大于死区电压时,二极管_____。
27.二极管的伏安特性曲线不是直线,说明二极管属于______元件。
28.二极管长期运行时,允许通过的最大正向平均电流称为_______。
29.二极管的正向动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而___。
30.二极管反向漏电流是指二极管未击穿时的反向电流,其值愈______,则管子的单向导电性愈好。
31.LED工作于______区,稳压二极管工作于______区,变容二极管工作于______区。
32.2AP系列晶体二极管是由______半导体材料制成的,P代表是______。
三、简答题(本大题共2小题,每题5分,共10分)
33.绘出硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,并标出各区。
34.如图所示电路,二极管为理想二极管,在的电压作用下,分析二极管的状态,并画出输出电压Uo的波形。
试卷第1页,共3页
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