第23练 MOS场效晶体管《电子技术基础与技能》（苏教版) 一课一练

编写说明：考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况，我们依据支架式教学理念，精心编制了《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练。专辑里的每一份练习，都与课堂所授知识点紧密相关，题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣，培养他们的学习自觉性，帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法，为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。 本卷是《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练的第23练，内容涵盖第三章常用放大器的第八节MOS场效晶体管。 《电子技术基础与技能》(苏教版）第23练 第三章 常用放大器 第八节 MOS场效晶体管 一、填空题 1.MOS管按导电沟道分，有N沟道和    沟道两类。 2.增强型MOS管的导通需在栅源间加    电压。 3.MOS管的输入电阻远    于三极管的输入电阻。 二、单项选择题 4.增强型N沟道MOS管的开启电压VGS(th)为（ ） A. 负值 B. 零 C. 正值 D. 任意值 5.MOS管的控制方式为（ ） A. 电流控制电流 B. 电压控制电流 C. 电流控制电压 D. 电压控制电压 6.耗尽型MOS管的特点是（ ） A. 零栅压时无沟道 B. 零栅压时有沟道 C. 需高电压导通 D. 输入电阻低 三、判断题 7.MOS管的栅极不能悬空，需接保护电阻。（ ） 8.P沟道MOS管的漏极电位高于源极电位。（ ） 9.MOS管的功耗比三极管更低。（ ） 四、简答题 10.简述MOS场效晶体管“高输入电阻”特性的优势及应用场景。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况，我们依据支架式教学理念，精心编制了《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练。专辑里的每一份练习，都与课堂所授知识点紧密相关，题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣，培养他们的学习自觉性，帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法，为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。 本卷是《电子技术基础与技能》(苏教版）一课一练的第23练，内容涵盖第三章常用放大器的第八节MOS场效晶体管。 《电子技术基础与技能》(苏教版）第23练 第三章 常用放大器 第八节 MOS场效晶体管 一、填空题 1.MOS管按导电沟道分，有N沟道和    沟道两类。 【答案】：P 【解析】：MOS管分N沟道和P沟道，载流子类型不同。 2.增强型MOS管的导通需在栅源间加    电压。 【答案】：开启 【解析】：增强型MOS管需开启电压形成导电沟道。 3.MOS管的输入电阻远    于三极管的输入电阻。 【答案】：大 【解析】：MOS管栅极绝缘，输入电阻可达10^10Ω以上。 二、单项选择题 4.增强型N沟道MOS管的开启电压VGS(th)为（ ） A. 负值 B. 零 C. 正值 D. 任意值 【答案】：C 【解析】：N沟道增强型MOS管开启电压为正。 5.MOS管的控制方式为（ ） A. 电流控制电流 B. 电压控制电流 C. 电流控制电压 D. 电压控制电压 【答案】：B 【解析】：MOS管通过栅源电压控制漏极电流。 6.耗尽型MOS管的特点是（ ） A. 零栅压时无沟道 B. 零栅压时有沟道 C. 需高电压导通 D. 输入电阻低 【答案】：B 【解析】：耗尽型MOS管零栅压时已有导电沟道。 三、判断题 7.MOS管的栅极不能悬空，需接保护电阻。（ ） 【答案】：√ 【解析】：栅极悬空易积累静电，击穿栅极绝缘层。 8.P沟道MOS管的漏极电位高于源极电位。（ ） 【答案】：× 【解析】：P沟道MOS管源极电位高于漏极。 9.MOS管的功耗比三极管更低。（ ） 【答案】：√ 【解析】：MOS管为电压控制，静态功耗极低。 四、简答题 10.简述MOS场效晶体管“高输入电阻”特性的优势及应用场景。 【答案】：MOS管栅极与沟道间为绝缘层，输入电阻可达10^10Ω以上，几乎无需输入电流即可控制漏极电流；该特性使其适用于高输入阻抗场景，如微弱信号检测（传感器信号放大前端）、阻抗变换电路、集成电路（CMOS电路）、电池供电设备（静态功耗低），也可用于多级放大电路的输入级，避免前级信号源负载过重。 【解析】：MOS管高输入电阻，适用于高阻抗、低功耗场景。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $