内容正文:
编写说明:湖南省(对口招生)电子电工类《电子技术模块》考点双析卷专辑,依据2026年湖南省(对口招生)考试纲要知识模块《电子技术模块》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第2卷精准对标湖南省(对口招生)考试纲要知识模块《电子技术模块》:
(一)掌握内容:半导体基础
湖南省电子电工类专业综合理论考试
《电子技术模块》考点双析卷 第2卷
半导体器件基础 教师讲解卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共20小题,每小题3分,共60分)
1.场效应晶体管属于 控制型器件。( )
A.电流 B.电压 C.功率 D.电阻
2.如图所示符号代表的半导体器件是( )
A.普通二极管 B.稳压管 C.发光二极管 D.光电二极管
3.二极管的正向死区电压(门槛电压),硅管约为( )
A.0.1-0.2V B.0.5V C.0.7V D.1V
4.晶体三极管的饱和状态是指( )
A.基极电流等于发射极电流
B.集电极到基极电压大于集电极到发射极电压
C.集电极到基极电压小于集电极到发射极电压
D.基极电压高于发射极电压
5.如图所示的电路,二极管为理想器件,根据电路图分析可知( )
A. VD1导通,uo=3V B.VD1导通,uo=0
C.VD1截止,uo=0 D.VD1截止,uo=3V
6.稳压二极管要处于稳压状态,应工作在( )
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.空间电荷区
7.半导体器件2CZ52B是 二极管。( )
A.P型锗材料 B.P型硅材料 C.N型锗材料 D.N型硅材料
8.现有两只稳压值为6.3V的硅稳压管,按图所示连接成电路,输出电压值是 V。( )
A.6.3 B.7 C.1.4 D.12.6
9.VGS=0V,时,能够工作在饱和区的场效应晶体管有( )
A.结型场效应晶体管 B.增强型场效应晶体管
C.耗尽型场效应晶体管 D.晶体三极管
10.电路如图所示,稳压管的稳定电压UVZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。当Ui为10V时,输出电压Uo的值为( )
A.3.33V B.6V C.10V D.6.67V
11.下列常用稳压二极管型号中,哪一种型号不是稳压二极管( )。
A.1N4729 B.1N5221 C.1N4001 D.1N4728
12.如图所示电路,已知UI=12V,Vz=5V,Izmin=5mA,R=RL=3KΩ,则URL为( )
A.5V B.6V C.0V D.12V
13.二极管的伏安特性曲线中,正向导通区的特点是( )。
A.电流变化大,电压变化小 B.电流变化小,电压变化大
C.电流和电压变化都大 D.电流和电压变化都小
14.如图所示的复合管,,,复合管的总电流放大倍数和复合后的管型分别为( )。
A.80,NPN型 B.1500,PNP型 C.50,PNP型 D.30,NPN型
15.晶体管的 ICEO 大,说明其( )。
A.工作电流大 B.击穿电压高
C.热稳定性差 D.寿命长
16.在选择二极管时,需要考虑的参数有( )。
A.最大反向电压 B.最大整流电流
C.工作频率 D.以上都是
17.在图中用万用表测得两端电压为10V,这说明该稳压二极管( )。
A.已经击穿 B.接反 C.工作正常 D.开路
18.有两只2CW5的稳压二极管,稳压值分别是12V、14V,这两只稳压二极管组合连接后的稳压值不可能是( )。
A.12V B.26V C.14V D.14.7V
19.检测结型场效应管时,黑表笔接栅极,红表笔接源极和漏极,阻值均很小,该管为 沟道。( )
A.N B.P C.增强型 D.耗尽型
20.本征半导体中,自由电子和空穴的数量关系是( )
A.自由电子多于空穴 B.空穴多于自由电子
C.数量相等 D.无法确定
三、填空题(本大题共20小题,每小题2分,共40分)
21.结型场效应管的夹断电压符号是____。
22. 稳压管的稳压特性是利用其反向击穿后的____特性。
23. 当二极管两端正向电压大于死区电压时,二极管_____。
24.
两个硅稳压二极管,稳压值为,若用于稳定电压的电路,则可把两管串接,应______偏置。
25. 结型场效应管的漏极符号为_____。
26. 三极管输出特性曲线族可以分为截止区、放大区和_________区。
27.
当三极管工作于截止区时,;当三极管工作于_________区时,关系式才成立。
28. 利用二极管的 __________可以把它当做电子开关使用。
29. 二极管正向偏置时两端电压与流过电流的关系是二极管的______。
30. 最大整流电流是指二极管正向工作时允许通过的______电流。
31. 二极管的主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的______。
32. 二极管的反向饱和电流会随______升高而增大。
33. 二极管两端的电压小于死区电压时,二极管将处于______状态。
34. 二极管的两端加正向电压时,有一段“死区电压”,锗管约为______。
35. 场效应管参与导电的载流子有______种。
36. 二极管反向偏置时两端电压与流过电流的关系是指二极管的______。
37. 变容二极管工作时加______电压,相当于一个通过电压控制的自动微调电容器。
38. 三极管的输出特性曲线分为截止、饱和、__________三个区域。
39. 在反向击穿区,______的微小变化会引起反向电流的急剧变化。
40. 锗管导通时正向压降约___V。
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
学科网(北京)股份有限公司
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编写说明:湖南省(对口招生)电子电工类《电子技术模块》考点双析卷专辑,依据2026年湖南省(对口招生)考试纲要知识模块《电子技术模块》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第2卷精准对标湖南省(对口招生)考试纲要知识模块《电子技术模块》:
(一)掌握内容:半导体基础
湖南省电子电工类专业综合理论考试
《电子技术模块》考点双析卷 第2卷
半导体器件基础 学生练习卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共20小题,每小题3分,共60分)
1.场效应晶体管属于 控制型器件。( )
A.电流 B.电压 C.功率 D.电阻
【答案】B
2.如图所示符号代表的半导体器件是( )。
A.普通二极管 B.稳压管 C.发光二极管 D.光电二极管
【答案】B
3.二极管的正向死区电压(门槛电压),硅管约为( )。
A.0.1-0.2V B.0.5V C.0.7V D.1V
【答案】B
4.晶体三极管的饱和状态是指( )。
A.基极电流等于发射极电流
B.集电极到基极电压大于集电极到发射极电压
C.集电极到基极电压小于集电极到发射极电压
D.基极电压高于发射极电压
【答案】B
【详解】晶体三极管处于饱和状态时,集电极到基极的电压(Ucb)应大于集电极到发射极的电压(Uce),并且基极电流(Ib)大于发射极电流(Ie)。
5.如图所示的电路,二极管为理想器件,根据电路图分析可知( )。
A. VD1导通,uo=3V B.VD1导通,uo=0
C.VD1截止,uo=0 D.VD1截止,uo=3V
【答案】C
6.稳压二极管要处于稳压状态,应工作在( )。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.空间电荷区
【答案】C
【详解】本题考查稳压二极管处于稳压状态时工作在反击穿区,当稳压二极管处于正向导通时与普通二极管的作用相同,由于制作稳压二极管的材料为硅材料,因此当稳压二极管处于正向导通时,正向压降为0.7V。
7.半导体器件2CZ52B是 二极管。( )
A.P型锗材料 B.P型硅材料 C.N型锗材料 D.N型硅材料
【答案】B
8.现有两只稳压值为6.3V的硅稳压管,按图所示连接成电路,输出电压值是 V。( )
A.6.3 B.7 C.1.4 D.12.6
【答案】B
9.VGS=0V,时,能够工作在饱和区的场效应晶体管有( )。
A.结型场效应晶体管 B.增强型场效应晶体管
C.耗尽型场效应晶体管 D.晶体三极管
【答案】C
10.电路如图所示,稳压管的稳定电压UVZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。当Ui为10V时,输出电压Uo的值为( )。
A.3.33V B.6V C.10V D.6.67V
【答案】B
【详解】稳压管工作在反向击穿区时,能稳定输出电压。当输入电压Ui = 10V时,假设稳压管正常工作,其两端电压Uvz=6V,则电阻R上的电压UR= Ui- Uvz=10 - 6 = 4V。
此时流过电阻R的电流IR=UR/R=4/1000=4mA。
流过负载RL的电流IL=UVZ/RL=6/500=12mA。
则流过稳压管的电流IZ=IL-IR=12 - 4 = 8mA。
因为IZmin=8mA< IZmax,所以稳压管工作在稳压区,输出电压Uo=UVZ=6V。
11.下列常用稳压二极管型号中,哪一种型号不是稳压二极管( )。
A.1N4729 B.1N5221 C.1N4001 D.1N4728
【答案】C
【详解】本题考查稳压二极管的常见型号,稳压二极管的常见型号有1N 47XX系列,1N52XX系列,本题中的1N4728、1N4729、1N5221均为稳压二极管,其中1N4001为常见整流二极管型号。
12.如图所示电路,已知UI=12V,Vz=5V,Izmin=5mA,R=RL=3KΩ,则URL为( )。
A.5V B.6V C.0V D.12V
【答案】B
【详解】本题考查稳压二极管并联型稳压电路中稳压二极管的稳压状态,假设稳压二极管处于稳压状态,IR=(12-6)/3=3mA<Izmin=5mA,由此可以判断该稳压二极管未处于稳压状态,由R与RL的串联关系可知,URL=6V。
13.二极管的伏安特性曲线中,正向导通区的特点是( )。
A.电流变化大,电压变化小 B.电流变化小,电压变化大
C.电流和电压变化都大 D.电流和电压变化都小
【答案】A
【详解】二极管在正向导通区,电流变化大,电压变化小。所以选择A选项。
14.如图所示的复合管,,,复合管的总电流放大倍数和复合后的管型分别为( )。
A.80,NPN型 B.1500,PNP型 C.50,PNP型 D.30,NPN型
【答案】B
15.晶体管的 ICEO 大,说明其( )。
A.工作电流大 B.击穿电压高
C.热稳定性差 D.寿命长
【答案】C
【详解】 ICEO大意味着晶体管的集 - 射极之间存在较大的漏电流。当温度升高时,这种漏电流会迅速增大,因为 ICEO受温度影响较大,会导致晶体管的工作状态很容易受温度变化的影响,所以说明其热稳定性差。选C。
16.在选择二极管时,需要考虑的参数有( )。
A.最大反向电压 B.最大整流电流
C.工作频率 D.以上都是
【答案】D
【详解】在选择二极管时,最大反向电压、最大整流电流和工作频率等参数都需要考虑。所以选择 D 选项。
17.在图中用万用表测得两端电压为10V,这说明该稳压二极管( )
A.已经击穿 B.接反 C.工作正常 D.开路
【答案】D
18.有两只2CW5的稳压二极管,稳压值分别是12V、14V,这两只稳压二极管组合连接后的稳压值不可能是( )
A.12V B.26V C.14V D.14.7V
【答案】C
19.检测结型场效应管时,黑表笔接栅极,红表笔接源极和漏极,阻值均很小,该管为 沟道。( )
A.N B.P C.增强型 D.耗尽型
【答案】A
20.本征半导体中,自由电子和空穴的数量关系是( )
A.自由电子多于空穴 B.空穴多于自由电子
C.数量相等 D.无法确定
【答案】C
三、填空题(本大题共20小题,每小题2分,共40分)
21.结型场效应管的夹断电压符号是____。
【答案】VP
22. 稳压管的稳压特性是利用其反向击穿后的____特性。
【答案】恒压
23. 当二极管两端正向电压大于死区电压时,二极管_____。
【答案】导通
24.
两个硅稳压二极管,稳压值为,若用于稳定电压的电路,则可把两管串接,应______偏置。
【答案】反向
25. 结型场效应管的漏极符号为_____。
【答案】D
26. 三极管输出特性曲线族可以分为截止区、放大区和_________区。
【答案】饱和
27.
当三极管工作于截止区时,;当三极管工作于_________区时,关系式才成立。
【答案】放大区
28. 利用二极管的 __________可以把它当做电子开关使用。
【答案】单向导电性
【详解】利用二极管的单向导电性可以把它当做电子开关使用。
29. 二极管正向偏置时两端电压与流过电流的关系是二极管的______。
【答案】正向特性
30. 最大整流电流是指二极管正向工作时允许通过的______电流。
【答案】最大平均
31. 二极管的主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的______。
【答案】最高反向工作电压
32. 二极管的反向饱和电流会随______升高而增大。
【答案】温度
33. 二极管两端的电压小于死区电压时,二极管将处于______状态。
【答案】截止
34. 二极管的两端加正向电压时,有一段“死区电压”,锗管约为______。
【答案】0.1~0.2V
35. 场效应管参与导电的载流子有______种。
【答案】1
【详解】场效应管是电压控制半导体器件,参与导电的载流子有1种。
场效应管利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流,属于电压控制型器件。场效应管中参与导电的载流子只有一种,要么是电子(N沟道场效应管),要么是空穴(P沟道场效应管)。
36. 二极管反向偏置时两端电压与流过电流的关系是指二极管的______。
【答案】反向特性
37. 变容二极管工作时加______电压,相当于一个通过电压控制的自动微调电容器。
【答案】反向
38. 三极管的输出特性曲线分为截止、饱和、__________三个区域。
【答案】放大
39. 在反向击穿区,______的微小变化会引起反向电流的急剧变化。
【答案】反向电压
40. 锗管导通时正向压降约___V。
【答案】0.3
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
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